「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The material and shape of a conductive electrode tip 186 of an ion source are optimized to form an atomic layer with a trimer on a surface of the tip, and the tip is allowed to operate in an ultralow temperature condition, so that ionization efficiency with gas helium is improved.例文帳に追加

イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。 - 特許庁

In a preferable embodiment, at least one portion of the anode is made of lead, and the insulation layer (for covering the discharge surface of the anode), where the greater part is made of lead fluoride is formed by fluorine ion sputtering on an anode surface.例文帳に追加

好ましい実施形態では、陽極の少なくとも一部分は鉛から成っており、陽極面のフッ素イオン・スパッタリングによって、大部分が鉛フッ化物から成る絶縁層（陽極の放電面を覆う）が作り出される。 - 特許庁

By this, the secondary particles 57 in which a myriad of the primary particles (raw material particles) 33 are flocculated via the second ion conductive polymer 51 on the target 55 are formed in layers on the target 55 to be the electrode layer 59.例文帳に追加

これによって、ターゲット５５には、無数の一次粒子（原料粒子）３３が第二のイオン伝導性ポリマー５１を介して凝集してなる二次粒子５７が、ターゲット５５上で層状に形成され、電極層５９となる。 - 特許庁

A region including an observation position 2 on a semiconductor substrate is so formed into a flake 3 by removing the semiconductor substrate surface layer around the observation position 2 by a converged ion beam method that it can be taken out by a needlepoint of a manipulation device.例文帳に追加

半導体基板上の観察箇所２を含む領域を、マニピュレーション装置の針先で取り出せるように、観察箇所２周辺の半導体基板表面層を集束イオンビーム法によって除去して薄片３化する。 - 特許庁

In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁

A processed layer pattern 4 is formed using an alternating phase shift mask, then ion implantation of an impurity is selectively carried out in the unnecessary pattern 4b to increase an etching rate of the unnecessary pattern 4b, after which the unnecessary pattern 4b is etched away.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクを用いて被加工層パターン４を形成した後、不要パターン４ｂに選択的に不純物をイオン注入して不要パターン４ｂのエッチングレートを上げた後に、不要パターン４ｂをエッチングにより除去する。 - 特許庁

The surface of a high melting metallic material is simultaneously subjected to irradiation with an ion beam of a high energy/high particle flux and heating, thereby the microporous layer ( nano porous layers of the porous diameter below 1μm) is formed on the surface.例文帳に追加

高融点金属材料表面の高エネルギー・高粒子束のイオンビームによる照射と加熱を同時に行うことにより、その表面に微細多孔質層（１μｍ以下の孔径のナノ多孔質層）を形成するものである。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a structure where a deposition substrate 21B for depositing Li and an inorganic compound layer 21C having Li ion conductivity formed by a dry film forming process are laminated on a substrate 21A for film forming.例文帳に追加

負極２１は、成膜用基体２１Ａの上に、Ｌｉを析出させるための析出基板２１Ｂと、乾式成膜プロセスにより形成されたＬｉイオン伝導性を有する無機化合物層２１Ｃとが積層された構成を有している。 - 特許庁

This coating is formed by guiding carbon and nitrogen of a gas body to a reaction chamber 12 in order to form a carbonitride layer 7 and by using an improved PVD method of continuously driving ion sources 21, 22, 23, 24 for forming plasma.例文帳に追加

このコーティングは、窒化炭素層７を形成するためにガス体の炭素及び窒素を反応室１２へ導入し、プラズマを形成するためのイオン源２１，２２，２３，２４を継続して駆動する改良されたＰＶＤ法により形成される。 - 特許庁

A gate insulating film 2 and a polysilicon film 3 for an electrode whose thickness is 200 nm are formed on a semiconductor substrate 1, and ion injection 4 is carried out with a polysilicon film 3 for an electrode as a mask so that an impurity diffusion layer 5 can be formed.例文帳に追加

半導体基板１上に、ゲート絶縁膜２と厚さ２００ｎｍの電極用ポリシリコン膜３とを形成した後、電極用ポリシリコン膜３をマスクとしてイオン注入４を行ない、不純物拡散層５を形成する。 - 特許庁

A gas sensor element 1 has: an oxygen ion conductive solid electrolyte 11; a measured gas side electrode and a reference gas side electrode provided to the solid electrolyte 11; and a porous diffusion resistance layer 17 which transmits measured gas.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と固体電解質体１１に設けられた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と被測定ガスを透過させる多孔質の拡散抵抗層１７とを有する。 - 特許庁

