意味 | 例文 (141件) |
inversion regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 141件
The mask set contains: a pair of phase inversion regions which consist of two phase inversion regions having different phases arranged adjacent to each other to induce extinction interference and which define an access line; and a first opaque pattern formed on a transparent substrate to define the above phase inversion region pair.例文帳に追加
消滅干渉を起こせるように隣接配置された相異なる位相の位相反転領域2つよりなってアクセス配線を定義する位相反転領域対と前記位相反転領域対とを定義すべく透明基板上に形成された第1不透明パターンを含む。 - 特許庁
Thereby a part of the semiconductor layer 22 in the vicinity of the surface of the active region is inverted to a P type and a shallow inversion area 23 is formed.例文帳に追加
それによって、半導体層22の活性領域の表面近傍がP型に反転し、反転領域23が浅く形成される。 - 特許庁
The active layer 20 includes a p-type body region 22 in which an inversion layer is formed by application of voltage on the gate electrode 40.例文帳に追加
活性層20は、ゲート電極40に電圧が印加されることにより反転層が形成されるp型ボディ領域22を含む。 - 特許庁
The multi-electrode semiconductor laser element is constituted by sequentially arranging a gain region 24 where a population inversion is formed, and a saturable absorption region 26 having a light intensity modulation function.例文帳に追加
多電極半導体レーザ素子は、反転分布が形成される利得領域24と、光強度を変調する機能を有する可飽和吸収領域26とが順次配置されて構成される。 - 特許庁
The image reader 1 recognizes the letters of the type of film B11 and format number B12, described in the specified region B1 to decide on the inversion of the front and rear surfaces of the transparent document B and the inversion of the upper and lower sides and the right and left sides thereof.例文帳に追加
画像読取装置1は、特定領域B1に記載されたフィルムタイプB11やコマ番号B12を文字認識し、透明原稿Bの表裏反転や上下左右の反転の有無を判断する。 - 特許庁
An image processing apparatus is provided with: a region specification part which specifies a character region including achromatic characters and an achromatic background in an image to be outputted: an inversion processing part which subjects only the specified character region to inversion of brightness of achromatic color; and an output part which outputs an image including the character region in which the brightness of the achromatic color is inverted.例文帳に追加
画像処理装置であって、出力対象の画像における、無彩色による文字および無彩色による背景を含む文字領域を特定する領域特定部と、上記特定された文字領域のみを対象として、無彩色の明るさを反転させる反転処理部と、上記無彩色の明るさが反転した文字領域を含む画像を出力する出力部とを備える。 - 特許庁
An inversion region and a non-inversion region are discriminatingly detected in an image of the imaged information code forming medium 10 to extract regions of the light-color module and dark-color module, and the information code C is deciphered based upon extraction results.例文帳に追加
そして、その撮像された情報コード形成媒体10の画像において反転領域と非反転領域とを区別して検出することで明色モジュール及び暗色モジュールの領域を抽出し、その抽出結果に基づいて情報コードCを解読している。 - 特許庁
A conductive layer facing a region from a channel end to a drain part of a pixel switching element 10 is formed in such a manner that the potential of the above described region and the potential of the conductive layer facing the region have the same potential during inversion driving.例文帳に追加
画素スイッチング素子102のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon substrate that enables formation of a region where p/n type inversion occurs, in a range of depth deeper than the conventional case.例文帳に追加
p/n型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とするシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
Constant current I1 of a constant current circuit is reduced by on-resistance of a high resistance value of a NMOS transistor 23 operating in a strong inversion region/non-saturation region, without depending on a resistance of a high resistance value.例文帳に追加
高い抵抗値の抵抗によらず、強反転領域・非飽和領域で動作するNMOSトランジスタ23の高い抵抗値のオン抵抗により、定電流回路の定電流I1が少なくなる。 - 特許庁
Mobility μ of electrons in the inversion layer depends on an acceptor concentration N_a more strongly than in a state in proportion to an inverse of the acceptor concentration N_a in a channel region 29 of the p-type body region 22.例文帳に追加
反転層における電子の移動度μは、p型ボディ領域22のチャネル領域29におけるアクセプタ濃度N_aの逆数に比例する状態よりも強くアクセプタ濃度N_aに依存する。 - 特許庁
By applying a negative voltage to the light-blocking film 315 and the transparent conductive film 321, a P^++-type inversion region 329 is formed in a topmost part of the N-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加
