「ion dose」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an ion implanter and its control method wherein reduction of real beam current in the beam deflection part is analyzed, and a dose control method is adopted from the result.例文帳に追加

ビーム偏向部における実ビーム電流の減少を解析し、結果からドーズ制御方法を採用したイオン注入装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted at a dose of 8×10^16-4×10^17 atoms/cm^2 to form an ion implantation layer 11 in a single crystal silicon substrate 10.例文帳に追加

ドーズ量８×１０^16〜４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2で水素イオンを注入して単結晶シリコン基板１０中にイオン注入層１１を形成する。 - 特許庁

A common dose measuring apparatus arranged within the common processing chamber can be operated to measure one or more characteristics in each of multiple ion beam lines.例文帳に追加

共通処理チャンバー内に配置された共通線量測定装置は、複数のイオンビームラインのそれぞれの１以上の特性を測定するように動作可能である。 - 特許庁

Germanium layer is formed on a wafer and Sb(Stibium) is ion implanted in a prescribed region of the germanium layer by a range of an implantation dose between 1014 cm-2 and 1016 cm-2.例文帳に追加

基板上にゲルマニウム層を形成し、このゲルマニウム層の所定の位置に、Ｓｂ（アンチモン）を注入ドーズが１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-^2 以下でイオン注入する。 - 特許庁

Then, the phosphorus of dose amount 1E13 cm-2 is ion-implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy of 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon.例文帳に追加

次にドーズ量１Ｅ１３ｃｍ^-2の燐をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入する。 - 特許庁

In this method for controlling the dose amount, by measuring a contact angle to water of crystalline Si, the dose amount of ions implanted to a monitor substrate is estimated, so that the dose amount of ions implanted by the ion implantation device can be controlled using the quick and simple method.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。 - 特許庁

In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less.例文帳に追加

第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。 - 特許庁

An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose.例文帳に追加

基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。 - 特許庁

To make a bit line contact to be formed easily and, at the same time, to make unnecessary the selective placing of dose at the time of injecting the ion of an impurity into selective gate transistors.例文帳に追加

ビット線コンタクトを容易に形成できると共に、選択ゲートトランジスタに対する不純物のイオン注入時にドーズ量の打ち分けを必要とすることなく構成できるようにする。 - 特許庁

In this case, a dose of a boron ion required to form the type P+ type embedded layer 2 is adjusted to a range not causing the increase of the leak current between the collector and an emitter of the NPN transistor 60 in the control part.例文帳に追加

この場合、Ｐ＋型埋め込み層２形成のためのボロンイオンのドーズ量を制御部のＮＰＮトランジスタ６０のコレクタ−エミッタ間リーク電流が増大しない範囲に調節する。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

The medicine dose packaging apparatus 1 emits ion generated by applying high voltage to the electrode 32 to the vicinity of the opening 28a of the medicine chute part 28, and can eliminate or prevent electrostatic charge.例文帳に追加

薬剤分包装置１は、電極３２に高電圧を印加することによって発生するイオンを薬剤投下部２８の開口２８ａ近傍に照射し、帯電を解消あるいは防止することができる。 - 特許庁

To provide an ion implanting device of latter acceleration and former acceleration methods, capable of maintaining uniformly the dose of ions implanted into a wafer in the range from the surface of the wafer to a prescribed vertical depth.例文帳に追加

ウェーハに注入されるイオンのドーズ量がウェーハの表面から垂直で一定な深さの範囲で均一に維持されるようにする後加速及び先加速方式のイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist removing method and a resist removing apparatus capable of promptly removing a resist formed on the surface of a substrate, even if high-dose ion implantation has been performed on the substrate.例文帳に追加

高ドーズのイオン注入が行われた基板であっても、その基板の表面に形成されているレジストを速やかに除去することができるレジスト除去方法およびレジスト除去装置を提供する。 - 特許庁

Next, all ions (arrow Ion-2) generated from a doping gas comprising pure hydrogen are implanted into a low-concentration region (604a) by an energy of about 20 keV to a level within a range of 1×10^14/cm^2 to 1×10^15/cm^2 as a dose level of H^+ ion.例文帳に追加

次に、純水素からなるドーピングガスから発生するすべてのイオン（矢印Ｉｏｎ−２）を低濃度領域（６０４ａ）に対して約２０ｋｅＶのエネルギーでＨ^+イオンのドーズ量として１×１０^14／ｃｍ^2 から１×１０^15／ｃｍ^2までの範囲になるように打ち込む。 - 特許庁

To provide an accelerator system having a wide ion beam current control range and preventing a possibility that a great exposure dose from being transported on the downstream side by mistake at power saving and a long maintenance period.例文帳に追加

広範囲のイオンビーム電流調整範囲をもち、しかも省電力且つ長メンテナンス周期で、間違って多くの照射線量が下流側に輸送されてしまう虞れのない加速器システムを提供すること。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device that can remove a resist film in a short time, the resist film having a cured layer after having implanted a high dose amount of ion, almost without oxidizing the semiconductor substrate and without generating particles.例文帳に追加

