「ion- assisted」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The multilayer films 3, 4, 6, 7 are deposited with vacuum deposition, ion plating, ion assisted deposition and sputtering method.例文帳に追加

前記多層膜３，４，６，７は、真空蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着、スパッタリング法で成膜される。 - 特許庁

To provide an ion-assisted vapor deposition apparatus 1 capable of minimizing the exhaust time.例文帳に追加

排気時間を最大限に短縮することが可能なイオンアシスト蒸着装置１を提供する。 - 特許庁

Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition. 例文帳に追加

集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典

Accordingly, an ion assisted effect can be obtained without use of an ion source, and a thin film of high density can be deposited onto the surface of the substrate 10.例文帳に追加

従って、イオン源を用いなくともイオンアシスト効果が得られ、基板１０表面に高密度な薄膜を成膜することができる。 - 特許庁

To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁

Simultaneously, an assisted ion beam provides ions directly to a substrate, thus improving the smoothness and softness of the spacer layer.例文帳に追加

同時に、支援イオンビームが基板に直接イオンを供給し、かくしてスペーサ層の柔軟度と平滑度を改善する。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING RNA SEQUENCE BY ION-SOURCE DECAY USING MATRIX-ASSISTED LASER DESORPTION/IONIZATION TIME-OF-FLIGHT MASS SPECTROMETER例文帳に追加

マトリクス支援レーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析装置を用いたイオン源内解裂によるＲＮＡ配列決定法 - 特許庁

The transparent conductive film 2, oxidation coloring film 3, electrolytic film 4, reduction coloring film 5, and transparent conductive film 6 are formed by vacuum vapor-deposition, ion plating, ion assisted vapor-deposition, sputtering, etc.例文帳に追加

透明導電膜２、酸化発色膜３、電解質膜４、還元発色膜５、透明導電膜６が、真空蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着、スパッタリング法等で成膜される。 - 特許庁

In the first film-forming step, a first film 103 with the thickness of ≥3 nm is formed on a particle irradiation surface of the substrate 101 after the pre-irradiation step by an ion assisted vapor deposition method using ion beams.例文帳に追加

第１の成膜工程では、前照射工程後の基板１０１の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第１の膜１０３を３ｎｍ以上の厚みで成膜する。 - 特許庁

Thereby, an ion beam gas-assisted deposition membrane 19 is formed on the capillary column 5 cross-section, and the spray tip having a target opening diameter 20 can be worked.例文帳に追加

これにより、キャピラリーカラム５断面上にイオンビームガスアシストデポジション膜１９を形成し、目的開口内径２０を有するスプレーチップを加工することが出来る。 - 特許庁

The dielectric thin film of ≥90% packing density is formed by vacuum deposition, ion beam-assisted evaporation or sputtering at ≥150°C substrate temperature.例文帳に追加

充填密度９０％以上の誘電体薄膜は基板温度１５０℃以上の真空蒸着またはイオンビームアシスト蒸着またはスパッタリングで成膜する。 - 特許庁

A TiO_2 layer 20 and SiO_2 layer 30 ovelie the surface of the olefinic plastic substrate 10 in order by an ion beam assisted deposition method.例文帳に追加

オレフィン系プラスチック基板１０の表面にイオンビームアシスト蒸着法によってＴｉＯ_2 層２０とＳｉＯ_2 層３０とをこの順序で積層する。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer equipped with a MALDI (Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization) ion source capable of performing easily individual management of a sample plate and mass calibration based on distortion information of the sample plate, and the sample plate for the MALDI ion source.例文帳に追加

サンプルプレートの個別管理や、サンプルプレートのゆがみ情報に基づく質量較正を容易に行なうことのできるMALDIイオン源を備えた質量分析装置およびMALDIイオン源用サンプルプレートを提供する。 - 特許庁

The DTM by ion implantation is excellent in surface flatness, and can eliminated crosstalk by heat-assisted recording at a temperature between a Curie temperature (Tcn) in a part where ion implantation has been carried out (non-record area), and a Curie temperature (Tcr) of a part (recording area) where no ion implantation has been carried out.例文帳に追加

イオン注入によるＤＴＭは表面平坦性に優れ、且つイオン注入した部分（非記録領域）のキュリー温度（Ｔｃｎ）と、イオン注入していない部分（記録領域）のキュリー温度（Ｔｃｒ）の間の温度で熱アシスト記録することにより、クロストークを解消することができる。 - 特許庁

Both the high refractive index layer and low refractive index layer in each mutual stacked body composing the antireflection films 15, 16 are formed by an ion beam assisted deposition process.例文帳に追加

反射防止膜１５，１６を構成する交互積層体の高屈折率層及び低屈折率層のいずれもがイオンアシスト蒸着法により形成されている。 - 特許庁

In order to form the hydrogenated amorphous silicon film on the substrate 10 when vapor-depositing silicon on the substrate 10, the production method further includes irradiating the substrate 10 with an ion beam containing hydrogen ions while the silicon film is deposited, by an ion-beam-assisted vapor-deposition method.例文帳に追加

さらに、基板１０にシリコンを蒸着する際に、基板１０上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 - 特許庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁

