etch pit methodとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MEASURING ETCH PIT DENSITY IN SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半導体単結晶におけるエッチピット密度の測定方法 - 特許庁

To provide a method of measuring an etch pit density capable of measuring an etch pit density, without being affected by the flatness of a crystal face in a semiconductor single crystal.例文帳に追加

半導体単結晶における結晶面の平坦度に左右されずにエッチピット密度を正確に測定できるエッチピット密度の測定方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor having a structure where an etch pit can be reduced, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

エッチピットを低減可能な構造を有するバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method of GaN whereby an etch pit is hardly caused on the polishing face of a GaN crystal and an excellent polishing face can be obtained.例文帳に追加

ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるＧａＮの研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

In the method for evaluating the Ni contamination in the silicon wafer, the silicon wafer is cleaved, the cleaved silicon wafer is heat-treated, selection etching is made to the cleaved surface of the silicon wafer for forming a shallow etch pit (shallow pit), and the Ni contamination in the silicon wafer is evaluated by observing the shallow etch pit formed on the cleaved surface.例文帳に追加

シリコンウエーハのＮｉ汚染を評価する方法であって、前記シリコンウエーハを劈開し、該劈開したシリコンウエーハに熱処理を行った後、シリコンウエーハの劈開面に選択エッチングを行って浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該劈開面に形成された浅いエッチピットを観察することによってシリコンウエーハのＮｉ汚染を評価することを特徴とするシリコンウエーハのＮｉ汚染の評価方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