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film flow rateとは 意味・読み方・使い方
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「film flow rate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 284件
At first, the set flow rate in an He flow rate controlling mechanism 105 is changed to diposit a TiN film on the surface of a substrate 102, and a graph with the set flow rate as the abscissa and the film deposition rate as the ordinate is prepared.例文帳に追加
まず、He流量制御機構105の設定流量を変化させて基板102の表面にTiN膜を成膜し、設定流量を横軸に成膜速度を縦軸にとるグラフを作成する。 - 特許庁
FILM DEPOSITION OPERATING METHOD BY VACUUM FLOW RATE CONTROL VALVE DEALING WITH ALD例文帳に追加
ALD対応真空流量調整バルブによる成膜操作方法 - 特許庁
FLOW RATE CONTROL DEVICE AND METHOD, AND THIN FILM DEPOSITION DEVICE例文帳に追加
流量制御装置、薄膜堆積装置および流量制御方法 - 特許庁
Predicting the liquid film thickness and the flow rate is done by a gas-liquid two-phase flow three-dimensional CFD.例文帳に追加
液膜の厚さおよび流速の推算は気液2相流3次元CFDにより実施する。 - 特許庁
In a method for forming a boron nitride film by which the plasma of a boron source gas and a nitrogen source gas is generated in a film forming chamber and these gases are reacted, an inert gas is supplied at a rate smaller than the same flow rate, and a rate larger than the same flow rate or approximately equally with the same flow rate with respect to the flow rate of a raw material gas.例文帳に追加
成膜室内において、ホウ素源ガスと窒素源ガスとのプラズマを発生させて、これらのガスを反応させて窒化ホウ素膜を成膜する方法において、原料ガスの流量に対して、不活性ガスを同じ流量以下で、又は同じ流量以上で、又は略同じ流量で供給する。 - 特許庁
The AlN piezoelectric film 10 is formed by sputtering through use of a mixture gas of Ar and nitrogen having a nitrogen flow rate ratio (nitrogen flow rate/(Ar flow rate + nitrogen flow rate)) in the range of 10-75%.例文帳に追加
この場合、AlN圧電薄膜10は、Arと窒素との混合ガスであって窒素流量比(窒素流量/(Ar流量+窒素流量))が10%〜75%である混合ガスを用いるスパッタリング法で形成される。 - 特許庁
MASS FLOW CONTROLLER, FLOW RATE CONTROL METHOD, LIQUID- PHASE MATERIAL EVAPORATION AND SUPPLY DEVICE AND THIN FILM FORMATION APPARATUS例文帳に追加
マスフローコントローラ、流量制御方法、液相材料気化供給装置および薄膜形成装置 - 特許庁
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該当件数 : 284件
This film-forming method comprises estimating a relationship between the flow rate of the reaction gas supplied from several pipes and a growth rate of the film on a substrate, and controlling the flow rate of the reaction gas supplied from the several pipes, to form the film.例文帳に追加
複数の配管から供給する反応ガスの流量と基板上での膜の成長速度との関係を推定し、複数の配管から供給する反応ガスの流量を制御して成膜を行う。 - 特許庁
When the group III nitride semiconductor film 13 useful for a power electronic device is grown under a range of those conditions, (flow rate of carrier gas)/((flow rate of group III raw material)+(flow rate of nitrogen raw material)+(flow rate of carrier gas)) is 0.5 or larger under the film formation conditions.例文帳に追加
この条件の範囲でパワー系電子デバイスに有用なIII族窒化物半導体膜13を成長するとき、この成膜条件において(キャリアガスの流量)/((III族原料の流量)+(窒素原料の流量)+(キャリアガスの流量)+(キャリアガスの流量))が0.5以上である。 - 特許庁
During this operation, the flow rate at which the dope is fed back by means of the feedback pump 9 is set so that the flow rate at which the dope is sent to the casting die 7 is equal to a flow rate at which the thin film is manufactured.例文帳に追加
この時、逆送ポンプ9により逆送させるドープの流量は、流延ダイ7に送られる流量が薄い方のフィルムを製膜するための流量となるように設定されている。 - 特許庁
In this case, the flow rate at which the dope is sent to the filter 5 by the pump 4 is set to be a maximum flow rate (a flow rate to be used when the thick film is manufactured) at which the dope is discharged from the casting die.例文帳に追加
この時、定量ポンプ4により連続濾過装置5に送る流量は、流延ダイ7より吐出する最大の流量(厚い方のフィルムを製膜する際に使用する流量)としている。 - 特許庁
The lowering of the film-forming rate becomes prominent when the flow ratio of nitrogen exceeds 90%.例文帳に追加
窒素の流量比が90%を超えると、成膜レートの低下が顕著となる。 - 特許庁
The film-forming rate at that time is about twice that when the flow ratio of nitrogen is 0%.例文帳に追加
このときの成膜レートは、窒素の流量比が0%のときの約2倍である。 - 特許庁
Then, the flow rate of the gaseous helium to be fed to the film deposition chamber 2 is controlled by a mass flow controller 7B, so that the film deposition rate of the DLC film to be deposited on a substrate 1 can be controlled.例文帳に追加
そして、成膜室2に供給されるヘリウムガスの流量をマスフローコントローラ7Bにより制御することによって、基板1上に成膜されるDLC膜の成膜レートを制御することができる。 - 特許庁
The flow rate of the gas is controlled by the pressure control in the upstream side of the orifice and the flow rate controlled gas is introduced into the film deposition chamber 101.例文帳に追加
そして、オリフィス上流側における圧力制御によりガス流量を制御し、流量制御されたガスを成膜室101内導入する。 - 特許庁
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