「junction formation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of reducing a junction leakage current by a silicide layer formation without increasing any area of a source-drain region, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の面積を増大することなく、シリサイド層形成による接合リーク電流の低減が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a junction leakage due to silicidation is prevented by suppressing formation of a divot (depression) on an interface between an active region and a device isolation insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、活性領域と素子分離絶縁膜の界面に形成されるディボット(窪み)を抑制して、シリサイド化による接合リークの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth method by which the formation of a so called lightning type inversion layer is hindered and an excellent PN junction is formed, and a semiconductor device.例文帳に追加

いわゆるイナズマ型反転層の形成を阻止でき、良好なＰＮ接合を形成することができる液相エピタキシャル成長方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high functional bonding wires that excel in wire surface properties, linearity of a loop, stability of a loop height, and stability of a wire junction shape and being adaptable to semiconductor mounting techniques such as thinning, narrow pitch formation, long span formation, and three-dimensional mounting.例文帳に追加

ワイヤの表面性状、ループの直線性、ループ高さの安定性、ワイヤの接合形状の安定化に優れている、細線化、狭ピッチ化、ロングスパン化、三次元実装等の半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供する。 - 特許庁

Two regions having different potential in a high breakdown voltage IC chip 10 (concretely speaking, a high breakdown voltage junction termination structure 23 and a GND reference circuit formation region 22 for surrounding a floating potential reference circuit formation region 21) are further surrounded by a trench structure 7.例文帳に追加

高耐圧ＩＣチップ１０内の電位が異なる２つの領域（具体的には浮遊電位基準回路形成領域２１を囲う高耐圧接合終端構造２３及びＧＮＤ基準回路形成領域２２）を、さらにトレンチ構造７で囲う。 - 特許庁

First, a GaAs solar cell layer (bottom cell) 12 is formed, then a P-type AlGaAs layer 132 is doped with carbon for the formation of a tunnel-junction layer 13, and an InGaP solar cell layer (top cell) 15 is formed thereon.例文帳に追加

先ずGaAs太陽電池層（ボトムセル）１２を形成し、次にp型AlGaAs層１３２に炭素を添加したトンネル接合層１３を形成し、その上にInGaP太陽電池層（トップセル）１５を形成する。 - 特許庁

The promoter of the tight junction formation especially irrespective of the form thereof can be applied to a usual medicine such as a tablet, a granule, a beverage or a milky lotion, a quasi-drug, a cosmetic and a food.例文帳に追加

本発明に係るタイトジャンクション形成促進剤の形態は特に問わず、錠剤、顆粒剤、飲料、乳液等の通常の医薬品、医薬部外品、化粧品、食品に応用できる。 - 特許庁

To provide a motor which is less prone to be harmfully influenced by poor junction between a permanent magnet and a supporting member therefor, and motor components which allow the formation of the motor.例文帳に追加

永久磁石と、その支持部材との接合不良による悪影響を生じ難いモータを提供すること、および前記モータを提供することができるモータ用部品を提供すること。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a wiring structure of a semiconductor device, in which formation of a hole due to excessive alloying of an electrode layer and a wiring layer is suppressed while obtaining junction stability by the alloying.例文帳に追加

電極層と配線層との合金化による接合安定性が得られつつ、合金化の進みすぎによる空孔の発生が抑制された半導体素子の配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method for shortening the manufacturing time of a multi-junction solar cell having a plurality of photoelectric conversion layers different in temperature condition capable of suitably performing a film formation.例文帳に追加

好適に成膜できる温度条件が異なる、複数の光電変換層を有する多接合型太陽電池の製造時間を短縮する方法を提供することである。 - 特許庁

To realize a method of forming a grooved element isolation region which can surely prevent generation of junction leakage even when deviation is generated in the alignment for formation of a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールを形成するときに合わせずれが発生した場合であっても、接合リークが発生することを確実に防止し得る溝型素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve an embedding property by preventing the formation of voids without causing the film peeling of a conductive substance embedded in a fine connecting hole or increasing a junction leak current.例文帳に追加

