「irradiation defects」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of smoothening the surface of a glass substrate having concave defects with the brief irradiation of laser beams and reducing burdens to a laser irradiation device to be used.例文帳に追加

レーザ光の短時間の照射で凹欠点を有するガラス基板表面を平滑化することができ、かつ、使用するレーザ照射装置への負担を軽減することができる新規の方法の提供。 - 特許庁

An image processor 127 recognizes a range of defects on the surface of an FPD substrate 101 manufactured by various substances being laminated on the glass substrate and, on the basis of the irradiation condition images, divides the range of defects in the irradiation region in accordance with lamination regions to be superposed thereon.例文帳に追加

画像処理部１２７は、各種物質がガラス基板上に積層されることで製造されるＦＰＤ基板１０１の表面にある欠陥の範囲を認識し、照射条件画像に基づいて、欠陥の範囲を、どの積層領域と重なるかに応じて照射領域に区分する。 - 特許庁

To provide a measuring device for a beam irradiation heating resistance change inspecting the defects of a sample, or the like, for supplying a large current.例文帳に追加

大電流を供給する試料などの欠陥の検査を行うことができるビーム照射加熱抵抗変化測定装置を提供する。 - 特許庁

Through the above heat treatment, crystalline defects generated by the proton irradiation can be restored and protons present in the crystal can be converted to donors when irradiated.例文帳に追加

上記熱処理により、プロトンの照射により生じた結晶欠陥は回復し、なおかつ、照射されて結晶中に存在するプロトンがドナー化する。 - 特許庁

At the irradiation step, an irradiation condition for ions of light elements or electron beams is so set that the content of a silicon cluster may exceed 0.06 times the content of carbon-oxygen composite defects in the region to be irradiated with ions of light elements or electron beams.例文帳に追加

この照射工程では、前記照射対象領域においてシリコンクラスタの含有量が炭素−酸素複合欠陥の含有量の０．０６倍を超えるように、軽元素イオン又は電子線の照射条件を設定する。 - 特許庁

To obtain a weld zone free of welding defects and also superior in mechanical characteristics by controlling the relation between the irradiation position and the welding speed of a high energy beam.例文帳に追加

高エネルギービームの照射位置と溶接速度との関係をコントロールすることによって、溶接欠陥がなく、しかも、機械的性質に優れた溶接部を得ることができる。 - 特許庁

By carrying out reflow of the silica glass around the concave failure heated by the irradiation of the carbon oxide gas laser 21, and the concave defects buried in, the optical surface 11 is planarized.例文帳に追加

炭酸ガスレーザ２１の照射により加熱された凹欠点の周囲の石英ガラスがリフローして凹欠点が埋まることによって、光学面１１が平滑化される。 - 特許庁

A plurality of slits of various forms corresponding to various shapes of defects is previously prepared, and irradiation of laser beams of these shapes is collectively performed to form a conductive film.例文帳に追加

あらかじめ種々の欠陥形状に合わせたスリット形状を複数用意しておき、その形状で一括してレーザー光を照射して導電膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing variations in an amount of carbon impurity defects due to variations in an amount of charged particle irradiation.例文帳に追加

本発明は、荷電粒子照射量のばらつきによる炭素不純物欠陥量のばらつきを防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A potential contrast image is acquired to detect defects, in a state of enhancing an electric resistance difference between a normal part and a defective part sufficiently, taking advantage of the electric charges induced by irradiation with an electron beam.例文帳に追加

電子ビーム照射による帯電を利用し、正常部と欠陥部の電気抵抗値の差を十分増大させた状態で電位コントラスト像を取得し、欠陥を検出する。 - 特許庁

In an inspection method of surface defects of a transparent resin film, by using a reflection optical system composed of an irradiation device 1 for ultraviolet rays having a wavelength of 350 to 380 nm and a detection device 5 having the detection capability for the wavelength, defects on the surface of a resin film 2 on the ultraviolet irradiation side, which is transparent in visible light and opaque at the wavelength, are detected.例文帳に追加

