「ion line」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a bending magnet capable of controlling an orbit state in Y direction of ion beams without bending a beam line and while suppressing a focusing action of an undesirable X direction, and an ion implantation device equipped therewith.例文帳に追加

ビームラインを曲げることなく、かつ不所望なＸ方向の集束作用を抑えつつ、イオンビームのＹ方向における軌道状態を制御することができる偏向電磁石を提供する。 - 特許庁

As a result of solicitation of applications, 22 applications were adopted, which were pertaining to capital investment for Line No.1 (initial production line) in technology fields that are important for the future low-carbon society, including lithium-ion batteries, solar batteries, LEDs, and components related thereto.例文帳に追加

公募の結果、リチウムイオン電池、太陽電池、LED 及びそれら関連部材など、将来の低炭素型社会を担う技術分野の 1 号ラインに係る設備投資22 件が採択された。 - 経済産業省

The ion implanting device is provided with a park electrode 26 as a deflection means which is arranged in a section between an exit of a mass spectrometry electromagnet unit 22 through a bean line in front of a mass spectrometry slit 28 and deflects the ion beam out of a beam line in a predetermined direction.例文帳に追加

質量分析磁石装置２２の出口から質量分析スリット２８手前のビームライン区間に配置されて電界の作用によりイオンビームをビームライン上から外れた所定の向きに偏向させる偏向手段としてパーク電極２６を備える。 - 特許庁

In the ultrapure water producing apparatus provided with a regenerating type ion exchange apparatus and a regenerant supply line for supplying the regenerant to the regenerating type ion exchange apparatus, the regenerant supply line is provided with the boron removal means.例文帳に追加

再生型イオン交換装置と、該再生型イオン交換装置に再生剤を供給する再生剤供給ラインとを有する超純水製造装置において、該再生剤供給ラインにホウ素除去手段が設けられていることを特徴とする超純水製造装置。 - 特許庁

To provide a copper ring antibacterial tool with a fishing line in which the copper ring is connected with a length-adjustable fishing line, the tip end of the fishing line being provided with a sucker, and is placed to the water bottom in a drain pipe of a sink, thereby removing offensive odor and sliminess with copper ion.例文帳に追加

銅リングを、長さ調節のできる釣り糸でつなぎ、その先端に吸盤を設けて、流し台の排水管内の水底に設置し、銅イオンによって悪臭やヌメリを除去する、釣り糸つき銅リング抗菌具。 - 特許庁

The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14.例文帳に追加

イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。 - 特許庁

The ion generating elements 2 are provide and arranged facing a destaticizing object 12 mounted on the stage 11 of the transfer line 10.例文帳に追加

イオン発生素子２は、搬送ライン１０のステージ１１に載置された被除電対象物１２に対向して配置されるようにして設ける。 - 特許庁

To provide an inspection method capable of determining the quality of an electrode for a lithium ion secondary battery in a short time or in line.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池用電極の良否を短時間であるいはインラインで判別することが可能な検査方法を提供する。 - 特許庁

An edge 8b of the mask 8 is etched as an original shape indicated by a dashed line before irradiation of an ion beam is approximately maintained.例文帳に追加

マスク８のエッジ部分８ｂは、イオンビーム照射前の元の形状（点線で示された元の形状）をほぼ保ちながらエッチングされる。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal line of an inductor which is suitable for removing polymer produced in UTM reactive ion etching.例文帳に追加

ＵＴＭ反応性イオンエッチングで発生するポリマーを除去するのに好適なインダクタの金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To sufficiently increase a bit line voltage value in reading data without adding an ion injection process for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧調整のためのイオン注入工程の追加を行うことなく、データ読み出し時のビット線電圧値を十分大きくする。 - 特許庁

To provide an anion analyzer can suppress the variation of a base line originating from a carbonic acid in the analysis of an anion by ion chromatography.例文帳に追加

イオンクロマトグラフィによる陰イオン分析において、炭酸由来のベースライン変動を抑えることのできる分析装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an image display device, while a magnetic field passing through an internal space of the closed vessel 1 is formed, the electron emitting element 5 connected to one scanning line 6a is driven to emit an electron, and an ion is captured using another scanning line 6b adjacent to the electron emitting element 5 as an ion collector electrode.例文帳に追加

密閉容器１の内部空間を通る磁場を形成した状態で、一の走査線６ａに接続された電子放出素子５を駆動して電子を放出させ、この電子放出素子５に隣接する他の走査線６ｂをイオンコレクター電極としてイオンを捕捉する。 - 特許庁

