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Interconnection Resistanceとは 意味・読み方・使い方
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「Interconnection Resistance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
FORMATION OF LOW-RESISTANCE VIA CONTACT IN INTERCONNECTION STRUCTURE例文帳に追加
相互接続構造内での低抵抗バイア・コンタクトの形成 - 特許庁
Contact holes 10 and 11 for exposing a part of gate interconnection 3 and resistance interconnection 6 respectively are included.例文帳に追加
ゲート配線3および抵抗配線6の一部をそれぞれ露出させるコンタクトホール10,11を含む。 - 特許庁
To provide a method, of forming an interconnection, in which a fine thin-film interconnection with a small contact resistance can be formed surely on a thick-film interconnection by a lift-off method.例文帳に追加
厚膜配線上に、リフトオフ法により、接触抵抗の小さい、微細な薄膜配線を確実に形成することを可能ならしめる。 - 特許庁
For example, an Ni interconnection which is hardly diffused is used for the gate electrode (G) on a channel region and a low-resistance Ag interconnection is used for the gate interconnection (GL) which does not overlap the channel region, to reduce interconnection resistance.例文帳に追加
例えば、チャネル領域上のゲート電極(G)部を拡散し難いNi配線で構成し、チャネル領域とは重ならないゲート配線(GL)部は、抵抗の低いAg配線を用い、配線の低抵抗化を図る。 - 特許庁
To adjust a termination resistance to a desired value with respect to the variation in resistance values among interconnection layer resistors and the variation in on-state resistance values among transistors.例文帳に追加
配線層抵抗およびトランジスタのオン抵抗の抵抗値のばらつきに対し、所望の終端抵抗値になるように調整する。 - 特許庁
To easily remove a Cu oxide formed on the surface of a Cu interconnection and thereby to reduce the wire resistance of the Cu interconnection including vias in the formation of the Cu interconnection using a damascene method.例文帳に追加
ダマシン法を用いたCu配線形成において、Cu配線の表面に形成されるCu酸化物を容易に除去し、ビアを含むCu配線抵抗の低減を図る。 - 特許庁
To enable a semiconductor device to be improved in reliability of multilayer interconnection and reduced in wiring resistance at the same time.例文帳に追加
多層配線の信頼性の向上と配線抵抗の低減を同時に実現する。 - 特許庁
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「Interconnection Resistance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
The resistance value of the first resistive interconnection (21) depends on data stored onto the first memory cell (MC2).例文帳に追加
第1抵抗配線(21)の抵抗値は、第1メモリセル(MC2)のデータに依存する。 - 特許庁
To provide a multilayer interconnection structure which can be formed with a low wiring resistance and a high yield.例文帳に追加
低配線抵抗でかつ高歩留りで形成可能な多層配線構造を得る。 - 特許庁
To improve characteristics of a semiconductor apparatus, specifically to reduce interconnection resistance, and to reduce diffusion of an interconnection material into a semiconductor layer which constitutes the semiconductor apparatus.例文帳に追加
半導体装置の特性の向上、特に、配線の低抵抗化、また、配線材料の半導体装置を構成する半導体層への拡散の低減を図る。 - 特許庁
To realize interconnection between a transistor and a storage node electrode through a low resistance on the side of the substrate surface.例文帳に追加
基板表面側でトランジスタとストレージノード電極との接続を低抵抗で実現する。 - 特許庁
The method for forming the metal pattern of the semiconductor element reduces the contact resistance against the interconnection contact.例文帳に追加
連結コンタクトとの接触抵抗を減らす半導体素子の金属パターン形成方法を提示する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a low interconnection resistance and an interconnection with its breaking or short circuit between interconnections suppressed by a damascene method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
配線抵抗が低く、且つ、断線や配線間ショートが抑制されたダマシン法による配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device using a fully silicided gate process in which the width of a gate interconnection is narrow, wherein a contact area between the gate interconnection and a contact can be easily secured and the wire resistance of the gate interconnection can be made small without changing the designing rules of the gate interconnection.例文帳に追加
ゲート配線の幅が狭いフルシリサイド化ゲートプロセスを用いた半導体装置において、ゲート配線の設計ルールを変更することなく、ゲート配線とコンタクトとの接触面積を確保することが容易で且つゲート配線の配線抵抗が小さい半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁
To provide interlaminar insulating films for multilevel interconnection of semiconductors which excel in electrical properties as well as heat resistance and resistance to hygroscopicity, and a method of producing the same.例文帳に追加
耐熱性、耐吸湿性とともに電気特性に優れた半導体の多層配線用層間絶縁膜とその製造方法を提供する。 - 特許庁
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