「layer to layer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.例文帳に追加

該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁

The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer, where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.例文帳に追加

該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁

The field insulation layer 50 includes a step 51 to reduce the thickness on the gate insulation layer 60 side in a part where the field insulation layer 50 overlaps the gate electrode 40.例文帳に追加

フィールド絶縁層５０はゲート電極４０と重なる部分で、ゲート絶縁層６０側が薄くなるような段差５１を有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes steps of forming a semiconductor layer on an insulated surface, wet-oxidizing the edge of the semiconductor layer to form a first insulation layer, forming a second insulation layer on the semiconductor layer and the first insulation layer, and forming a gate electrode on the semiconductor layer and the first insulation layer via the second insulation layer.例文帳に追加

絶縁表面上に半導体層を形成し、半導体層の端部をウェット酸化して第１の絶縁層を形成し、半導体層上および第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層を介して、半導体層上および第１の絶縁層上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

An insulation protective layer 10 is installed on a non-contact surface of an anisotropic electro-conductive connector layer 1 and an insulation supporting layer 20 is made to exist between the anisotropic electro-conductive connector layer 1 and the insulation protective layer 10.例文帳に追加

異方導電コネクタ層１の非接触面に絶縁保護層１０を設け、異方導電コネクタ層１と絶縁保護層１０との間に絶縁支持層２０を介在させる。 - 特許庁

An end faces of the insulation heat layer 7 and the protection layer 9 are exposed to the reinforcement layer exposed part 13.例文帳に追加

補強層露出部１３には、断熱層７および保護層９の端面が露出する。 - 特許庁

A partitioning wall 10 si formed on the top layer of the insulation layer 22, later to laminate an organic thin film layer.例文帳に追加

絶縁膜２２の上層には隔壁１０を形成し、その後、有機薄膜層を積層する。 - 特許庁

The first surface of the first insulation layer 31 faces to the second surface of the second insulation layer 32.例文帳に追加

第１の絶縁層３１の第１面と第２の絶縁層３２の第２面は対向している。 - 特許庁

The perpendicular heat insulation layer 52 is connected to the horizontal heat insulation layer 52 by an L-shaped fitting tool.例文帳に追加

垂直断熱層５１と水平断熱層５２とはＬ字状の取付具で連結されている。 - 特許庁

An STI (shallow trench insulation) extends to the embedded oxide layer 22 in the silicon layer 23.例文帳に追加

ＳＴＩは、シリコン層２３において埋め込み酸化物層２２まで延びる。 - 特許庁

A channel layer 2 and a contact layer 3 are provided on the surface of a semiconductor board 1 to pattern the contact layer, so as to form the insulation layer 4.例文帳に追加

半導体基板１の表面にチャネル層２，コンタクト層３を設け、コンタクト層をパターニングし、絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

To provide a material for forming an insulation layer forming an insulation layer having a satisfactory pattern shape even when forming the insulation layer by means of a printing method when manufacturing a multilayer printed board, and to provide an insulation layer formed by the material for forming insulation layer.例文帳に追加

多層配線板の製造に際して印刷法により絶縁層を形成させた場合であっても、良好なパターン形状を有する絶縁層を形成し得る絶縁層形成用材料、これにより形成された絶縁層を提供すること。 - 特許庁

Also, the coil insulation layer may spread to the back gap.例文帳に追加

コイル絶縁層も、バックギャップまで広がっていて良い。 - 特許庁

Then the alignment layer is formed on the insulation layer 24 to cover the pixel electrode.例文帳に追加

画素電極を覆う状態で絶縁膜２４上に配向膜を形成する。 - 特許庁

A first insulation layer 21 made of SiO_2, a second insulation layer 22 made of SiN, and a third insulation layer 23 made of SiN, are stacked in sequence from the side of a substrate to form a gate insulation film of stacking structure.例文帳に追加

積層構造のゲート絶縁膜を基板側から順次、ＳｉＯ_２の第１絶縁層２１、ＳｉＮの第２絶縁層２２、ＳｉＮの第３絶縁層２３とする。 - 特許庁

A via hole 10 provided to a layer insulation layer 13 is covered with an Ni-P plated layer 14.例文帳に追加

層間絶縁層１３に設けられたビアホール１０がＮｉ−Ｐめっき層１４で覆われている。 - 特許庁

A cover insulation layer 3 is formed on the base insulation layer 1 to cover each conductor pattern 2.例文帳に追加

各導体パターン２を覆うように、ベース絶縁層１上にカバー絶縁層３が形成されている。 - 特許庁

Then, the first insulation layer 13a is covered with the second insulation layer 14a instead of applying a polishing treatment to the first insulation layer 13a.例文帳に追加

