「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To efficiently manufacture a junction element with high joining property of an ion exchange membrane to use as the junction of the separator and the electrode layer preventing output drop of a fuel cell even after a long use using an ion exchange membrane mainly comprising a crosslinked ion exchange resin with high dimensional stability, high heat resistance, and high methanol permeability suitable for the junction in an electrochemical device such as a direct methanol fuel cell.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池等の電気化学的デバイスにおける隔膜−電極接合体として好適な、寸法安定性、耐熱性、メタノール非透過性に優れた架橋型のイオン交換樹脂を主とするイオン交換膜を用いた隔膜−電極接合体において、隔膜であるイオン交換膜と電極層との接合性がよく、長期間の使用によっても燃料電池出力の低下しない接合体を効率よく製造する。 - 特許庁

To provide a device and a method for treating substrate, by which a resist (particularly, a resist having a cured layer formed on its surface by ion implantation) formed on the surface of a substrate can be removed satisfactorily, without giving damages to the oxidized film formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に形成されているレジスト（とくに、イオン注入によって表面に硬化層が形成されているレジスト）を、基板表面の酸化膜などにダメージを与えることなく良好に除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can reduce a region, where ions can not be implanted by an oblique ion implantation method because the shadow of a block layer falls on the region, and can improve the integration rate of a semiconductor chip.例文帳に追加

斜めイオン注入工程においてブロック層の影となってイオン注入できない領域を低減でき、半導体素子の集積度を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

The process for producing the fluorescent material comprises a step for purifying a suspension containing the semiconductor layer, a step for preparing a reaction solution containing the rare earth ion and a step for mixing the suspension and the reaction solution.例文帳に追加

該蛍光材料の製造工程は、半導体層を含有する懸濁液を精製する工程、希土類イオンを含有する反応溶液を調整する工程、前記懸濁液と反応溶液を混合する工程からなる。 - 特許庁

The ion-implanted diamond thin film 5-13 including a surface formed with the protection layer 5-14 is arranged in a super high-temperature/high-pressure baking furnace to be annealed at pressure equal to or higher than 3.5 GPa and at a temperature equal to or higher than 600°C.例文帳に追加

表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

After the treatment of the frame body, made from a wood material, making up the body of the folding fan with a pyroligneous acid, a liquid composition with the negative ion generation functions is applied on the frame body in a coating layer.例文帳に追加

本発明の扇子は、扇子本体を構成する木質素材からなる骨部に木酢液を処理した後、コーティング層の状態においてマイナスイオン発生機能を有する液状組成物を塗布してなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage.例文帳に追加

低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるＳＯＩ構造のシリコン単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

An active layer 11c is formed on the second semiconductor substrate 12 via an oxide film 11a by conducting the heat treatment to the laminated material 13, and by separating the laminated material 13 with an ion-implanting region 11b.例文帳に追加

この積層体１３を熱処理して積層体１３をイオン注入領域１１ｂで分離することにより第２半導体基板１２上に酸化膜１１ａを介して活性層１１ｃを形成する。 - 特許庁

A removal process is carried out thereafter so as to remove the second, third, and fourth layers of the capping structure using an end point detection method such as secondary ion mass analysis detecting the presence of the second layer.例文帳に追加

その後、除去プロセスが、第２の層の存在を検出する２次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第２、第３、第４の層を除去するために実施される。 - 特許庁

By having ion implantation in a substrate having the passivation layer 112, an ROM code programming step is conducted.例文帳に追加

そして、このパッシベーション層１１２を選択的に食刻してボンディングパッドを露出する工程を実行してから、パッシベーション層１１２が形成された基板にイオン注入を実行することでＲＯＭコードプログラミング工程を行う。 - 特許庁

The piezoelectric body 20 is heated, the piezoelectric body 20 is separated at the ion implantation layer 22, and a piezoelectric body film structure 10t for which a piezoelectric body film 24 separated from the piezoelectric body 20 and the insulator 34 are bonded is formed.例文帳に追加

圧電体２０を加熱して圧電体２０をイオン注入層２２で分離して、圧電体２０から分離された圧電体膜２４と絶縁体３４とが接合された圧電体膜構造体１０ｔを形成する。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device that can remove a resist film in a short time, the resist film having a cured layer after having implanted a high dose amount of ion, almost without oxidizing the semiconductor substrate and without generating particles.例文帳に追加

高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A separator for a lithium ion secondary battery is characterized in that a polymer layer of 5 μm or less thick exists with 50% or equal or less of a coating ratio of the powder in one side or both side of a film surface of a polyolefine fine porous film.例文帳に追加

ポリオレフィン微多孔膜の膜表面の片面又は両面に厚みが５μｍ未満のポリマー層が５０％以下の表面被覆率で点在して存在することを特徴とするリチウムイオン二次電池用セパレータ。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

Moreover, the top of the conductor layer of the trench gate 4 is made equal to or slightly higher than the main face of the semiconductor substrate by etching the semiconductor substrate, and then a channel region and a source region are formed through ion implantation.例文帳に追加

