「layer to layer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, by diffusing the metal material from the gate electrode layer 103 to the gate insulation film 102 by heat treatment, a metal oxide silicon layer 102a is formed at least in a surface layer of the gate insulation film 102.例文帳に追加

その後、熱処理を行うことによりゲート電極層１０３からゲート絶縁膜１０２中に金属材料を拡散させることにより、ゲート絶縁膜１０２の少なくとも表面層に金属酸化シリコン層１０２ａを形成する。 - 特許庁

In the electrostatic chuck 4 consisting of a chuck electrode 41 and an insulation layer 42 provided on the surface of the relevant chuck electrode, a conductive layer 43 is formed on the entire part of the placing surface of insulation layer 42 to attract the sample.例文帳に追加

チャック電極４１と当該チャック電極の表面に設けた絶縁層４２とで構成される静電チャック４において、絶縁層４２における試料を吸着する載置面に全面に亘って導電層４３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a shield flat cable which suppresses air bubbles from being generated between a shield layer and a layer adjacent to the shield layer when manufacturing the shield flat cable having an insulation layer covering both sides of a plurality of conductors, an insulation layer covering both sides of a plurality of conductors in an outer-most shield layer and shield layers, and a shield tape used for manufacturing the shield flat cable.例文帳に追加

複数の導体の両面を被覆する絶縁層と、最外層のシールド層複数の導体の両面を被覆する絶縁層とシールド層を有するシールドフラットケーブルを製造する際に、シールド層と該シールド層に接する層との間に発生する気泡の発生を抑えたシールドフラットケーブルの製造方法、および、このシールドフラットケーブルの製造に用いるシールドテープを提供する。 - 特許庁

The element part 20 comprises: a light emitting layer 80 for generating light by electroluminescence; a first electrode 30a and a second electrode 30b for injecting charge into the light emitting layer 80; a third electrode 40a disposed via a first insulation layer 61 to the light emitting layer 80; and a fourth electrode 40b disposed via a second insulation layer 62 to the light emitting layer 80.例文帳に追加

発光素子部７０は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０ａおよび第２電極３０ｂと、発光層８０に対して第１絶縁層６１を介して配置された第３電極４０ａと、発光層８０に対して第２絶縁層６２を介して配置された第４電極４０ｂとを含む。 - 特許庁

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁

To provide a wiring structure or the like capable of surely connecting a body to be wired and a wiring layer while maintaining an insulation between the wiring layer and an adjacent wiring layer and capable of achieving a high-density mounting by narrowing pitches.例文帳に追加

隣接する配線層間の絶縁を維持しつつ被配線体と配線層とを確実に接続することができ、狭ピッチ化による高密度実装を実現できる配線構造等を提供する。 - 特許庁

An organic light emitting display device includes: a substrate 10; a first touch sensing electrode layer 21 formed on the substrate; a first protection layer 22 that covers the first touch sensing electrode layer 21 to be formed thereon; a ground layer 30 that is formed on the first protection layer 22 and electrically grounded; an insulation layer 11 formed on the ground layer 30; and an organic light emitting element 40 formed on the insulation layer 11.例文帳に追加

基板１０と、基板上に形成された第１タッチ感知電極層２１と、第１タッチ感知電極層２１を覆って、第１タッチ感知電極層上に形成された第１保護層２２と、第１保護層２２上に形成され、電気的に接地されたグラウンド層３０と、グラウンド層３０上に形成された絶縁層１１と、絶縁層１１上に形成された有機発光素子４０と、を備える有機発光ディスプレイ装置。 - 特許庁

An emitter lead-out electrode 10a, to be connected to a base layer, is formed by forming a second silicon material layer on an insulation film 8 with a connection hole 9 formed on the insulation film 8 on a base layer 7 in a state of embedding, and patterning it.例文帳に追加

