「inversion region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To form a polarization inversion region uniformly in the entire region of a substrate when a nonlinear optical element having cyclic polarization inversion structure is formed.例文帳に追加

周期的分極反転構造を有する非線形光学素子の製造にあたり、基板全域に均一に分極反転領域を形成する。 - 特許庁

A plurality of polarization inversion arrays PL alternately formed with polarization inversion regions and polarization non-inversion region are formed in the optical wavelength conversion element 30.例文帳に追加

光波長変換素子３０には、分極反転領域と分極非反転領域とが交互に形成された分極反転列ＰＬが複数形成されている。 - 特許庁

An information code reading system 1 is characterized in that a light-color module region of an information code C added to an information code forming medium 10 is an inversion region, and a dark-light module region is a non-inversion region.例文帳に追加

情報コード読取システム１では、情報コード形成媒体１０に付された情報コードＣの明色モジュール領域が反転領域とされ、暗色モジュール領域が非反転領域とされている。 - 特許庁

A drain breakdown voltage at the time of weak inversion or inversion in a channel forming region, is made smaller than the maximum drain applied voltage.例文帳に追加

チャネル形成領域が弱反転あるいは反転時のドレイン耐圧を最大ドレイン印加電圧より小さくした。 - 特許庁

To provide a ferroelectric material region inversion bulk forming method using low voltage.例文帳に追加

低電圧使用の鉄電性材料領域反転バルク形成方法の提供。 - 特許庁

The positions of the AF control region, the AE control region and the AWB adjusting region are changed in response to the erection and inversion of the imaging device.例文帳に追加

撮像装置の正立、倒立に応じてＡＦ制御領域、ＡＥ制御領域、ＡＷＢ調整領域の位置を変更する。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

The polarization inversion structure is formed repeatedly in a predetermined period along the propagation direction of light, wherein the proportion of an inversion region to a non-inversion region in each period is continuously changed in at least a part of the propagation direction of light in the nonlinear optical medium 41, and the structure includes a period that does not have non-inversion region.例文帳に追加

光の伝播方向に一定周期で前記分極反転構造が形成され、かつ、周期ごとの反転領域と非反転領域の割合が、少なくとも非線形光学媒質４１の光の伝播方向の一部において連続的に変化し、非反転領域のない周期を含む。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF POLARIZATION INVERSION REGION AND OPTICAL WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

分極反転領域の製造方法ならびにそれを利用した光波長変換素子 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an inversion structure, with which belt width variation in inversion regions is suppressed even when an angle between a longitudinal direction of the inversion region and the y-axis direction gets large, in a periodically polarization inversion structure comprising the inversion regions with a fan out shape or the like arranged in a radial pattern.例文帳に追加

ファンアウト形状のような反転領域が放射状に配置される周期的分極反転構造において、該反転領域の長手方向とＹ軸方向とのなす角度が大きくなっても、該領域の帯幅の変化を抑制し得る、反転構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages.例文帳に追加

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 - 特許庁

To allow a region where p/n-type inversion is caused to be formed in a depth range deeper than before.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。 - 特許庁

The photo-detector 15 has a p-type first impurity region (surface inversion layer) 6 formed on the semiconductor substrate 1 and an n-type second impurity region (photoelectric conversion region) 4 formed under the surface inversion layer 6.例文帳に追加

受光部１５は、半導体基板１に形成されたｐ型の第１不純物領域（表面反転層）６と、表面反転層６の下に形成されたｎ型の第２不純物領域（光電変換領域）４とを有している。 - 特許庁

When a voltage is applied to a gate electrode film 26 on the channel region 47 and an inversion layer is formed in the transistor 1, the source region 46 and the drain layer 12 are connected via the inversion layer and the conductivity region 42.例文帳に追加

このトランジスタ１では、チャネル領域４７上のゲート電極膜２６に電圧を印加し、反転層が形成されると、ソース領域４６とドレイン層１２とが反転層及び導電領域４２を介して接続される。 - 特許庁

The surface inversion layer 6 is formed by introducing indium into the region in the semiconductor substrate 1 where the photoelectric conversion region 4 is formed.例文帳に追加

表面反転層６は、半導体基板１の光電変換領域４が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。 - 特許庁

To provide a polarization inversion forming method that can homogeneously generate a polarization inversion state in a polarization inversion area even when a region where polarization inversion is formed has a large area of ≥50 μm in width and reduce the intensity of a voltage applied during the polarization inversion.例文帳に追加

分極反転を形成する領域の幅が、５０μｍ以上となる大面積であっても、分極反転領域内の分極反転状態を均質に形成することが可能であり、さらに、分極反転時に印加される電圧の強度を低減することを可能な分極反転形成方法を提供すること。 - 特許庁

