「ion beam deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The physical vapor deposition may be ion-enhanced electron beam physical vapor deposition.例文帳に追加

物理蒸着は、イオン強化電子ビーム物理蒸着とすることができる。 - 特許庁

The method for forming the film uses an ion-beam vapor deposition method or a plasma vapor deposition method.例文帳に追加

成膜方法には、イオンビーム蒸着法またはプラズマ蒸着法を用いる。 - 特許庁

To improve a deposition speed without increasing the current density of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームの電流密度を上げることなく、成膜スピードの向上を可能とする。 - 特許庁

PARTIAL ETCHING FOR SURFACE MODIFICATION OR CONTROLLING OF DEPOSITION BY PULSE ION BEAM例文帳に追加

パルスイオンビームによる表面改質のための局所エッチングまたは堆積の制御 - 特許庁

To obtain an ion beam deposition system which reduces a production cost by increasing the wafer throughput of a deposition system.例文帳に追加

堆積システムのウェハ・スループットを増加させることにより製造コストを減少させる、イオン・ビーム堆積システムを得る。 - 特許庁

To provide a method for removal of contaminants during electron beam-induced deposition, ion beam-induced deposition and laser beam-induced deposition, or a method for real-time inhibition of oxidation during deposition or etching of oxidizable materials.例文帳に追加

電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。 - 特許庁

The inorganic oxide layer is preferably manufactured by a vacuum deposition method, a spattering method, an ionization vapor deposition method, an ion beam method, or a chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

前記無機酸化物層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンビーム法、または化学気相蒸着法により作製されるのが好ましい。 - 特許庁

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film.例文帳に追加

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 - 特許庁

The plasma for vapor deposition 10 is generated and maintained with the irradiation of the ion beam 9.例文帳に追加

イオンビーム９の照射によって蒸着用プラズマ１０の生成および維持が行われる。 - 特許庁

Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition. 例文帳に追加

集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典

In advance, the correlation between the deposition rate of the thin film and ion beam current value or the like are data-tabled by an experiment, an integrated ion beam current value is calculated from the data, the type of the target and the film thickness, the calculated result is set, the ion beam current value is monitored, and, while performing subtracting from the integrated ion beam current value, the emission of an ion beam is performed.例文帳に追加

予め実験によって、薄膜の堆積速度とイオンビーム電流値との相関関係等をデータテーブル化しておき、そのデータと前記ターゲット種類、膜厚とから積算イオンビーム電流値を算出し、その算出結果を設定して、イオンビーム電流値をモニタして、積算イオンビーム電流値から減算しながらイオンビームの照射を行う。 - 特許庁

When depositing carbon by ion beam deposition, it is often not possible for space reasons or practical for cost reasons to utilize two or more ion sources as the number of process chambers is limited.例文帳に追加

イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。 - 特許庁

Ion beams B generated from an ion beam source 3 are radiated toward a sputter target 2 to generate film deposition particles toward a substrate W.例文帳に追加

イオンビーム源３から発生されたイオンビームＢをスパッタターゲット２に向かって放射し、基板Ｗに向かって成膜粒子を発生させる。 - 特許庁

Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film.例文帳に追加

また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。 - 特許庁

A vapor deposition method and an ion beam sputtering method are adopted at a time so as to form a film in which a structure of low denseness is formed by the vapor deposition method and vacancies of this structure are filled with a structure of high denseness formed by the ion beam sputtering method.例文帳に追加

蒸着法とイオンビームスパッタ法とを同時に適用して、蒸着法によって形成された緻密度の低い構造の隙間にイオンビームスパッタ法によって形成された緻密度の高い構造のものを埋めた膜を形成する。 - 特許庁

Thus, the state of the plasma for vapor deposition 10 is stably controlled by controlling the ion beam 9.例文帳に追加

よって、イオンビーム９を制御することにより、蒸着用プラズマ１０の状態を安定的に制御することができる。 - 特許庁

The structure part and/or the electrode layers and the buffer part are consecutively formed by a sputter method, a vapor deposition method, an aerosol deposition method, an ion plating method, an ion cluster method, a laser beam abrasion method, etc.例文帳に追加