ベース層７上の絶縁膜８に形成された接続孔９を埋め込む状態で、絶縁膜８上に第２のシリコン系材料層を形成し、これをパターンニングしてベース層に接続されるエミッタ取り出し電極１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method which forms a conductor layer uniformly in a groove formed on a resin insulation layer without depending on a width or a diameter (area) of the groove when manufacturing a wiring board having at least one conductor layer and one resin insulation layer.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、樹脂絶縁層に形成された溝部内に、当該溝部の幅又は直径（面積）に依存することなく、導体層を均一に形成することが可能な新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, by providing a polyacrylic acid based resin layer adjacently to the vapor deposition layer of the outer bag of the vacuum insulation material 1, the temporal degradation of heat conductivity is reduced even when the vapor deposition layer is set as one layer and the heat leakage through the outline of the vacuum insulation material 1 is reduced further.例文帳に追加

また、真空断熱材１の外袋の蒸着層に隣接してポリアクリル酸系樹脂層を設けることにより、蒸着層を一層とした場合にも熱伝導率の経時劣化を低減するとともに、真空断熱材１の外郭を通じた熱漏洩のさらなる低減が可能となる。 - 特許庁

In forming the surface electrodes 3, an insulation layer 5 is formed on a principal surface of the function layer 4, and one side surface of the insulation layer 5 in a cross section crossing the extension direction of the bus electrodes 6 is made to intersect with the principal surface of the function layer 4 at an angle below the right angle.例文帳に追加

表面電極３を成膜するにあたり、機能層４の主表面に絶縁層５を形成し、バス電極６の延長方向に交差する断面での絶縁層５の一側面を機能層４の主表面に対して直角以下の角度で交差させる。 - 特許庁

After a layer insulation film 6 is formed by constant-pressure chemical vapor deposition, rapid heating treatment is performed by applying a temperature of 700 to 800°C to the layer insulation film 6 for about 60 sec.例文帳に追加

酸化膜４の表面に、層間絶縁膜６を定圧気相成長法で形成した後、この層間絶縁膜６に７００℃から８００℃の温度を６０秒程度加えて高速加熱処理を施す。 - 特許庁

To provide a sheet for forming insulation layer for a wiring board in which fine recessed and projecting parts are formed on the surface of an insulation layer for forming a wiring board so as to form a wiring excellent in high-frequency characteristic.例文帳に追加

配線基板形成用絶縁層の表面に、高周波特性の良好な配線を形成可能な微細な凹凸を形成するための配線基板用絶縁層形成用シートを得る。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 using the insulation film 13 as a polishing stopper, the remaining insulation film 13 is used as a mask to perform etching to recede the upper end face of the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、残った絶縁膜１３をマスクとしてエッチングを行い、ｐ型半導体層１４の上端面を後退させる。 - 特許庁

To provide a multilayered printed circuit board excellent in tracking resistance and unimpaired in electric insulation properties, and to provide an adhesive for insulation between a conductor layer of an inner substance and a surface conductor layer.例文帳に追加

電気絶縁性を損なうことなく、耐トラッキング特性に優れた多層プリント配線板；及びそれに用いるための、内層材の導体層と表面導体層の間の絶縁用接着剤を提供する。 - 特許庁

To obtain the subject substrate with a dense metallized layer of high bond strength to an insulation substrate by simultaneously burning the electrical insulation substrate and the metallized layer at a temperature of as low as ≤1,700°C.例文帳に追加

１７００℃以下の低温で絶縁基板とメタライズ金属層とを同時焼成でき、絶縁基板に対して高い接合強度を有する緻密質なメタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質基板を得る。 - 特許庁

In the peripheral circuit region, a laminate structure DMM in which a layer of the same material as the magnetization free layer, a layer of the same material as the tunnel insulation layer, and a layer of the same material as the magnetization fixed layer are stacked is arranged so as to overlap with second wiring BL2 comprising the same layer as the first wiring BL in top view.例文帳に追加

上記周辺回路領域には、第１の配線ＢＬと同一レイヤにより構成される第２の配線ＢＬ２と平面視において重なるように、磁化自由層と同一材質の層、トンネル絶縁層と同一材質の層および磁化固定層と同一材質の層が積層された積層構造ＤＭＭが配置されている。 - 特許庁

A high electric field is impressed between a polysilicon layer 103 and a high melting point metal layer 105, after forming a gate insulation film 102, the polysilicon layer 103, a barrier metal layer 104 and the high melting point metal layer 105 on a silicon substrate 101, whereby an insulating film 107, formed in a boundary between the polysilicon layer 103 and the barrier metal layer 104, is made to conduct.例文帳に追加

