「ion beam deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the ion plating device 1, a plasma beam 17 generated by a plasma generator 11 and made to flow out to the inside of a vacuum chamber 3 is guided to the surface of a vapor deposition material 21 by the magnetic force of a magnet 23, and emitted to the vapor deposition material 21.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１において、プラズマ発生器１１により発生し、真空チャンバ３内へ流出したプラズマビーム１７は、磁石２３の磁力により、蒸着材料２１表面へ誘導され、蒸着材料２１を照射する。 - 特許庁

A collector necessary to a conventional method using the ion beam for covering the substrate 8 and an electrode becomes unnecessary, whereby its measuring system can be made simple, and a measurement of the secondary electrons can be carried out in the deposition system, and a deposition process can be made stable.例文帳に追加

イオンビームを用いる従来法に必要であった基板８と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での２次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 - 特許庁

A thin film conductor is formed on at least one out of a surface and a back of the core substrate 9a by using any one out of a vapor deposition method, an ion plating method, an ion beam method, a vapor growth method and a sputtering method and patterned, and conductor patterns 19-22 are formed by patterning.例文帳に追加

コア基板９ａの表裏面の少なくともいずれかに蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、気相成長法、スパッタリング法のいずれかによって薄膜導体を形成した後にパターニングして導体パターン１９〜２２を形成する。 - 特許庁

Evaporated particles 20a from an electron beam evaporation source 20 and cluster ions 30a from a cluster ion generator 30 are made incident on the substrate W to be treated held to a holder 2; thus the deposition of a fluoride film by a cluster ion assist is performed.例文帳に追加

ホルダー２に保持された被処理基板Ｗに、電子ビーム蒸発源２０からの蒸発粒子２０ａとクラスターイオン生成装置３０からのクラスターイオン３０ａを入射させることで、クラスターイオンアシストによるフッ化物膜の成膜を行う。 - 特許庁

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate.例文帳に追加

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。 - 特許庁

In this method for forming a molding die for an optical element to deposit at least a hard carbon film as a release layer on the molding face by an ion beam vapor deposition method, the hard carbon film is deposited under the conditions of 6 to 21 kV acceleration voltage in the initial stage of film deposition and 0.4 to 4 kV acceleration voltage in the final stage of film deposition.例文帳に追加

イオンビーム蒸着法により、成形面に少なくとも硬質炭素膜を離型層として形成する光学素子成形用型の形成方法において、該硬質炭素膜を成膜初期に加速電圧を６〜２１ｋＶとし、成膜終期に加速電圧を０．４〜４ｋＶとして印加し、成膜することを特徴とする。 - 特許庁

The film deposition apparatus has an ion beam irradiating unit, a target 105 containing a film forming substance to be sputtered, and a holding unit 112 for holding a substrate 106 on which the sputtered film forming substance is deposited.例文帳に追加

成膜装置は、イオンビーム照射手段と、スパッタリングされる成膜物質を含むターゲット１０５と、スパッタリングされた成膜物質が析出する基板１０６を保持する保持手段１１２を有する。 - 特許庁

In this case, film deposition is performed by allowing a mask 41 to constantly face the first and second target units 33, 34 and an ion beam source 35, so that the treatment by each of the units 33-35 becomes equivalent.例文帳に追加

この際、第１及び第２ターゲットユニット３３，３４やイオンビーム源３５に対してマスク４１を常に正対させて成膜を行うことになるので、各ユニット３３〜３５による処理が等価になる。 - 特許庁

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10.例文帳に追加

この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。 - 特許庁

In the process for producing a thin film, a substrate 10 is irradiated with an ion beam while depositing a thin film on the substrate by electron beam deposition, and the crystal c-axis of the thin film formed on the substrate 10 is oriented in the in-plane direction of the substrate by setting a substantially right angle between the substrate 10 and the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

In some embodiments, a converged gallium ion beam not containing a deposition precursor gas is scanned on a silicon substrate with a pattern to form a conductive pattern, and copper structure is formed on the conductive pattern by electrochemical deposition with one or more kinds of metals.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、付着前駆体ガスを含まない集束ガリウム・イオン・ビームが、シリコン基板上をあるパターンで走査して、導電パターンを生成し、次いでこの導電パターン上に、１種または数種の金属の電気化学付着によって銅構造が形成される。 - 特許庁

A thin film component 5 separate from a target sample is transferred and fixed to a processing position in place of the focusing ion beam assist deposition (FIBAD) film formed on the surface of the sample heretofore at the time of machining of the sample to be used as a protective film.例文帳に追加

従来、試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（ＦＩＢＡＤ）膜の代わりに、対象試料とは別の薄膜部品５を加工位置に移設固定して保護膜とする。 - 特許庁

A thin plate of a minute thin film different from a target sample is transferred and fixed to a processing position in place of the focusing ion beam assist deposition (FIBAD) film fabricated on the surface of the sample during sample processing to be used as a protective film.例文帳に追加

試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 - 特許庁

The optical element is provided with an optical element base plate 1 and a hafnium oxide HfO_2 film 2 which is formed on the surface of the optical element base plate 1 by an ion beam assist deposition method and functions as the protective film for the optical element base plate 1.例文帳に追加

