「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

In the photoelectric conversion element 1 having a charge transfer layer 4 containing an iodine ion and an organic solvent or ionic liquid, conversion efficiency, especially, an open circuit voltage value, a short circuit current value, and a shape factor are enhanced by containing cyanoethylated saccharides in the charge transfer layer 4.例文帳に追加

ヨウ素イオン、及び有機溶媒又はイオン性液体を含む電荷輸送層４を有する光電変換素子１において、電荷輸送層４にシアノエチル化された糖類を含有させることにより、変換効率、特に開放電圧値，短絡電流値，形状因子が向上することを知見した。 - 特許庁

To provide a material structure which can stably seal closely without causing short circuit between a barrier layer of an outer package and a tab, when the outer package with polyethylene system resin as an innermost resin layer is heat sealed around its peripheral edge in case of packing of a lithium ion battery.例文帳に追加

リチウムイオン電池包装において、ポリエチレン系樹脂を最内樹脂層とする外装体にその周縁をヒートシールして密封する際に、熱と圧力によって外装体のバリア層とタブとがショートすることなく安定して密封可能な材質構成を提供する。 - 特許庁

The method includes a step wherein, with laser light being irradiated on a predetermined range on a diamond substrate (1) in a vacuum bath (2), a dopant ion beam is injected into the same region to form a conductive layer; and a step of forming a metal electrode on the conductive layer.例文帳に追加

真空槽（２）にて、ダイヤモンド基板（１）上の所定領域にレーザー光を照射しながら、その同じ所定領域に不純物のイオンビームを注入して導電層を形成するステップと、その導電層上に金属電極を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Damage due to ion milling is not applied on both the side end parts S of the free magnetic layer 26, magnetization of the free magnetic layer 26 can be controlled properly by the ferromagnetic coupling, and a magnetic detecting element which can cope with narrow tracks can be manufactured.例文帳に追加

本発明では、前記フリー磁性層２６の両側端部Ｓにイオンミリングによるダメージが与えられず、上記の強磁性的な結合により前記フリー磁性層２６の磁化制御を適切に行うことができ、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することができる。 - 特許庁

After narrowing and thinning the electrode layer 24 as indicated by a solid line by an isotropic etching processing, an n^--type source region 32 and an n^--type drain region 34 are formed by the ion implantation processing with the lamination of the electrode layer 24 and the insulating film 20, and the insulating film 16 as the masks.例文帳に追加

等方性エッチング処理により電極層２４を実線で示すように細く且つ薄くした後、電極層２４及び絶縁膜２０の積層と絶縁膜１６とをマスクとするイオン注入処理によりＮ^−型ソース領域３２及びＮ^−型ドレイン領域３４を形成する。 - 特許庁

The negative electrode includes: a strip-shaped negative electrode collector; a strip-shaped negative electrode active material layer comprising a plurality of columnar bodies of an alloy-based active material supported on the surface of the negative electrode collector; and a strip-shaped lithium ion conductive resin film formed on the surface of negative electrode active material layer by deposition.例文帳に追加

負極は、帯状の負極集電体と、負極集電体表面に支持された複数の合金系活物質の柱状体からなる帯状の負極活物質層と、負極活物質層表面に被着形成された帯状のリチウムイオン伝導性樹脂膜とを備える。 - 特許庁

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3.例文帳に追加

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

After the backside polishing, a collector electrode 31 made of e.g. aluminum forms an ohmic junction with the p^- lightly-doped collector layer 11, and the n^+ collector short-circuited region 13, dispensing with the ion implantation and heat treatment for separately forming a collector contacting high-concentration layer.例文帳に追加

裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極３１によって、ｐ^−低濃度コレクタ層１１及びｎ^＋コレクタ短絡領域１３とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery 1 includes an electrode group 5 formed by winding a positive electrode plate 2 having a positive electrode mixture layer, including an active material, formed on a collector and a negative electrode plate 3 having a negative electrode mixture layer, including an active material, formed on a collector with a porous separator 4 interposed.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池１は、活物質を含む正極合剤層が集電体に形成された正極板２と、活物質を含む負極合剤層が集電体に形成された負極板３とが多孔質セパレータ４を介して捲回した電極群５を有している。 - 特許庁

