「n v」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

The full voltage V is divided by m:n to be brought into V_1=V×m/(m+n), V_2=V×n/(m+ n), and a divided point is grounded commonly to the chassis.例文帳に追加

この全電圧Ｖをｍ：ｎに分割してＶ_１＝Ｖ×ｍ／（ｍ＋ｎ）、Ｖ_２＝Ｖ×ｎ／（ｍ＋ｎ）とし、分割点をシャーシに共通接地する。 - 特許庁

The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加

アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and then a prediction current ide(n+2) and idq(n+2) are calculated in step S14 while using a subsequent voltage vector V(n+1) as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）として、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

Then, if it is determined that the error edq(n+2) is not more than the threshold eth, the subsequent voltage vector V(n+1) is used as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

そして、以下であると判断される場合には、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）とする。 - 特許庁

The part between the R and S-N and the N-T phases and the part between the R and S-T phases are set to a 100 V circuit and a 200 V circuit, respectively.例文帳に追加

Ｒ，Ｓ−Ｎ相間及びＮ−Ｔ相間は100V回路、Ｒ，Ｓ−Ｔ相間は200V回路となる。 - 特許庁

When R>V 0/vmin, V=vi and desired enlargement can be performed with a setting of N/M=R.V/V0.例文帳に追加

ズーム率Ｒ＞Ｖ０／ｖminの場合は、以下の設定で所望の拡大を行える。 - 特許庁

Furthermore, a corrected frame 142-1 is generated based on the motion vectors V(N+1), and a corrected frame 142-2 is generated based on motion vectors V(N+2)' obtained by adding the motion vectors V(N+1) and the motion vectors V(N+2).例文帳に追加

そして動きベクトルＶ（Ｎ＋１）に基づいて補正フレーム１４２−１が生成され、動きベクトルＶ（Ｎ＋１）と動きベクトルＶ（Ｎ＋２）を加算した補正動きベクトルＶ（Ｎ＋２）’に基づいて補正フレーム１４２−２が生成される。 - 特許庁

The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０は、ｎ型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁

A peak output estimate value computing section 101c computes an estimate value V_e(n) of V(n) corresponding to V(n-1) and the time difference ΔT.例文帳に追加

そして、ピーク出力推定値算出部１０１ｃが、Ｖ（ｎ−１）と前述のΔＴとに対応するＶ（ｎ）の推定値Ｖ_e（ｎ）を算出する。 - 特許庁

A root roll-off cosine filter 103 makes only the signal of Nyquist bandwidth pass through, an error- calculating circuit 104 calculates error between this signal v(n) and a nearest code point d(n), and outputs d(n) to an error correction section.例文帳に追加

ルートロールオフコサインフィルタ１０３はナイキスト帯域幅の信号のみを通過させ、誤差算出回路１０４がこの信号v(n)と最も近い符号点d(n)との誤差を算出し、d(n)を誤り訂正部に出力する。 - 特許庁

In the case that N-sets of consecutive samples of the received data 201 are the same value V (V=1 or 0), it is discriminated that (N/2) sets of data with the value V are continuously received when the N is an even number.例文帳に追加

受信データ201のサンプリング値がＮ個連続して同じ値Ｖ（Ｖ＝１or０）になった場合、Ｎが偶数なら値Ｖのデータが（Ｎ÷２）個連続して受信されたと判定する。 - 特許庁

As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加

Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

The number (n) of guard rings is ≥ withstand voltage Vbr(V)/100 and the intervals are, for example, ≤1 μm, or narrow.例文帳に追加

ガードリングの数ｎを耐圧Ｖbr（V ）／１００以上とし、間隔を例えば１μm以下と狭くする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Assuming that output voltages of the Hall elements 1-n are V_1-V_n, and that output voltages of the Hall elements 1'-n' are V'_1-V'_n, the position P' of the magnet 9 for the Hall element is determined from equation: P'=F(V_1-V'_1, V_2-V'_2, etc, V_n-V'_n).例文帳に追加

ホール素子用磁石９の位置Ｐ’は、ホール素子１〜ｎの出力電圧Ｖ_１〜Ｖ_ｎ、ホール素子１’〜ｎ’の出力電圧をＶ’_１〜Ｖ’_ｎとすると、Ｐ’＝Ｆ（Ｖ_１−Ｖ’_１，Ｖ_２−Ｖ’_２，・・・，Ｖ_ｎ−Ｖ’_ｎ）より求まる。 - 特許庁