光学素子は、光学素子基板１と、光学素子基板１の表面にイオンビームアシスト蒸着法により成膜された、光学素子基板１の保護膜として機能する酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）膜２とを備える。 - 特許庁

From the shape of a halo component 33 formed during deposition processing, such an ion beam irradiation profile (dose distribution) on a processing target as forms a sharp edge when the halo component 33 is removed is obtained.例文帳に追加

デポジション加工を行った際に形成されたハロー成分３３の形状から、当該ハロー成分３３を除去した時に急峻なエッジとなるような、加工目標のイオンビーム照射プロファイル（ドーズ分布）を得る。 - 特許庁

The probes are brought into contact with the contact plug of a semiconductor device, a deposition gas is introduced into the device, the contact position of the probes is irradiated with a focused ion beam to bond the probes to the contact plug to form a current introducing terminal.例文帳に追加

プローブは半導体デバイスのコンタクトプラグに接触させ、デポジションガスを装置内に導入し、プローブの接触位置に収束イオンビームを照射することで、プローブをコンタクトプラグに接着し、電流導入端子とする。 - 特許庁

Because acceleration energy can be minimized by the use of the helium ion beam, the rise in the temperature of the substrate at vapor deposition can be prevented and the titanium oxide thin film can be formed even on the substrate made of organic material easily affected by heat.例文帳に追加

ヘリウムイオンビームを用いることにより、加速エネルギーが小さくてすむため、蒸着の際の基板の温度上昇を押さえることができ、熱に弱い有機材料基板上にも酸化チタン薄膜を形成させることができる。 - 特許庁

In the method for depositing a MgO film on a base metal by the ion beam assist sputtering method, a four-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of <0.001 Pa, and a three-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of ≥0.001 Pa.例文帳に追加

イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 - 特許庁

The halo component in a corrected part of a white defect, re-deposition near a black defect or deposition near a white defect is removed by an electron beam processing device without damages in the corrected part of the white defect or black defect by a mask defect correcting device using ion beams or by a mask defect correcting device using electron beams.例文帳に追加

イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置や電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置による白欠陥もしくは黒欠陥の修正個所に対して、ダメージのない電子ビーム加工装置で白欠陥修正個所のハロー成分や黒欠陥周辺の再付着もしくは白欠陥周辺の付着を除去する。 - 特許庁

In an ionic vapor deposition apparatus comprising an ion source, a duct and a film formation chamber with a set substrate, a mechanism for controlling an ion beam is disposed and ions are made incident intermittently on the substrate with a period of ≥5 sec-1 to release internal pressure remaining in the sample and to relieve internal stress.例文帳に追加

イオン源と、ダクトと、基板の置かれた成膜室とからなるイオン蒸着装置に於いて、イオン流を制御する機構を設け、少なくとも５ｓｅｃ~^1以上の周期で基板にイオンを間欠的に入射させることにより、試料内に残留する内部圧力を開放し、内部応力を緩和できる。 - 特許庁

A method of manufacturing a silicon thin film comprises the steps of arranging a substrate 1 in a chamber 10, and forming a silicon thin film on the substrate 1 by performing ion beam deposition under a condition of 250°C or less temperature.例文帳に追加

本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板１をチャンバ１０内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板１上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The coated turbine engine 100 components include the turbine engine components 102, 104, 106, 108, 110, 112, and the erosion resistant coatings arranged on at least a portion on the surface of the turbine engine components 102, 104, 106, 108, 110, 112 by using electron beam physical vapor deposition or ion plasma cathode arc vapor deposition.例文帳に追加

被覆されたタービンエンジン１００構成要素は、タービンエンジン構成要素１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２と、電子ビーム物理蒸着又はイオンプラズマカソードアーク蒸着を用いてタービンエンジン構成要素１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２の表面の少なくとも一部分上に配置された耐浸食性コーティングとを含んでいる。 - 特許庁

This film deposition method includes a process in which, by FIB assist deposition in which a material having an Si-O-Si bond and an Si-H bond is fed to the surface of a structure, and further, a desired part in the surface fed with the above material is irradiated with a focused ion beam, a silicon oxide film is deposited.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合及びＳｉ−Ｈ結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するＦＩＢアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The correcting method for a photomask to correct a white defect in a photomask is characterized in that: a deposition film 11 is formed at a white defect portion C by a FIB-CVD (focused ion beam chemical vapor deposition) system; if the film protrudes a desired pattern, the protruding portion 2 is shaved off with a needle; and the needle is preferably a probe of a scanning probe microscope.例文帳に追加

フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク修正方法において、白欠陥部ＣにＦＩＢ−ＣＶＤ方式でデポジション膜１１を形成し、膜の形状が所望の形状よりはみ出た場合、はみ出た部分２を針で削りとり、好ましくは前記針は、走査プローブ顕微鏡の探針であることを特徴とする。 - 特許庁

By irradiating an ion beam on a surface of the drawing base plate 2a before making a drawing hole, a cleaning of a surface of the drawing base plate is conducted and/or a drawing hole is formed and, then, a blasting of deposition gas and irradiation of ion beams are carried out on the surface of the drawing plate to form a conductive thin membrane on the surface of the drawing plate.例文帳に追加