高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

From the shape of a halo component 33 formed during deposition processing, such an ion beam irradiation profile (dose distribution) on a processing target as forms a sharp edge when the halo component 33 is removed is obtained.例文帳に追加

デポジション加工を行った際に形成されたハロー成分３３の形状から、当該ハロー成分３３を除去した時に急峻なエッジとなるような、加工目標のイオンビーム照射プロファイル（ドーズ分布）を得る。 - 特許庁

The high-dose radioactive waste containing organic substances such as waste ion exchange resin used in large quantity in a nuclear power plant is poured into a treatment device 1 and is heated inside a bulkhead 1 to carry out heat treatment.例文帳に追加

原子力発電所で大量に使用されている廃イオン交換樹脂のような有機物を含む高線量放射性廃棄物を、隔壁１の内部において処理装置１内に投入して加熱し、加熱処理する。 - 特許庁

Boron with a dose of 5×1014 cm-2 to 1016 cm12 is selectively ion implanted in a non-doped polysilicon wiring, p+Poly 16 (p+ polysilicon) which is p-type diode and p+ layer 15 are simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

ノンドープのポリシリコン配線に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＢ（ボロン）を選択的にイオン注入して、同時にｐ^+ 層１５とｐ型ダイオードになるｐ^+ Ｐｏｌｙ１６（ｐ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入する箇所のポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

In the manufacturing method, a high crystalline region with little defect is locally formed on a low crystalline silicon layer with much defects, and a probe is brought into contact with an inside of the high crystalline region to measure sheet resistance, then an ion implant dose is adjusted from the ion concentration thus obtained.例文帳に追加

本発明は、欠陥が多い低結晶性シリコン層に、欠陥の少ない高結晶性領域を局所的に形成し、その高結晶性領域内に探針を接触させてシート抵抗を測定し、得られたイオン濃度からイオン注入量を調整する製造方法を持つことを解決手段とする。 - 特許庁

To provide a silicon-based ceramic minus ion generating material radiating low-dose radiation and improving natural healing power of a person and to provide a footwear material using the same, an insole in particular, and manufacturing methods thereof.例文帳に追加

低線量の放射線を放射し、人間の自然治癒力を向上せしめる珪素系セラミックスマイナスイオン発生材と、それを用いた履物用素材、特に中敷、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, after a side wall 6 is formed, the arsenic of dose amount 4E15 cm-2 is ion- implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon to form n+ layers 3 and 4.例文帳に追加

その後、サイドウォール６を形成した上で、ドーズ量４Ｅ１５ｃｍ^-2の砒素をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入しｎ^+層３，４を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus wherein the measuring accuracy of the dose implanted in a sample can be improved and the intra- or inter- wafer implantation uniformity (reproducibility) can be improved.例文帳に追加

本発明は、試料に注入されるドーズ量の測定精度を向上させると共に、ウェーハ内注入均一性やウェーハ間注入均一性（再現性）を向上させることが可能なイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The vapor phase composition surface of the diamond is normally a hydrogen terminated surface, however, when oxygen ion beam is irradiated with an entering energy of 100 eV and dose quantity 10^12/cm^2, the oxygen terminated region 5 can be partially formed.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンド表面は、通常、水素終端表面であるが、例えば酸素イオンビームを入射エネルギー１００ｅＶ、ドーズ量１０^１２／ｃｍ^２で照射すると、酸素終端領域５を部分的に形成できる。 - 特許庁

Deposition of the film 117, a CMP(chemical and mechanical polishing) and the like are performed to form a surface flattened film 122 of the flat surface and hydrogen of a required dose for the adjustment of the threshold voltages, is ion-implanted in the film 122 from over the film 122.例文帳に追加

絶縁膜の堆積とＣＭＰ（化学的機械研磨）等を行って表面が平坦な表面平坦化膜１２２を形成し、その上からしきい値電圧調整に必要なドーズ量の水素をイオン注入する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device that can be stabilized in a doping shape for threshold voltage adjustment by adjusting a residual dose by a spike annealing after ion implantation for the threshold voltage adjustment.例文帳に追加

しきい値電圧調節のためのイオン注入後、スパイクアニーリングによって残留ドーズを調節することにより、しきい値電圧調節のためのドーピング形状を安定化することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an amorphous layer evaluation method having a deep tilt angle as a parameter, which accurately predicts the thickness of an amorphous layer formed on the surface layer of a crystalline substrate by performing ion-implantation with impurities at a high dose.例文帳に追加

深いtilt角度をパラメータに持ち、不純物のイオン注入を高ドーズで行うことによって結晶性基板の表層に形成される非晶質層の厚さを精確に予想する非晶質層評価方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, by using the gate electrode 4 as a mask, arsenic is ion-implanted on the semiconductor substrate 1 at four revolutions under conditions of a dose of 8×10^12/cm^2, implantation energy of 40 keV and implantation angle of 25°, to form an n-type LDD region 5.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をマスクにして半導体基板１に、砒素をドーズ量８×１０^１２／ｃｍ^２、注入エネルギー４０ｋｅＶ、注入角度２５°の条件で４回転イオン注入を行い、ｎ型ＬＤＤ領域５を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the silicon wafer includes a process S11a for preparing a silicon substrate 11 and an ion implantation process S13a for implanting ions to the silicon substrate 11 by dose of 1×10^13 to 3×10^14 atoms/cm^2.例文帳に追加

