「laser CVD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM BY LASER CVD, AND GAS WINDOW SUITABLE FOR THE METHOD例文帳に追加

レーザＣＶＤによる薄膜形成方法、及び同方法に好適なガスウィンドウ - 特許庁

The CVD silicon film 150 is annealed by an excimer laser beam and formed into a crystalline silicon film 151.例文帳に追加

ＣＶＤシリコン膜１５０をエキシマレーザによりアニールして結晶性シリコン膜１５１を形成する。 - 特許庁

The CVD apparatus 1 is used for forming the metallic thin film on the surface of a substrate by irradiating the surface with a laser and reacting the surface with the CVD gas in the reaction cell 5.例文帳に追加

ＣＶＤ装置１は、反応槽５内においてレーザー照射によりＣＶＤガスを反応させて基板表面に金属薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for laser beam machining, capable of reducing machining time while maintaining quality of machining by a laser CVD method.例文帳に追加

レーザＣＶＤ法による加工品質を保ちつつ、加工時間を短縮することができるレーザ加工方法及装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent a film formation from fine particles produced in a laser CVD as a CVD nucleus and the film edge from swelling outside the laser irradiation pattern in a conventional correction method of fine clear defect.例文帳に追加

従来び白欠陥の修正方法では、レーザＣＶＤ時に生成した微粒子がＣＶＤの核となり膜が形成され、レーザ光の照射形状の外側に膜のエッジが膨らんでしまう。 - 特許庁

The contact holes 233 and 235 for line breaking repair are filled with laser CVD films and the two contact holes 233 and 235 on the protection film are connected by the laser CVD film 231.例文帳に追加

断線修復用コンタクトホール２３３、２３５のそれぞれをレーザＣＶＤ膜で埋めるとともに、保護膜上で２つの断線修復用コンタクトホール２３３、２３５をレーザＣＶＤ膜２３１で接続する。 - 特許庁

To provide a laser CVD device widening the range of the quantity of a partial film forming section floated.例文帳に追加

局所成膜部の浮上量の範囲を広くすることができるレーザＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

Or the crack can be repaired by forming a metallic film on a part where the crack occurs by a laser CVD method and irradiating with laser light.例文帳に追加

また、クラックが生じた部分にレーザーＣＶＤ法により修復用金属膜を形成し、レーザー光を照射してクラックを修復してもよい。 - 特許庁

In the laser beam machining apparatus 101 for performing the laser CVD process, an air heater 165 is used for sending hot air for heating the vicinity of the portion of a substrate 131 to be processed on which a thin film is deposited, through a gas window 161.例文帳に追加

レーザCVD加工を行うレーザ加工装置１０１において、エアヒータ１６５は、ガスウインドウ１６１を介して、基板１３１に薄膜を形成する加工部分近傍を加熱するための熱風を加工部分近傍に送る。 - 特許庁

Bridge wiring 6 made of tungsten or the like is formed by laser CVD using the third higher harmonic wave of YLF laser without arranging a circuit for repairing a dot defect.例文帳に追加

点欠陥リペア用の回路を設けず、ＹＬＦレーザーの第３高調波を用いるレーザーＣＶＤにより、タングステン等からなるブリッジ配線６を作成する。 - 特許庁

After a coating 7 is formed by an electrodeposition method, a thermal CVD method or a spray method, the coating is irradiated with laser.例文帳に追加

電着法、熱ＣＶＤ法またはスプレー法により被膜７を形成した後、この被膜にレーザを照射する。 - 特許庁

The method for producing a thin film is the one by a laser CVD method in which laser beam 13 is introduced into a space above a substrate 11 at the inside of a reaction vessel 2 from the outside of the reaction vessel 2 in a laser CVD device 1 to form a thin film on the substrate 11.例文帳に追加

薄膜の製造方法は、レーザーＣＶＤ装置１の反応容器２外部より反応容器２内部の基板１１上の空間にレーザー光１３を導入して基板１１上に薄膜を形成するレーザーＣＶＤ法による薄膜の製造方法である。 - 特許庁