微細な接続孔に埋め込む導電性物質の膜剥がれや接合リーク電流の増大を引き起こすことなくボイドの形成を抑制して埋め込み特性を向上させる。 - 特許庁

To prevent increase of off-current by formation of a defect in junction between a channel formation region and an impurity region in a p-channel type TFT when making structures of TFTs arranged in a display region and a drive circuit of a semiconductor device appropriate in accordance with a function.例文帳に追加

半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたＴＦＴの構造を機能に応じて適切なものとするとき、ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high quality in which an IGBT type formation region and a formation region for a control circuit thereof etc., are separated by a PN junction separating method, a leakage current from an IGBT is not generated, and a CMOS transistor such as the control circuit never latches up and so on.例文帳に追加

ＩＧＢＴ形成領域とその制御回路等形成領域とをＰＮ接合分離法で分離し、且つＩＧＢＴからの漏れ電流が発生せず、制御回路等のＣＭＯＳトランジスタがラッチアップ等することのない高品質の半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a low temperature compression sinter joining method of two junction devices and a constitution body manufactured by the same in which formation of cavities and/or those sizes are reduced in low temperature compression sinter joining.例文帳に追加

低温加圧焼結接合時に空洞の形成あるいはそのサイズを低減した２個の接合素子の低温加圧焼結接合方法およびそれによって製造される構成体を提供する。 - 特許庁

To prevent formation of a high voltage from an element end with a voltage application electrode to the entire surface of element, because it is required to apply a high voltage, in order to widen a depletion layer in the PN junction photodiode system.例文帳に追加

ＰＮ接合フォトダイオード方式では空乏層を広げるための高電圧を印加する必要があるため、素子全面に形成された電圧印加電極により高電圧が素子端部からリークする。 - 特許庁

To enhance a junction strength to a resin material by only formation treatment of a coating film layer of triazine dithiol derivative, irrespective of a kind of a metal material, and to enhance a manufacturing efficiency.例文帳に追加

金属材料の種類を問わずトリアジンジチオール誘導体の皮膜層の形成処理のみで樹脂材料との接合強度を向上させることができるようにし、製造効率の向上を図る。 - 特許庁

The stress formation film 140 has a shape that generates a second stress P20 canceling at least a part of a first stress P10 induced by the junction of an external substrate 200 and the protrusions 130.例文帳に追加

応力形成膜１４０の形状は、外部基板２００と突起部１３０との接合により生じる第１応力Ｐ１０の少なくとも一部を相殺する第２応力Ｐ２０を生じさせる形状である。 - 特許庁

A light emitting layer 1 with a pn junction is pinched between a pair of reflecting layers 2, and an amorphous layer 3 is interposed between the reflecting layers 2 and the light emitting layer 1 respectively for the formation of the semiconductor laser device.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する発光層１を一対の反射層２で挟持するとともに、該各反射層２−発光層１間に非晶質層３をそれぞれ介在させた半導体レーザ素子を形成する。 - 特許庁

To provide a film formation material which is chemically safe and facilitates mass transport as a compound used for a pin-junction amorphous semiconductor film formed as a photoelectric conversion layer of a photovoltaic device.例文帳に追加

光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる化合物として、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい成膜原料を提供する。 - 特許庁

FUEL-ENCLOSED REGENERATING HYDROGEN/OXYGEN FUEL CELL APPLYING RECTIFYING ACTION OF P-N JUNCTION DIODE, BASED ON PRINCIPLE OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER FORMATION BY CHEMICAL REACTION OF ACTIVE MATERIALS OF HYDROGEN ELECTRODE AND OXYGEN ELECTRODE WITH ELECTROLYTIC SOLUTION例文帳に追加

水素極、酸素極の活物質と電解液の化学反応による電気二重層形成の原理に基づき、ＰＮ接合ダイオードの整流作用を応用した燃料密閉再生型水素・酸素燃料電池 - 特許庁

To prevent the formation of a gap on hole end faces of second passage holes joined with each other at their peripheral edge parts and to improve the working efficiency by reducing the frequency of works in cleaning and sterilizing processing, in a junction-type plate heat exchanger.例文帳に追加

接合型プレート式熱交換器において、周縁部が接合された第２通路孔の孔端面に隙間が生じるのを防止し、洗浄や殺菌処理の作業頻度を抑え、作業効率を上げること - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of securing misalignment margin in contact hole formation in an active area even on a high integrated memory element and decreasing junction capacitance and leak current.例文帳に追加