この遮光膜315および透明導電膜321にマイナス電圧を印加することにより、N型光電変換領域303の表層部にP^++型反転領域329を形成する。 - 特許庁
To provide a transflective liquid crystal display device in which the mismatch of appearance in a reflection region and a transmission region can be suppressed in the transflective liquid crystal display device driven by inversion driving.例文帳に追加
反転駆動により駆動される半透過型液晶表示装置にいて、反射領域と透過領域とにおける見栄えの不一致を抑制できる半透過型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
A positive charge forming region and a negative charge forming region in the insulating microparticle are formed asymmetric with respect to any planes including the rotation axes for the inversion.例文帳に追加
前記正電荷形成領域および前記負電荷形成領域の各々が、前記反転のための回転軸を含むいかなる平面に対しても、非対称に形成されることによって前記課題を解決する。 - 特許庁
Due to the existence of the resistivity region 6, an inversion phase is hardly generated during reverse biasing and the value of leak current can be made small, without having to increase the impurity concentration of the high resistivity region 4.例文帳に追加
この低比抵抗領域6の存在によって、逆バイアス時に反転相が形成され難くなり、高比抵抗領域4の不純物濃度を上げずに漏れ電流の値を小さくすることができる。 - 特許庁
By using the light in the above wavelength region as exposure light, a region having the minimum intensity of light is formed by the phase inversion effect, resulting in a sharper exposure pattern.例文帳に追加
これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。 - 特許庁
The P channel region 37 of a gate 40b of an enhanced NMOSFET 200 may be performed with the same donor-doping as the N channel region 38 of the depressed NMOSFET 100, for doping of the acceptor with more dose amount for inversion to form.例文帳に追加
エンハンスメントNMOSFET 200 のゲート電40b のPチャネル領域37に、デプレッションNMOSFET 100 のNチャネル領域38と同じドナードーピングをおこない、より多いドーズ量のアクセプタのドーピングをおこなって反転させて形成してもよい。 - 特許庁
An N channel region 38 under a gate 40a of a depression NMOSFET 100 is doped with the same acceptor as a P channel region 37 of an enhanced NMOSFET 200, for a donor doping with more dose amount, for inversion to form.例文帳に追加
デプレッションNMOSFET 100 のゲート電40a の下のNチャネル領域38に、エンハンスメントNMOSFET 200 のPチャネル領域37と同じアクセブタのドーピングをおこない、より多いドーズ量のドナードーピングをおこなって反転させて形成する。 - 特許庁
By applying negative voltage to the light-shielding film 315 and the transparent conductive film 321, a p^++-type inversion region 329 is formed at the surface layer part of the n-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加
この遮光膜315および透明導電膜321にマイナス電圧を印加することにより、N型光電変換領域303の表層部にP^++型反転領域329を形成する。 - 特許庁
After transmitting the spin of the first subject region for selectively recovering the spin of the fist subject region 11, this apparatus transmits a second inversion recovery pulse IR2 for inverting the spin of the second subject region R21.例文帳に追加
そして、その第1の被検体領域R11のスピンを選択的に回復させるようにファストリカバリパルスFRを送信した後に、第2の被検体領域R21のスピンを反転させるように、第2のインバージョンリカバリパルスIR2を送信する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light receiving device in which the electrostatic breakdown and the surface inversion of an isolation region are eliminated while enhancing light receiving sensitivity.例文帳に追加
受光感度の向上を図りつつ、静電気による静電破壊や素子分離領域の表面反転の生じない半導体受光装置を提供する。 - 特許庁
Here, an emitter current flows on the surface side to prevent the effect of an inversion layer formed at the interface with the insulating region 2.例文帳に追加
かかる構成によれば、エミッタ電流は表面側を流れるようになり、絶縁領域2との界面に形成される反転層の影響を防止できる。 - 特許庁
To make the transconductance of an operational amplifier having a differential amplifier circuit composed of a CMOS constant over the whole input range even in an intense inversion region.例文帳に追加
差動増幅回路をCMOSで構成される演算増幅器において、強反転領域でも全入力範囲でトランスコンダクタンスを一定にする。 - 特許庁
ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8.例文帳に追加
つまり、可変電位絶縁電極5にゲート電極Gを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域8に反転層を形成しON動作を成す。 - 特許庁
With such a structure, an inversion layer is formed for a p-type base region 3 by turning only the first gate electrode 8a out of the first and second gate electrodes 8a, 8b, but the inversion layer may be formed not deep enough to connect an n^-type drift layer 2 and an n^+-type impurity region 4.例文帳に追加
このような構造では、第1、第2ゲート電極8a、8bのうちの第1ゲート電極8aのみをオンさせることで、p型ベース領域3に対して反転層を形成しながらも、その反転層がn^-型ドリフト層2とn^+型不純物領域4とを繋ぐ深さまでは形成されないようにすることができる。 - 特許庁