また、半導体基板をエッチングしてトレンチゲートの導体層の上面を半導体基板の主面と同等若しくはそれよりも高く形成した後、チャネル領域及びソース領域をイオン打込みで形成する。 - 特許庁

A positive electrode 7 of the lithium ion secondary battery is equipped with a positive current collector, where a power extracting part 50 is integrally formed in the peripheral part and a positive active material layer 6 placed on the positive current collector.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の正極７は、電力取出部５０が外周部に一体形成された正極集電体と、その正極集電体に重ね合わされた正極活物質層６とを備える。 - 特許庁

Two or more of caliper main scales 1 are neatly arranged so that their sliding surfaces 11a with a slider form one continuous flat surface, and the sliding surfaces 11a are collectively coated with a wear resistant layer by ion plating.例文帳に追加

複数本のノギスの本尺１を、スライダとの摺動面１１ａが連続する一平面となるように整列させて配置して、イオンプレーティング法によって摺動面１１ａに耐摩耗性層を一括してコーティングする。 - 特許庁

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

パターン３をマスクにしたイオン注入によって、Ｐ型領域５の表面層になる深さにＮ型不純物６を導入し、基板１の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域７を形成する。 - 特許庁

A material of high Ku ≥4.0×10^6 erg/cc is used as a magnetic recording layer 103 of the perpendicular magnetic recording medium 100, and also a method including a process for irradiating a metallic element ion is adopted.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体１００の磁気記録層１０３としてＫｕ≧４．０×１０^６ｅｒｇ／ｃｃである高Ｋｕ材料を用い、かつ金属元素イオンを照射する工程を有する方法を採用する。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic head comprising subjecting a contact surface 14 of the magnetic head 1a or 1b to a short time of ion etching, then directly coating the surface with a thin DLC film 15 as the protective layer and the magnetic head are provided.例文帳に追加

磁気ヘッド１ａ又は１ｂの接触面１４に短時間のイオンエッチングを施した後に保護層としての薄いＤＬＣ膜１５を直接的にコーティングした磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide an ion-implanted group-III nitride semiconductor substrate with a small warpage; and to provide a bonding substrate for a group-III nitride semiconductor layer using the same, and a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor device.例文帳に追加

反りが小さいイオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ならびにかかる基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the die cutter 1, an etching step for applying physical ion etching onto a cutting edge portion 11 of the die cutter 1 with a machined blade and a coating step for forming a DLC layer are performed alternatively a plurality of times.例文帳に追加

機械加工された刃を有するダイカッター１の刃先部１１に、物理的イオンエッチングを行うエッチング工程と、ＤＬＣ層を形成するコーティング工程とを、交互に複数回行うダイカッター１の製造方法。 - 特許庁

In the electrochromic mirror 10, between an electrochromic film 16 and a conductive reflective film 18, and a conductive layer 28 and a carbon film 30, an electrolytic solution 34 is enclosed which contains lithium ion, propylene carbonate and dimethoxyethane.例文帳に追加

エレクトロクロミックミラー１０は、エレクトロクロミック膜１６及び導電性反射膜１８と、導電性層２８及びカーボン膜３０との間に、リチウムイオンとプロピレンカーボネートとジメトキシエタンとを含む電解液３４が封入されている。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

The fuel cell 1 has two electrodes 2 and an ion-exchange membrane 6, with each of the electrodes 2 having an electrode catalyst layer 4 and at least one gas passage for a reaction gas 7.例文帳に追加

本発明は、２個の電極（２）およびイオン交換膜（６）を有しており、電極（２）のそれぞれが電極触媒層（４）および少なくとも１本の反応ガス（７）用のガス通路を備えている燃料電池（１）に関する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the marked semiconductor substrate, at least one of oxygen ions, nitrogen ions, and carbon ions are implanted nearby under the upper surface of the semiconductor substrate to form the marking consisting of an ion-implanted layer.例文帳に追加

半導体基板の表面下近傍に、酸素イオン、窒素イオンおよび炭素イオンの少なくとも1つのイオンを注入して、イオン注入層からなるマーキングを形成する、マーク付き半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery which includes an electrode plate where conductive material distribution inside a cathode composite layer is made uniform and binding material does not cover the active substance.例文帳に追加

正極合材層の内部での導電材の分布の均一化が図られているとともに，結着材が活物質を覆っていない電極板を有するリチウムイオン二次電池およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate for a photoelectric conversion element which can efficiently diffuse an alkali metal ion to a photoelectric conversion semiconductor layer, and can enhance the photoelectric conversion efficiency of a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換素子用基板を、アルカリ金属イオンを光電変換半導体層に対して効率よく拡散することが可能であって、光電変換素子の光電変換効率を高くすることができるものとする。 - 特許庁

A covering layer 12 of lithium carbonate is formed on the surrounding of a compound nickel acid lithium particulate 10 and the carbonate ion richness on the surface of the composite nickel acid lithium particulate is made 0.012-0.018 g^2/Lm^2.例文帳に追加