A vehicle speed conversion part 31 computes running resistance N to a vehicle speed V converted from a current rotational speed Rv on the basis of a resistance map 32.例文帳に追加

車速変換部３１が現在の回転速度Rvを変換した車速Vに対する走行抵抗Nを抵抗マップ３２から算出する。 - 特許庁

Consequently, card vendors V-1 to V-n recognize that a chip authorization time limit is coming.例文帳に追加

これにより、カードベンダＶ−１〜Ｖ−ｎは、チップの認定期限が近付いていることを把握することができる。 - 特許庁

B-gate circuits 3-1 to 3-n gate the super video input signals when the super video input signals v1 to vn are superimposed by themselves.例文帳に追加

Ｂゲート回路3-1〜3-nはスーパーキー入力信号v1〜v-nをそれ自体でスーパーインポーズするときにスーパービデオ入力信号をゲートする。 - 特許庁

A-gate circuits 1-1 to 1-n gate super video input signals when the super video input signals v1 to vn are superimposed by a super key.例文帳に追加

Ａゲート回路1-1〜1-nはスーパーキー入力信号v1〜v-nをスーパーキーでスーパーインポーズするときはスーパービデオ入力信号をゲートする。 - 特許庁

C-gate circuits 5-1 to 5-n gate the super video input signals when the super video input signals v1 to vn are superimposed by themselves.例文帳に追加

Ｃゲート回路5-1〜5-nはスーパーキー入力信号v1〜v-nをそれ自体でスーパーインポーズするときにスーパーキー入力信号をゲートする。 - 特許庁

The windmill parameter is constituted only of three functions of an output set value P(V), a revolution speed set value N(V), and a pitch angle set value θ(V) which are described by the wind velocity (V).例文帳に追加

風車パラメータは、風速（Ｖ）により記述される出力設定値Ｐ（Ｖ）と回転数設定値Ｎ（Ｖ）とピッチ角設定値θ（Ｖ）の３変数のみから形成される。 - 特許庁

The value on the rotating coordinate system of the voltage vector V(n+1) is made a central vector in one control cycle Tc of the voltage vector V(n+1).例文帳に追加

電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）の回転座標系での値を、電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）の１制御周期Ｔｃにおける中央のベクトルとする。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

The general formula (1): η=η0En (η0 is a constant and E is the electric field (V/cm)).例文帳に追加

一般式（１） η＝η_0Ｅ^n （η_0は定数、Ｅは電場（Ｖ／ｃｍ）） - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and prediction currents ide(n+2) and idq(n+2) are computed assuming that the number of phases in changing over the switching state from a voltage vector V(n) at this time is "1" or less for the voltage vector V(n+1) at the next time in step S14.例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を、今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）からのスイッチング状態の切り替えられる相数が「１」以下のものとして、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

In the step S18, prediction currents ide(n+2), iqe(n+2) caused by setting the voltage vector V(n+1) of one control period Tc forward are calculated by using the prediction currents ide (n+1), iqe(n+1) as initial values.例文帳に追加

ステップＳ１８では、１制御周期Ｔｃ先の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）の設定に伴う予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋１），ｉｑｅ（ｎ＋１）を初期値として用いて算出する。 - 特許庁

Loads 7 are connected between distribution lines U, V, W for U-phase, V-phase, W-phase and a neutral line N.例文帳に追加

Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の配電線Ｕ、Ｖ、Ｗと中性線Ｎの間には、負荷７を接続してある。 - 特許庁

Subsequently, in the step S12, prediction currents ide(n+1), iqe(n+1) of one control period Tc forward are calculated on the basis of the voltage vector V(n).例文帳に追加

続くステップＳ１２においては、電圧ベクトルＶ（ｎ）に基づき、１制御周期Ｔｃ先の予測電流ｉｄｅ（ｎ＋１），ｉｑｅ（ｎ＋１）を算出する。 - 特許庁

In this case, an exponent n of the vehicle speed V in a calculation part 41 is set to a value of inverse or less of an exponent K of the steering torque Td in the conversion part 43.例文帳に追加

この場合、計算部４１における車速Vのべき指数nは変換部４３における操舵トルクTdのべき指数Kの逆数以下の値に設定される。 - 特許庁

It is possible that, in addition to the above composition, N is contained so as to be regulated to ≤600 ppm, or Ca is contained by ≤0.01%, one or more kinds selected from V, Nb and Ti are contained by ≤0.5% in total, and Al is contained by ≤1.5%.例文帳に追加