To provide a method of forming polarization inversion of finely and precisely forming a polarization inverted region in detail on a ferroelectric substrate, and the method for forming polarization inversion, capable of deterring a manufacturing stage from being complicated.例文帳に追加
強誘電体基板に、分極反転領域を緻密かつ精度良く微細に形成する分極反転形成方法を提供することであり、しかも、製造工程の複雑化を抑制することが可能な分極反転形成方法を提供すること。 - 特許庁
Without employing a resistor having a high resistance value, a constant current IREF of a constant curent circuit is reduced by an on resistance having a high resistance value of an NMOS transistor 13 operated in an unsaturated region of a strong inversion region.例文帳に追加
高い抵抗値の抵抗によらず、強反転領域の非飽和領域で動作するNMOSトランジスタ13の高い抵抗値のオン抵抗により、定電流回路の定電流IREFが少なくなる。 - 特許庁
To prevent gradation inversion without depending on the observation direction in a liquid crystal display having a liquid crystal region where the liquid crystal molecules are axially symmetrically aligned in each pixel region and having excellent viewing angle characteristics and high contrast.例文帳に追加
画素領域毎に液晶分子が軸対称配向した液晶領域を有する、視角特性に優れた高コントラストの液晶表示装置において、観測方向によらずに階調反転現象を防ぐ。 - 特許庁
To provide a silicon wafer for a p-type high-frequency device by enabling a region where p/n-type inversion is caused to be formed within a depth range deeper than that of a carbon-doped wafer.例文帳に追加
p/n型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とし、p型の高周波デバイス向けシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁
A ferroelectric crystal 100 comprises plural polarization inversion regions formed periodically on at least part of a region from a first end face to a second end face.例文帳に追加
強誘電体結晶100には、第1の端面から第2の端面に向かう少なくとも一部の領域に複数の分極反転領域が周期的に形成されている。 - 特許庁
To manufacture a substrate having a periodical polarization inversion region without needing complicated constitution for applying pulse voltage and complicated constitution for applying a ferroelectric field.例文帳に追加
パルス電圧を印加するための複雑な構成や強電界を印加するための複雑な構成を必要とせずに周期的分極反転領域を持つ基板を製造する。 - 特許庁
When the wiper blade exists in a limit compensation region Q set in the vicinity of the lower inversion position Y, an output of the motor is regulated to below a limit value V set in advance.例文帳に追加
ワイパブレードが下反転位置Y近傍に設定されたリミット補正領域Qに存在するときは、モータの出力を予め設定したリミット値V以下に規制する。 - 特許庁
Thereby, the transmittance in the second pixel electrode region is increased, which results in the liquid crystal display having wide viewing angles with minimized gray inversion in lower viewing angles.例文帳に追加
これにより、第2画素電極領域の透過率が向上されるので、下側階調反転を最少化できる広視野角液晶表示装置を得ることができる。 - 特許庁
The inversion processing part changes a half-tone achromatic color constituting the characters in the character region to a color brighter than a brightness obtained by inverting the brightness of the half-tone achromatic color.例文帳に追加
反転処理部は、文字領域における文字を構成する中間調の無彩色については、その明るさを反転させた場合の明るさよりも明るい色へ変える。 - 特許庁
To provide an optical element substrate capable of forming a polarization inversion structure of high accuracy even when a ferroelectric crystal wherein current easily flows in a region where the polarization inversion structure is formed is used and to provide a wavelength conversion device using the substrate.例文帳に追加
分極反転構造の形成領域に電流が流れ易くなるような強誘電体結晶を用いた場合であっても、高精度の分極反転構造を形成可能とした、光学素子基板、及び、該基板を用いた波長変換デバイスを提供する。 - 特許庁
The p/n-inversion region caused by thermal donor generation is formed at a depth position not contacting the device activation region and the depletion region to be formed so as to contact therewith when heat treatment at 450°C for one hour is applied, and the depth position exceeds 8 μm from the surface.例文帳に追加
前記サーマルドナー発生に起因するp/n反転部は、450℃にて1時間加熱する処理を行った場合に、デバイス活性領域およびそれに接して形成される空乏層領域には接しない深さ位置に形成され、そして、その深さ位置は、表面から8μmを超えるものである。 - 特許庁
Before performing a pulse sequence for every TR (Time of Repetition) in an imaging sequence IS for corresponding to FSE (Fast Spin Echo) method, this magnetic resonance imaging apparatus transmits a first inversion recovery pulse IR1 for inverting the spin of a second subject region R21 including a first subject region R11, or an imaging region, and being wider than that.例文帳に追加
イメージングシーケンスISにおいてTRにてFSE法に対応するパルスシーケンスの実施前は、撮像領域となる第1の被検体領域R11を含みそれよりも広い第2の被検体領域R21のスピンを反転させるように、第1のインバージョンリカバリパルスIR1を送信する。 - 特許庁
