「laser activation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Consequently, a laser activation material contained in the core of the optical fiber 102 can be excited efficiently.例文帳に追加

これにより、光ファイバ１０２のコア内のレーザ活性物質を効率的に励起することができる。 - 特許庁

Consequently, thermal activation can be utilized in place of high cost laser annealing for impurity implantation and activation in the fabrication process of a polysilicon type thin film transistor.例文帳に追加

従って、ポリシリコン型薄膜トランジスタの製造工程で不純物注入活性化に高コストのレーザーアニーリングの代わりに熱活性化を利用できる。 - 特許庁

To provide an activation analysis method executed by activating a sample with a terawatt table top laser.例文帳に追加

テラワットテーブルトップレーザーによって試料を放射化して行う放射化元素分析法に関するものである。 - 特許庁

The laser ignition device for the internal combustion engine is provided with a laser beam irradiation device 4 for irradiating an air-fuel mixture in a combustion chamber 10 of the internal combustion engine with laser beams to activate the air-fuel mixture, and a laser beam recovery device 6 for recovering unconsumed laser beams not consumed for the activation of the air-fuel mixture out of the laser beams.例文帳に追加

内燃機関の燃焼室１０内の混合気にレーザ光を照射して混合気を活性化させるレーザ光照射装置４と、レーザ光のうち混合気の活性化に消費されなかった未消費レーザ光を回収するレーザ光回収装置６とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a polysilicon semiconductor thin film on which laser activation is uniformly performed without increasing process steps while contamination at laser activation is prevented.例文帳に追加

工程数を増加させることなくポリシリコン半導体薄膜のレーザー活性化を均一に行うことができ且つレーザー活性化時の汚染が防止されたポリシリコン半導体薄膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For the photo-activation, laser rays (or other light emitting devices) are used generally and a pattern is formed on the material.例文帳に追加

この光活性化には一般に、レーザ線（または他の発光装置）が用いられ、この材料上にパターンを形成させる。 - 特許庁

To provide a laser beam irradiation method, a laser irradiation equipment to perform irradiation, and a method to manufacture a semiconductor device, which includes the processes of semiconductor film crystallization, activation, heating and the like performed by means of laser beam irradiation.例文帳に追加

レーザ光の照射方法及びそれを行うレーザ照射装置と、レーザ光の照射により半導体膜の結晶化、活性化、加熱等を工程に含む半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

In a laser device wherein a laser medium is arranged inside a resonator and laser beam is projected from the resonator by generating laser oscillation inside the resonator by injecting excitation light to the laser medium, the laser medium is yttrium aluminum garnet single crystal doped with neodymium as laser activation ion to attain a concentration exceeding 1.3% at atomic ratio.例文帳に追加

共振器内にレーザー媒質を配置し、上記レーザー媒質に励起光を入射することにより上記共振器内においてレーザー発振を生じさせて、上記共振器からレーザー光を出射させるレーザー装置において、上記レーザー媒質は、レーザー活性イオンとしてネオジムが原子数の比率で１．３％を越える濃度となるように添加されたイットリウムアルミニウムガーネット単結晶とした。 - 特許庁

By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.例文帳に追加

レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁

A side surface excitation fiber laser 11 constituting the side surface excitation laser device 10 is constituted with inclusion of a core 12, to which a laser activation substance is added, provided within a long-length clad 14 extended in the optical axis direction of the oscillated laser beam and a wedge-shaped light collecting part 18 provided within the clad 14.例文帳に追加

側面励起レーザ装置１０を構成する側面励起ファイバレーザ１１は、発振するレーザの光軸方向に長手のクラッド１４内に設けられレーザ活性物質が添加されたコア１２と、クラッド１４内に設けられた楔状集光部１８とを備えて構成されている。 - 特許庁

To provide a laser irradiation device which can make light intensity distribution uniform satisfactorily even if a laser with high coherence is employed as a laser light source, and which can be used for an impurity activation procedure that can activate impurities in the depths from a substrate surface of a semiconductor substrate with the impurities added.例文帳に追加

表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法に用いることができるレーザ照射装置を提供する。 - 特許庁

To effectively perform a thermal treatment such as activation treatment of impurities in a substrate such as a thick silicon wafer with large thermal capacity by laser annealing.例文帳に追加

熱容量の大きな厚いシリコンウエハなどの基板において不純物の活性化処理などの熱処理をレーザアニールにより効果的に行うことを可能にする。 - 特許庁

The correction control unit 170 stores a relationship between a correction value for correcting the in-focus position of the laser beam by the spherical aberration correction unit 20 and the temperature of the laser light source, and calculates a correction value corresponding to the passage of time after the activation of the laser light source 11.例文帳に追加

補正制御部１７０は、球面収差補正部２０がレーザ光の焦点位置を補正するための補正値とレーザ光源の温度との関係が記憶されており、レーザ光源１１が起動してからの経過時間に対応する補正値を算出する。 - 特許庁

