「ion line」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Ion particles are injected from a prescribed ion source to be captured by a line of magnetic force of the earth.例文帳に追加

所定のイオン源より地球の磁力線に捕捉されるようにしてイオン粒子を噴射させる。 - 特許庁

The line for water to be treated supplies ion-containing water as water to be treated.例文帳に追加

被処理水ラインは、イオン含有水が被処理水として供給される。 - 特許庁

Multiple ion beam line assemblies are arranged around a common processing chamber.例文帳に追加

複数のイオンビームラインアセンブリーが、共通処理チャンバーの周囲に配置される。 - 特許庁

To provide an ion beam device which can parallelize ion beams and separate energy, enabled to shorten a length of a beam line of the ion beam.例文帳に追加

イオンビームの平行化およびエネルギー分離を行うことができ、しかもイオンビームのビームライン長を短くすることを可能にしたイオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process-in-line ion-concentration measuring apparatus in which an ion-responsive part can be cleaned easily and which can be made compact.例文帳に追加

イオン応答部を容易に清掃でき、かつコンパクト化できるプロセスインライン用イオン濃度測定装置を提供する。 - 特許庁

The inclined ion implantation is performed in the sharp angle to the substrate surface so that the ion beam passes the material line.例文帳に追加

イオンビームが材料ラインを通過するように、基板表面に対し鋭い角度で、傾斜イオン注入が行われる。 - 特許庁

An ion radiating part 41 radiates an ion beam having a trajectory coinciding with a reference line defined by the reference definition part.例文帳に追加

イオン照射部４１は、基準線規定部により規定される基準線と一致する軌道を有するイオンビームを照射する。 - 特許庁

VARIABLE OPENING ASSEMBLY AND BEAM LINE ASSEMBLY FOR ION IMPLANTATION DEVICE, AND CONTROL DEVICE THEREFOR例文帳に追加

イオン注入装置用の可変開口アセンブリ、ビームラインアセンブリ及びそのための制御装置 - 特許庁

Also, a standard center line 123 corresponding to a standard value of a ratio of the ion to be checked, which represents an intensity ratio of the ion to be checked with respect to an intensity of the ion of predetermined quantity in the target compound, and an upper limit line 124 and a lower limit line 125 representing an allowance range of the intensity of the ion to be checked are displayed being overlapped with the EIC.例文帳に追加

また、目的化合物における定量イオンの強度に対する確認イオンの強度の比を表す確認イオン比の標準値に対応した標準中心線１２３と、確認イオンの強度の許容幅を示す上限線１２４及び下限線１２５とをＥＣＩに重ねて表示する。 - 特許庁

The ion beam emittance measuring mechanism 15 comprises an ion beam emittance measuring instrument 151 which is inserted into the passage of ion beam, that is, on a beam line at the time of measurement, and is controlled so as to be outside of the beam line at the time other than measurement, and can inspect at least divergence degree of ion beam.例文帳に追加

イオンビームエミッタンス測定機構１５は、測定時にイオンビームの経路すなわちビームライン上に挿入され、測定時以外はビームラインから外れるように制御され、イオンビームの少なくとも発散度合いが検査可能なイオンビームエミッタンス測定器１５１を有する。 - 特許庁

The thicker line has the lower transmitting coefficient for ion beam and therefore intensity of ion beam reaching the adjacent semiconductor well is lowered.例文帳に追加

より厚いラインはイオンビームに対し、より低い透過係数をもち、従って隣接した半導体井戸に到達するイオンビームの強度は低下する。 - 特許庁

The ion beams are made incident to an inner cavity of the beam line, and the incident ion beams are made to converge with electrostatic lens arranged in the inner cavity.例文帳に追加

このイオンビームをビームラインの内部空洞に入射し、入射したイオンビームを、その内部空洞内に配置された静電レンズで収束させる。 - 特許庁

This ion implantation device 100 is composed by structuring a mechanism from an ion source part 101 through a beam line part 102 to an end station part 103.例文帳に追加