高集積メモリ素子でも活性領域におけるコンタクトホール形成時のミスアラインマージンを確保でき、かつ接合キャパシタンス及び漏れ電流を減少させることができる半導体メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Vaccines comprising peptides from a fusion junction present in a mutant human EGF receptor and methods for using these vaccines in the inhibition of tumor formation and enhancement of tumor regression are also provided, respectively.例文帳に追加

突然変異ヒトＥＧＦ受容体中に存在する融合接合部からのペプチドを含むワクチン、並びに腫瘍形成の阻害および腫瘍後退の促進においてこれらのワクチンを使用する方法もまた提供する。 - 特許庁

The compound represented by chemical formula (1) and/or salt thereof have excellent promoting effects on the tight junction formation and are useful for preventing invasion of allergens, bacteria and microorganisms in alimentary canal mucosae or epithelial tissues.例文帳に追加

本発明の化学式（１）で表される化合物および／またはその塩はタイトジャンクション形成促進効果に優れ、消化管粘膜や上皮組織におけるアレルゲン、細菌、微生物の侵入防止に有用である。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

A support base plate 10 has a first conductivity type region 10a and a second conductivity type region 10b, and a PNP junction or an NPN junction composed of the first and second conductivity type regions 10a, 10b are provided in the propagation path of noise which is applied to a first element formation area 20 and propagated.例文帳に追加

支持基板１０を、第１導電型領域１０ａと第２導電型領域１０ｂとを有し、第１素子形成領域２０にノイズが印加されてノイズが伝播されたときの当該ノイズの伝播経路中に、第１、第２導電型領域１０ａ、１０ｂで構成されるＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合を有するものとする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having a parallel pn junction structure in which the semiconductor substrate having a device formation surface with good crystallinity and high flatness can be manufactured while preventing contamination of the substrate.例文帳に追加

結晶性が良く、平坦度の高いデバイス形成面を有する半導体基板を汚染を防止しながら製造することができる並列ｐｎ接合構造を有する半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When Cu wires 36 and 37 connected to pn junctions are formed in a chip formation region of a semiconductor wafer 1, first and second Cu electrodes 38 and 39 connected to the pn junction are also formed in a TEG region.例文帳に追加

半導体ウエハ１のチップ形成領域に、ｐｎ接合に接続されたＣｕ配線３６、３７を形成する際、ＴＥＧ領域にもｐｎ接合に接続された第１Ｃｕ電極３８、および第２Ｃｕ電極３９を形成する。 - 特許庁

Since this temperature-monitoring device 17 is provided with the dedicated CPU 16, the junction temperature of a CPU 2 can be measured, without having to stop the operation (MFP operation) of the image formation device 1 provided with the CPU 2 having a thermal diode 3.例文帳に追加

温度監視装置１７は専用のＣＰＵ１６を備えるため、サーマルダイオード３を有するＣＰＵ２を備えた画像形成装置１の動作（ＭＦＰ動作）を停止せず、ＣＰＵ２のジャンクション温度を測定することが出来る。 - 特許庁

To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor.例文帳に追加

静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、ＭＯＳトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト突抜けを防止する。 - 特許庁

To provide a gold alloy wire excellent in roundness of a compression bonding ball shape although the gold alloy wire excels in a molten ball formation property, a stitch junction property and wire strength, and responding to high-density wiring of a semiconductor apparatus.例文帳に追加

溶融ボール形成性やステッチ接合性やワイヤ強度に優れている金合金線でありながら、更に圧着ボール形状の真円性に優れた、半導体装置の高密度配線に対応可能な金合金線を提供する。 - 特許庁

An insulating layer 2 and an SOI(semiconductor-on-insulator) layer 3 are formed on a silicon substrate 1 for the formation of an SOI substrate, where a channel region 19, LDD(lightly-doped drain) regions 15a, and source/drain junction regions 17 and 18 are formed on the SOI layer 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁層２,ＳＯＩ層３が形成されたＳＯＩ基板において、ＳＯＩ層３にチャネル領域１９,ＬＤＤ領域１５aおよびソース／ドレイン接合領域１７,１８とを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-breakdown voltage semiconductor device, which can avoid increase in a junction leakage, due to a damaged region generated on a semiconductor substrate at the formation of an LDD low-concentration impurity diffusion structure in the case where an offset region is provided.例文帳に追加