The polarization inversion structure is formed repeatedly in a predetermined period along the propagation direction of light, wherein the proportion of an inversion region to a non-inversion region in each period is continuously changed, in at least a part of the propagation direction of light in the nonlinear optical medium 41.例文帳に追加

光の伝播方向に一定周期で分極反転構造が形成され、かつ、周期ごとの反転領域と非反転領域の割合が、少なくとも非線形光学媒質４１の光の伝播方向の一部において、連続的に変化している。 - 特許庁

To reduce current loss by forming a region where p/n type inversion occurs within a range of deeper depth.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域をより深い範囲に形成し電流損失を低減可能とする。 - 特許庁

Next, a p-type diode base region 162 is formed within the well region 121d for diode simultaneously, when an inversion preventing layer 161 is formed.例文帳に追加

次に、反転防止層１６１の形成と同時にダイオード用ウェル領域１２１ｄ内にＰ型のダイオードベース領域１６２を形成する。 - 特許庁

Immediately after inverting a spin of an imaging region CS by a first inversion pulse, a second tag-attaching inversion pulse is applied together with a selectively excitation gradient magnetic field.例文帳に追加

撮像領域ＣＳのスピンを１回目のインバージョンパルスにより反転させた直後、選択励起傾斜磁場と共に２回目のタグ付けインバージョンパルスを印加する。 - 特許庁

As other driving method, such a two-frame inversion drive that the polarity inversion of an image data signal applied to a data wiring in the low temperature region is performed one time per two frames, is employed.例文帳に追加

他の駆動方法として、低温域においてデータ配線に印加する画像データ信号の極性反転を２フレームに一回とする２フレーム反転駆動を採用する。 - 特許庁

As a result, an inversion layer is formed at a site of the p-type silicon region 11 in contact with the insulating region 9 to prevent a surge voltage in the circuit region 5 from being transmitted to the circuit region 7.例文帳に追加

これにより、ｐ形シリコン領域１１のうちトレンチ溝型絶縁領域９に接触した部位に反転層を形成し、回路領域５内のサージ電圧が回路領域７に伝わるのを防止できる。 - 特許庁

A current blocking layer 11 containing an N-type inversion region is formed on a side surface of a ridge-shaped clad layer 9.例文帳に追加

リッジ形状のクラッド層９の側面にｎ型反転領域を含む電流阻止層１１を設ける。 - 特許庁

Silicon or the like volatilized from a mask material is introduced, thereby forming the N-type inversion region.例文帳に追加

このｎ型反転領域は、マスク材料から揮発したシリコン等が導入されることにより形成される。 - 特許庁

To prevent the inversion of a conductive type of an n type channel formation region due to B(boron) diffusion.例文帳に追加

Ｂ（ボロン）の拡散によってｎ型のチャネル形成領域の導電型が反転してしまうことを防止する。 - 特許庁

To provide a device for forming a uniform short-period polarization inversion region on a ferroelectric single crystal.例文帳に追加

均一、かつ、短周期の分極反転領域を強誘電体単結晶に形成する装置を提供すること。 - 特許庁

To form a region where p/n type inversion occurs within a range of deeper depth than that of a carbon doped wafer.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とする。 - 特許庁

A trim mask comprises a chrome mask which is arranged on the position corresponding to a gate region and a phase inversion mask which is arranged on the position corresponding to a field poly region.例文帳に追加

ゲート領域に対応する位置に配置されるクロムマスク及びフィールドポリ領域に対応する位置に配置される位相反転マスクを含むトリムマスク。 - 特許庁

The dummy inversion period X1 is set with a dummy excited region Rd1 overlapped with a part of a slice S1 at the left end, and the dummy inversion period X2 is set with a dummy excited region Rd2 overlapped with a part of a slice Sn at the right end.例文帳に追加

ダミー反転期間Ｘ１では、左端のスライスＳ１の一部に重なるダミー励起領域Ｒd1を設定し、ダミー反転期間Ｘ２では、右端のスライスＳｎの一部に重なるダミー励起領域Ｒd2を設定する。 - 特許庁

The crystal-axis inversion parts grow up to the inside of the crystal, propagate up to the inside of the crystal, and the parts corresponding to the protruding parts 4 are jointed to form a crystal-axis inversion region 6.例文帳に追加

この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、凸部４に対応する部分がつながって、結晶軸反転領域６が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device for optical wavelength conversion element that facilitate control over the size of a polarization inversion region by generating polarization inversion nuclei with high density.例文帳に追加

分極反転核を均一で高密度に生成することで、分極反転領域の寸法を制御し易い光波長変換素子の製造方法およびその製造装置を提供する。 - 特許庁

Then, a face detection part 13 detects a face region showing the face of a user from the image inverted by the inversion part 12.例文帳に追加