イオン注入装置１００は、イオンソース部１０１からビームライン部１０２を介してエンドステーション部１０３に至る機構が構成されている。 - 特許庁

A water treatment apparatus for recovering ions from ion-containing water includes: a line for water to be treated; a line for concentrated water; a reaction tank; and a crystal discharging line.例文帳に追加

水処理装置は、イオン含有水からイオンを回収する水処理装置であって、被処理水ラインと、濃縮水ラインと、反応槽と、結晶排出ラインとを備える。 - 特許庁

The magnet strainer is preferably installed on a feed line of the raw material (a) from the cracking furnace or ion a circulating line thereof (e) or on the both.例文帳に追加

マグネットストレーナー２６は、分解炉からの原料ａの供給ライン又は還流ラインｅ、及び両者に介設することもできる。 - 特許庁

Coils 1, 2 are coaxially provided against an ion beam line 3 between a mass separator 11 of impurity ion and a semiconductor substrate 12 to be doped.例文帳に追加

不純物イオンの質量分離機１１とドーピングされる半導体基板１２との間にコイル１、２をイオンビームライン３に対して同心的に設ける。 - 特許庁

An ion implanter carries out two-dimensional scanning of a substrate relative to a beam for ion implantation so that the beam draws a raster of scan line on the substrate.例文帳に追加

イオン注入装置は、イオン注入用ビームに対して基板の二次元走査を行って、ビームが基板上に走査線のラスタを描くようにする。 - 特許庁

When the injector flag Faraday cup 32 is inserted in the beam line and shields the ion beam, the ion beam abuts on graphite 32a provided at the injector flag Faraday cut 32.例文帳に追加

インジェクタフラグファラデーカップ３２をビームラインに挿入してイオンビームを遮断すると、イオンビームがインジェクタフラグファラデーカップ３２に設けられたグラファイト３２ａに当たる。 - 特許庁

A processing cross-sectional surface 10 of a workpiece 4 is formed on an ion beam-irradiated side surface 26 obtained by moving a radiation axis 24 of an ion beam 20 along a processing line.例文帳に追加

イオンビーム２０の照射軸２４が加工ラインに沿って移動して得られるイオンビーム照射側面２６に、ワーク４の加工断面１０を形成する。 - 特許庁

To provide an ion current detection device capable of detecting ion current even when a battery grounded to a ground line is used as a heating battery in an ion current detection device using a glow plug.例文帳に追加

グロープラグを用いたイオン電流検知装置において、発熱用バッテリとしてグランドラインに接地されたバッテリを用いる場合にも、イオン電流の検知が可能なイオン電流検知装置を提供する。 - 特許庁

An electron source is positioned on the surface of the wafer for an oxygen ion beam to be irradiated and outside a line of the ion beam, so that an electron beam is irradiated thereon by the same amount as an ion beam current value or less, with electron energy set at 50 eV or more.例文帳に追加

酸素イオンビームが照射されるウエハ面側に有ってイオンビームライン外に電子源を設置し、イオンビーム電流値と同量、それ以下の電子ビームを照射し、電子エネルギーが５０ｅＶ以上である。 - 特許庁

This ion implanter is provided with an ion generation source 2 and a beam line 11 for selecting ions fed from the ion generation source 2 by means of a mass separation magnet 7 and leading ions with a predetermined mass to an end station 8.例文帳に追加

イオン発生源２と、該イオン発生源２から送出されたイオンを質量分離マグネット７で選択し、所定質量のイオンをエンドステーション８に導くためのビームライン１１とを備えたイオン注入装置である。 - 特許庁

A bactericidal metallic ion generator 6 for eluting bactericidal metallic ions is provided in a merged part 7 of the hot water filling pipe line 4 and the reheating circulation pipe line 3.例文帳に追加

湯張り管路４と追焚き循環管路３の合流部７に殺菌性金属イオンを溶出させる殺菌性金属イオン発生装置６を設ける。 - 特許庁

In the ion transporter 30, an electron absorber 33 is placed around a beam line 31 upstream from multipolar magnets 32 in the flow of the ion beams.例文帳に追加