To improve the yield of an FPD substrate to be restored, without requiring strict management regarding thickness and density, or the like, of a CVD film in a laser CVD treatment step for reducing the manufacturing cost, in a method for manufacturing the FPD substrate including wiring restoration processing by a laser CVD method of gas window system.例文帳に追加

ガスウィンドウ方式のレーザＣＶＤ法による配線修復処理を含むＦＰＤ基板の製造方法において、レーザＣＶＤ処理工程におけるＣＶＤ被膜の厚さや密度等に関する厳密な管理を要することなく、修復されるＦＰＤ基板の歩留まりを向上させ、それにより製造コストを低減すること。 - 特許庁

In addition, prior to forming of a conductive film 13 by laser CVD, the region where a conductive film is to be formed is irradiated with laser light, and adhesion properties with the base film are improved.例文帳に追加

またレーザＣＶＤにより導電膜１３を形成する前に少なくとも導電膜形成領域にレーザ光を照射して下地膜との密着性を改善する。 - 特許庁

After an interlayer short circuit 9 or 9' is detected, first and second bypass wiring patterns 61, 62 are formed by laser CVD and cut portions 65, 66, 67 on lines are formed by laser cutting.例文帳に追加

層間短絡部９ないし９’の検出後、レーザーＣＶＤによる第１及び第２バイパス配線６１，６２と、レーザーカットによる断線部６５，６６，６７とを設ける。 - 特許庁

To provide a laser CVD apparatus capable of preventing a local film deposition part from being inclined to a substrate on a loading stand.例文帳に追加

局所成膜部が載置台上の基板に対して傾くのを防止することのできるレーザＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

For the thin film formation method, a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, a laser ablation method, or the like may be used.例文帳に追加

薄膜形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、レーザアブレーション法などの方法を用いることができる。 - 特許庁

A CVD system 10 is connected to a process chamber 21 of a laser annealing apparatus 20, which receives glass substrates 1 treated in the CVD system 10 via a substrate transfer robot 60 and in which the glass substrates 1 are treated by projecting a laser beam upon the substrates 10, via a transfer chamber 70.例文帳に追加

ＣＶＤ装置１０と、ＣＶＤ装置で処理されたガラス基板１を基板搬送ロボット６０を通して受け、受け取ったガラス基板にレーザビームを照射して処理を行うレーザアニーリング装置２０におけるプロセスチャンバ２１とを、トランスファチャンバ７０を介して連結している。 - 特許庁

MASK CORRECTION OPTICAL SYSTEM FOR PHASE DEFECT CORRECTION, MASK CORRECTION DEVICE FOR PHASE DEFECT CORRECTION, AND LASER CVD MASK CORRECTION DEVICE FOR PHASE DEFECT CORRECTION例文帳に追加

位相欠陥修正用マスク修正光学系，位相欠陥修正用マスク修正装置，及び位相欠陥修正用レーザＣＶＤマスク修正装置 - 特許庁

To provide a technology capable of more stably smoothing a diamond film synthesized on the surface of a substrate by a CVD process by using laser beams than heretofore.例文帳に追加

ＣＶＤ法で基板表面に合成したダイヤモンド膜に対して、レーザの使用により従来に比較して安定に平滑化加工する技術を提供する。 - 特許庁

Regarding the laser CVD repair apparatus 1, a beam expander 4, an original quadrangular pyramid type prism 5, a variable slit part 6, an imaging relay lens 7, and an objective lens 8 are arranged in this order along the optical path of the laser light emitted from a laser oscillator 2, and a workpiece 50 is arranged in the focal position of the objective lens 8.例文帳に追加

レーザＣＶＤリペア装置１において、レーザ発振器２から出射されるレーザ光の光路に沿って、ビームエキスパンダ４、正四角錐形プリズム５、可変スリット部６、結像用リレーレンズ７及び対物レンズ８をこの順に設け、対物レンズ８の焦点位置にワーク５０を配置する。 - 特許庁

Modification processing is performed by forming a conductive film in the shape of the slit collectively using a laser CVD method to connect defects of wiring (disconnection portions) on the substrate 15.例文帳に追加