In LD activation mode control of the image forming device, before detection of laser beams by both first and second BD sensors, laser diodes are controlled so that a light emission amount of the laser diodes in an image forming region of the photoconductor drums is equal to or smaller than a predetermined value: when both the first and second BD sensors detect laser beams, lighting control of the laser diodes is shifted to printing mode control.例文帳に追加

ＬＤ起動モード制御時において、第１ＢＤセンサ及び第２ＢＤセンサが共にレーザ光を検出するまでは、感光ドラムの画像形成領域におけるレーザダイオードの発光量が所定以下となるようにレーザダイオードを制御し、第１ＢＤセンサ及び第２ＢＤセンサが共にレーザ光を検出したときに、レーザダイオードの点灯制御を印刷モード制御に移行させる。 - 特許庁

A micro-scanner drive circuit 51 starts the activation (reciprocal movement) of a micro-scanner (oscillation mirror) 23, and a laser drive circuit 53 lights a light source 21y discontinuously immediately after that.例文帳に追加

マイクロスキャナ駆動回路５１がマイクロスキャナ（振動ミラー）２３の起動（往復振動）を開始させ、その直後からレーザ駆動回路５３が光源２１ｙを不連続点灯させる。 - 特許庁

After a polysilicon forming a selection element is deposited in an amorphous state at a low temperature, crystallization and activation of impurities are performed with heat treatment, in a short time, by laser annealing.例文帳に追加

選択素子を形成するポリシリコンをアモルファス状態で低温で成膜した後、レーザーアニールによる短時間熱処理で結晶化と不純物活性化を行う。 - 特許庁

The processing effects such as curing, annealing, implant activation, selective melting, deposition, and chemical reaction can be achieved with a dimension limited by a diameter of the focused laser beam.例文帳に追加

例えば、硬化、焼きなまし、インプラント活性化、選択的溶融、デポジション、及び化学反応のような処理効果が、集束ビーム直径によって限定された寸法で達成されることができる。 - 特許庁

A laser position locating/tracking system 10 for an external activation type electronic tag 54 accurately locates and identifies the position of an indoor tagged object 50, 52 or 54.例文帳に追加

本発明に係る外部起動型電子タグ５４のためのレーザー位置突止め・追跡システム１０は、室内のタグ付き物体５０，５２又は５４の位置を正確に突き止め、かつ識別することができる。 - 特許庁

To provide a laser irradiation device for emitting laser light having a uniform distribution of energy density on an irradiated surface and a laser irradiating method used for the device and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using a semiconductor film obtained by the crystallization of a semiconductor film or the activation of impurity elements by such a laser irradiating method.例文帳に追加

本発明は、照射面におけるエネルギー密度の分布が均一なレーザ光を形成するためのレーザ照射装置およびそれを用いるレーザ照射方法を提供し、このようなレーザ照射方法により、半導体膜の結晶化や不純物元素の活性化を行って得られた半導体膜を用いて半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a low-profile connector, the connector body as upper and lower intermediate members of a low-profile connector is manufactured via a body molding step, a laser activation step, an electro-plating step, and a post-treatment step.例文帳に追加

本発明の薄型コネクタの製造方法は、主体成型ステップ、レーザ活性化ステップ、電気鍍金ステップ、後処理ステップを介して、上下の薄型コネクタの中間部材であるコネクタ主体を製造する。 - 特許庁

To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

This surface emission semiconductor laser includes a first mirror 102, an activation layer 103 formed above the first mirror 102, and a second mirror 106 formed above the activation layer 103, wherein at least any one of the first mirror 102 and the second mirror 106 has a VBG (Volume Bragg Grating) 180.例文帳に追加

本発明に係る面発光型半導体レーザは，第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上方に形成された活性層１０３と、活性層１０３の上方に形成された第２ミラー１０６と、を含み、第１ミラー１０２および第２ミラー１０６のうちの少なくとも一方は，ＶＢＧ（Volume Bragg Grating）１８０を有する。 - 特許庁

For example, for an Nd: YLF/SHG (pulsed oscillation with a wavelength of 527nm) laser beam that is an Nd: YLF laser beam converted to a secondary higher harmonic wave, its transmission factor for a glass substrate is so high as being equal to or more than 90%, thus obtaining sufficient energy for activation.例文帳に追加

例えば、Ｎｄ：ＹＬＦレーザビームを２次高調波に変換したＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）レーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は９０％以上と十分に高く、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができる。 - 特許庁

The laser beam introduced to the coupling 48a is introduced to a confocal scanner of the microscope through a connector 12a and an optical fiber 13a, and the laser beam introduced to the coupling 48b is introduced to a photo activation device of the microscope through a connector 12b and an optical fiber 13b.例文帳に追加

カップリング４８ａに導入されたレーザ光は、コネクタ１２ａおよび光ファイバ１３ａを介して顕微鏡の共焦点スキャナ装置に導入され、カップリング４８ｂに導入されたレーザ光は、コネクタ１２ｂおよび光ファイバ１３ｂを介して顕微鏡のフォトアクチベーション装置に導入される。 - 特許庁