このイオン輸送装置３０においては、多重極磁石３２よりもイオンビームの流れにおける上流側のビームライン３１の周囲に、電子吸収体３３が設置される。 - 特許庁

Each of multiple ion beam line assemblies is selectively separated from the common processing chamber, and multiple ion beam lines intersects with each other at a processing region of the common processing chamber.例文帳に追加

複数のイオンビームラインアセンブリーの各々は、共通処理チャンバーから選択的に分離され、複数のイオンビームラインは、共通処理チャンバーの処理領域で交差する。 - 特許庁

When the ion beam does not satisfy a predetermined condition, a park voltage is applied to the park electrode 26, the ion beam is deflected from the beam line and put into a withdrawal state.例文帳に追加

イオンビームが所望の条件を満足しない時にはパーク電極２６にパーク電圧が印加され、これによりイオンビームはビームラインから偏向されて退避状態におかれる。 - 特許庁

This ion current moves along a line of magnetic force made by an objective lens 3, and finally reaches a sample surface.例文帳に追加

このイオン流は、対物レンズ３の作る磁力線に沿って移動し、最終的に試料面に到達する。 - 特許庁

To provide a variable opening assembly and a beam line assembly for an ion implantation device and a control device therefor.例文帳に追加

イオン注入装置用の可変開口アセンブリ、ビームラインアセンブリ及びそのための制御装置を提供すること。 - 特許庁

The gas line to supply the raw material gas 4 to the ion source 12 is dividedly housed through three ovens 31 to 33.例文帳に追加

イオン源１２に原料ガス４を供給するガスラインを三つのオーブン３１〜３３に分けて格納した。 - 特許庁

A CO_2 removal device 20 is installed on the upstream side of the ion exchanger 16 installed on the cooling water line 13.例文帳に追加

冷却水ライン１３に設置されたイオン交換器１６の上流側に、ＣＯ_2除去装置２０を配設する。 - 特許庁

Select gate lines exposed to open side walls at a bit line contact position and a source line contact position are covered with an insulating film for ion implantation, and a first conductive diffusion layer is formed for bit line contact and source line contact.例文帳に追加

ビット線コンタクト位置及びソース線コンタクト位置の開口側壁に露出した選択ゲート線を絶縁膜で覆った状態でイオン注入を行って、ビット線コンタクト及びソース線コンタクト用の第１導電型拡散層を形成する。 - 特許庁

This chemical and mechanical polishing equipment is provided with a slurry supply line 4, which drips the slurry (abrasive solution) 5 on the polishing pad 2 of the platen (polishing surface plate) 1 and a copper ion solution supplying line 6, which drips the copper ion solution 7.例文帳に追加

本発明の化学機械研磨装置は、プラテン（研磨定盤）１の研磨パッド２上にスラリー（研磨液）５を滴下するスラリー供給ライン４と銅イオン溶液７を滴下する銅イオン溶液供給ライン６とを備えた。 - 特許庁

When no voltage is applied to the gate electrode 3, the ion outgoing from an ion source 1 is detected by a primary ion detector 5 via the straight line orbit B, resulting in the short-term and high time resolution analysis being achieved.例文帳に追加

ゲート電極３に電圧が印加されないときにはイオン源１から出射されたイオンは直線軌道Ｂを経て第１イオン検出器５で検出されるから、分析時間が短く高い時間分解能を達成できる。 - 特許庁

In a method for processing a solid surface to make it even by using a gas cluster ion beam, at least during part of a period of a gas cluster ion beam radiation process, a radiation angle made by the normal line of a solid surface and the gas cluster ion beam is made larger than 70°, and the gas cluster ion beam is focused using a lens mechanism without separating the monomer ion, thus radiating it.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 - 特許庁

The system is further provided with a bypass line 12 for returning water to the ion-removing filter 9 after the water is discharged from the tank 7 to the water supply line 10, and a water shut-off valve 14 for allowing the flow of water to the water supply line 10 to be switched to the bypass line 12.例文帳に追加