After side walls 6 are formed on both sides of the groove 4 formed in the element isolation region R1 and, at the same time, a thermally oxidized film 7 is formed on the bottom of the groove 4, an inversion preventing electrode 9 embedded in the groove 4 is formed and an inversion preventing layer is formed in the element isolation region R1 by applying a negative voltage upon the electrode 9.例文帳に追加
素子分離領域R1に形成された溝4の側壁にサイドウォール6を形成するとともに、溝4の底に熱酸化膜7を形成した後、溝4に埋め込まれた反転防止用電極9を形成し、反転防止用電極9に負の電圧を印加することにより、素子分離領域R1に反転防止層を形成する。 - 特許庁
The opening forming region and its peripheral part in the transparent substrate 10 are hollowed out by such a thickness as to cause phase inversion to exposure light to form a light transmissive portion (opening).例文帳に追加
透過性基板10における開口部形成領域及びその周辺部が、露光光に位相反転が生じる厚さだけ掘り下げられて透光部(開口部)が形成されている。 - 特許庁
The optical waveguide element which has a substrate consisting of a material having an electrooptic effect and an optical waveguide formed on the substrate and wherein a part of the substrate concerning the optical waveguide part has a polarization inversion region 10, 11, or 12 has the polarization domain wall in the polarization inversion region inclined in the direction toward which structural strength of the substrate is made weak.例文帳に追加
電気光学効果を有する材料からなる基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路部に係る基板の一部が分極反転領域10,11,12を有する光導波路素子において、該基板の構造的強度の弱い方位に対して傾斜している該分極反転領域の分極ドメイン壁を有することを特徴とする。 - 特許庁
By having the transmissive data and light-shielding data after inversion and those after enlargement put together to generate a third chip- forming region 40, the transmissive data and the light-shielding data of the third chip-forming region are inverted.例文帳に追加
前記反転させた後の透光データ及び遮光データを、前記拡大した後の透光データ及び遮光データに合成することにより、第3のチップ形成領域40を作成し、その後、第3のチップ形成領域の透光データと遮光データを反転させる。 - 特許庁
When a gate voltage is applied to a gate electrode 9 during the on-time while diluting the impurity concentration of a low concentration region 10b in a p-type deep layer 10, an inversion layer is formed at parts located on the side surface and the bottom of a trench 6 in the low concentration region 10b.例文帳に追加
p型ディープ層10の低濃度領域10bの不純物濃度を薄くし、オン時にゲート電極9にゲート電圧を印加すると、低濃度領域10bのうちトレンチ6の側面および底部に位置する部分に反転層が形成されるようにする。 - 特許庁
When the command voltage vuc changes from a state larger to a state smaller than the command voltage vvc in a positive region of the command voltages vuc, vvc, a polarity inversion of UV interphase voltage is decided based on a logic inversion of the operation signal gvp on a negative-going edge of the operation signal gup.例文帳に追加
例えば指令電圧vuc,vvcが正の領域において指令電圧vucの方が指令電圧vvcよりも大きい状態から小さい状態へと変化する際には、操作信号gupの立ち下がりエッジにおける操作信号gvpの論理反転に基づきUV相間電圧の極性反転を判断する。 - 特許庁
The periodic polarization inversion region 115 and the optical waveguide 117 are so designed that the first and the second light beams form quasi-phase matching to generate a third light beam having a third wavelength.例文帳に追加
周期分極反転領域115と光導波路117は第1の光と第2の光とが擬似位相整合して第3の波長の第3の光を発生するように設計されている。 - 特許庁
To reduce the phenomenon to generate the dim region of a line form by a difference in a data signal charging amount between specific lines in a liquid crystal display device driven by an N-line inversion system.例文帳に追加
本発明は、N−ライン反転方式で駆動される液晶表示装置で特定ライン間のデータ信号充電量の差によってライン形態の薄い領域が発生する現象を改善する。 - 特許庁
By controlling the reverse bias across the PN junction between the source and the substrate, the pinch-off point of the inversion region is pulled back toward the source, thereby increasing the programming efficiency of the MOSFET.例文帳に追加
ソース−基板間のPN接合の逆バイアスを制御することによって、反転領域のピンチオフ点がソースの方へ引き戻され、それによってMOSFETのプログラミング効率を増大させる。 - 特許庁
The wavelength conversion element includes: a periodic polarization inversion structure on a non-linear optical substrate; and an electrode configured to apply a different electrical field for every region with a different polarization direction.例文帳に追加
波長変換素子は、非線形光学基板上に周期状の分極反転構造を備え、分極の方向が異なる領域ごとに異なる電界が印加されるように構成された電極とを有する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a polarization inversion region of a short period at a ferroelectric single crystal within the time at which controllable voltage is applied and to provide an optical wavelength conversion element using the same.例文帳に追加
制御可能な電圧印加時間内に強誘電体単結晶に短周期の分極反転領域を形成する方法およびそれを用いた光波長変換素子を提供すること。 - 特許庁
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