To provide an impurity activating method which increases the activation depth of a plurality of laser pulses each irradiated in suitable conditions onto a substrate including a semiconductor layer with an impurity added to its surface layer.例文帳に追加

表層部に不純物が添加された半導体層を含む基板に、複数のレーザパルスをそれぞれ適切な条件で照射して、活性化深さを深めることができる不純物活性化方法を提供する。 - 特許庁

The activation analysis method is executed by the steps of activating a sample by irradiating the sample with γ-ray generated by the terawatt table top laser, and measuring the γ-ray (X-ray) radiating when the activated sample is decayed.例文帳に追加

テラテーブルトップレーザーによって発生するγ線を試料に照射することで放射化を行い、放射化した試料が崩壊する時に放射するγ線(X線)を測定することによって元素分析を行う方法。 - 特許庁

To obtain sufficient energy necessary for activating an impurities injection region of a semiconductor film formed on a glass substrate even if a laser beam for the activation is applied from the bottom side of the substrate.例文帳に追加

ガラス基板上に形成された半導体薄膜の不純物注入領域を活性化のためのレーザビームをガラス基板の下面側から照射しても、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device capable of generating a high density laser light required for crystallization of a semiconductor layer or activation of impurities while reducing the size of a lens group disposed at the outlet of optical fibers.例文帳に追加

光ファイバの出口に設けられるレンズ群の小型化を図りながら、半導体層の結晶化や不純物の活性化などに必要な高密度のレーザ光を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the contrary, for an XeCl excimer laser beam, e.g., with a wavelength of 308nm, its transmission for a glass substrate is less than 40% with most of the energy absorbed by glass, thus being unable to obtain sufficient energy for the activation.例文帳に追加

これに対し、例えば、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は４０％未満であり、ガラス基板にほとんど吸収され、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができない。 - 特許庁

The wiring circuit board 1 is obtained by preparing a support substrate 2 and a base insulating layer 3 respectively, bonding the reverse surface of the base insulating layer 3 having been subjected to activation processing to the support substrate 2 using laser light 9 after previously performing activation processing on the top surface of the base insulating layer 3, forming a conductor pattern 4 on the base insulating layer 3, and then removing the support substrate 2.例文帳に追加

支持基板２とベース絶縁層３とをそれぞれ用意し、ベース絶縁層３の表面を、予め活性化処理した後、活性化処理されたベース絶縁層３の下面を、レーザー光９を用いて支持基板２と接合し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成し、その後、支持基板２を除去することにより、配線回路基板１を得る。 - 特許庁

The production process of a silicon wafer comprises a contaminant activation step for bringing the charged state of contaminants in the silicon wafer into activated state where the contaminants react easily on an oxygen deposition nucleus by irradiating the contaminants with a laser beam.例文帳に追加

シリコンウェーハ中の汚染物にレーザー光を照射することにより、前記汚染物の電荷状態を酸素析出核と反応しやすい活性化された状態とする汚染物活性化工程を備えるシリコンウェーハの製造方法とする。 - 特許庁

To realize an ideal impurity concentration profile by a method using a laser irradiation at the time of the treatment of a doping of an Si wafer with Si chips and activation and to provide a technique to form electrodes on the rear of the Si chip.例文帳に追加

Ｓｉチップが形成されたＳｉウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Ｓｉチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser in which shallowing of the depth of a diffraction grating due to the growth of a denatured layer by the activation of mass transport in crystal-growing a semiconductor layer on the diffraction grating by a metal-organic vapor-phase growth method is eliminated.例文帳に追加

本発明の目的は、回折格子上に半導体層を有機金属気相成長法で結晶成長させる際に、マストランスポートの活性化により変成層が生じ、回折格子深さが浅くなることのない半導体レーザの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In the optical fiber structure 10, two cores 111, 112 of an optical fiber 11 contain a laser activation substance to be excited by an excitation light, and are individually divided on both ends while they are parallel in a common clad 110 on the center.例文帳に追加

光ファイバ構造体１０では、光ファイバ１１の２本のコア１１１，１１２は、励起光により励起されるレーザ活性物質が含有されていて、中央部においては共通のクラッド１１０内に並列されている一方で、両端部においては個々に分離されている。 - 特許庁

The growth of a plant is diagnosed by irradiating the leaf of the plant with a laser beam, measuring the intensity of the generated fluorescence, making a graph of the variation of the fluorescent intensity with time, integrating the fluorescent intensity on the graph and comparing the result with preparatorily determined standard values comprising the normal activation value (NV) and the limit growth value (LB).例文帳に追加

植物の葉にレーザ光線を照射し、発生する蛍光の強度を測定して、時間に対する蛍光強度の変化をグラフ化し、得られたグラフの蛍光強度の積分値を求め、予め求めておいた正常活性値（ＮＶ）と生育限界値（ＬＢ）とである基準値との比較により上記植物の生育を診断する。 - 特許庁