レーザＣＶＤ法を用いて基板１５上の配線欠陥（断線部）を接続するように導電膜をスリット形状で一括形成することにより、修正加工を行う。 - 特許庁

To provide a liquid crystal picture display device which does not require an expensive conductive thin film depositing device such as a laser CVD, and moreover, which permits to correct a defective pixel by electrically connecting it with an adjacent normal pixel of the same color without increasing the number of photo masks.例文帳に追加

レーザーCVDなどの高価な導電性薄膜形成装置を必要とせず、しかもフォトマスク数を増加させることなく欠陥画素を隣接する同色の正常画素と電気的に接続して修正することが出来る液晶画像表示装置を提供する。 - 特許庁

In correcting the defect, the data bus line 1 is cut off and separated with a laser beam at positions 2a, 2b interposing the intersection 13, an opening and connection are formed with a laser CVD method and the specified part 4a and the data bus line 1 are electrically connected.例文帳に追加

欠陥修正時には、交差部位１３を挟む箇所２ａ，２ｂでレーザ光により切断分離し、レーザＣＶＤ法で開口及び接続を形成して、特定部位４ａとデータバスライン１とを電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a thin film by the laser CVD capable of unifying the deposition thickness of a CVD thin film in the vertical direction and the right-to-left direction as much as possible when depositing a raw material while moving a gas window at a high speed, and a gas window suitable for the method.例文帳に追加

高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。 - 特許庁

The two-wavelength one-package laser diode emits a first and a second laser beams (CVD light beam, CD light beam) having a first and a second wavelengths different from each other in parallel from a first and a second light emitting points separated by a prescribed distance, respectively.例文帳に追加

２波長１パッケージレーザダイオードは、互いに異なる第１および第２の波長を持つ第１および第２のレーザ光（ＣＶＤ光，ＣＤ光）を、それぞれ互いに所定距離だけ離れた第１および第２の発光点から平行に出射する。 - 特許庁

Thereafter, undercoats such as a silicon nitride film 102 and a silicon oxide film 103 are formed, an a-Si film is formed by a CVD method, and the a-Si film is converted to a polysilicon film by laser anneal.例文帳に追加

その後窒化シリコン膜１０２および酸化シリコン膜１０３等のアンダーコートをし、ａ−Ｓｉ膜をＣＶＤ法によって形成し、該ａ−Ｓｉ膜をレーザーアニールによってポリシリコン膜に変換する。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in such a manner that an amorphous silicon film is formed above the surface of an insulating layer through a CVD method, hydrogen contained in the amorphous silicon film is eliminated through heating, and the amorphous silicon film is irradiated with an Nd:YAG laser to turn crystalline.例文帳に追加

絶縁表面の上方に、ＣＶＤ法でアモルファスシリコン膜を形成し、加熱してアモルファスシリコン膜内の水素を離脱させた後、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーを照射して結晶化する。 - 特許庁

The method for correcting the defects on the color filter includes steps of: setting a diameter of a laser beam on a circular correcting region when the defective portion of the color filter is removed by irradiation of the laser beam; and depositing a metal film having thickness of 1,000 Å or more by a laser CVD method to the circular correcting region after the circular correcting region has been removed.例文帳に追加

カラーフィルタの欠陥修正方法において、レーザ光の照射によりカラーフィルタの欠陥部を除去する際に、レーザ光の径を欠陥部を含む円形修正領域に設定し、円形修正領域の除去後、円形修正領域にレーザＣＶＤ法によって厚み１０００オングストローム以上の金属膜を蒸着させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for correcting a defect of a photomask by which the transmittance of a thin film during correcting a defect of a photomask can be judged and, from the results, the supply amount of CVD source gas, laser irradiation intensity, laser irradiation time and the number of irradiation pulses can be controlled.例文帳に追加

