etch onとは 意味・読み方・使い方

Depending on the etch selectivity, a lens shape is formed with sloped sidewalls.例文帳に追加

エッチングの選択性に依存して、勾配のある側壁を有するレンズ形が形成される。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor layer of the sample 10 is etched and etch pits are produced on the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

これにより、試料１０の半導体層はエッチングされ、その表面にエッチピットが出る。 - 特許庁

Next, first side walls 35 are formed on the side walls of the support holes by using an etch back method.例文帳に追加

次に、エッチバック法を用いて、支持体穴の側壁に第１サイドウォール３５を形成する。 - 特許庁

Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5.例文帳に追加

ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。 - 特許庁

The flattening processing is performed by using resist etch-back, the application of spin-on glass and chemical mechanical grinding, etc.例文帳に追加

平坦化処理は、レジストエッチバック、スピンオンガラスの塗布、化学機械研磨などを用いて行う。 - 特許庁

In this manufacture, Si3N4 2 is grown on an Si substrate 1, and a mask Si3N4 2 is left behind, so as to plasma-etch it.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉ_3Ｎ_4２を成長させ、マスクＳｉ_3Ｎ_4２を残し、プラズマエッチングする。 - 特許庁

The polysilicon film 15 existing on the outside of the contact hole 4 is then removed by etch back (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、エッチバックにより、コンタクトホール４外に存在するポリシリコン膜１５が除去される（図２（ｂ））。 - 特許庁

An etch stop layer 16 and silicon wafers 10, 12 forming an epitaxial layer 18 on it are provided.例文帳に追加

エッチストップ層１６と、その上にエピタキシャル層１８を作成したシリコンウエハ１０，１２を準備する。 - 特許庁