A nickel compound layer 13 on a gold film 12 formed by gold plating is removed by the physical etching effect of the generated ion and the generated oxygen radical reacts with particles 14a or 10b of the organic material scattered from the organic layer 14 or the resin substrate surface 10a to gasify.例文帳に追加

発生したイオンの物理的エッチング効果によって金メッキによる金膜１２上のニッケル化合物層１３を除去するとともに、発生した酸素ラジカルは有機物層１４や樹脂基板面１０ａから飛散する有機物の粒子１４ａや１０ｂと反応してガス化させる。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

This lithium ion secondary battery 20 has a winding group 6 formed by winding a positive electrode P prepared by forming a positive mix layer containing lithium manganate on an aluminum foil 17; a negative electrode N prepared by forming a negative mix layer containing amorphous carbon on an electrolytic copper foil, and a separator S.例文帳に追加

円筒型リチウムイオン二次電池２０は、マンガン酸リチウムを含有する正極合剤層をアルミニウム箔１７上に形成した正極Ｐと、非晶質炭素を含有する負極合剤層を電解銅箔上に形成した負極Ｎと、セパレータＳとを捲回した捲回群６を備えている。 - 特許庁

An electrode body 40 of a lithium ion secondary battery 1 comprises: a positive electrode 10 comprising a positive electrode mixture layer 13 applied to the surface of a positive electrode collector 11; a negative electrode 20 comprising a negative electrode mixture layer 23 applied to the surface of a negative electrode collector 21; and a separator 30.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池１の電極体４０は、正極集電部材１１の表面上に塗工された正極合材層１３を有する正極１０、負極集電部材２１の表面上に塗工された負極合材層２３を有する負極２０、及び、セパレータ３０を備える。 - 特許庁

In the hologram recording element 1, at least one layer 3 containing a photorefractive material and at least one layer 4 containing an electron-ion mixture conductor between a pair of transparent electrode substrates 2a and 2b are stacked in the thickness direction of the transparent electrode substrates 2a and 2b.例文帳に追加

ホログラム記録素子１は、一対の透明電極基板２ａ，２ｂの間に、フォトリフラクティブ材料を含んだ少なくとも一つの層３と、電子・イオン混合伝導体を含んだ少なくとも一つの層４と、が透明電極基板２ａ，２ｂの厚さ方向に積層されていることを特徴とする。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery is provided with a power generation element including a unit cell with a positive electrode, an electrolyte layer, and a negative electrode laminated in this order, and a reference electrode with an reference electrode active material layer containing graphite fluoride in which lithium is doped formed on a current collector.例文帳に追加

正極、電解質層、および負極がこの順に積層されてなる単電池を含む発電要素とリチウムがドープされたフッ化黒鉛を含む参照極活物質層が集電体上に形成された参照極とを備えたリチウムイオン二次電池に関する。 - 特許庁

Further, in the case of an HLHL type antireflection film for example, a TiO_2 film having a refractive index assuming a value falling within the range from 2.2 to 2.4 is formed as the layer next to the outermost layer with a special ion plating apparatus.例文帳に追加

更に、例えばＨＬＨＬ型の反射防止膜の場合、最外層から２番目に位置する層を成すＴｉＯ_２膜を特殊なイオンプレーティング装置を用いて成膜することにより、このＴｉＯ_２膜の屈折率が２．２〜２．４の範囲内の値を有するＴｉＯ_２膜を形成する。 - 特許庁

This gas detection device has the stable sensitivity characteristic and detection performance by coating the conversion electrode 8 with an electrode coating layer 31 comprising an oxygen ion-conductive solid electrolyte, and by providing a portion bonded directly or indirectly to the solid electrolyte substrate on the electrode coating layer 31.例文帳に追加