複合ニッケル酸リチウム微粒子１０の周囲に炭酸リチウムの被覆層１２を形成し、複合ニッケル酸リチウム微粒子１０の表面における炭酸イオン濃度を０．０１２〜０．０１８ｇ^２／Ｌｍ^２の範囲とした。 - 特許庁

In an electrolytic cathode, a substantially light-impermeable catalyst layer comprising a hydrogen-occluding metal or alloy is formed on a substrate diaphragm which is an ion-exchange membrane or a porous membrane.例文帳に追加

イオン交換膜又は多孔性膜である隔膜を基体とし、これに実質的に液不透過性を有する水素吸蔵性の金属又は合金からなる触媒層を形成させたことを特徴とする電解用陰極。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a TFT showing good characteristics with a little variation by doping a semiconductor layer with an accurately controlled additive amount of impurity ions using an ion doper.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いて、不純物イオンの添加量を正確に制御して半導体層にドーピングし、バラツキが少なく、良好な特性を示すＴＦＴを備えた半導体装置を作製することを課題としている。 - 特許庁

To provide a hydrogen ion conductive polymer electrolyte fuel cell capable of raising battery voltage by improving gaseous diffusion property of a catalyst layer and maintaining the high battery voltage over a long time.例文帳に追加

触媒層のガス拡散性をよくすることによって、電池電圧を高くし、かつ長時間にわたって、その高い電池電圧を維持することのできる水素イオン伝導性高分子電解質型燃料電池を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 200 is separated in the hydrogen ion implantation layer 205 thereof by irradiating the semiconductor substrate 200 with a laser beam 630 having an absorption wavelength of the semiconductor substrate 200.例文帳に追加

半導体基板２００による吸収波長のレーザ６３０を半導体基板２００に対して照射することにより、半導体基板２００の水素イオン注入層２０５において半導体基板２００を分離する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacity recovery method for a lithium ion secondary battery that efficiently recovers battery capacity (discharge capacity) having decreased owing to insertion of Li to a non-opposite part of a negative electrode active material layer.例文帳に追加

負極活物質層の非対向部にＬｉが挿入されたことにより低下した電池容量（放電容量）を効率よく回復することができる、リチウムイオン二次電池の容量回復方法を提供する。 - 特許庁

In this manner, the lithium ion battery 23 can be discharged to the level not storing power, and the discharged power is stored in the electric double-layer capacitor 18 and can be utilized, when necessary.例文帳に追加

これにより、リチウムイオン電池２３を電力が蓄積されていない状態まで放電させることができると共に、放出した電力は電気二重層キャパシタ１８に蓄積して、必要な時に利用できるようにする。 - 特許庁

With use of the mask and an RIE(reactive ion etching) method, removal of resist using an oxygen gas, etching of the film 3 and removal of a silylation layer 8 formed on a resist are repeated.例文帳に追加

次に、このマスクを用いて、ＲＩＥ法により、酸素ガスを用いたレジストの除去、ＣＨＦ_3とＣＦ_4とＡｒとの混合ガスにより、層間絶縁膜３のエッチング及びレジスト表面のシリル化層８除去を繰り返す。 - 特許庁

This adhesive tape or sheet for winding and stopping the lithium ion battery element is characterized by having a base material formed of a porous film, and an an adhesive layer formed on one surface of the base material in a fiber-like form.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池素子巻止用粘着テープ又はシートは、多孔質フィルムで構成された基材と、この基材の片面に繊維状に設けられた粘着剤層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sheathing material for lithium ion battery causing no delamination between metallic foil and a sealant layer nor functional degradation of contents even in the case of packaging the contents absorbing moisture and easily subjected to various harmful effects.例文帳に追加

吸湿して各種悪影響を受け易い内容物を包装した場合でも、内容物の機能低下が無く、かつ、金属箔とシーラント層間のデラミネーションが無いリチウムイオン電池用外装材を提供する。 - 特許庁

After a resist 5 of a pattern in accordance with the program is formed on the layer insulation film 7, ion implantation for the program is carried out to a channel region 9 below the desired gate electrode 4.例文帳に追加

プログラムに応じたパターンのレジスト５を層間絶縁膜７上に形成した後、層間絶縁膜７の上から、所望のゲート電極４下部のチャネル領域９に対してプログラム用のイオン注入を行う。 - 特許庁

The imaging element includes a heat treatable element including at least one image forming layer on the base and contains at least one photographically useful reducing agent ionically bound to an ion exchange matrix.例文帳に追加

支持体上に少なくとも1個の像形成層を含有する、熱処理可能な要素を含み、ここで該像形成要素は更に、イオン交換マトリックスにイオン結合した少なくとも1個の写真に有用な還元剤も含む。 - 特許庁

To provide a porous film being combinedly imparted with shutdown property and slipperiness by having a coating layer, and thereby suitably usable as a separator for lithium ion secondary battery.例文帳に追加

多孔性フィルムにコート層を設けることで、シャットダウン性と滑り性を同時に付与した多孔性フィルムを提供すること、および、それにより、リチウムイオン二次電池のセパレータに好適に使用できる多孔性フィルムを提供すること。 - 特許庁