波長３５０〜３８０ｎｍの紫外線の照射装置１と、当該波長に検出能力を有する検出装置５からなる反射光学系を用い、可視光において透明な樹脂フィルム２であって当該波長において不透明な樹脂フィルムの紫外線照射側表面にある欠点を検出する透明樹脂フィルムの表面欠陥の検査方法。 - 特許庁

The black defect which remains without being removed by the action of the fluid is locally irradiated with energy beam by an energy beam irradiation means 10, and then the black defect is removed, and thus defects including foreign matters and black defects are removed to correct the mask.例文帳に追加

そして、エネルギービーム照射手段１０により、先の流体の作用によっても除去されずに残った黒欠陥に局所的にエネルギービームが照射されることにより、黒欠陥が除去され、これにより、異物および黒欠陥を含む欠陥が除去されてマスクが修正される。 - 特許庁

To surely detect defects of a large structure from a remote position with a simple device configuration, without having to construct scaffolds for detecting defects, a heating means such as infrared irradiation, and an applying means for a load to a structure, such as an excitation system.例文帳に追加

大型の構造物の欠陥を、欠陥検出作業用の足場を組むことなく、赤外線照射等の加熱手段を必要とせずに、かつ加振装置などの構造物への荷重負荷の付与手段を必要とせずに、簡単な装置構成によって、遠隔位置から容易かつ確実に検出すること。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic device comprises steps of forming an Si3N4 film 2 as a mask having opened laser irradiation regions, and introducing lattice defects 8 for gettering metal impurities in the laser irradiation regions by irradiating it using an excimer laser 4.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程に、レ−ザ−照射領域が開口されたマスクとしてのＳｉ_3 Ｎ_4 膜２を形成する工程、エキシマレ−ザ−４を照射することによりレ−ザ−照射領域に金属不純物ゲッタリング用の格子欠陥８を導入する工程を含ませる。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for inspecting patterns, capable of preventing incorrect detection of defects while shortening the inspection time by controlling the focal deviation of an electron beam or the deviation of irradiation position, which is caused by the charging phenomenon on the surface of a sample incident to irradiation with an electron beam in the inspection of fine patterns.例文帳に追加

微細なパターンの検査において、電子ビームの照射によって生じる試料表面の帯電現象による電子ビームの焦点ずれや照射位置のずれを抑制し、欠陥の誤検出を防止するとともに、検査時間を短縮できる検査装置，検査方法を提供する。 - 特許庁

In that case, not by merely optimizing the conditions of manufacturing an oxide semiconductor film, but by making an oxide semiconductor be a substantially intrinsic semiconductor or extremely close to an intrinsic semiconductor, defects on which irradiation light acts are reduced and the effect of light irradiation is reduced essentially.例文帳に追加

この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。 - 特許庁

To grow a silicon crystal at a temperature lower than in the prior art by complementarily compensating for both defects in ultraviolet laser irradiation and in visible laser irradiation, in a method and apparatus of growing a silicon crystal by irradiating an amorphous or polycrystalline silicon with laser light.例文帳に追加

非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法及び装置において、紫外光レーザ照射及び可視光レーザ照射の欠点を相補的に補い合い、従来より低い温度でシリコン結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a light irradiation device for efficiently performing photodynamic therapy by accelerating the removal of tissue cells of a lesion part by causing no pain to a patient by overcoming accompanying various defects in conventional photodynamic therapy.例文帳に追加

従来の光力学的治療において伴う種々の欠点を克服し、患者の苦痛なしに、病変部組織細胞の除去を促進し、効率よく治療を行うための装置を提供する。 - 特許庁

To prevent defects in continuity of a light source and disconnection of a connecting member in a power tool with a light having excellent operability to freely adjust an angle of irradiation in response to length of a tip tool and a fastening member, in a power tool such as an impact screwdriver and an oscillating drill in which excessive vibration occurs.例文帳に追加

本発明は、先端工具および締付け部材の長さに対応して照射角度を任意に調整できる操作性の良いライト付き電動工具を提供することである。 - 特許庁

The heating of the diamond substrate 2 or substrate raw material at 800°C to 2,000°C enables not only the recovery of defects caused by the irradiation of the particle beams but also the incorporation of the dopant element into the lattice positions of the diamond structure, thus giving the semiconductor.例文帳に追加