酸素イオン伝導性固体電解質からなる電極被覆層３１により変換電極８を被覆し、かつ電極被覆層３１に固体電解質基板に直接又は間接的に接合する部位を設けることにより、安定した感度特性・検知性能を有するガス検出装置。 - 特許庁

When the electrode is arranged as the oxygen cathode of an alkali chloride aqueous solution electrolytic cell using an ion exchange membrane method for producing alkali metal hydroxide, the electrode properties improve with the increase of electrolysis time compared with a gas diffusion electrode consisting of the two layers of a reaction layer and a gas feed layer.例文帳に追加

水酸化アルカリ金属を製造するイオン交換膜法塩化アルカリ水溶液の電解槽の酸素陰極として配備した場合に、反応層とガス供給層の２層からなるガス拡散電極に較べ、電解時間の増大に連れて電極特性が向上する。 - 特許庁

The column filler for liquid chromatography is composed of core particles consisting of a crosslinked polymer, the nonionic hydrophylic polymer layer polymerized on the surface of the core particle and a compound having the ion exchange group bonded to the nonionic hydrophylic polymer layer.例文帳に追加

液体クロマトグラフィー用のカラム充填剤であって、架橋重合体からなるコア粒子と、前記コア粒子の表面に重合された非イオン性親水性重合体層と、前記非イオン性親水性重合体層に結合したイオン交換基を有する化合物とからなるカラム充填剤。 - 特許庁

A silver-containing solderable contact on a semiconductor die has an outside edge spaced out from the opposite edge of an epoxy passivation layer, due to this fact, there exists no silver ion after soldering, and therefore, there will be no free migration of silver under the epoxy layer to form resinous crystallization.例文帳に追加

半導体ダイ上の銀含有はんだ付け可能コンタクトは、エポキシパッシベーション層の対面エッジから離隔された外側エッジを有し、これによって、はんだ付け後いに、銀イオンが存在せず、そのため、エポキシ層の下で自由にマイグレーションして樹脂状結晶を形成することがない。 - 特許庁

A transparent conductive film consists of a transparent conductive layer with a thickness of 10-500 nm formed by an ion plating method due to pressure gradient type discharge and the polythiophene type transparent conductive polymeric layer provided thereon.例文帳に追加

透明導電性フィルムの一面上に、透明導電層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法により１０〜５００ｎｍの厚さに形成した後、その透明導電層上にポリチオフェン系透明導電性高分子層を設けたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped.例文帳に追加

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。 - 特許庁

Paste composition for forming the catalyst layer of this invention is the paste composition for forming catalyst layer containing (1)catalyst-carrying carbon particles, (2) ion conductive polymer electrolyte, (3) solvent and (4) dispersant and the dispersant (4) is a chemical composition having a perfluoroalkyl group.例文帳に追加

本発明の触媒層形成用ペースト組成物は、（１）触媒担持炭素粒子、（２）イオン伝導性高分子電解質、（３）溶剤及び（４）分散剤を含有する触媒層形成用ペースト組成物であって、（４）分散剤がパーフルオロアルキル基を有する化合物である、ことを特徴とする。 - 特許庁

In the wiring correction method for forming a connecting hole 1 through converged ion beam working for pulling out correction wiring of a semiconductor device 11, a slope is formed at a side where the correction wiring for connecting lower-layer wiring 4 and upper-layer wiring 3 is pulled put on a lateral side of the connecting hole 1.例文帳に追加

半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。 - 特許庁

The anode for the lithium-ion secondary battery has an anode active material layer and lattice-like barrier ribs made of a conductive substance on a metal foil, the anode active material layer contains an anode active material and a conductive auxiliary combined by a binder, and is surrounded by the above barrier ribs.例文帳に追加

金属箔上に、負極活物質層と、導電性物質製の格子状の隔壁とを有し、前記負極活物質層は、結着剤で結合された負極活物質と導電助剤とを含み、前記隔壁に取り囲まれていることを特徴とするリチウムイオン二次電池用の負極である。 - 特許庁

