Eloとは 意味・読み方・使い方

An n- drift layer 21 is formed on the surface of the channel area 15 by epitaxial growth in the horizontal direction (ELO).例文帳に追加

横方向（ＥＬＯ）エピタキシャル成長によりチャネル領域１５の表面からｎ^−ドリフト層２１を形成する。 - 特許庁

The face-emission semiconductor laser 21 is formed by an epitaxial lift-off (ELO) process, and is approximately 10 μm thick.例文帳に追加

面発光半導体レーザ２１はエピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）プロセスにより形成されたものであり、厚さ約１０μｍである。 - 特許庁

In such a manner, providing the side wall of the ELO mask 3 with a tilted surface, for example, results in difficulty for voids to be formed above the ELO mask 3, enabling to perfectly suppress the generation of voids near the first starting point from which the transition 4 starts extending.例文帳に追加

例えばこの様にして、ＥＬＯマスク３の側壁に傾斜面を設けることにより、ボイドがＥＬＯマスク３の上方に形成され難くなり、転位４が伸び始める最初の出発点付近におけるボイドの生成を完全に抑止することも可能である。 - 特許庁

Semiconductor thin layers 12 to 14, at least one of which is formed by ELO growth are laminated on a semiconductor substrate 11 and a metal mirror layer for reflecting light, can be arranged on the inside or in the lower part of an ELO growth mask material layer 15 to be used for the lamination of the semiconductor thin layers 12 to 14.例文帳に追加

半導体基板１１上に少なくとも一層はＥＬＯで成長が行われる半導体薄層１２〜１４が積層形成されるが、その際用いられるＥＬＯ成長マスク材層１５の内部あるいは下部に光を反射する金属ミラー層を配置できる。 - 特許庁

According to the method, by improving the typical ELO, it is possible to simplify the gallium nitride substrate and the method for preparing the substrate for growing gallium nitride and reduce process cost.例文帳に追加

これにより、既存のＥＬＯを改善して、窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム基板の製造工程の単純化及びコストダウンを実現できる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate for ELO form a group III nitride film suppressive in surface roughness without depending on the film thickness.例文帳に追加

膜厚の大小に依存することなく表面粗さを抑制したIII族窒化物膜を作製するための、ＥＬＯ用III族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2.例文帳に追加

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor crystal epitaxial film which is superior in quality and reduced in transition density without using a process that utilizes a mask material used in a method like an ELO method.例文帳に追加

ＥＬＯ法のようなマスク材料を用いたプロセスを用いずに転位密度を低減させ、高品質な窒化物系化合物半導体結晶のエピタキシャル膜を得ること。 - 特許庁