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１ａと、シリコン基板１１に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入工程Ｓ１３ａとを備える。 - 特許庁

Thereafter, by using the gate electrode 4 as the mask, arsenic is ion-implanted on the semiconductor substrate 1 under conditions of a dose of 5×10^11/cm^2, implantation energy of 5 keV and implantation angle of 0°, to form an n-type surface LDD region 6.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をマスクにして半導体基板１に、砒素をドーズ量５×１０^１１／ｃｍ^２、注入エネルギー５ｋｅＶ、注入角度０°の条件でイオン注入を行い、ｎ型表面ＬＤＤ領域６を形成する。 - 特許庁

The method for uniformizing the ion implantation process includes a step of measuring the critical dimension (CD) variation in the semiconductor wafer, a step of moving the semiconductor wafer to the ion implantation process in a secondary mode, and a step of controlling the moving speed of the semiconductor wafer so that an implantation dose quantity to the semiconductor wafer is changed on the basis of the variation of the CD.例文帳に追加

半導体ウエハの限界寸法（CD）の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に２次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。 - 特許庁

In the method including thinning of an active layer wafer after laminating the active layer wafer and a supporting layer wafer, when oxygen ion is implanted to the active layer wafer, oxygen ion is implanted with a dose amount of 5×10^15 to 5×10^16 atoms/cm^2 while the temperature of the active layer wafer is maintained at 200°C or lower.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 活性層用ウェーハに酸素イオンを注入するに際し、該活性層用ウェーハの温度を200℃以下に保持した状態で、ドーズ量：５×10^15〜５×10^16atoms/cm^2の条件で酸素イオンを注入する。 - 特許庁

A second high-dose ion implantation is made by implanting arsenic As+ with a high concentration to the silicon substrate from a direction perpendicular to the silicon substrate to the source region 20a and the drain region 22a each having a shallow junction and both formed on both sides of the gate electrode (Fig.1 (c)).例文帳に追加

ゲート電極の両側に形成された浅い結合のソース領域２０ａ及びドレイン領域２２ａとに、シリコン基板１０に対して垂直の方向からヒ素Ａｓ^+を高濃度でイオン注入して、２回目の高濃度イオン注入を行う（図１（Ｃ））。 - 特許庁

To provide an ion implantation method or the like that can form a circular implantation region and an outer peripheral implantation region surrounding it and having a different dose amount from it inside a surface of a substrate without using step rotation of the substrate.例文帳に追加

基板のステップ回転を用いることなく、基板の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成することができるイオン注入方法等を提供する。 - 特許庁

This method for diffusing impurities comprises forming an n-type impurity region by ion-implanting nitrogen ions into a semiconductor substrate in a dose amount of 3×1013 cm^-2 or less and by subjecting the nitrogen ions implanted semiconductor substrate to an annealing treatment at a temperature of from 410°C or more to 500°C or less.例文帳に追加

窒素イオンを３×１０１３ｃｍ−２以下のドーズ量で半導体基板にイオン注入し、窒素イオンが打ち込まれた半導体基板を４１０℃以上５００℃以下のいずれかの温度でアニール処理してｎ型不純物領域を形成する不純物拡散方法とする。 - 特許庁

The gate length of this gate electrode is measured (S5), and an ion-implantation dose for forming source and drain regions is set variedly according to the measured value of the gate length, so that the transistor characteristics on a short-channel effect of a transistor reach a prescribed level (S7, F1).例文帳に追加

このゲート電極のゲート長を測定し（Ｓ５）、短チャネル効果に関するトランジスタ特性が所定のレベルになるように、ソース領域およびドレイン領域を形成するためのイオン注入のドーズ量を上記ゲート長の測定値に応じて可変して設定する（Ｓ７，Ｆ１）。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact which does not brake or crack even when struck by electron beams in a large dose to be produced into an oxide transparent electroconductive film by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, or a high-density plasma-assisted vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

Since dielectric breakdown strength of the gate insulation film 12b can be controlled by ionic species, an acceleration voltage or a dose, etc., during ion implantation, both high dielectric breakdown strength required for an MOS transistor and low dielectric breakdown strength required for a fuse capacitor can be realized, thus reducing the development period.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜１２ｂの絶縁破壊耐圧はイオン注入時のイオン種、加速電圧、またはドーズ量等により制御出来るため、ＭＯＳトランジスタに求められる高い絶縁破壊耐圧と、フューズキャパシタに求められる低い絶縁破壊耐圧とを両立でき、更に開発期間の短縮を図ることが出来る。 - 特許庁

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁

A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).例文帳に追加

ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁

A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece.例文帳に追加

イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。 - 特許庁