The structural body for the single cell of the solid oxide fuel cell has a laminated structure that two porous ceramics material layers are opposed to each other with a dense ceramics material layer containing an ion oxide conductive ceramics material interposed between them.例文帳に追加

酸化物イオン伝導性セラミックス材料を含有する緻密質セラミックス材料層を挟んで２つの多孔質セラミックス材料層が対向される積層構造を備える、固体酸化物形燃料電池の単セル用構造体とする。 - 特許庁

To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース／ドレイン領域に砒素（Ａｓ）が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。 - 特許庁

The self-pulsation semiconductor laser having a ridge stripe 11 in a clad layer has high-resistance regions 14 formed by ion implantation etc., at parts nearby both side surfaces of a center part of a ridge stripe 11 in a resonator-length direction.例文帳に追加

クラッド層にリッジストライプ１１を有するセルフパルセーション半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１のうちの共振器長方向の中央部の両側面の近傍の部分にイオン注入などにより高抵抗領域１４を形成する。 - 特許庁

When desired wiring patterns 2 and 5 are formed on a plurality of layers via an interlayer insulating layer 4, layers 3, 6 and 9 of different types of metals are formed on surfaces or bottoms of the patterns 2 and 5 to prevent the occurrence of ion migration.例文帳に追加

層間絶縁層４を介して複数層に所要の配線パタ−ン２，５を形成する場合に、配線パタ−ン２，５の表面又は底部に層間絶縁層４とイオンマイグレ−ションを起こさない異種金属層３，６，９を形成する。 - 特許庁

The catalyst component comprises an ion-exchangeable layer silicate having peaks of X ray diffraction at 2θ=19-21° (A) and 21-23° (B), and that the strength ratio (B)/(A) is at least 0.6.例文帳に追加

Ｘ線回折において、２θ＝１９゜〜２１゜（Ａ），２１゜〜２３゜（Ｂ）にピークが存在し、（Ｂ）／（Ａ）の強度比が０．６以上であるイオン交換性層状珪酸塩を含有することを特徴とするオレフィン重合用触媒成分。 - 特許庁

An n-type pocket layer 34 is formed in a surface of a semiconductor substrate 31 by performing ion implantation of phosphorous to the semiconductor substrate 31 in which an n-type well, a gate insulating film 32, and a gate electrode 33 are formed.例文帳に追加

Ｎ型ウェル並びにゲート絶縁膜３２及びゲート電極３３が形成された半導体基板３１に対し、リンをイオン注入することにより、半導体基板３１の表面にＮ型ポケット層３４を形成する。 - 特許庁

Then, while the distillate 10 passes through the chelate resin column 4, the chelate resin layer 41 captures copper ion eluted in the distillate 10 to make the copper concentration of the obtained treated liquid 50 at the standard value of that of drinking water or lower.例文帳に追加

続いて、蒸留液１０がキレート樹脂カラム４を通過したときに、キレート樹脂層４１が蒸留液１０中に溶出した銅イオンを捕捉し、得られる処理液５０の銅濃度を飲料水の基準値以下にする。 - 特許庁

To provide a liquid circulation system capable of extending a replacement cycle of an ion filter to extend service life and reduce cost, and of eliminating formation of a resin coating layer on the inside surface of a passage of a heat exchanger.例文帳に追加

イオンフィルタの交換サイクルを延ばして長寿命化を図ると共にコスト低下を実現し、さらに、熱交換器の流路内面への樹脂コーティング層の形成を廃止することのできる液体循環システムを提供する。 - 特許庁

The cut-off agent is used for stopping water by filling a space between the basic materials therewith, adhesion to the surface of the basic materials of a cut-off layer formed by the cut-off agent becomes 20 N/cm^2 or more after it has been immersed into an ion-exchanged water for 24 hours.例文帳に追加

基材間の空隙を埋めて止水する止水剤であって、該止水剤により形成される止水層の基材表面への密着力は、イオン交換水に２４時間浸漬後に２０Ｎ／ｃｍ^２以上である止水剤。 - 特許庁

When compared with the conventional switching elements, the switching element employing the zirconium oxide-based ion conduction layer has a larger dependence of retention time to an applied voltage and it can keep a holding resistance necessary for reconstructed LSI when the logic operation voltage is applied.例文帳に追加