Sea water is sucked from a sea water intake port 3 by a pump 4 and is set to proper copper ion concentration by a copper ion generating device 5 for the antifouling in pipes through a cooling water line 6, and the drainage is again returned to the sea water intake port 3 for reutilization in a line 7.例文帳に追加

海水取水口３より海水をポンプ４より吸水し銅イオン発生装置５において、適正なる銅イオン濃度として冷却水ライン６を通して配管内を防汚すると共に排水は再び海水取水口３に戻しライン７で再利用される。 - 特許庁

Thereby, first the ion implantation is carried out obliquely with respect to the normal direction of the n+-type semiconductor substrate 1, and thereafter the ion implantation is carried out with the inclination state thereof which is opposite to that to the prior ion implantation with respect to the normal as the central line.例文帳に追加

これにより、まず、ｎ^+ 型半導体基板１の法線方向に対して傾斜させた状態でイオン注入が行われ、その後、法線を中心として、先に行われたイオン注入の傾斜の反対方向に傾斜させた状態でイオン注入が行われる。 - 特許庁

In shipping the system, the ion exchanger 40 is replaced with a unused ion exchanger 40N which is incorporated in parallel to a fuel cell 12 in a bypass line 32 of the cooling system 20 so that the cooling medium can be circulated and supplied into the unused ion exchanger 40N (Steps S130-140).例文帳に追加

そして、システム出荷に際しては、冷却系２０のバイパス経路３２においてイオン交換器４０を未使用イオン交換器４０Ｎと交換して燃料電池１２と並行に組み込み、その未使用イオン交換器４０Ｎへの冷媒の循環供給を可能としておく（ステップＳ１３０〜１４０）。 - 特許庁

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

An ion trap(IT) type mass spectroscope 33 on one hand and a time of flight(TOF) type mass spectroscope on the other hand are arranged so as to be placed on a straight line with an ion deflector 321 interposed in between.例文帳に追加

イオンデフレクタ３２１を挟んで、一方にはイオントラップ型（ＩＴ）質量分析装置３３を、他方には飛行時間型（ＴＯＦ）質量分析装置３４を、これらが１直線上に並ぶように配置する。 - 特許庁

A positive electrode plate 20 is arranged side by side at the lower part of a mist nozzle 9 so as to be positioned on the same straight line along the vertical direction with an ion nozzle 14 (ion discharge port 14a) and a mist nozzle 9 (mist discharge port 9b).例文帳に追加

プラス電極板２０が、イオンノズル１４（イオン吐出口１４ａ）及びミストノズル９（ミスト吐出口９ｂ）と上下方向に沿って同一直線上に位置するようにミストノズル９の下部に並設されている。 - 特許庁

A chemical substance receptor 101, G protein 106 and an ion channel 110 which modifies a phenylalanine located at 137th of a G protein-linked potassium ion channel Kir3.1 to serine are expressed in a cell line.例文帳に追加

化学物質受容体１０１と、Ｇタンパク質１０６と、Ｇタンパク質連動型カリウムイオンチャネルＫｉｒ３．１のうち、１３７番目のフェニルアラニンをセリンに改変させたイオンチャネル１１０とを株化細胞に発現させる。 - 特許庁

A water circulating line 23 is provided with a branching line 41 which takes out part of the circulating water supplied to a water electrolytic cell 20 and supplies the water to an oxygen gas-liquid separator 22 after treatment by an ion exchanger 43.例文帳に追加

水循環ライン23に、水電解槽20に供給される循環水の一部を取り出しかつイオン交換器43による処理後に酸素気液分離器22に供給する分岐ライン41を設ける。 - 特許庁

After the ion implantation, a thickness of the resist film is measured using an ellipsometer by selecting a part on a scribe line, a large-pattern portion, etc., of the resist pattern.例文帳に追加

イオン注入後、レジストパターンのうちスクライブ線上やパターンの大きなところなどを選択してエリプソメーターでレジスト膜厚を測定する。 - 特許庁

The latter is equipped with a flow-out suspension system 31 via a signal line 30 to suspend ion beam radiation within several microseconds.例文帳に追加

後者は、信号線３０を経由して、数マイクロ秒以内でイオンビーム照射を中止するために流出中止システム３１を備えている。 - 特許庁

To prevent ions having leaked from an ionization part from impacting a structure nearest to a beam line, in particular, a skimmer, in a gas cluster ion beam device.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム装置において、ビームライン直近の構造体、特にスキマーへイオン化部から漏出したイオンが衝撃するのを抑制する。 - 特許庁

Data for communication recording sampled from a data line by the communication protocol software constructed ion a device connected to the data line are classified into data for communication control on a logic line and data for general communication on the physical line and stored in respectively different storage areas 1a and 1b of a storage part 1.例文帳に追加

