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sic aとは 意味・読み方・使い方
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「sic a」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1953件
On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加
ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁
A polycrystalline SiC body 13 and SiC powder 14 are placed around the SiC substrate 11, and Ta plates 15 are placed under the substrate 11 and on inner walls of the crucible 12.例文帳に追加
SiC基板１１の周囲にはSiC多結晶体１３及びSiCパウダー１４を入れ、SiC基板１１の下及び黒鉛製坩堝１２の内壁にはTa板１５を設置する。 - 特許庁
As the C atom-supplying substrate 17, at least one substrate chosen from the group consisting of a carbon substrate, a porous SiC substrate, a sintered SiC substrate and an amorphous SiC substrate is used.例文帳に追加
前記C原子供給基板17として、カーボン基板、ポーラスSiC基板、焼結SiC基板、非晶質SiC基板からなる群から選ばれた少なくとも一種の基板を用いる。 - 特許庁
On an SiC substrate 1, a field insulating film 5 composed of a thermally oxidized SiC film 3 and an upper insulating film 4 is formed.例文帳に追加
SiC基板１の上にSiCの熱酸化膜３と上部絶縁膜４からなるフィールド絶縁膜５が形成される。 - 特許庁
A hexagonal single crystal material comprises AlN, SiC, GaN or ZnO.例文帳に追加
六方晶系単結晶材料は、AlN、SiC、GaN又はZnOからなる。 - 特許庁
To provide a method of cleaning a SiC semiconductor, that can exhibit a cleaning effect to an SiC semiconductor, and to provide an SiC semiconductor and an SiC semiconductor device with improved characteristics.例文帳に追加
ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁
To provide a SiC monocrystalline substrate manufacturing method which can reduce curvature occurring in the SiC monocrystalline substrate when the SiC monocrystalline substrate is manufactured by slicing a SiC monocrystalline ingot into substrates and polishing both surfaces of the sliced substrate.例文帳に追加
SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板を両面ラップ研磨してSiC単結晶基板を製造する際に、SiC単結晶基板に生じる反りを軽減することができるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「sic a」の意味 |
sica
出典:『Wiktionary』 (2025/06/08 00:40 UTC 版)
名詞
- (historical) A curved dagger used in Ancient Roman times, associated with the Thracian and Illyrians, gladiators, and Sicarii.
関連する語
- Sicarius
Further reading
語源
Unknown; suggested to be borrowed from Proto-Albanian *tsikā (whence Albanian thikë (“knife”)), perhaps via Illyrian. However, the long ī is problematic, and the borrowing may have in fact been the other way around. Despite matching semantics and superficially similar phonetics, not related to secō (“to cut”). There are competing hypotheses about whether sī̆cī̆lis (“sickle”) is derived from sīca: De Vaan assumes it is, whereas von Wartburg, following Romance evidence that implies short vowels in its first two syllables, treats the word for 'sickle' as a derivative of secō. If von Wartburg is correct, it is necessary to distinguish the noun meaning 'sickle' from a separate noun sīcīlis (“spearhead”) used by Ennius, which is from sīca.
発音
- (Classical Latin) IPA: [ˈsiː.ka]
- (modern Italianate Ecclesiastical) IPA: [ˈsiː.ka]
名詞
sīca f (genitive sīcae); first declension
- a poniard, a curved dagger
- the edge of a boar's tusk
-
Cum arbore et saxō aprī exacuant dentium sīcās.
- Boars may sharpen the edge of their tusks using tree and stone.