酸化ジルコニウム系のイオン伝導層を用いたスイッチング素子は従来のスイッチング素子に比べて、印加電圧に対する保持時間の依存性が大きく、ロジック動作印加時には再構成ＬＳＩに必要な保持耐性を維持できる。 - 特許庁

A semiconductor film is separated from the semiconductor substrate using the embrittlement layer formed on the semiconductor substrate by irradiation with a plurality of kinds of ions produced from a hydrogen gas by an ion doping device and including at least H_3^+ ions.例文帳に追加

なお、イオンドーピング装置により水素ガスから生成される、少なくともＨ_３^＋イオンを含む複数種のイオンを照射することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 - 特許庁

This is a manufacturing method of an ion conductive membrane in which the conductivity of the single membrane (not compound membrane) having conductivity is lower than the conductivity of the inside at the depth of 50 μm or less of the surface layer on at least one face.例文帳に追加

イオン導電性を持った単一膜（複合膜ではない）の少なくとも一面の表面層５０μｍ以内の深さで、導電性が内部の導電性に比較し、低いことを特徴とするイオン導電性膜の製造方法。 - 特許庁

A catalyst layer is made of a noble metal catalyst supported by conductive carbon particles or conductive carbon fibers without having a hydrophilic functional group on the surface, a hydrogen ion conductive polymer electrolyte, and metal oxide particles.例文帳に追加

表面に親水性官能基を持たない導電性炭素粒子若しくは導電性炭素繊維に担持した貴金属触媒と、水素イオン伝導性高分子電解質と金属酸化物粒子とで触媒層を形成する。 - 特許庁

The electrolyte membrane layer 110 is a thin membrane formed with a perovskite type proton conductor compound, and has proton conductivity in a state conducting an oxygen atom to deficiency of interstitial oxygen and oxygen ion conductivity.例文帳に追加

電解質膜層１１０は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物を用いて製膜された薄膜であり、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態でのプロトン伝導性と、酸素イオン伝導性とを併せ持つ。 - 特許庁

The electrode for fuel cell used for each cell comprises a catalyst layer containing catalyst metals made of platinum system noble metal and ion conductors made of basic polymer (for example, ABPBI) to which organic phosphonic acids such as ethyl phosphonic acid are added.例文帳に追加

セルに用いられる燃料電池用電極として、白金系貴金属からなる触媒金属と、エチルホスホン酸などの有機ホスホン酸が添加された塩基性ポリマー（たとえば、ABPBI）からなるイオン伝導体と、を含む触媒層を用いる。 - 特許庁

The cathode includes the cathode catalyst layer to contain carbon powders which carry a noble metal catalyst, and of which one part of the surface is covered by a hydrogen ion conductive polymer electrolyte, and the carbon powders having a water repellent material on the surface.例文帳に追加

貴金属触媒を担持し、かつ水素イオン伝導性高分子電解質を表面の少なくとも一部に被覆したカーボン粉末、および表面に撥水材を有するカーボン粉末を含有するカソード触媒層を含むカソードである。 - 特許庁

Macromolecule electrolyte film interposed between a pair of electrodes is provided, catalyst is carried by a catalyst carrier made of porous body in the each electrode, and a catalyst layer having catalyst particles integrated with ion conductive macromolecule binder.例文帳に追加

一対の電極に挟持された高分子電解質膜を備え、各電極は触媒が多孔質体からなる触媒担体に担持されいて、触媒粒子がイオン導伝性高分子バインダーにより一体化された触媒層を備える。 - 特許庁

The carbon layer 20 of such a constitution can be formed by arc ion plating carried out in a style that, for example by using a target of carbon quality, and droplets generated from the target are allowed to reach the ceramic particles 10.例文帳に追加

かかる構成のカーボン層２０は、例えば、カーボン質のターゲットを用いて、該ターゲットから生じたドロップレットがセラミック粒子１０に到達することを許容する態様で行われるアークイオンプレーティングにより形成することができる。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a recovering process for a sulfonic acid group-bearing fluoropolymer from a double layer type fluorine-contg. ion exchanging membrane consisting at least one carboxylic acid group-bearing fluoropolymer and at least one sulfonic acid group-bearing fluoropolymer.例文帳に追加

カルボン酸基を有する含フッ素ポリマーとスルホン酸基を有する含フッ素ポリマーの各々１種以上の含フッ素ポリマーから成る複層型含フッ素イオン交換膜からスルホン酸基を有する含フッ素ポリマーの回収方法を提供する。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide an FPC with a metal mesh type electromagnetic wave shield layer and an FFC, which have sufficient flexibility and superior ion migration resistance and an electromagnetic wave shielding property, and further has superior corrosion resistance and antibacterial property.例文帳に追加