シリコン基板１０１の上に、ゲート絶縁膜１０２、ポリシリコン層１０３、バリアメタル層１０４、高融点金属層１０５を形成した後、ポリシリコン層１０３と高融点金属層１０５との間に高電界をかけることにより、ポリシリコン層１０３とバリアメタル層１０４との界面に形成される絶縁膜１０７を導通させる。 - 特許庁

As the insulation device 31, an insulation sheet formed with an adhesive layer all over so as to be bonded to the coil 1 may be used.例文帳に追加

該絶縁手段３１としては、コイル１に貼着することのできるよう接着剤層を一面に備えた絶縁シートを用いることができる。 - 特許庁

To provide an infrared-ray emitting element easy to manufacture, of which infrared-ray emission efficiency is heightened by improving heat insulation property of a heat insulation layer.例文帳に追加

断熱層の断熱性を向上して赤外線の放射効率を高めると共に、製造を容易にする赤外線放射素子を提供する。 - 特許庁

Next, a support substrate 17 is laminated on the lattice relaxation layer 12 via an insulation layer 16 (S13), and thereafter, the Si substrate 10 and the porous Si layer 18 are removed to expose the lattice relaxation layer 12 (S14, S15).例文帳に追加

次に、絶縁層１６を介して前記格子緩和層１２に支持基板１７を張り合わせてから（Ｓ１３）、前記Ｓｉ基板１０，多孔質Ｓｉ層１８を除去して前記格子緩和層１２を露出させる（Ｓ１４，Ｓ１５）。 - 特許庁

To provide a metal foil having a filler-containing resin layer having a smooth surface and a thin insulation layer and serving as metal foil with an insulation layer, and to provide a method of manufacturing metal foil having a filler-containing resin layer which enables manufacturing metal foil having a filler-containing resin layer with good reproducibility and a large area.例文帳に追加

本件発明の目的は、表面が平滑で、且つ、薄い絶縁層を備える絶縁層付金属箔としてのフィラー含有樹脂層付金属箔を提供するとともに、このようなフィラー含有樹脂層付金属箔を再現性よく、且つ、広面積に製造可能なフィラー含有樹脂層付金属箔の製造方法を提供することである。 - 特許庁

A second insulation layer 30 has the grounding metal layer electrically brought into contact with the grounding electrode pad 4b, a first metal layer 20 formed on the first insulation pattern layer 10, a ground contact section 32 corresponding to the grounding electrode pad 4b, and a signal contact section corresponding to the signal electrode pads 4a and 4c, and is formed on the first metal layer 20.例文帳に追加

第２絶縁層３０は、接地電極パッド４ｃと電気的に接触される接地金属層、第１絶縁パターン層１０上に形成される第１金属層２０、接地電極パッド４ｃに対応する接地接触部３２、信号電極パッド４ａ、４ｃに対応する信号接触部を有し、第１金属層２０上に形成されている。 - 特許庁

To provide a highly rustproof adhesion layer for a wiring board which imparts high adhesiveness between a metal layer and an insulation layer without relying upon an anchor effect by roughening, and to provide the wiring board having the adhesion layer for the wiring board and its manufacturing method.例文帳に追加

粗化処理によるアンカー効果によらずに、金属層と絶縁層との間に高い密着性を付与し、防錆性が良好な配線基板用密着層、該配線基板用密着層を有する配線基板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

This semiconductor device 100 is provided with a pad 20 that is formed over a substrate 10, a pad insulation layer 18 that is formed as to cover a part of the pad 20 and includes at least a first insulation layer 24, and an opening 50 that is formed in the pad insulation layer 18 on the pad 20.例文帳に追加

本発明の半導体装置１００は、基板１０の上方に形成されたパッド２０と、パッド２０の一部を覆うように形成され、少なくとも第１絶縁層２４を含むパッド絶縁層１８と、パッド２０上のパッド絶縁層１８に形成された開口部５０とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a plurality of electric elements disposed adjacent to each other along the front face of a semiconductor material; a lower-layer protection insulation film containing no silicon, which covers the plurality of electric elements; and an upper-layer protection insulation film containing silicon, which is disposed on the lower-layer protection insulation film.例文帳に追加