データ回線に接続した装置に構築した通信プロットコル・ソフトウェアによりデータ回線から採取する通信記録用データを、論理回線上の通信制御用データと物理回線上の一般通信用データに分類し、記憶部１におけるてそれぞれ異なった記憶領域１ａ，１ｂに記憶させる。 - 特許庁

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10.例文帳に追加

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。 - 特許庁

A circulation line of the battery cooling water is branched to provide a line 18a passed to a water quality purifying device 33 filling ion exchange resin or the like and a line 18b passed to a decarbonator 19, and a shutoff valve 39, 40 is installed at each line, and at the same time, a temperature sensor 38 is installed at an upstream of the water quality purifying device 33.例文帳に追加

電池冷却水の循環ラインを分岐して、イオン交換樹脂等を充填した水質浄化装置３３へ通すライン１８ａと脱炭酸塔１９へ通すライン１８ｂを設け、それぞれのラインに遮断弁３９、４０を設置すると共に、水質浄化装置３３の上流に温度検知器３８を設置する。 - 特許庁

To supply a raw material gas stably to an ion source restricting the deposition of the raw material substance in the raw material gas line.例文帳に追加

原料ガスを通すガスライン中で原料物質が析出することを抑制して、イオン源に原料ガスを安定して供給することができるようにする。 - 特許庁

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

Since both mass spectroscope devices are on a straight line, after once ion is sent to the ion trap type mass spectroscope 33, it can be sent to the time of flight type mass spectroscope 34 for further analysis.例文帳に追加

また、両質量分析装置３３、３４は１直線上にあるため、一旦イオントラップ型質量分析装置３３にイオンを送った後、そこから飛行時間型質量分析装置３４に送って分析を行うことも可能である。 - 特許庁

To provide an ion extraction electrode in which a contour line showing intensity distribution of an electric field is not distorted even when the ion extraction electrode having specified thickness is used in the end of a mesh, and ions can be accelerated in the perpendicular direction to the ion introduction direction in the vicinity of the ion extraction electrode similarly to the vicinity of the mesh.例文帳に追加

所定の厚みを持ったイオン引き出し電極がメッシュの端部に用いられていても、電場の強度分布を示す等高線が歪まず、イオン引き出し電極の近傍においてもメッシュの近傍におけると同様に、イオンの導入方向に対して直角方向にイオンを加速させることのできるイオン引き出し電極を備えたＯＡ−ＴＯＦＭＳを提供する。 - 特許庁

To provide an in-line type ion irradiation device, irradiating the upper half and the lower half of a substrate with ions using two ion beam supply devices, which is structured so that a desired dosage can be injected over the whole surface of the substrate even when one ion beam supply device stops or abnormally completes its operation in the course of processing.例文帳に追加

２台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、１台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。 - 特許庁

In the process of removing a part of the floating plane protection film 101, when the irradiation angle of the ion beams is ≥60° from the normal line of the floating face of the magnetic head slider and acceleration voltage of the ion beams is ≤300 V, high denseness and covering properties can be obtained.例文帳に追加

前記浮上面保護膜101の一部を除去する工程において、イオンビームの照射角が、磁気ヘッドスライダ浮上面法線から60度以上であり、イオンビームの加速電圧が300Ｖ以下であるとき、高い緻密性及び被覆性を得ることができる。 - 特許庁

The static electricity generated in an ion generator itself is eliminated by an intermittent driving device 5, an ion irradiating portion 3B is formed of metal or carbon fiber into the shape of a brush, and a high voltage line 3A is connected to a discharge portion to have identical voltage and resistance.例文帳に追加

間欠運転装置５により発生機自体の静電気を除去し、またイオン照射部分３Ｂを金属および炭素繊維からなるブラシ状とし、高電圧線３Ａと放電部分を同電圧、同抵抗となるように接続する。 - 特許庁

The ion introduction passage 128 is connected to the dust cup 122 so that the suction air containing ions flows into the dust cup 122 in a direction in which a tangential line of a part at which the ion introduction hole 123 is disposed extends when viewed in a cross-section of the dust cup 122.例文帳に追加

イオン導入路１２８は、ダストカップ１２２の断面においてイオン導入口１２３が配置されている部分の接線が延びる方向にイオンを含む吸気がダストカップ１２２に流入するように、ダストカップ１２２に接続されている。 - 特許庁

A control device has a control logical circuit for adjusting an opening gap, and automatically adjusted the opening gap on the basis of respective inputs for showing an actual ion beam current passing through a beam line, a desired ion beam current and an opening position.例文帳に追加