緻密構造部及び／又は電極層と上記バッファ部とを、スパッタ法、蒸着法、エアロゾルデポジション法、イオンプレーティング法、イオンクラスタ法及びレーザービームアブレーション法などによって連続して形成する。 - 特許庁

To provide an ion beam sputtering film deposition apparatus which can form a high-quality thin film that is dense, smooth and faultless.例文帳に追加

緻密で平滑かつ損傷がない高品質な薄膜を高速に形成できるイオンビームスパッタ成膜装置等を提供する。 - 特許庁

The first protective layer 14 is made of a metal-oxide film formed by using an electron beam deposition method or an ion plating method.例文帳に追加

第１保護層１４は、電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法を用いて形成された金属酸化物膜からなる。 - 特許庁

The resin film before film deposition is subjected to plasma treatment or ion beam treatment to thermally contract the resin film by 0.2% or more.例文帳に追加

成膜前の樹脂フィルムにプラズマ処理あるいはイオンビーム処理を施して、樹脂フィルムを０.２％以上熱収縮させる。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

The ions of the film-material particles EP passed through the extraction electrodes 13 are made incident upon a wafer W, and film deposition by means of an ion beam is carried out.例文帳に追加

引出電極１３を通過した膜材料粒子ＥＰのイオンは、基板Ｗに入射し、イオンビームによる成膜が行われる。 - 特許庁

This ion beam machining/observation device makes the hole in the sample surface or forms the deposition film in the hole of the surface of the sample.例文帳に追加

本発明は、試料表面に穴をあけ又は試料表面の穴にデポジション膜を形成するイオンビーム加工・観察装置に関する。 - 特許庁

To provide a means for minimizing the detrimental defects of a thin film disk covered with a carbon protective film deposited by ion beam deposition.例文帳に追加

イオンビーム蒸着により堆積された炭素保護膜で覆われた薄膜ディスクの有害な欠陥を最小化する手段を提供する。 - 特許庁

A mark based on a deposition film is formed by irradiating an electron beam 12 onto a defect of a wafer 31 which is detected by the irradiation of the electron beam 12 while supplying deposition gas 52, a sample piece is processed by a projection ion beam 22 generated from a gas ion source 21 on the basis of the mark, and the processed sample piece is extracted.例文帳に追加

電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system where the phenomenon that vapor 10 of a vapor deposition material 5 in a crucible 6 and an ion 13 ionized by an electron beam 8 reach an electron gun 7 is prevented.例文帳に追加

ルツボ６内の蒸着材料５の蒸気１０や、電子ビーム８でイオン化されたイオン１３が、電子銃７に到達することを防止した蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a neutral-beam-utilizing atomic layer vapor deposition apparatus wherein a workpiece is irradiated with a neutral beam formed by neutralizing a radical flux, i.e., an ion beam, generated by converting a second gas into a plasma, and to provide an atomic layer vapor deposition method utilizing the apparatus.例文帳に追加

第２の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam source which can be used even for deposition of an insulating material without forming an arc discharge caused by rapid electrification due to positive ion flow made incident to a target surface.例文帳に追加

ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。 - 特許庁

Successively, a vapor deposition material composed of ZrO_2 or the like is heated by an electron beam, and further, ions are fed from an ion source 40, thus ion assist effect is imparted thereto, so as to deposit a ZrO_2 film.例文帳に追加

続いて、ＺｒＯ_２等の蒸着材料を電子ビームで加熱すると共にイオンソース４０からイオンを供給することによりイオンアシスト効果を付与しＺｒＯ_２膜を形成する。 - 特許庁

A mode of forming a thin film made of the fluorine-based resin by means of at least one of methods of ionization deposition, ion plating, laser ablation and ion beam sputtering is preferable.例文帳に追加

イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。 - 特許庁

The ion beam sputtering system performs deposition on a substrate 14 by the particles jumped out of a target 21 by irradiating the target 21 with the ion beam 17, in which the shape of the sputtered surface 21a of the target 21 is formed as a recessed surface shape.例文帳に追加