十分な可とう性を有すると共に耐イオンマイグレーション性並びに電磁波シールド性に優れ、さらに耐食性や抗菌性にも優れた金属メッシュ状の電磁波遮蔽層付ＦＰＣおよびＦＦＣを提供することにある。 - 特許庁

A catalyst layer is formed on at least one surface of the ion exchange membrane.例文帳に追加

イオン交換膜の少なくとも一方の面上に触媒層を形成し、該触媒層上に、イオン交換基を実質的に有しない溶媒可溶性含フッ素重合体の溶液にカーボンブラックを分散させた液を用いて撥水性カーボン層を形成する。 - 特許庁

In a lithium ion secondary battery offered by the present invention, a cathode 64 comprises: a cathode current collector 62; and a cathode active material layer 66 which contains cathode active materials 70, 75A and 75B and conductive materials 71 and 76.例文帳に追加

本発明によって提供されるリチウムイオン二次電池において、正極６４は、正極集電体６２と、正極活物質７０，７５Ａ，７５Ｂと導電材７１，７６とを含む正極活物質層６６とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for synergistic an ionic metal complex useful as a supporting electrolyte for an electrochemical device such as a lithium battery, a lithium ion battery, an electric double layer capacitor, a polymerization catalyst for a polyolefin or a catalyst for organic synthesis, etc.例文帳に追加

リチウム電池、リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学ディバイス用支持電解質、ポリオレフィン等の重合触媒、また、有機合成用触媒として利用されるイオン性金属錯体の合成法を提供する。 - 特許庁

The reactive ion etching is carried out by replacing with the reactive gas having a low etching selection ratio between the monocrystalline silicon and the silicon oxide, thereby performing the anisotropic etching for the thermal oxide film 33 and the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

上記反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が低い反応性ガスに切り替えて行うことにより熱酸化膜３３及び単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁

(e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

（ｅ）トレンチエッチングマスク３２を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a lithium ion secondary battery in which dispersion of carbon particles is enhanced in paste for forming positive electrode active material layer, and the amount of organic solvent used in the manufacturing process can be reduced.例文帳に追加

正極活物質層形成用ペーストにおけるカーボン微粒子の分散を向上させると共に電極の製造工程における有機溶剤の使用量を少なくし得るリチウムイオン二次電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A method is for manufacturing the semiconductor substrate including a semiconductor layer wherein a first region, in which a first impurity is ion-implanted, and a second region containing a second impurity are formed cyclically in a surface direction.例文帳に追加

本発明は、第１不純物がイオン注入された第１領域と第２不純物を含有する第２領域とが面方向において周期的に形成された半導体層を有する半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

This electrode layer 22 is composed of a porous assembly formed by gathering a further larger number of porous catalyst secondary particles 23 formed by gathering a large number of catalyst primary particles composed of a catalyst carrying particle and an ion conductive polymer.例文帳に追加

触媒担持粒子とイオン導電性ポリマーとからなる触媒一次粒子が多数集合してなる多孔質の触媒二次粒子２３がさらに多数集合してなる多孔質の集合体から構成された電極層２２。 - 特許庁

Plasma treatment and ozone treatment for cleaning and activating the surface are performed to the junction surface between the single-crystal Si substrate 10 and a crystal substrate 20 where a hydrogen ion implantation layer 11 is formed for bonding.例文帳に追加

水素イオン注入層１１を形成した単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施して貼り合わせる。 - 特許庁

To provide a capacitor electrode which employs a polarized electrode allowing smooth ion migration at electric charging/discharging to be available for an electric double-layer capacitor having a large capacitance.例文帳に追加

この発明の目的は、充放電時のイオン移動がスム−ズな分極電極を使用することによって静電容量が大きい電気二重層キャパシタ−などに用いることができるキャパシタ−用電極を提供することである。 - 特許庁

To enable to draw out excellent battery performance by having a catalyst-supporting carbon in full contact with an ion exchange resin and to have dispersion stability capable of corresponding to a contiguous automatic coating, in ink for a fuel cell electrode catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池電極触媒層用インクにおいて、触媒担持カーボンにイオン交換樹脂が充分に接触して良好な電池性能を引き出せるとともに、連続自動塗工に対応できる分散安定性を有すること。 - 特許庁

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured.例文帳に追加

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。 - 特許庁