また、絞り孔を形成する前に絞り基体２ａの表面にイオンビームを照射することにより絞り基体の表面を清浄化する処理及び／又は絞り孔を形成した後に絞りプレートの表面にデポジション用ガスの吹き付けとイオンビーム照射行うことによって絞りプレートの表面に導電性薄膜を形成する処理を行う。 - 特許庁

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base.例文帳に追加

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。 - 特許庁

The manufacturing method includes: segmenting a comb-like portion 16 from a metal thin plate 15 with a thickness of 30 μm or less using a convergent ion beam processing technique; and mounting and integrating the comb-like portion with the probe supporting part 12 of a mechanism capable of manipulation within a vacuum device, using a gas deposition function.例文帳に追加

その製造方法は、３０μｍ厚み以下の金属薄板１５から櫛形状部位１６を集束イオンビーム加工技術により切り出し、真空装置内でマニピュレート操作できる機構のプローブ支持部１２に、ガスデポジション機能を用いて取り付けて一体化する。 - 特許庁

A bed layer 22 of ZrO_2-Y_2O_3 mixed oxide and an intermediate layer 23 made of film deposited by an ion beam assist deposition method are provided on a metal base material 21, and the oxide superconductor layer is laminated onto them so as to be used for the substrate of the oxide superconductor.例文帳に追加

本発明は、金属基材２１上に、ＺｒＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３混合酸化物のベッド層２２とイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for correcting a photomask deficiency defect by which an FIB (focused ion beam) correction device can be used as a tool to correct a minute edge deficiency defect portion in a circuit pattern part, the deficiency defect region of the circuit pattern part is subjected to vapor deposition with high accuracy, and the photomask having excellent cleaning durability can be obtained.例文帳に追加

回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.例文帳に追加

超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁

To provide a working method which is capable of realizing sharp working of not producing bluntness in corner parts and bent parts in as-designed pattern boundary regions when the corner parts and end bent parts are subjected to deposition processing or etching processing of prescribed patterns by using a convergent ion beam device and a device therefor.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、設計どおりのパターン境界領域であって、角部・曲部に鈍りが出ないシャープな加工を実現出来る加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a correcting method by which a deposition layer where both an opening end part and a top end part are formed generates no thickness difference, top realize correction of white deface by which a local part does not become very fat and further to provide a correcting method by which a long beam-shaped body can be formed in correction of white defect in a silicon stencil by deposition using focusing ion beams.例文帳に追加

本発明の課題は、シリコンステンシルの白欠陥を集束イオンビームを用いたデポジションによって修正するものにおいて、開口端部も先端部も形成されるデポ層に厚さの差がでない修正方法を提供し、局部がむやみに厚くならない白欠陥を修正を実現すること、また、長い梁状体を形成できる修正方法を提供することにある。 - 特許庁

The protective film for a plasma display panel is produced by an electron beam deposition method, an ion irradiation deposition method, or a sputtering method using the single crystal magnesium oxide sintered compact as a target material.例文帳に追加

焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a tape base material for superconducting wire rod 2 in which an orientation layer 21 is formed on a metal substrate 10 by an ion beam assisted vapor deposition method and a buffer layer 22 is formed on the orientation layer, lattice distortion of the orientation layer is alleviated by giving a prescribed thermal history to the orientation layer.例文帳に追加

金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。 - 特許庁

A first coating by first treatment selected from the group consisting of electroplating treatment, electroless plating treatment and heat treatment is applied to the surface of a base material, and a second coating by second treatment selected from the group consisting of vapor deposition treatment and ion beam treatment is applied to the surface of the first coating.例文帳に追加

電解メッキ処理、無電解メッキ処理、および熱処理からなるグループから選択される第１の処理による第１のコーティングを基材の表面に施し、前記第１のコーティングの上に、蒸着処理およびイオンビーム処理からなるグループから選択される第２の処理による第２のコーティングを施す。 - 特許庁

To provide an efficient processing method and its device that realize uniform processing without bluntness of the pattern border area and can perform plural pattern processing at the same time in implementing deposition processing or etching processing of prescribed patterns using the focusing ion beam device.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、パターン境界領域の鈍りが出ない均一な加工を実現し、複数のパターン加工を同時に実行出来る効率的な加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material.例文帳に追加

粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。 - 特許庁

The electrochemical cell 10 includes: the solid electrolyte 11 made by the electron-beam physical deposition method or the discharge plasma sintering method, endowed with oxide ion conductivity or protonic conductivity, and containing columnar crystal with crystal orientation controlled; and a pair of electrodes 12, 13 formed on a pair of opposed main surfaces of the solid electrolyte 11.例文帳に追加

電子ビーム物理蒸着法あるいは放電プラズマ焼結法などを用いて作製された、酸化物イオン導電性あるいはプロトン導電性を有し、結晶配向を制御された柱状結晶を含む固体電解質１１と、固体電解質１１の相対向する一対の主面上に形成された一対の電極１２，１３と、を具えるようにして形成された電気化学セル１０。 - 特許庁