８００℃以上に加熱することにより、粒子線照射による欠陥が回復するだけでなく、ドーパント元素がダイヤモンド構造の格子位置に取り込まれ、半導体となる。 - 特許庁

A top surface 2C of the ampoule 2 is imaged by irregular reflection due to defects such as an air bubble 14 or a horn formed on the top surface based on horizontal irradiation light 9 irradiated to the top surface 2C by the image processing device 7, and a picked-up image about the defects formed on the top surface 2C by the image processing device 1.例文帳に追加

撮像処理装置７によって、天面２Ｃに照射された水平照射光９に基く天面に形成された気泡１４又はツノ等の欠陥による乱反射光によってアンプル２の天面２Ｃを撮像し、画像処理装置１によって天面２Ｃに形成された欠陥についての撮像画像を形成する。 - 特許庁

As regards the projecting bump defects formed by a surface treatment such as plating on the surface of a cylindrical member, the method of manufacturing the cylindrical precision member includes: detecting the places of the bump defects by a defect detecting means; irradiating the roll face of the cylindrical member with a machining laser beam from a tangential direction by a machining laser beam irradiation means; and removing the bump defects.例文帳に追加

円筒状部材の表面にめっき等の表面処理により形成された突起状の瘤欠陥について、前記瘤欠陥の箇所を欠陥検出手段により検出し前記円筒状部材のロール面に対して接線方向から加工用レーザービーム照射手段により加工用レーザービームを照射し前記瘤欠陥を除去することを特徴とする円筒状精密部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the method, since the surface layer of the silicon wafer is melted by the irradiation of the electron beam, defects on a deep region from the surface can be extinguished compared with the case of using a laser beam.例文帳に追加

本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を溶融させていることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を消滅させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which has a high sensitivity and high resolution and decreased development defects in pattern formation by irradiation with active radiations (electron beams, X-rays, or EUV: extreme ultraviolet rays) for manufacturing of semiconductors, photomasks, etc.例文帳に追加

半導体、フォトマスク製造等のための、活性放射線（電子線、Ｘ線、又はＥＵＶ）の照射によるパターン形成において、高感度、高解像力で、現像欠陥が低減されたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

According to the method, since the surface layer of the silicon wafer is melted by the irradiation of the electron beam, defects on a deep region from the surface can be reduced or extinguished compared to the case of using a laser beam.例文帳に追加

本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a back irradiation type solid-state image pickup device that can be improved in quantum efficiency by suppressing the occurrence of a dark current by suppressing the occurrence of crystal defects caused by metallic contamination during a process.例文帳に追加

プロセス中の金属汚染による結晶欠陥の発生を抑制して、暗電流の発生を抑えて量子効率を向上させることができる裏面照射型の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A device specific yield is improved by applying a specified laser beam from a silicon wafer surface, thereby eliminating minute defects in a device active layer to be slip-free and controlling impurity intake in the vicinity of the laser irradiation surface.例文帳に追加

シリコンウェーハの表面から指定されたレーザー光を照射し、デバイス活性層内の微小欠陥をスリップフリーにて消滅させ、同時にレーザー照射面近傍の不純物取り込みを制御する事でデバイス特性歩留を向上させる。 - 特許庁

When specifying the position to be observed on a sample and applying electron beams for forming an image, based on the position information of a defect inspected and detected by other inspection device, observation of electrical defects that can be conducted with a potential contract by designating electron beam irradiation conditions, detectors, detection conditions, and the like, according to the types of defects to be observed.例文帳に追加

他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。 - 特許庁

To provide a novel cleaning fluid for lithography, the liquid reducing surface defects, that is the so-called "defects" of a product regarding a photoresist pattern, preventing pattern collapse during water rinsing, imparting electron beam irradiation resistance to a resist to suppress pattern shrinkage, and that is free from bacteria contamination during storage.例文帳に追加

ホトレジストパターンについて、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンス時におけるパターン倒れの発生を防止し、またレジストの電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を抑制するために用いられ、しかも保存中にバクテリアによる汚染を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄液を提供する。 - 特許庁