フォトマスクの欠陥修正中の薄膜の透過率を判断でき、その結果によってＣＶＤ原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数を制御することが可能なフォトマスクの欠陥修正方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An SiO_2 insulation film is formed on a P-type GaAs cap layer by a plasma CVD method and a region close to an end surface of a waveguide on the SiO_2 insulation film is subjected locally to a thermal annealing treatment by using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an infrared lamp.例文帳に追加

Ｐ型ＧａＡｓキャップ層上にプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ_2絶縁膜を形成して、そのＳｉＯ_2絶縁膜上の導波路の端面近傍の領域に、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたは赤外ランプのいずれかを用いて局所的に熱アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for correcting a disconnection for reducing display defects and improving the reliability in correcting a line using laser CVD, and to provide a method for manufacturing an active matrix substrate and a display apparatus.例文帳に追加

レーザＣＶＤを用いた配線修正において、表示欠陥を低減し、信頼性を向上させることができる断線修正方法及びアクティブマトリックス基板の製造方法並びに表示装置の提供。 - 特許庁

A process where a semiconductor film 2 is formed on a substrate 1 by a catalyst CVD(chemical vapor development) method, and a process where the semiconductor film 2 is laser-annealed to provide a polycrystal semiconductor film 3, are provided.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法によって基板１上に半導体膜２を形成する工程と、半導体膜２をレーザアニール処理して多結晶半導体膜３を得る工程と、を備えてなる多結晶半導体膜の形成方法。 - 特許庁

A thin film 2 made out of hydrogenated amorphous diamond is formed over the surface 1a of axial core material 1 by means of a CVD method or the like so as to be irradiated by laser L under an oxygen atmosphere, and a part of the film including residuals is thereby removed, so that a dynamic pressure generating groove is formed up.例文帳に追加

軸心材１の表面１ａに、水素化アモルファスダイアモンドの薄い被膜２をＣＶＤ法等により形成し、酸素雰囲気中でレーザＬを照射して被膜の一部を残滓を残さずに除去して動圧発生溝を形成する。 - 特許庁

To obtain a vibration-absorbing device for compound machine which can inhibit transmission of vibrations not only from a primary treating device, such as a CVD system but also from the installed floor of the treating device, to a secondary treating device, such as a laser annealing apparatus.例文帳に追加

レーザアニーリング装置のような二次処理装置に対して、ＣＶＤ装置のような一次処理装置からの振動伝達を阻止すると共に、設置床からの振動伝達をも阻止できる機能を持つ複合機用除振装置を提供すること。 - 特許庁

The thin-film production apparatus comprises: a mechanism for supplying the roll film; a mechanism for forming the semiconductor film on the roll film with a catalytic CVD method; a mechanism for irradiating the semiconductor film with the pulsed laser; and a mechanism for taking the roll film up.例文帳に追加

ロールフィルムを供給する機構と、触媒ＣＶＤ法によりロールフィルム上に半導体膜を形成する機構と、パルスレーザーを半導体膜に照射する機構と、ロールフィルムを巻き取る機構を備えた薄膜製造装置を構成する。 - 特許庁

A large amount of Si free radical (10^14/cm^3) 3 generated by laser plume is reacted with Si free radical and an SiH plasma field generated by the plasma CVD to form the nanocrystal on a substrate 4.例文帳に追加

そして、レーザープルーム（ｌａｓｅｒ ｐｌｕｍｅ）で生成された大量のＳｉ^＊（１０^１４／ｃｍ^３）３を、上述のプラズマＣＶＤによって生成されたＳｉ^＊、ＳｉＨプラズマ場と反応させることによって、基板４上にナノ結晶を生成させる。 - 特許庁

Before the peeling of a silicon piece 11 of the single-crystal Si substrate 10a from the hydrogen ion-implanted region 15, an amorphous Si thin film 5 formed by catalytic CVD is modified into a polycrystalline Si thin film 5' by excimer laser irradiation.例文帳に追加

そして、単結晶Ｓｉ基板１０ａのシリコン片１１を水素イオン注入部１５から剥離させる前に、触媒ＳＶＤ法により成幕した非晶質Ｓｉ薄膜５にエキシマレーザーを照射して多結晶Ｓｉ薄膜５’に改質する。 - 特許庁