オフセット領域を設ける場合、ＬＤＤ構造を形成する際に半導体基板に生成するダメージ領域に起因して接合リークが増加することを回避できる高耐圧半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the Schottky barrier penetration single electronic transistor, a silicide formation is carried out concerning at least one part of an insulating layer 110 and source/drain regions 120a/120b formed on a substrate 100, and consequently a Schottky junction is carried out with a channel region 120c.例文帳に追加

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタは、基板１００上に形成された絶縁層１１０と、ソース／ドレイン領域１２０ａ／１２０ｂの少なくとも一部分はシリサイド化されてチャネル領域１２０ｂとショットキー接合される。 - 特許庁

Cutting grooves 25 formed in positions of boundary faces L of optical component formation area parts H are utilized to cut the mother substrate junction body 24, and then a plurality of laminated bodies 26 comprising a semiconductor substrate 2, an upper substrate 3, and a lower substrate 4 are formed.例文帳に追加

そして、光部品形成領域部Ｈの境界面Ｌの位置に形成された切り込み溝２５を利用し親基板接合体２４を破断して、半導体基板２と上部基板３と下部基板４から成る積層体２６を複数形成する。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

Before formation of the tunnel junction layer, the active layer 47 is heat-treated at a temperature higher than 600°C and lower than 750°C to form the p-type semiconductor layer 51 and then the p-type semiconductor layer is heat-treated at a temperature higher than 500°C and lower than 600°C.例文帳に追加

この際、トンネル接合層を形成する前に活性層４７を、６００℃より高く７５０℃未満の温度で熱処理し、ｐ型半導体層５１を形成した後にｐ型半導体層を５００℃より高く６００℃未満の温度で熱処理する。 - 特許庁

To provide an external use agent composition for skin usable for improving barrier function of skin, and preventing wrinkles, dry skin, suntanned skin, or aged skin by keeping tention or moisture of the skin, by accelerating tight junction formation of epidermal cells.例文帳に追加

表皮細胞のタイトジャンクション形成を促進させることにより、皮膚のバリア機能改善に使用でき、皮膚のハリや潤いを維持して皺、乾燥肌、日焼け肌、老化肌を予防又は改善することのできる皮膚外用剤組成物を提供する。 - 特許庁

The top of the angular part 11 on the side of the main foot 1A ceases to be pressure-contact or collide with the V-shaped groove 12 by formation of the cut 14, and this iron core can prevent the deterioration of the insulation property, avoiding damages to the junction 4A.例文帳に追加

前記切欠き部１４の形成により、中央主脚１Ａ側のＶ字形状部１１の頂点がＶ字形状溝１２に圧接、衝突することがなくなり、接合部４Ａの損傷を回避して絶縁特性の悪化を防ぐことができる。 - 特許庁

According to this method, the tip of the birds peak 2a is formed before formation of the contact hole, and the high density diffusion layer and the salicide layer are formed also to this part, then the improper contact hardly takes place and the occurrence of the junction leak is suppressed.例文帳に追加

この方法によれば、コンタクトホールの形成前にバーズビーク２ａの先端部を除去し、この部分にも高濃度拡散層及びサリサイド層を形成することができるため、コンタクト不良が発生しにくくなり、接合リークが抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high degree of freedom capable of improving a sustain withstand voltage, capable of preventing variation in the sustain withstand voltage, and capable of adjusting drain resistance and a junction profile after formation of a transistor, by a transistor with a simple structure.例文帳に追加

構造が簡単なトランジスタにより、サステイン耐圧を改善し且つサステイン耐圧のばらつきの抑制及びトランジスタ形成後のドレイン抵抗及び接合プロファイルの調整が可能な、自由度が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Thereby, in a depletion layer of an emitter/base junction, the formation of recombination centers due to C can be suppressed, improvements in the electrical characteristics, including current amplification caused by the reduction of a recombination current can be achieved while maintaining low- voltage drive characteristics.例文帳に追加

これにより、エミッタ・ベース接合部の空乏層において、Ｃによる再結合中心の形成を抑制し、低電圧駆動性を維持しつつ、再結合電流の低減による電流増倍率などの電気的特性の改善を実現する。 - 特許庁