According to the manufacturing method of the present invention, multi-pipe CNTs with few defects can be manufactured at a lower temperature and in a shorter period than in the case where the fullerene/CNT hybrid structures are only maintained under high temperature conditions (and electron beam irradiation is not performed).例文帳に追加

本発明の製造方法によると、フラーレン／ＣＮＴ複合体を単に高温条件下に保持する（電子線照射を行わない）場合に比べて、低温かつ短時間で欠陥の少ない多重管ＣＮＴを製造することができる。 - 特許庁

To provide a new method capable of preciously correcting black defects in a semiconductor mask through micro machining that does not cause damage due to FIB irradiation and does not produce shavings and the equipment for implementing the new method.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題点は、ＦＩＢ照射のダメージもなく、削り屑が出ることもない微細加工によって、半導体マスクの黒欠陥を精密に修正できる新たな方法を提示し、それを実行する装置を提供することにある。 - 特許庁

In the optical information medium wherein recording and/or reproduction are optically performed by laser beam irradiation, titanium oxide exists on at least a part of the laser beam incident side surface and the titanium oxide has stable oxygen defects.例文帳に追加

レーザービームの照射により光学的に記録および／または再生が行われる光情報媒体であって、レーザービーム入射側表面の少なくとも一部に酸化チタンが存在し、この酸化チタンが安定な酸素欠陥を有している光情報媒体。 - 特許庁

In the method for inspecting the inside of the quartz glass material, and the apparatus for inspecting defects, the quartz glass material to be inspected is irradiated with parallel light and diffusion light having different irradiation directions, and abnormal light caused by reflection and/or bending by defects inside the quartz glass material is detected from light applied to the quartz glass material.例文帳に追加

検査対象の石英ガラス材に、照射方向の異なる平行光および拡散光を照射し、当該石英ガラス材に照射した光の中から、石英ガラス材内部の欠陥による反射および／または屈折に起因する異常光を同時に検出することを特徴とする石英ガラス材内部の欠陥検査方法および欠陥検査装置を用いる。 - 特許庁

A high quality weld bead without defects such as a blowhole can be obtained by discharging a plating component from a fused part by quickly evaporating the plating component at a welding part including a heat affected part by the beam strength distribution peculiar to the irradiation pattern and rotational movement of the converging beam L2.例文帳に追加

前記照射パターンの特有のビーム強度分布と集束ビームＬ２の回転運動により、熱影響部を含めた溶接部のめっき成分が急速に蒸発して溶融部から排出され、ブローホール等の欠陥のない高品質な溶接ビードが得られる。 - 特許庁

This is the system which utilizes temperature of a covering object nearly in stable state, in cooperation with an optical inspection system to selectively find defects and characteristics of the object through its covering, without the need for temporary heating, that is, infrared irradiation and reflective imaging.例文帳に追加

光学的検査システムと協働して被覆された対象物の略安定状態の温度を利用するシステムが開示され、一時的な加熱、即ち赤外線照射及び反射撮像の必要なくして、被覆の下の対象物の欠陥と特徴を選択的に見る。 - 特許庁

An inspection tool in an embodiment includes a light irradiation source generating scattered light including scattered light from the defects of a workpiece, which caused by guiding a light beam on the workpiece, scattered light according to a normal scattering pattern of the workpiece.例文帳に追加

検査ツールの実施形態は、光ビームをワークピース上に導くことによって、前記ワークピースの欠陥から散乱された光、および前記ワークピースの通常の散乱パターンにしたがって散乱された光を含む、散乱された光を発生する照射源を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a reformed area of a transparent substrate that can precisely and efficiently cleave a transparent substrate by drawing scribe lines laser beam irradiation without producing distortions and very small defects around a predetermined cutting line of a workpiece.例文帳に追加

被加工物の切断予定ライン周囲に生じる歪みや微少な欠陥を生じさせることなくレーザ照射によるスクライブラインを形成させることによって、透明基板を精密かつ効率的に割断できる透明基板の改質領域形成方法を提供する。 - 特許庁

A direct current charge system is used at least in the image formation, and an alternating voltage to be potential breaking operation or light irradiation is applied during the time of minimum requirement, by aiming at an image carrier surface portion with which the rear end of the transfer material has come into contact, which can cause image defects.例文帳に追加