半導体材料の表面に沿って互いに隣接する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆う、シリコンを含まない下層保護絶縁膜と、下層保護絶縁膜の上に配置され、シリコンを含む上層保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。 - 特許庁

An array substrata 100 is provided with a wiring part X, switching elements, an insulation layer 24 formed by covering the wiring part and the switching elements and pixel electrodes 151, formed on the insulation layer in a matrix and connection to the switching elements, via contact holes formed on the insulation layer.例文帳に追加

アレイ基板１００は、配線部Ｘと、スイッチング素子と、配線部及びスイッチング素子を覆って形成された絶縁膜２４と、絶縁膜上にマトリクス状に形成され絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子に接続された画素電極１５１と、を有している。 - 特許庁

An insulation film 30 is formed on a substrate 10, and a plurality of concave portions which are grooves 31 and 32 that will become conductive layer formation regions are formed in the insulation film 30, and then a first conductive layer 40 and a second conductive layer 50 are so formed as to fill in the grooves 31 and 32 formed in the insulation film 30.例文帳に追加

基板１０に絶縁膜３０を形成し、絶縁膜３０に導電層の形成領域となる複数の凹部である溝３１，３２を形成し、絶縁膜３０に形成された溝３１，３２を埋め込むように第１の導電層４０および第２の導電層５０を形成する。 - 特許庁

In this production method, a surface of an insulation layer is smoothed and, thereby, the insulation layer is stabilized by perceiving a surface active agent and utilizing the effect of the surface active agent in order to etch the insulation layer with excellent working precision on the production of wiring-integrated suspension.例文帳に追加

本発明は、配線一体型サスペンションを製造するにあたり、絶縁層を加工精度よくエッチングするために、界面活性剤に着目し、この効果により、絶縁層表面を滑らかにすることで絶縁層の安定した製造方法を確立したものである。 - 特許庁

The probe package structure of a probe card comprises electrodes for coupling probes on an electric circuit board, each probe is exposed at the other end, to inspect pads of a chip in a wafer and wrapped with an insulation layer and a metal wrapping layer, and the insulation layer wraps the outside of each probe and the metal wrapping layer wraps the outside of the insulation layer.例文帳に追加

電気回路基板にそれぞれプローブを結合する電極を設け、前記のプローブ同士の他端が露出され、ウェハーにおけるチップのパッドを検査出来、それらのプローブ同士にそれぞれ絶縁層と金属包み層が包まれ、前記絶縁層が前記プローブ同士の外部に包まれると共に、前記金属包み層が前記絶縁層の外部に包まれる、プローブカードのプローブ包み構造。 - 特許庁

A gate insulation layer with a hydrogen concentration of less than 6×10^20 atoms/cm^3 and a fluorine concentration of 1×10^20 atoms/cm^3 or more is used as a gate insulation layer in contact with an oxide semiconductor layer forming a channel region, whereby the amount of hydrogen released from the gate insulation layer can be reduced and hydrogen diffusion to the oxide semiconductor layer can be prevented.例文帳に追加

チャネル領域を形成する酸化物半導体層と接するゲート絶縁層に、水素濃度が６×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であり、且つフッ素濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるゲート絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層から放出される水素量が低減され、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができる。 - 特許庁

The elastic electric contact terminal capable of being soldered, contains a tube-like insulation elastic core, an insulation non-foamed rubber coating layer surrounding the insulation elastic core to be adhered, and a heat-resistant polymer film adhered to the insulation non-foamed rubber coating layer to surround it on one face and integrally formed with a metal layer on the another face.例文帳に追加

半田付け可能な弾性電気接触端子は、チューブ状の絶縁弾性コアと、前記絶縁弾性コアを囲んで接着される絶縁非発泡ゴムコーティング層と、一面は前記絶縁非発泡ゴムコーティング層を囲むように前記絶縁非発泡ゴムコーティング層に接着され、他面は金属層が一体に形成された耐熱ポリマーフィルムを含んでいる。 - 特許庁