また、制御装置が、開口ギャップを調整する制御論理回路を有し、ビームラインを通過する実際のイオンビーム電流、所望のイオンビーム電流及び開口位置を表す各入力に基づいて、開口ギャップを自動的に調整する。 - 特許庁

The apparatus 1 is provided with a resin circulation line L27 for circulating the ion exchange resin 17 housed in the intermediate chamber 7 to continuously change the ion exchange resin 17 during the electrolysis of the raw water.例文帳に追加

この装置１は、中間室７に格納されたイオン交換樹脂１７を、原水の電気分解中において連続的に交換するため、中間室７においてイオン交換樹脂１７を循環させる樹脂循環ラインＬ２７を備えている。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resist composition that responds not only to ultraviolet rays, such as I-line or g-line, but also to visible rays, excimer laser beam like that of KrF, electron beams, extreme-ultraviolet radiation (EUV), X-rays, and radiation, such as ion beams.例文帳に追加

ｉ線、ｇ線等の紫外線のみならず、可視光線、ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、イオンビーム等の放射線にも感応する感放射線性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A specimen is picked up from a processed substrate by the use of a focused ion beam in an in-line monitor, and the processed substrate which has been subjected to processing is cleaned to satisfy the cleanliness level required for the following substrate treatment and then returned to a semiconductors production line.例文帳に追加

インラインモニタにおいて被処理基板を集束イオンビーム加工して試験片をピックアップし、加工後の被処理基板を、次段の基板処理工程において要求される清浄度にクリーニングしてから半導体製造ラインに戻す。 - 特許庁

An analyst determines if a top of an EIC peak of the ion to be checked is within a range between the upper limit line 124 and the lower limit line 125; thereby the peak used for identification can be determined if the same is generated by the target compound.例文帳に追加

分析者は確認イオンのＥＩＣのピークトップが上限線１２４と下限線１２５との間に収まるか否かを判断することで、同定に利用されたピークが目的化合物由来のものか否か判断できる。 - 特許庁

When thick line regions and thin line regions exist at inspection of a resist pattern 3a formed on the surface of a wafer for size distribution (step ST14), the scanning waveform of an ion implantation unit on the surface of the wafer is controlled according to information on the size distribution.例文帳に追加

ウエハ面内のレジストパターン３ａの寸法分布の検査の際に（ステップＳＴ１４）、太い領域と細い領域とがあった場合に、その寸法分布情報に応じて、イオン注入機のウエハ面内スキャン波形を制御する。 - 特許庁

This water treatment system comprises: a electrolyzer 1 oxidizing and decomposing removing objects contained in waste water 20 by electrolysis; an ion exchange apparatus 2 packed with negative ion exchange resin and separating the removing objects by ion-exchanging electrolyzed liquid 22 flowing from the electrolyzer 1; and a return line for returning regenerated waste water 25 by the negative ion exchange resin to the upstream side of the electrolyzer 1.例文帳に追加

廃水２０に含まれる除去対象物を電解処理により酸化分解する電解装置１と、陰イオン交換樹脂が充填され、前記電解装置１から流入する電解処理液２２をイオン交換して除去対象物を分離するイオン交換装置２と、を備えるとともに、前記陰イオン交換樹脂の再生排水２５を前記電解装置１の上流側に返送する返送ラインを備えた構成とする。 - 特許庁

The chloride ion trap material 1a contains metal silver which forms a salt of the chloride ion which is hardly soluble in water or steam present in a pipe line or equipment by the reaction with the chloride ion and is provided in a place where water or steam is existed to be in contact with water or steam with a gasket 2 containing chloride ion in the side of water or steam from the gasket 2.例文帳に追加

塩化物イオンと反応して配管内または装置内に存在する水または水蒸気に難溶である塩化物イオンの塩を生成する金属銀を含み、水または水蒸気が存在する場所に、水または水蒸気に接触するように、塩化物イオンを含むガスケット２と共にガスケット２よりも水または水蒸気側に設けられる塩化物イオン捕捉部材１ａにより解決される。 - 特許庁

To provide a magnetic neutral line discharge plasma generation device for ion implantion system, plasma etching system, plasma CVD system or the like, which is free of interference or disturbances by an external magnetic fields.例文帳に追加

外部磁場による干渉や擾乱等のない、イオン注入装置、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等用の磁気中性線放電プラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

An ion passage 10 formed in the electrode case 8 is positioned on the straight line same to that in the linear passage 5, and the ionic wind is thereby advanced smoothly and linearly without being disturbed.例文帳に追加

電極ケース８に形成されたイオン通路１０は、直線通路５と同一直線上に位置し、イオン風の進行が妨げられることなく、スムーズに直進する。 - 特許庁