ターゲット２１にイオンビーム１７を照射し、ターゲット２１から飛び出した粒子によって基板１４上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット２１のスパッタリングされる表面２１ａの形状を凹面形状とする。 - 特許庁

In order to form the hydrogenated amorphous silicon film on the substrate 10 when vapor-depositing silicon on the substrate 10, the production method further includes irradiating the substrate 10 with an ion beam containing hydrogen ions while the silicon film is deposited, by an ion-beam-assisted vapor-deposition method.例文帳に追加

さらに、基板１０にシリコンを蒸着する際に、基板１０上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 - 特許庁

A process for forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric film is provided with a process for forming a first layer by an ion beam assist method, and a process for forming a second layer by stopping an ion beam assist and succeeding deposition.例文帳に追加

前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程は、イオンビームアシスト法で第１層を形成する工程と、イオンビームアシストを止めて堆積を継続して第２層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

The ion beam machining/observation device is provided with a measuring instrument measuring depth of the hole of the surface of the sample or the height of the deposition film formed in the hole.例文帳に追加

イオンビーム加工・観察装置には、試料表面の穴の深さ又は穴に形成されたデポジション膜の高さを計測する計測器が設けられている。 - 特許庁

Preferably, a basic atmospheric pressure in the chamber 10 in which the ion beam deposition is performed is adjusted to 10^-12 Torr or more and 10^-7 Torr or less.例文帳に追加

前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ１０の基本気圧を１０^−１２Ｔｏｒｒ以上１０^−７Ｔｏｒｒ以下に調節するのがよい。 - 特許庁

Thereby, an ion beam gas-assisted deposition membrane 19 is formed on the capillary column 5 cross-section, and the spray tip having a target opening diameter 20 can be worked.例文帳に追加

これにより、キャピラリーカラム５断面上にイオンビームガスアシストデポジション膜１９を形成し、目的開口内径２０を有するスプレーチップを加工することが出来る。 - 特許庁

The dielectric thin film of ≥90% packing density is formed by vacuum deposition, ion beam-assisted evaporation or sputtering at ≥150°C substrate temperature.例文帳に追加

充填密度９０％以上の誘電体薄膜は基板温度１５０℃以上の真空蒸着またはイオンビームアシスト蒸着またはスパッタリングで成膜する。 - 特許庁

A TiO_2 layer 20 and SiO_2 layer 30 ovelie the surface of the olefinic plastic substrate 10 in order by an ion beam assisted deposition method.例文帳に追加

オレフィン系プラスチック基板１０の表面にイオンビームアシスト蒸着法によってＴｉＯ_2 層２０とＳｉＯ_2 層３０とをこの順序で積層する。 - 特許庁

When a thin film is formed on a substrate 7 having a size larger than that of a beam spot of a cluster ion beam L by cluster ion assist deposition, a film material is deposited on a surface 7A of the substrate 7 while the substrate 7 is rotated to form the thin film.例文帳に追加

クラスターイオンアシスト蒸着によって、クラスターイオンビームＬのビームスポットよりも大きいサイズの基板７に薄膜を形成する際に、基板７を回転させながら基板７の表面７Ａに膜材料を蒸着して薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide an ion beam source for preventing abnormal discharge generated in the vicinity of each cathode and suppressing the generation of particles and splashes, and to provide a film deposition system provided therewith.例文帳に追加

カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。 - 特許庁

Both the high refractive index layer and low refractive index layer in each mutual stacked body composing the antireflection films 15, 16 are formed by an ion beam assisted deposition process.例文帳に追加

反射防止膜１５，１６を構成する交互積層体の高屈折率層及び低屈折率層のいずれもがイオンアシスト蒸着法により形成されている。 - 特許庁

In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3.例文帳に追加

陰極ターゲット２に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ１０を生成し、蒸着用プラズマ１０中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板４に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源３で生成されたイオンビーム９を陰極ターゲット２に照射して蒸着用プラズマ１０を生成する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of electronic beams in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electronic beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of energies in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electron beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact which does not brake or crack even when struck by electron beams in a large dose to be produced into an oxide transparent electroconductive film by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, or a high-density plasma-assisted vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