水回収タンク７から水供給ライン１０へ吐出された水をイオン除去フィルタ９へ戻すバイパスライン１２と、水供給ライン１０への水の流れをバイパスライン１２へ切り換える水遮断弁１４とが設けられる。 - 特許庁

To provide a method and a device for operating an adjustable opening used for a beam line of an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置のビームラインに使用する調整可能な開口を操作する方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To omit a grounding-back line to a controller that has been necessary when an ignition plug is used for measuring an ion current.例文帳に追加

点火プラグをイオン電流測定に使用する際に必要とされていた制御装置への接地帰路を省略する。 - 特許庁

The respiratory line is formed of a porous ion exchange resin having a primary benzylamine group as a main component.例文帳に追加

主たる成分として一級ベンジルアミン基を有する多孔性のイオン交換樹脂により呼吸石灰を形成する。 - 特許庁

To restrain accumulation of components of ion-source gas at least in an insulated evacuation pipe existing on the way of an evacuation line.例文帳に追加

少なくとも排気ラインの途中にある絶縁排気管内に、イオン源ガスの成分が堆積することを抑制する。 - 特許庁

The determination means 11 transmits a signal for stopping ion beam emission to the sample, to an ion gun control means 12, when determining that the high-brightness picture elements P run in line over the prescribed number or more.例文帳に追加

判定手段１１は、高輝度画素Ｐが所定個数以上連なっていると判定した場合、試料へのイオンビーム照射を停止させる信号をイオン銃制御手段１２に送る。 - 特許庁

To support an ion-exchange membrane to stabilize a base line of a chromatogram, and to reduce a flow channel resistance by a support body thereof to prevent a load applied to the ion-exchange membrane from getting high.例文帳に追加

イオン交換膜を支持してクロマトグラムのベースラインを安定化するとともに、その支持体による流路抵抗を小さくしてイオン交換膜にかかる負荷が大きくなるのを防ぐ。 - 特許庁

This board dicing method, using ion implantation, is used to implant a gas ion 22 of hydrogen gas or helium gas in the dicing line of a board 21 by utilizing an ion implantation method with the help of one mask, heating the board, cutting the board along the dicing line to complete dicing.例文帳に追加

イオン注入法を利用し並びに一つのマスクの補助により、水素ガス或いはヘリウムガス等のガスイオン２２を基板２１のダイシングライン中に注入し、さらに該基板に熱処理を進行し、基板を該ダイシングラインで裂開させて基板のダイシングを完成するイオン注入利用の基板ダイシング法としている。 - 特許庁

A pair of two lithium ion battery cells 15 arrayed in a Y direction are sequentially connected in series by a connecting line L1, and the lithium ion battery cells 15 adjacent to each other in a lamination direction (X direction) are sequentially connected in series by the connecting line L1.例文帳に追加

Ｙ方向に２個配置されたリチウムイオン電池セル１５間が順次、接続ラインＬ１により直列接続され、また、積層方向（Ｘ方向）に隣接するリチウムイオン電池セル１５間が順次、接続ラインＬ１により直列接続されている。 - 特許庁

A gate electrode 3 is provided over a straight line orbit B where the ion outgoing is flying from an ion source 1, and the ion is introduced over a circumvolant orbit A when a voltage is applied to the gate electrode 3 from the MS mode changeover controller 7.例文帳に追加

イオン源１から出射したイオンが飛行する直線軌道Ｂ上にゲート電極３を設け、ＭＳモード切替制御部７からゲート電極３に電圧が印加されたときにはイオンが周回軌道Ａに導入されるようにする。 - 特許庁

The control valve 33 controls the ratio of the flow of the cooling water that flows in respect of the ion removal unit 23 and the bypass line 32.例文帳に追加

調節弁３３は、イオン除去ユニット２３とバイパスライン３２とを流れる冷却水の流量の比率を調節する。 - 特許庁