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。 - 特許庁

The electrifying roller 10 is constituted by forming a resistance regulating layer 12 of thermoplastic resin composition with high polymer ion conductive materials dispersed on a core bar 11, and the surface of the resistance regulating layer 12 is subjected to a hardened film coating with a hardening agent.例文帳に追加

本発明に係る帯電ローラ１０は、高分子型イオン導電材料が分散した熱可塑性樹脂組成物からなる抵抗調整層１２が芯金１１上に形成されて構成され、抵抗調整層１２の表面が硬化剤により硬化被膜処理されている。 - 特許庁

A substrate for silicon carbide SOI active layer 5 is pasted on a supporting substrate 2 to perform heating treatment and separated at the layer of ion implantation 6 which is the cutoff region of the crystal lattice to form a silicon carbide SOI substrate 1.例文帳に追加

貼り合わされた炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５および支持基板２に対して熱処理を施して、結晶格子切断領域からなるイオン注入層６の領域で、炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５を剥離して、炭化ケイ素ＳＯＩ基板１を形成する。 - 特許庁

The interior fabric that conquers the problem by adding a specific radium ore fine powder to a backing layer at the back side of the fiber layer of the interior fabric and has a hormesis effect of continuously generating a negative ion of ≥300 pieces/cc.例文帳に追加

内装用布帛の繊維層の裏側のバッキング層において、特定のラジウム鉱石微粉末を含有させることによって、上記課題を克服し、３００個／ｃｃ以上のマイナスイオンを絶えず発生しホルミシス効果のある内装用布帛を得ることを見出し本発明に到達した。 - 特許庁

Since the lead wire in which the copper layer 5b and the nickel layer 5c are coated on the ion-nickel core wire 5a is used for the external lead wire 5 connected to the outside end of the sealing material 4, this sealing lead wire has no problem in welded connection, excellent corrosion resistance and excellent workability, and its cost can be suppressed.例文帳に追加

封着材４の外側端部に接続される外部リード線５に鉄−ニッケル芯線５ａに銅層５ｂおよびニッケル層５ｃを被覆したリード線を用いたので、溶接接続に問題が無く、耐食性および加工性に優れているとともに、コストを抑えることが可能となる。 - 特許庁

Raw water flowing in from the inflow port 74 is made to pass through the ion exchange resin layer 102 to be softened, and introduced into the water flow passage 111 from the water passing hole 112 and then made to pass through the activated carbon layer 86 of the water purifier part 80 to obtain purified water, which is discharged from the outflow port 72.例文帳に追加

そして流入口７４から流入した原水をイオン交換樹脂層１０２に通し軟水化した上で、通水穴１１２から通水路１１１に導き、浄水器部８０の活性炭層８６を通過させ、浄水とした上で流出口７２から流出させる。 - 特許庁

The material forming the resistance regulation layer 2 of the electrostatic charging member (electrostatic charging roll 10) formed with the resistance regulation layer 2 on a conductive supporting body 1 is formed of a resin composition containing a high-polymer compound, such as polyolefin having a quaternary ammonium base as the ion conducting agent.例文帳に追加

導電性支持体１上に抵抗調整層２を形成した帯電部材（帯電ロール１０）において、抵抗調整層２を形成する材料を、四級アンモニウム塩基を有するポリオレフィン等の高分子化合物をイオン導電剤として含有する樹脂組成物で形成する。 - 特許庁

The multi-layered electrolyte film has two or more of electrolyte layers containing a hydrocarbon based polymer having an acid generating group, and an ion exchange amount of one layer included in the above polymer is different from that of the other layer.例文帳に追加

酸生成基を有する炭化水素系ポリマーを含有する電解質層を２層以上含有する多層電解質膜であって、１層に含まれる前記ポリマーのイオン交換容量が、他の１層に含まれる前記ポリマーのイオン交換容量と異なることを特徴とする多層電解質膜を提供する。 - 特許庁

The surface exposed parts of the organic luminescent layer 11, carrier transport layer 10 and electrode 12 are irradiated with hydrogen ion in an energy range of less than 150 eV to provide a protective film formed of poly-paraxylene film for covering the surface exposed part.例文帳に追加