上記組成に加えNを600ppm以下に規制し、あるいは、Caを0.01%以下、V,Nb,Tiのうち1種類以上を合計で0.5%以下、Alを1.5%以下含んでもよい。 - 特許庁

The average voltage V is obtained from the number of times of the OFF time in reference time T_A or a counted value N of the number of times of electric discharge using the following formula: V={(T_A-N×(T_ON+T_OFF))/T_A}×ET_A.例文帳に追加

基準時間Ｔ_Ａ間内のオフ時間の回数、又は放電回数の計数値Ｎから、平均電圧Ｖは次の式を演算して求める。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

The number of teeth is set to 2n×P (n; the number n of phases of an external power source, P; the number P of magnetic poles of the V-shaped permanent magnets).例文帳に追加

ティース数は、２×外部電源の相数ｎ×Ｖ字永久磁石の磁極数Ｐに設定される。 - 特許庁

SYNTHETIC SUBSTRATE FOR N-ACETYLGLUCOSAMINE TRANSFERASE V AND METHOD FOR ASSAYING ENZYMIC ACTIVITY例文帳に追加

Ｎ−アセチルグルコサミン転移酵素Ｖの合成基質及び酵素活性測定方法 - 特許庁

Ignition timing is delayed when knock strength N calculated by using the strength V is larger than the determining value V(KX).例文帳に追加

強度Ｖを用いて算出されるノック強度Ｎが判定値Ｖ（ＫＸ）よりも大きい場合、点火時期が遅角される。 - 特許庁

Speaker adaptation to the composite speech model V(n) is performed with a feature vector series V(n) of a spoken speech to generate a noise and speaker adapted speech model R.例文帳に追加

その合成音声モデルＭに対し発話音声の特徴ベクトル系列Ｖ（ｎ）により話者適応を施し雑音話者適応音声モデルＲを生成する。 - 特許庁

For the digital copying machine, a microcontroller for total operation control calculates a line thinning-out rate N/M and the vertical scanning speed V of the image scanner part from equations V=max(min(vmax, V0/R), vmin) and N/M=R.V/V0.例文帳に追加

ディジタル複写機の場合、全体の動作制御用のマイクロコントローラが、ライン間引き率Ｎ／Ｍとイメージスキャナ部の副走査速度Ｖを次式から算出する。 - 特許庁

A calculation part 390 calculates a distance L based on (A + B / n) * T_p * V.例文帳に追加

演算部３９０で、距離Ｌを（Ａ＋Ｂ／ｎ）＊Ｔ_ｐ＊Ｖに基づいて演算する。 - 特許庁

Usually, the motor controller reads out the target velocity V from address n=5 as a reference initiating position to address n=n+5 as a reference terminating position.例文帳に追加

通常、モータ制御装置は基準開始位置としてのアドレスｎ＝５から、基準終了位置としてのアドレスｎ＝ｎ＋５まで目標速度Ｖを読み出す。 - 特許庁

When V(n) is less than Vth, a section (n) is acknowledged as an intermittent measurement section, and a measurement period is set to C(n) = C1 regardless of the previous period.例文帳に追加

Ｖ（ｎ）がＶｔｈ未満のとき、区間ｎは間欠計測区間と認定され、計測周期は前の周期に拘わらずＣ（ｎ）＝Ｃ１に設定される。 - 特許庁

Next, the error between the frequency V' derived from the M and N set values and the ideal pixel clock frequency V is corrected by the clock phase.例文帳に追加

次にＭ，Ｎ設定値により得られた周波数Ｖ’と理想画素クロック周波数Ｖの誤差をクロック位相により補正する。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

Positive - negative judgment is conducted by calculating a vector v[jV] from a given point P to a vertex jV, and calculating inner product (v[jV],n[iS]) of the v[jV] and a normal n[iS] of a an iS-th face in step S106.例文帳に追加

与えられた点Ｐから頂点ｊ_ｖへのべクトルｖ［ｊ_ｖ］を計算し、ステップＳ１０６ではｖ［ｊ_ｖ］とｉ_Ｓ番目の面の法線ｎ［ｉ_Ｓ］との内積（ｖ［ｊ_ｖ］，ｎ［ｉ_Ｓ］）を計算し、正負判定を行う。 - 特許庁