次いで、この第一の絶縁層１３ａに研磨処理を施さずに、この第一絶縁層１３ａを上記第二の絶縁層１４ａにより覆う。 - 特許庁

To obtain a multilayer wiring board having an insulation layer comprising an insulation film layer formed on a substrate in which bonding strength of the insulation layer is prevented from lowering.例文帳に追加

基板上に絶縁フィルム層による絶縁層を形成した多層配線基板の絶縁層において絶縁層の接着強度の低下を防止する。 - 特許庁

In order to form a contact hole reaching a first conductive layer and also to form a groove H3 after a first insulation layer, the first conductive layer, a second insulation layer and a second conductive layer are formed, the first insulation layer and the second insulation layer are etched, and thereafter annealing treatment is executed to alleviate stress of the first conductive layer or the second conductive layer.例文帳に追加

第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部Ｈ３を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 - 特許庁

The insulation layer 8 is etched to obtain a predetermined gate pattern.例文帳に追加

絶縁層８が所定のゲートパターンにエッチングされる。 - 特許庁

Next, an insulation layer 12a is formed on the first metal layer to cover the third metal layer, and a wiring layer 13a electrically connected to the third metal layer is formed on one surface of the insulation layer.例文帳に追加

次に、前記第３金属層を覆うように前記第１金属層上に絶縁層１２ａを形成し、前記絶縁層の一方の面に、前記第３金属層と電気的に接続する配線層１３ａを形成する。 - 特許庁

The first insulation wall 32 reaches the first embedded insulation layer 18, the conductive wall 34 penetrates the first embedded insulation layer 18 to the conductive layer 16, and the second insulation wall 36 penetrates the first embedded insulation layer 18 and the conductive layer 16 to the second embedded insulation layer 14.例文帳に追加

そして、第１絶縁側壁３２は第１埋め込み絶縁層１８に達しており、導電側壁３４は第１埋め込み絶縁層１８を貫通して導電層１６に達しており、第２絶縁側壁３６は第１埋め込み絶縁層１８と導電層１６を貫通して第２埋め込み絶縁層１４に達している。 - 特許庁

Insulation layer of a substrate is coated with an insulation material 20 of SiLK resin for adhesion, and then the insulation material 20 is heated at a temperature not higher than the crosslinking point to make it stick to the insulation layer.例文帳に追加

基板の絶縁層上にＳｉＬＫ樹脂から成る密着用絶縁材２０を塗布し、架橋温度以下で加熱して絶縁層に密着させる。 - 特許庁

An insulation layer is formed on the germanium layer, the germanium layer and the insulation layer are heat treated at 550°C to 1000°C, and the n-type diffusion region is formed in the prescribed region of the germanium layer.例文帳に追加

ゲルマニウム層上に絶縁層を形成し、ゲルマニウム層および絶縁層を５５０℃〜１０００℃で熱処理して、ゲルマニウム層の所定の位置にｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁

At least boundary faces contacting the storage layer 17 of the insulation layer 16 contacting the storage layer 17 and another layer (cap layer 18) contacting the storage layer 17 on the side opposite to the insulation layer 16 are formed of an oxide film such as MgO and the like.例文帳に追加

さらに記憶層１７に接する絶縁層１６と、該絶縁層とは反対側で記憶層が接する他方の層（キャップ層１８）は、少なくとも記憶層１７と接する界面がＭｇＯ等の酸化膜で形成されている。 - 特許庁

The wiring board comprises the insulation layer formed by this method and a wiring conductor layer deposited to the insulation layer.例文帳に追加

また、この形成方法により形成した絶縁層とこの絶縁層に被着形成した配線導体層とを具備する配線基板である。 - 特許庁

The circuit board 100 comprises an insulation layer 1 and conductor layers 2, 3 on both surfaces of the layer 1 to constitute the capacitor layer.例文帳に追加

配線板１００は，絶縁層１とその両面の導体層２，３とによりキャパシタ層を構成する。 - 特許庁

Thereafter, the insulation layer 3 of the diaphragm region is selectively etched to form a gap layer 4 between the support layer 2 and the active layer 1.例文帳に追加

その後、ダイアフラム領域の絶縁層３を選択的にエッチングし、支持層２と活性層１の間に空隙層４を形成する。 - 特許庁

A laser is so projected on the insulation layer 3 through the opening portion 5 as to form the via hole 6 in the insulation layer 3.例文帳に追加

開口部４を通じて絶縁層３にレーザを照射して絶縁層３にビアホール６を形成する。 - 特許庁

The electrical insulation layer (15) is formed to cover the stepped portion (12e) via the precoat layer (14).例文帳に追加

そして、電気絶縁層（15）は、プリコート層（14）を介して段差部（12e）を覆うように形成する。 - 特許庁

Through thermal treatment, oxygen is supplied from the gate insulation layer to the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

