PSGとは 意味・読み方・使い方

To realize a selective etching of a heat oxide film/(PSG film, TEOS oxide film) which improves the etching shape.例文帳に追加

エッチング形状の改善を図れる熱酸化膜／（ＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ酸化膜）の選択エッチングを実現すること。 - 特許庁

Since the PSG film and the BSG film are higher in etching rate than the surface and the rear insulating films of the front and the rear surfaces, the films of PSG and BSG can be removed by only wet etching without using a further photoetching process, and contact holes for electrodes can be formed.例文帳に追加

ＰＳＧ，ＢＳＧ膜は，表面，裏面絶縁膜よりエッチング速度が速いので，更なる写真エッチング工程を用いずに，湿式エッチングのみで，ＰＳＧ，ＢＳＧ膜部を除去でき，電極用の接触孔を形成できる。 - 特許庁

A more accurate apnea hypopnea index is obtained for a seriously ill patient and accuracy as the screening test of PSG is improved.例文帳に追加

重症の患者に対して、より精度の高い無呼吸低呼吸指数を求め、ＰＳＧのスクリーニング検査としての精度を向上できる。 - 特許庁

A magnetic body 13 is formed over the lower-layer conductive films 7 across the PSG film 9 and SiN film 11.例文帳に追加

ＰＳＧ膜９及びＳｉＮ膜１１を介して、複数の下層導電性膜７上にわたって磁性体１３が形成されている。 - 特許庁

The etching resistance protection film 103 on the SiN film 102 is removed and the PSG film 101 is removed, thereby completing a liquid jet head.例文帳に追加

そして、ＳｉＮ膜102上の耐エッチング保護膜103を除去し、さらにＰＳＧ膜101を除去することにより液体吐出ヘッドが完成する。 - 特許庁

The first and the second interlayer insulating films 13 and 14 for insulating the top and bottom layers of a semiconductor layer 1a constitute a multilayer structure comprising PSG films 13a and 14a, a semiconductor layer 1a, and NSG films 13b and 14b formed in between the PSG films 13a and 14a.例文帳に追加

半導体層１ａの下層及び上層を絶縁する第１，第２層間絶縁膜１３，１４を、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａと、半導体層１ａとＰＳＧ膜１３ａ，１４ａとの間に形成されたＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂとを有する多層構造で構成する。 - 特許庁

Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.例文帳に追加

これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁

With the phosphorus concentration of 2 mol wt% to 5 mol wt%, even when the step T1 of the underlayer is 450 nm or more and a thickness W1 of the PSG film of the single layer is 1.3 μm or more, cracks can be prevented from occurring when the PSG film contracts by heat treatment at a high temperature.例文帳に追加

リン濃度を２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％とすることで、下地の段差Ｔ１が４５０ｎｍ以上あり、単層のＰＳＧ膜の厚さＷ１が１．３μｍ以上あった場合でも、高温熱処理によるＰＳＧ膜の収縮時に亀裂が発生するのを防止できる。 - 特許庁