The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4).例文帳に追加

誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。 - 特許庁

A plurality of sets of alternate multilayered films combined with ZnSe or Zns as low-refractive index layers and Ge as high-refractive index layers on a silicon or oxygen-free silicon substrate are formed by ion assisted vapor deposition.例文帳に追加

シリコンまたは無酸素同基材の上に、低屈折率層としてＺｎＳｅまたはＺｎＳを、高屈折率層としてＧｅを組み合わせた交互多層膜を複数組、イオンアシスト蒸着する。 - 特許庁

Peptides are measured through the use of α-cyano-3-hydroxy cinnamic acid or 3-hydroxy-4-nitrobenzoic acid by a mass spectrometer, having a MALDI (Matrix-Assisted Laser Desorption Ionization) ion source.例文帳に追加

MALDI（マトリックス支援レーザー脱離イオン化）イオン源を有する質量分析装置によって、ペプチドをα−シアノ−３−ヒドロキシケイ皮酸又は３−ヒドロキシ−４−ニトロ安息香酸を用いて測定する方法。 - 特許庁

This RNA sequence determination method comprises subjecting a sample containing RNA to a Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization Time-of-Flight mass spectrometer using 2,4-dihydroxyacetophenone as a matrix to obtain a fragment ion group originated from the RNA by ISD and then analyzing the sequence of the RNA on the basis of a mass difference between the ion peaks of the fragment ion group.例文帳に追加

ＲＮＡを含む試料を、２，４−ジヒドロキシアセトフェノンをマトリクスとしたマトリクス支援レーザー脱離イオン化−飛行時間型質量分析に供し、ＩＳＤにより前記ＲＮＡ由来のフラグメントイオン群を得て、前記フラグメントイオン群のイオンのピーク間の質量差に基づいて前記ＲＮＡの配列解析を行う、ＲＮＡ配列決定法。 - 特許庁

After depositing the light shielding film, the Ga ion implanted glass region 26 having a lowered transmittance is removed by alkali cleaning or such gas assisted etching as not to lower the transmittance of the glass to ensure the transmissivity necessary for exposure.例文帳に追加

遮光膜堆積後、透過率が下がるGa注入ガラス領域26をアルカリ洗浄もしくはガラスの透過率を下げないようなガスアシストエッチングによりGaの注入されたガラス領域を取り除き露光に必要な透過率を確保する。 - 特許庁

To provide a simple and efficient sample preparation method capable of restraining ion suppression due to an impurity such as an inorganic salt and a surfactant existing in a sample, in measurement by a matrix-assisted laser desorption ionization mass spectrometry (MALDI-MS).例文帳に追加

マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）法による測定において、試料中に存在する無機塩、界面活性剤などの夾雑物によるイオンサプレッションを抑止し、簡便かつ効率的なサンプル調製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of electronic beams in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electronic beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of energies in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electron beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.例文帳に追加

超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact which does not brake or crack even when struck by electron beams in a large dose to be produced into an oxide transparent electroconductive film by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, or a high-density plasma-assisted vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a tape base material for superconducting wire rod 2 in which an orientation layer 21 is formed on a metal substrate 10 by an ion beam assisted vapor deposition method and a buffer layer 22 is formed on the orientation layer, lattice distortion of the orientation layer is alleviated by giving a prescribed thermal history to the orientation layer.例文帳に追加

金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。 - 特許庁

The refractive layer of the antireflection film is constituted such that the total film thickness of the first to third refractive layers is 180 to 220 nm, the film thickness of the first refractive layer is 10 to 50 nm, the film thickness of the third refractive layer is 150 to 190 nm and, further, only the first to third layer are deposited under ion beam assisted irradiation.例文帳に追加

この反射防止膜の屈折率層の構造は第１〜第３の屈折率層の膜厚の総和を１８０〜２２０ｎｍとし、第１の屈折率層の膜厚を１０〜５０ｎｍとし、第３の屈折率層の膜厚を１５０〜１９０ｎｍとし、更に第１層〜第３層のみをイオンアシスト照射下で蒸着させる。 - 特許庁

The method for producing the optical article includes a step of forming a light-transmissive first layer on an optical substrate directly or via another layer and a step of reducing electrical resistance of at least a portion of a surface layer of the first layer by ion-assisted deposition of at least one composition selected from a group consisting of titanium, niobium, titanium oxides and niobium oxides.例文帳に追加

光学基材の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成する工程と、チタン、ニオブ、チタンの酸化物およびニオブの酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１つの組成をイオンアシスト蒸着することにより、第１の層の表層の少なくとも一部を低抵抗化する工程とを有する光学物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion-assisted vapor deposition apparatus 1 includes: a vacuum vessel 2 having an exhaust port 29; an exhaust system 4 for vacuumizing the inside of the vacuum vessel 2 through the exhaust port 29; a pressure regulating means 20 for regulating the pressure in the vacuum vessel 2; an actuator 204 for moving the pressure regulating means 20; and a controller 206 for controlling timing to move the actuator 204.例文帳に追加

イオンアシスト蒸着装置１は、排気口２９を持つ真空容器２と、排気口２９を介して真空容器２内を真空引きする排気系４と、真空容器２内の圧力を調整する圧力調整手段２０と、圧力調整手段２０を移動させるアクチュエータ２０４と、アクチュエータ２０４を移動させるタイミングを制御するコントローラ２０６とを有する。 - 特許庁