電荷注入型発光素子の有機発光層１１、キャリア輸送層１０、及び電極１２の表面露出部分に、１５０ｅＶ未満のエネルギー範囲にある水素イオンを照射して、この表面露出部分を覆うポリパラキシレン膜からなる保護膜を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the polyimide wiring board for forming the wiring part after forming a modified layer with an imide ring opened on the surface of the polyimide substrate removes a metal-ion attached to the modified layer with the use of a complexing agent solution.例文帳に追加

ポリイミド基板表面にイミド環が開環された改質層を形成した後、配線部を形成するポリイミド配線板の製造方法において、錯化剤溶液を用いて、改質層に付着する金属イオンを除去することを特徴とするポリイミド配線板の製造方法。 - 特許庁

The olefin polymer laminated film comprises a modified olefin polymer layer (B) and a metallic ion ionomer layer (C) of an ethylene/ unsaturated carboxylate copolymer sequentially laminated on at least one or both side surfaces of an olefin polymer base (A).例文帳に追加

オレフィン重合体基材（A）の少なくとも片面、好ましくは両面に、変性オレフィン重合体層（B）及びエチレン・不飽和カルボン酸共重合体の金属イオンアイオノマー層（C）とが順次積層されていることを特徴とするオレフィン重合体積層フィルムを提供するものである。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

Furthermore, by carrying out enhanced oxidation after forming the n^++-type cathode layer 1b, and carrying out ion implantation of a p-type impurity for forming the p^++-type collector layer 1a by utilizing an oxide film 31 formed by the enhanced oxidation as a mask, these layers can be formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

さらに、ｎ^++型カソード層１ｂを形成したのち増速酸化し、増速酸化によって形成された酸化膜３１をマスクとしてｐ^++型コレクタ層１ａを形成するためのｐ型不純物のイオン注入を行うことで、これらを自己整合的に形成する。 - 特許庁

In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.例文帳に追加

半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁

A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108.例文帳に追加

Ｐ型オーミック領域１０９は、酸化膜１０３をマスクとして、Ｐ型埋込層１０８の表面にＢイオン等のＰ型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、Ｐ型不純物をＰ型埋込層１０８内に拡散することによって形成される。 - 特許庁

To provide a fuel electrode for solid oxide fuel cell in which an electron conductive path and an ion conductive path are structured and the contact points of an Ni layer and an oxide layer are increased, thereby increasing the reaction speed of the electrochemical reaction and cell output can be improved, and provide a SOFC using this fuel electrode.例文帳に追加

電子伝導パス、イオン伝導パスを構築すると共に、Ｎｉ層と酸化物層の接触点を増やし、もって電気化学反応の反応速度を増し、セル出力を向上させることができるＳＯＦＣ用燃料極及びこのような燃料極を用いたＳＯＦＣを提供する。 - 特許庁

To enable a conductive substance that is improper for filling up holes to be used for interlayer continuity, to relieve a phenomenon caused by difference in the material characteristics between the conductive substance used for interlayer continuity and an insulating layer, and to suppress the occurrence of ion migration at a boundary section in the insulating layer.例文帳に追加

穴埋め用途には不適な導電性物質を層間導通に使用可能で、層間導通に用いる導電性物質と絶縁層との材料特性の違いに起因する現象を緩和し、絶縁層の境界部分におけるイオンマイグレーションの発生を抑制する。 - 特許庁

The comparison electrode includes a cylindrical member 2 made of silver, a silver halide layer 3 formed on the inner surface of the cylindrical member, an insulating layer 4 formed on the outer surface of the cylindrical member, and a hydrophobic ion liquid 5 filling the internal space of the cylindrical member.例文帳に追加

銀を備えた筒状体２、前記筒状体の内面に形成されているハロゲン化銀からなる層３、前記筒状体の外面に形成されている絶縁層４、及び、前記筒状体の内部空間に充填された疎水性イオン液体５、を備えるようにした。 - 特許庁