A laser irradiation device and a CVD film forming apparatus are connected to a common chamber equipped with a robot arm, and furthermore, a multi-chamber type device connected to a loading/unloading chamber is used to load cassettes where substrates are housed into the common chamber.例文帳に追加

レーザー照射装置、ＣＶＤ成膜装置をロボットアームを備えた共通室に連結し、さらに、共通室被処理基板を複数入れるためのカセットを搬入するためのた搬送搬入室と連結したマルチチャンバー型の装置を用いる。 - 特許庁

An excimer laser with energy density of 30 to 90 mJ/cm^2 and the half width at half maximum of 20 ns, is irradiated three times of frequency (20 Hz) interval on each irradiation region of the covering film 7 of a cathode 6, formed by thermal CVD method.例文帳に追加

熱ＣＶＤ法によりカソード６上に形成された被膜に、カソード６に対するエネルギー密度が３０〜９０mJ/cm^2のエキシマレーザを、カソード６の被膜７にビームの照射面積ごとにパルス半値幅２０ｎｓの照射を周波数（２０Ｈｚ）間隔で３回行う。 - 特許庁

A SiC film 12 is formed by a chemical vapor deposition(CVD) method on a silicon carbide ceramic substrate 11 on at least the face to be used as a mirror face, and then an Al film 13 is deposited on the SiC film 12 to manufacture the optical reflection mirror for a He-Ne laser.例文帳に追加

炭化珪素系セラミック基材１１の少なくともミラー面となる面に、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＣ膜１２を形成し、ＳｉＣ膜１２上にＡｌ膜１３を積層してＨｅ−Ｎｅレーザ用光学反射ミラーを作製する。 - 特許庁

Subsequently, laser beams 5 are overlappingly scanned in the atmosphere of a second CVD gas 4 of DMAu-Tfac or HfacCu-tmvs, whereby a conductive film 6 made of Au or Cu which is electrically connected to the contact 3 at a low resistance is formed.例文帳に追加

続いて、ＤＭＡｕ−ＴｆａｃまたはＨｆａｃＣｕ−ｔｍｖｓの第２のＣＶＤガス４雰囲気中でレーザ光５を重畳走査することによって、コンタクト３と電気的に低抵抗で接続されるＡｕまたはＣｕからなる導電性膜６を形成する。 - 特許庁

This is a method of manufacturing a laser beam transmitting lens using an aromatic polyester compound resin as a base material, and includes a process of forming an oxide film on the surface of a base material by a plasma CVD method, in which an oxidizing gas and a compound gas containing silicon are used.例文帳に追加

芳香族ポリエステル化合物樹脂を基材とするレーザ光透過用レンズの製造方法であって、酸化性ガスおよびケイ素を含有する化合物ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、基材の表面に酸化膜を形成する工程を有する、レーザ光透過用レンズの製造方法である。 - 特許庁

A method for forming a thin film comprises steps of forming an amorphous silicon film by using a chemical vapor phase epitaxy method (CVD), crystallizing the amorphous silicon film by a laser annealing method (ELA) in a predetermined atmosphere thereby forming a polycrystal silicon film and also forming an insulating film having a very thin film thickness.例文帳に追加

化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用いて非晶質シリコン膜を形成し、所定の雰囲気中でレーザアニール（ＥＬＡ）法により非結晶シリコン膜を結晶化することによって、多結晶シリコン膜を形成すると同時に、非常に膜厚が小さい絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The hydrogenated amorphous carbon film is prepared from a hydrocarbon gas through a plasma CVD method and is characterized by a G band shift of 1,550-1,559 cm^-1 and a half-width of G band of 180-197 cm^-1 in a Raman spectrum measured by Raman spectroscopy with an Ar laser (wavelength: 488 nm).例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Ａｒレーザ（波長：４８８ｎｍ）によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのＧバンドシフトが１５５０〜１５５９ｃｍ^−１、かつＧバンド半値幅が１８０〜１９７ｃｍ^−１であることを特徴とする。 - 特許庁