「ion incidence」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The ion implanter comprises an ion source 20, a first IH type linear accelerator 30 capable of incidence of low energy of an ion from the ion source 20, and a second IH type linear accelerator 40 serially connected to the first IH type linear accelerator 30, which is constructed so as to perfectly vary ion implanting energy.例文帳に追加

イオン源２０と、このイオン源２０からのイオンの低エネルギー入射が可能な第１のＩＨ型線形加速器３０と、この第１のＩＨ型線形加速器３０に直列的に接続される第２のＩＨ型線形加速器４０とを備え、イオン注入エネルギーを完璧に可変とするように構成した。 - 特許庁

A timing signal from an accelerator control device 18, based on the incidence of an ion beam into the synchrotron 10 is input into a tune correction control device 12.例文帳に追加

シンクロトロン１０へのイオンビームの入射に基づいた、加速器制御装置１８からのタイミング信号が、チューン補正制御装置１２に入力される。 - 特許庁

SWITCHING CONTROL DEVICE FOR CONTROLLING FLOW RATE OF CESIUM GAS FROM CESIUM OVEN DEVICE FOR NEGATIVE ION SOURCE IN NEUTRON INCIDENCE DEVICE OF FUSION DEVICE例文帳に追加

核融合装置の中性粒子入射装置における負イオン源用セシウムオーブン装置からのセシウムガスの流量を制御する開閉操作装置 - 特許庁

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.例文帳に追加

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁

The lens 4 is rocked by the rocking mechanism 5 in such a manner that a vapor deposition region using cluster ion assist with an incidence angle of ≤30° covers the whole of the effective face of the lens 4.例文帳に追加

入射角３０度以下のクラスターイオンアシストを用いた蒸着領域がレンズ４の有効面全体に及ぶように、揺動機構５によってレンズ４を揺動させる。 - 特許庁

The opening 3a of the shielding plate 3 is opened only at a region on which cluster ions emitted from a cluster ion source 1 are made incident to the lens 4 at an incidence angle of ≤30°.例文帳に追加

遮蔽板３の開口３ａは、クラスターイオン源１から照射されるクラスターイオンが３０度以下の入射角でレンズ４に入射する領域にのみ開口する。 - 特許庁

To provide a scattered ion analyzer making it possible to analyze a sample with high resolution by generating a magnetic field parallel with an incident ion beam and equipped with a secondary electron detector capable of exactly detecting secondary electrons produced on the surface of the sample by incidence of the ion beam.例文帳に追加

入射するイオンビームと平行な磁場を発生させることにより高分解能な試料の分析を可能とするイオン散乱分析装置において，上記イオンビームの入射により上記試料の表面に生成される２次電子を正確に検出可能な２次電子検出器を備えるイオン散乱分析装置を提供すること。 - 特許庁

Second meshes 52 are fitted to a metal plate 11 at a periphery of an ion incidence hole 11a of an ion detector 1 via a plurality of rod-like insulating spacers 50, and first meshes 51 area fitted to the second meshes 52 via a plurality of rod-like insulating spacers 50.例文帳に追加

イオン検出器１のイオン入射口１１ａの周囲の金属板１１に、複数個の棒状の絶縁スペーサー５０を介して第２のメッシュ５２を取り付け、第２のメッシュ５２に複数個の棒状の絶縁スペーサー５０を介して第１のメッシュ５１を取り付ける。 - 特許庁

Both ends of the optical waveguide 10 are removed by a focused ion beam(FIB), and incidence and emission end faces 16A and 16B are formed on an optical crystal substrate 12D in which the optical waveguide 10 is formed.例文帳に追加

光導波路１０が形成された光学結晶基板１２Ｄに、収束イオンビーム（ＦＩＢ）により光導波路１０の両端部を除去して入出射端面１６Ａ、１６Ｂを形成する。 - 特許庁

The scattered ions are segregated to improve penetration of scattered ions with a small angle of incidence by using a pair of cylindrical members arranged in parallel with the beam axis of the ion beam with a predetermined interval.例文帳に追加

イオンビームのビーム軸に沿って所定の間隙を設けて配置された対の円筒状部材を用いて，入射角が小さな散乱イオンの通過率を向上させるよう散乱イオンを弁別する。 - 特許庁

A first sample is irradiated with cesiums ion on the condition that an incidence angle is zero, and that an acceleration energy is 250 eV, and then secondary ions emitted by the first sample is subjected to a mass spectrometry, thereby measuring a distribution of an impurity element.例文帳に追加

入射角が０度、加速エネルギーが２５０ｅＶの条件でセシウムイオンを第１の試料に照射し、第１の試料から放出される二次イオンを質量分析して不純物元素の分布を測定する。 - 特許庁

A sample surface roughness and/or an attenuation depth are measured by changing a primary ion incident angle by using incidence energy as a parameter, and, in a range of a domain wherein an incidence energy is high, an incident angle range wherein the sample surface roughness and/or the attenuation depth have each minimal value is found out in the range, and SIMS measurement is performed under this condition.例文帳に追加

入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 - 特許庁

Visible laser light such as argon ion laser light is made incident on optical material to be a specimen, and light scattered in a transverse direction (preferably 90° position) to the axis of incidence of the visible laser light is observed with a CCD camera or the like.例文帳に追加

被検体となる光学材料に対してアルゴンイオンレーザーなどの可視光レーザーを入射して、該可視光レーザーの入射軸に対して横方向（好ましくは９０°位置）に散乱した光をＣＣＤカメラ等で観測する。 - 特許庁

When a sectional processing is carried out as a pre-treatment to observe a cross section of a testpiece, the testpiece is processed with the testpiece inclined to a first angle with regard to the angle of incidence of the ion beam, and after processing is finished, the testpiece is observed with the testpiece inclined to a second angle.例文帳に追加

試料断面観察の前処理としての断面加工を行う際、イオンビームの入射角に対し、試料を第一の角度に傾斜して加工を行い、加工終了後、試料を第二の角度に傾斜して観察する。 - 特許庁

By this constitution, the angle of incidence of the ion beam with reference to the sample 4 becomes constant, a sputtering rate becomes constant over the whole sputtering region, and the composition in the depth direction from the surface of the sample can be analyzed with high accuracy over the whole sputtering region.例文帳に追加

この構成により、試料４に対するイオンビームの入射角は一定となるので、スパッタ領域全域にわたってスパッタレートが一定となり、もってスパッタ領域全域にわたって試料表面からの深さ方向における高精度な組成分析を行うことが可能となる。 - 特許庁