また、熱処理により、ゲート絶縁層から酸化物半導体層へ酸素を供給する。 - 特許庁

Next, an insulation film 29 is formed to cover the CoXSi layer.例文帳に追加

次に、Ｃｏ_XＳｉ層を覆う絶縁膜２９を形成する。 - 特許庁

The substrate for mounting an element thereon includes: an insulation resin layer 10; a wiring layer 20 formed on one-side main surface of the insulation resin layer 10; and projection electrodes 30 electrically connected to the wiring layer 20 and projecting toward the insulation resin layer 10 from the wiring layer 20.例文帳に追加

絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０の一方の主表面に設けられた配線層２０と、配線層２０と電気的に接続され、配線層２０から絶縁樹脂層１０側に突出している突起電極３０と、を備える。 - 特許庁

In the magnetic head, an upper layer coil piece 23 is formed in the direction (track width direction) being orthogonal to an extending direction ( height direction) of a both side end part 22a of a coil insulation substrate layer (first insulation layer) 22 projected from a coil insulation layer (second insulation layer) 19.例文帳に追加

上層コイル片２３は、コイル絶縁層（第２絶縁層）１９上から突出するコイル絶縁下地層（第１絶縁層）２２の両側端部２２ａの延出方向（ハイト方向）に対して直交する方向（トラック幅方向）に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer is etched anisotropically to form a groove reaching the insulation layer, so as to partition a movable portion.例文帳に追加

半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。 - 特許庁

Subsequently, the polishing is conducted on the coating layer 23 on the insulation layer 22 under the condition that the polishing speed of the coating layer 23 is adequately quick relative to the junction metal layer 24, thereby causing the junction metal layer 24 to protrude on a surface of the insulation layer 22.例文帳に追加

続いて、被覆層２３の研磨速度が接合金属層２４に対して充分に速い条件で、絶縁層２２上の被覆層２３を研磨することにより、接合金属層２４を絶縁層２２の表面に突出させる。 - 特許庁

The insulation protective layer 10 is formed in two layer-structure with an insulation lining 11 of hardness 15° H to 50° H or less, which contacts the insulation supporting layer 20, and an insulation outer layer 12 of thickness 0.01 to 0.1 mm and hardness 70° H or more.例文帳に追加

絶縁保護層１０を、絶縁支持層２０に接触する硬度１５°Ｈ〜５０°Ｈ以下の絶縁内層１１と、厚さ０．０１〜０．１ｍｍで硬度７０°Ｈ以上の絶縁外層１２とから二層構造に形成する。 - 特許庁

In addition, by making the stabilizing layer, provided between the electrical insulation layer and the sensing layer join tightly to them, stress changes between the electrical insulation layer and the sensing layer are averted in the membrane gas sensor.例文帳に追加

また、他にも電気絶縁層と感知層との間に設けられた安定化層を密着結合させることにより、電気絶縁層とガス感知層との応力変化を回避する薄膜ガスセンサとした。 - 特許庁

Further, the etching selective ratio of the first interlayer insulation layer 30 to the semiconductor layer 14 is made larger than the one of the second interlayer insulation layer 32 to the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４に対する第１の層間絶縁層３０のエッチング選択比は、半導体層１４に対する第２の層間絶縁層３２のエッチング選択比より大きい。 - 特許庁

The layer thickness of each thermal insulation layer (3) is preferably ≤1 mm, and the layer thickness of the metallic layer (2_1) on the innermost side is, e.g. 3 to 15 mm.例文帳に追加

熱絶縁層（３）の層厚は好ましくは１ｍｍ以下、最内側の金属層（２_１）の層厚は例えば３−１５ｍｍである。 - 特許庁

A band-like upper layer conductive film 9 adjacent to the low layer conductive film layer 3 extending in the Y direction is formed on the insulation layer 7.例文帳に追加

絶縁層７上に、下層導電膜３に隣接し、かつＹ方向に延びる帯状の上層導電膜９が形成されている。 - 特許庁

To enhance insulation reliability by ensuring the thickness of an insulation layer between the jumper wires.例文帳に追加

ジャンパ線間の絶縁層の厚さを確保して絶縁信頼性を向上させる。 - 特許庁

The photosensitive layer is printed and developed to make holes, and the insulation layer is etched using the developed layer as an etching resist to make the holes.例文帳に追加

感光層を焼付し現像で穴加工を施しこれをエッチングレジストとして絶縁層をエッチングして穴を形成する。 - 特許庁

Further, at least boundary faces contacting the storage layer 17 of the insulation layer 16 and another layer (e.g., cap layer 18) contacting the storage layer 17 on the side opposite to the insulation layer 16 are formed of an oxide film such as MgO or the like.例文帳に追加

さらに記憶層１７に接する絶縁層１６と、該絶縁層とは反対側で記憶層が接する他方の層（例えばキャップ層１８）は、少なくとも記憶層１７と接する界面がＭｇＯ等の酸化膜で形成されている。 - 特許庁