少なくとも画像形成時は直流帯電方式を用い、画像不良と成り得る転写材後端部が接触していた像担持体表面部分を狙って、電位ならし動作となる交流電圧、もしくは、光照射を必要最小限の時間行う。 - 特許庁

To provide an inspection apparatus that captures cracks generated on a transparent plate, such as a glass plate, by images for detection, and detects defects in the transparent plate for detecting cracks regardless of the relationship between the direction of cracks and the irradiation direction of a lighting means.例文帳に追加

ガラス板のような透明板に発生したクラック（割れ）を画像で捉えて検出する検査装置であって、クラックの方向と照明手段の照射方向との関係にかかわらずクラックの検出が可能な透明板の欠陥を検出する検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a processing method for compensating or suppressing the defects left or created within an implantation layer by adding a process of irradiation of accelerated particles including elements belonging to a lower group of the periodic table out of the constituent elements of compound semiconductor material, when performing the valence electron control of the above compound semiconductor material by irradiation of particles including impurity atoms and anneal treatment for activation.例文帳に追加

不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体材料の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記化合物半導体材料の構成元素のうち小さな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁

To significantly heighten the performance of electron transmissivity by reducing the thickness of a window foil through a less expensive and easy working without causing defects such as crinkles and pin holes to the window foil of an electron beam irradiation window and facilitate the handling of the window foil and prevent it from being damaged even if its thickness is reduced.例文帳に追加

電子ビーム照射窓の窓箔に皺やピンホール等の欠陥を生じさせることなく該窓箔をコストの嵩まない簡易な加工により薄膜化してその電子透過性能を著しく高めることができるようにすると共に、窓箔を薄膜化しても、その取り扱いが容易で損傷のおそれがないようにする。 - 特許庁

To provide a new cleaning liquid for lithography that can decrease the so-called surface defects of a product in a photoresist pattern, prevents collapse of a pattern during rinsing with water, imparts durability to a resist against electron beam irradiation, suppresses shrinkage of pattern and prevents contamination due to bacteria during storage.例文帳に追加

ホトレジストパターンについて、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンス時におけるパターン倒れの発生を防止し、レジストの電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を抑制するために用いられ、保存中にバクテリアによる汚染を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄液を提供する。 - 特許庁

Next, the implantation surface is irradiated with a YAG laser by the double pulse method to activate phosphor implanted in the semiconductor substrate 1 electrically, and the crystal defects in a region from the irradiation surface of laser light to a depth corresponding to 5-30% of a thickness of the whole thinned wafer are recovered, thus the soft recovery is achieved.例文帳に追加

次いで、その注入面にダブルパルス法でＹＡＧレーザを照射し、半導体基板１の中に注入されたリンを電気的に活性化させるとともに、レーザ光の照射面から、薄板化されたウェハー全体の厚さの５〜３０％に相当する深さまでの領域の結晶欠陥を回復させて、ソフトリカバリーとする。 - 特許庁

To provide an optical anisotropic layer manufacturing method for manufacturing an optical anisotropic layer whose retardation is changed by light irradiation and quickly manufacturing the optical anisotropic layer in which defects such as a schlieren defect are reduced and to provide a new optical compensation sheet capable of contributing to the expansion of an angle of visibility.例文帳に追加

光照射により光学異方性層のレターデーションが変化する光学異方性層の製造方法、シュリーレン欠陥などの欠陥の少ない光学異方性層を、迅速に製造可能な光学異方性層の製造方法、および視野角拡大に寄与し得る新規な光学補償シートを提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate with a circuit pattern which can be finely patterned and can keep down a manufacturing cost and reduce the effects on the environment without using a large amount of chemicals such as a developer and an etchant, and never cause laser irradiation defects, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

微細なパターニングが可能であり、大量の現像液やエッチング剤等の薬液等を使用せず製造コストおよび環境負荷を抑制すること等ができ、さらにレーザ照射欠陥が生じない、回路パターンを有するガラス基板の製造方法、およびこれにより製造される回路パターンを有するガラス基板の提供。 - 特許庁