VIBとは 意味・読み方・使い方

The light absorbing layer 14 is composed of a compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

光吸収層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体からなる。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method of a compound semiconductor thin film containing IB group elements, IIIB group elements, and VIB group elements.例文帳に追加

ＩＢ族元素、IIIＢ族元素、およびVIＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar battery equipped with a light absorption layer consisting of a IB-IIIB-VIB semiconductor of group IB element rich composition.例文帳に追加

ＩＢ族元素リッチ組成のＩＢ−IIIＢ−VIＢ半導体からなる光吸収層を備えた太陽電池を提供する。 - 特許庁

The catalyst can additionaly contain at least one element selected from the group consisting of the elements of group VB and group VIB.例文帳に追加

この触媒はさらに第ＶＢ族および第VIＢ族の元素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含にでもよい。 - 特許庁

A light quantity automatic control circuit 104 generates control voltages Vid, Vib and Vip for controlling the quantity of light emission of a semiconductor laser LD.例文帳に追加

光量自動制御回路１０４は、半導体レーザＬＤの発光量制御のための制御電圧Ｖｉｄ，Ｖｉｂ，Ｖｉｐを発生する。 - 特許庁

A VIB holder 31 which covers and holds a VIB motor 30 and is made of an elastic member is press-fitted and attached into a recess formed by being demarcated with a rib 32 on the inside surface of a reception part rear case 12 constituting the casing of the mobile phone.例文帳に追加

携帯電話機の筐体を構成する受話部リアケース１２の内面にリブ３２によって区画されて形成された凹部内に、ＶＩＢモータ３０を包み込んで保持する、弾性部材からなるＶＩＢホルダ３１が圧入して取り付けられている。 - 特許庁

The manufacturing method of chalcopyrite nanoparticles shown in Ib group metal-IIIb group metal-VIb group element by mixing Ib group metal compound, IIIb group metal compound, and VIb group compound of the periodic table, in an organic solvent and forming nanoparticles, is provided.例文帳に追加

周期律表第Ｉｂ族金属化合物、第IIIｂ族金属化合物、および第VIｂ族化合物を有機溶媒中で混合してナノ粒子を形成することを特徴とする第Ｉｂ族金属—第IIIｂ族金属—第VIｂ族元素で表わされるカルコパイライトナノ粒子の製造方法。 - 特許庁

The process hydrofluorinates chloro(fluoro)butane of the general formula: C_4H_5Cl_xF_5-x (wherein, x=1 to 5) with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst chosen from the derivatives of IIIa, IVa, IVb, Va, Vb and VIb metals, especially antimony pentachloride or tin tetrachloride, at 50-150°C and under 2-40 bar.例文帳に追加

周期表IIIa族、 IVa族、 IVb族、Va族、Vb族、及び VIb族元素の金属の誘導体から選ばれる触媒、特に五塩化アンチモン及び四塩化スズの存在下、温度50℃〜150℃で、圧力２〜40barでフッ化水素により一般式Ｃ_4Ｈ_5Ｃｌ_XＦ_5-X（式中、ｘ＝１〜５）のクロロ（フルオロ）ブタンをヒドロフルオロ化する。 - 特許庁