次に、顔検出部１３は、反転部１２が反転させた画像から使用者の顔を示す顔領域を検出する。 - 特許庁

This technique diminishes the coercive force electric field of the periodic region inversion structure SHG crystal by applying a doping effect.例文帳に追加

本技術はドープ効果を応用して周期性領域反転構造ＳＨＧ結晶の保磁力電場を小さくする。 - 特許庁

Therefore, it is possible to reduce the generation of leakage currents between those n type diffusion layers 24 through the n type inversion region.例文帳に追加

したがって、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層２４間での漏れ電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

In the configuration described above, the display panel driving circuit 14 gives a driving signal KS to the inversion region 122.例文帳に追加

上述の構成において、表示パネル駆動回路１４は、反転領域１２２に駆動用信号ＫＳを与える。 - 特許庁

Upon the second exposure, phase inversion regions (S) of the second mask is arranged to be associated with non-phase inversion region (NS) of the first mask, and non-phase inversion areas (NS) of the second mask is to correspond to with phase inversion areas (S) of the first mask.例文帳に追加

前記第２露光時、第２交番位相反転マスクの位相反転領域（Ｓ）は第１交番位相反転マスクの非位相反転領域（ＮＳ）に対応するようにし、第２交番位相反転マスクの非位相反転領域（ＮＳ）は第１交番位相反転マスクの位相反転領域（Ｓ）に対応するように構成する。 - 特許庁

In the structure, the excessive charge exhaust region is located inside the semiconductor substrate, and so it is separate from the charge storage region and a region where an inversion layer is formed during transfer of signal charge.例文帳に追加

この構造では、過剰電荷排出領域は、半導体基板の内部に位置するので、電荷蓄積領域や、信号電荷の転送時に反転層が形成される領域から離れている。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor region 17 forms a hetero-junction 25 in the first semiconductor part 15b of the GaN-based semiconductor region 15 as a two-dimensional inversion layer 23.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１７はＧａＮ系半導体領域１５の第１の半導体部１５ｂにヘテロ接合２５を成し、二次元反転層２３が形成される。 - 特許庁

To increase processing speed while maintaining accuracy of conversion with respect to a device having a gray-level inversion region, and to improve color reproducibility by suppressing deterioration of gray-level inversion in inverse transformation.例文帳に追加

階調反転領域があるデバイスに対して変換の精度を維持しつつ処理速度を向上させ、且つ逆変換の際に階調反転の悪化を抑制して色再現性を向上させる。 - 特許庁

By passing light through the ridge waveguide 9, the light passes through the inversion part of the crystal axis (polarization inversion region) 4 while confined in the waveguide 9 to convert wavelengths.例文帳に追加

よって、このリッジ型導波路９に光を通すことにより、光はリッジ型導波路９に閉じ込められた状態で、結晶軸反転部分（分極反転領域）４を通過し、波長変換が行われる。 - 特許庁

To solve the problem wherein the output signal cannot recognized from that in the ordinary drive mode, if an optical black region is made symmetrically in the vertical and horizontal directions for an effective pixel region, because the signal of equal number of pixels are outputted to both optical black region and effective pixel region even in any drive mode of the vertical inversion or horizontal inversion.例文帳に追加

画素の配列として、有効画素領域に対してオプティカルブラック領域が上下・左右対称に作られていると、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、オプティカルブラック領域および有効画素領域共に同じ数だけ画素の信号が出力されるために、出力信号として通常の駆動モードの場合と識別できないことになる。 - 特許庁

Furthermore, the cost can be reduced by employing p^+ field ion implantation for forming the anti-inversion region B.例文帳に追加

また、この反転防止領域Ａを形成するイオン注入をｐ^＋ フィールドイオン注入で行うことで低コスト化することができる。 - 特許庁

A phase shifting film 11 which transmits exposure light at a low transmittance after phase inversion is formed on the upper region of a transparent substrate 10 except a light transmissive portion forming region (opening forming region).例文帳に追加

透過性基板１０における透光部形成領域（開口部形成領域）以外の他の領域の上に、露光光を低透過率で位相反転させて透過させる位相シフト膜１１が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 11 including n-type silicon, in which a first polarity inversion region 12A and a second polarity inversion region 12B are formed on an upper side with an interval from each other, and introduced with a p-type impurity.例文帳に追加

半導体装置は、上部に互いに間隔をおいて形成され且つｐ型不純物が導入されてなる第１の極性反転領域１２Ａ及び第２の極性反転領域１２Ｂが形成されたｎ型シリコンからなる半導体基板１１を有している。 - 特許庁

The blank mask includes a light shielding film pattern formed in a region including a light shielding region on a transparent substrate and a phase inversion film formed on the exposed transparent substrate, and the phase inversion film has a phase difference of 160 to 200° relative to exposure light, and the light shielding film pattern and the phase inversion film are etched with the same etching material.例文帳に追加

透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。 - 特許庁