The electric discharge suppressing pattern 37 covers the insulation substrate 29 not to expose the insulation substrate 29 in the region between the electrode pattern 30 for the terminal and the insulation film layer 36.例文帳に追加

放電抑制パターン３７は、端子用電極パターン３０と絶縁被膜層３６との間の領域において絶縁基板２９を露出しないように覆っている。 - 特許庁

Thereby, after impregnating the insulation oil in the insulation layer 3 at the manufacturing stage, when the solid cable is heated to a required temperature, the viscosity of the insulation oil can be increased.例文帳に追加

従って、製造段階で絶縁層3に絶縁油を含浸させた後等に、ソリッドケーブルを所要の温度に加熱することによって、絶縁油の粘度を高めることができる。 - 特許庁

An insulation layer 18 has etch selectivity with respect to at least the insulation layers 15 and 19, and is located between the insulation layers 15 and 19, except on the bottom of the interconnection recess 20.例文帳に追加

絶縁層１８は、少なくとも絶縁層１５，１９に対してエッチング選択比を有し、配線溝２０の底部を除き、絶縁層１５，１９の間に配置される。 - 特許庁

A signal transmission circuit 12 is disposed on an inner layer side so as to achieve a structure that the signal transmission circuit 12 is held between first and second insulation layers 13 and 23 located on an outer layer side.例文帳に追加

信号伝送回路１２は内層側に配置され、外層側にある第１及び第２の導電層１３，２３に挟まれた構造を実現する。 - 特許庁

To acquire a method for manufacturing a wiring board and a wiring board securing a satisfactory adhesion between a conductive-layer surface and an interlayer insulation layer.例文帳に追加

導体層表面と層間絶縁層との密着性を十分なものとする配線基板の製造方法及び配線基板を提供すること。 - 特許庁

Further, in addition to the above constitution, a tape layer vapor deposited or plated with a metal may be formed between the insulation body 12 and the lateral winding shield layer 13.例文帳に追加

さらに上記構成に加えて、絶縁体１２と横巻シールド層１３との間に、金属が蒸着またはメッキされたテープ層を備えてもよい。 - 特許庁

In addition, a control electrode 26 is provided at the site corresponding to the positive-hole holding region 33 in the principal surface of the element forming layer 22 through the insulation layer 24.例文帳に追加

さらに、素子形成層２２の主表面のうち正孔保持領域３３に対応する部位に絶縁層２４を介して制御電極２６が設けられる。 - 特許庁

In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。 - 特許庁

On insulation film 2, the next upper layer to silicon wafer 1, lower wiring layer 3 pulled out from I/O area 17 is extended toward the periphery of the chip.例文帳に追加

シリコンウェハ１の上面にある絶縁膜２上にてＩ／Ｏ領域１７から引き出された下層配線層３がチップ周辺に向けて延在している。 - 特許庁

The thermal insulation material restrains heat conduction to an object, and has a first heat reflecting layer 1, a plurality of foaming resin layers 2a and 2b and an intermediate heat reflecting layer 3.例文帳に追加

物体への熱伝導を抑制する断熱材は、第１熱反射層１と、複数の発泡樹脂層２ａ、２ｂと、中間熱反射層３を有する。 - 特許庁

The insulation layer 3 is filled with the filling material 4 having a good thermal conductivity, and is so formed as to cover the substrate 1 (or the first interconnection layer 2).例文帳に追加

絶縁層３には熱伝導性が良好な充填材４が充填され、基材１（または第１の配線層２）を被覆するように形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring substrate that can form at higher density a through-hole conductive layer and assures conductivity of wiring conductor layer having high mechanical strength of insulation base material.例文帳に追加

焼成時の電源用配線層もしくは接地用配線層から排出されたガス状有機物によって絶縁基体にフクレ等が発生する。 - 特許庁

To provide a heating element equipped with a stable insulating layer with high insulation resistance and a heating layer on the surface of a metal substrate without risk of being peeled off.例文帳に追加

金属基材の表面に絶縁耐力が大きく安定な絶縁層と、剥がれることのない発熱層とを設けた発熱体を提供する。 - 特許庁