n vとは 意味・読み方・使い方
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「n v」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 432件
Lower case e, n, v, space例文帳に追加
小文字の「e」「N」「V」スペース - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Lower case e, n, v, space例文帳に追加
小文字の「e」「n」「v」スペース - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
The total voltage V is divided into m:n as V_1=V×m/(m+n) and V_2=V×n/(m+n), and a division point is commonly grounded to the chassis.例文帳に追加
この全電圧Vをm:nに分割してV_1=V×m/(m+n)、V_2=V×n/(m+n)とし、分割点をシャーシに共通接地する。 - 特許庁
In this figure, the dashed line represents how V varies with N.例文帳に追加
この図では,点線はNに対してVがどのようにで変化するかを示す。 - 英語論文検索例文集
To improve the characteristics of a semiconductor device using III-V compound mixed crystal semiconductor materials containing In and III group elements other than In and N, and V group elements other than N.例文帳に追加
InとIn以外のIII族元素、NとN以外のV族元素を含むIII−V族化合物混晶半導体材料を用いた半導体装置の特性を向上させる。 - 特許庁
The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加
X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中にY ( ≦X )族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁
The full voltage V is divided by m:n to be brought into V_1=V×m/(m+n), V_2=V×n/(m+ n), and a divided point is grounded commonly to the chassis.例文帳に追加
この全電圧Vをm:nに分割してV_1=V×m/(m+n)、V_2=V×n/(m+n)とし、分割点をシャーシに共通接地する。 - 特許庁
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nv
uj
the east
the degree of safety of something
a fellow
the act of either consenting or refusing
gò [g
むら
a village
夕ぐれどき
a rope
尼になる
尼になる
尼になる
尼になる
(西洋では) to take the veil―(日本では)―take the tonsure
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The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加
アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁
A voltage vector V(n) is output in step S10, and then a prediction current ide(n+2) and idq(n+2) are calculated in step S14 while using a subsequent voltage vector V(n+1) as the present voltage vector V(n).例文帳に追加
ステップS10において電圧ベクトルV(n)を出力した後、ステップS14において、次回の電圧ベクトルV(n+1)を今回の電圧ベクトルV(n)として、予測電流ide(n+2),idq(n+2)を算出する。 - 特許庁
Then, if it is determined that the error edq(n+2) is not more than the threshold eth, the subsequent voltage vector V(n+1) is used as the present voltage vector V(n).例文帳に追加
そして、以下であると判断される場合には、次回の電圧ベクトルV(n+1)を今回の電圧ベクトルV(n)とする。 - 特許庁
The part between the R and S-N and the N-T phases and the part between the R and S-T phases are set to a 100 V circuit and a 200 V circuit, respectively.例文帳に追加
R,S−N相間及びN−T相間は100V回路、R,S−T相間は200V回路となる。 - 特許庁
When R>V 0/vmin, V=vi and desired enlargement can be performed with a setting of N/M=R.V/V0.例文帳に追加
ズーム率R>V0/vminの場合は、以下の設定で所望の拡大を行える。 - 特許庁
Furthermore, a corrected frame 142-1 is generated based on the motion vectors V(N+1), and a corrected frame 142-2 is generated based on motion vectors V(N+2)' obtained by adding the motion vectors V(N+1) and the motion vectors V(N+2).例文帳に追加
そして動きベクトルV(N+1)に基づいて補正フレーム142−1が生成され、動きベクトルV(N+1)と動きベクトルV(N+2)を加算した補正動きベクトルV(N+2)’に基づいて補正フレーム142−2が生成される。 - 特許庁
The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.例文帳に追加
n型III−V族化合物半導体層20は、n型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁
A peak output estimate value computing section 101c computes an estimate value V_e(n) of V(n) corresponding to V(n-1) and the time difference ΔT.例文帳に追加
そして、ピーク出力推定値算出部101cが、V(n−1)と前述のΔTとに対応するV(n)の推定値V_e(n)を算出する。 - 特許庁
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