-
語形変化
First-declension noun.
| singular | plural | |
|---|---|---|
| nominative | sīca | sīcae |
| genitive | sīcae | sīcārum |
| dative | sīcae | sīcīs |
| accusative | sīcam | sīcās |
| ablative | sīcā | sīcīs |
| vocative | sīca | sīcae |
派生語
- sīcārius
- sīcīlis
- sīcula
派生した語
- →? Proto-Albanian: *tsikā
- Albanian: thikë
参照
- ↑ De Vaan, Michiel (2008) “sīca”, in Etymological Dictionary of Latin and the other Italic Languages (Leiden Indo-European Etymological Dictionary Series; 7), Leiden, Boston: Brill, →ISBN, pages 561-562
- ^ Orel, Vladimir E. (1998) “thikë”, in Albanian Etymological Dictionary, Leiden, Boston, Köln: Brill, →ISBN, page 477
- ^ Meyer, G. (1891) “thikë”, in Etymologisches Wörterbuch der albanesischen Sprache [Etymological Dictionary of the Albanian Language] (in German), Strasbourg: Karl J. Trübner, , page 90
- ^ Walther von Wartburg (1928–2002) “sĭcĭlis”, in Französisches Etymologisches Wörterbuch, volumes 11: S–Si, page 591
Further reading
- “sica”, in Charlton T. Lewis and Charles Short (1879) A Latin Dictionary, Oxford: Clarendon Press
- “sica”, in Charlton T. Lewis (1891) An Elementary Latin Dictionary, New York: Harper & Brothers
- "sica", in Charles du Fresne du Cange’s Glossarium Mediæ et Infimæ Latinitatis (augmented edition with additions by D. P. Carpenterius, Adelungius and others, edited by Léopold Favre, 1883–1887)
- sica in Gaffiot, Félix (1934) Dictionnaire illustré latin-français, Hachette.
- Carl Meißner, Henry William Auden (1894) Latin Phrase-Book, London: Macmillan and Co.
- “sica”, in Harry Thurston Peck, editor (1898), Harper’s Dictionary of Classical Antiquities, New York: Harper & Brothers
- “sica”, in William Smith et al., editor (1890), A Dictionary of Greek and Roman Antiquities, London: William Wayte. G. E. Marindin
「sic a」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1953件
To provide a high quality SiC single crystal substrate useful for enhancing the yield and stability of a device, a seed crystal for producing the high quality SiC single crystal substrate, and a method for producing the high quality SiC single crystal substrate.例文帳に追加
デバイスの歩留まり、安定性を高めるための、高品質SiC単結晶基板、高品質SiC単結晶基板製造用種結晶並びに高品質のSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
The silicon carbide (SiC) wafer 32 has a four-layer structure consisting of a first SiC film 34 to a fourth SiC film 40.例文帳に追加
炭化ケイ素ウエハ３２は、第１ＳｉＣ膜３４〜第４ＳｉＣ膜４０を有する４層構造となっている。 - 特許庁
To provide a crucible for the growth of a SiC single crystal for producing a high quality SiC single crystal wafer which is reduced in transfer defect and has a large diameter, with high reproducibility.例文帳に追加
転位欠陥の少ない良質の大口径SiC単結晶ウェハを再現性良く製造するための、SiC単結晶育成用坩堝を提供する。 - 特許庁
When SiC substrate temperature is a high temperature in the order of 1800°C, the sublimation of SiC from a SiC substrate 10 is generated.例文帳に追加
ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。 - 特許庁
In the inverter circuit 120, a parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130 is used as a flywheel diode.例文帳に追加
インバータ回路（120）は、SiC-MOSFET（130）の寄生ダイオード（131）が還流ダイオードとして使用される。 - 特許庁
To provide a method for growing a single crystal SiC with a fast growth rate of the crystal.例文帳に追加
結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。 - 特許庁
To prevent the crystallization of gaseous SiC by removing gaseous SiC in a surrounded furnace.例文帳に追加
包囲炉内のＳｉＣガスを除去し、ＳｉＣガスの結晶化を防ぐこと。 - 特許庁
This method for producing the α-SiC crystal comprises growing the α-SiC crystal on a substrate by a sublimation recrystallization method of an SiC powder.例文帳に追加
ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法である。 - 特許庁
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