JPS6360477B2 - - Google Patents
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- JPS6360477B2 JPS6360477B2 JP56182273A JP18227381A JPS6360477B2 JP S6360477 B2 JPS6360477 B2 JP S6360477B2 JP 56182273 A JP56182273 A JP 56182273A JP 18227381 A JP18227381 A JP 18227381A JP S6360477 B2 JPS6360477 B2 JP S6360477B2
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- Japan
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- minor loop
- corner
- magnetic bubble
- memory chip
- bubble memory
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリチツプ、特に情報を
磁気バブルで貯えるマイナループの構造に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory chip, and particularly to a minor loop structure for storing information in magnetic bubbles.
第1図は磁気バブルメモリチツプの回路構成を
示す要部拡大平面図である。同図において、1は
情報を貯えるマイナループ、2は読み出し情報を
転送するリードトラツク、3は書き込み情報を転
送するライトトラツクであり、このリードトラツ
ク2とライトトラツク3とでマイナループ1に磁
気バブル情報を入出力させる入出力トラツクを構
成している。4は磁気バブルを読み出す検出器、
5は磁気バブルを書き込む発生器、6はマイナル
ープ1上の情報をリードトラツク2へ複写するレ
プリケートゲート、7はライトトラツク3上の情
報をマイナループ1中の情報と入れ換えるスワツ
プゲートである。 FIG. 1 is an enlarged plan view of essential parts showing the circuit configuration of a magnetic bubble memory chip. In the figure, 1 is a minor loop that stores information, 2 is a read track that transfers read information, and 3 is a write track that transfers write information.Read track 2 and write track 3 transfer magnetic bubble information to minor loop 1. It constitutes an input/output track for input/output. 4 is a detector that reads magnetic bubbles;
5 is a generator for writing magnetic bubbles; 6 is a replicate gate for copying the information on the minor loop 1 to the read track 2; and 7 is a swap gate for replacing the information on the write track 3 with the information in the minor loop 1.
第2図a〜dは従来および最近にわたつて提案
されているマイナループ構造を示す要部拡大平面
図であり、同図aに示すマイナループ1は最も古
くから用いられてきたもので、単純閉ループ状の
構造を有し、第1図の例もこの形であり、通常こ
れをI字形マイナループと称されている。これに
対して同図b,c,dは最近多く用いられるよう
になつたもので、折り重ねた構造を有している。
これは第1図で説明したゲート6,7を、同図a
の場合に比べて約2倍に大きく設計できる特徴を
有し、ゲート6,7の特性を安定化することがで
きる。したがつてこれら同図b〜dは高集積度、
高密度チツプに最適な形で、同図bの形をG字
形、同図Cの形をS字形、同図dの形をC字形と
称する。本発明はこのマイナループの形が折り重
ねた構造の場合に関するものである。 Figures 2a to 2d are enlarged plan views of main parts showing conventional and recently proposed minor loop structures, and the minor loop 1 shown in Figure 2a is the one that has been used for the longest time and is a simple closed loop structure. The example shown in FIG. 1 also has this structure, and this is usually called an I-shaped minor loop. On the other hand, the shapes b, c, and d in the same figure have recently come into widespread use, and have a folded structure.
This means that the gates 6 and 7 explained in FIG.
It has the feature that it can be designed approximately twice as large as the case of , and the characteristics of the gates 6 and 7 can be stabilized. Therefore, these figures b to d have a high degree of integration,
The shape shown in figure b is called a G-shape, the shape shown in figure C is called an S-shape, and the shape shown in figure d is called a C-shape. The present invention relates to a case where the minor loop has a folded structure.
しかしながら上記構成による折り重ね構造のマ
イナループ1はパターン構造が複雑となるため、
次のような問題点があつた。すなわち、使用する
磁気バブル径が約2μmから約1.5μm程度に微小化
し、マイナループを構成する基本要素の周期が約
8μm程度から約6μm程度に高密度化すると、磁気
バブル転送特性が不安定となり、バイアス磁界マ
ージンが半減するという問題があつた。 However, since the minor loop 1 of the folded structure with the above configuration has a complicated pattern structure,
The following problems arose. In other words, the diameter of the magnetic bubble used has been miniaturized from approximately 2 μm to approximately 1.5 μm, and the period of the basic elements that make up the minor loop has become approximately
When increasing the density from about 8 μm to about 6 μm, there was a problem that the magnetic bubble transfer characteristics became unstable and the bias magnetic field margin was halved.
したがつて本発明は、上記従来の問題点を解消
し、高密度化しても、広いバイアス磁界マージン
で安定動作する折り重ね構造のマイナループを備
えた磁気バブルメモリチツプを提供することを目
的としている。 Therefore, it is an object of the present invention to solve the above-mentioned conventional problems and provide a magnetic bubble memory chip with a folded structure minor loop that operates stably with a wide bias magnetic field margin even when the density is increased. .
このような目的を達成するために本発明は、マ
イナループの直線状転送路の一部分を平行状態か
ら不平行状態に形成することによつて、マイナル
ープコーナ部のスペースを広くしたものである。 In order to achieve such an object, the present invention widens the space at the corner of the minor loop by forming a portion of the linear transfer path of the minor loop from a parallel state to a non-parallel state.
以下本発明による磁気バブルメモリチツプにつ
いて詳細に説明する。 The magnetic bubble memory chip according to the present invention will be explained in detail below.
まず、本発明を説明する以前に本発明の理解を
容易にするために折り重ね形マイナループの構造
について説明する。第2図b〜dで説明したよう
に折り重ね形マイナループ1は同図aに説明した
折り重ね形マイナループ1に比べて複雑な構成を
有しているが、基本的には直線転送路部1aと
180゜コーナ路部1bとの二種類の要素に分解で
き、これらの二種類の要素1aおよび1bを組み
合わせることにより形成されており、同図a〜d
中の点線はこれら二種類の要素1a,1bへの分
解線である。これらをさらにわかりやすく説明し
たのが第3図であり、この第3図a,bは第2図
b,cの形のマイナループ1を例にとり、これを
二種類の要素1aと1bとに分解した具体例を示
したものであり、細線で示した部分が直線転送路
部1a,太線で示した部分が180゜コーナ路部1b
である。 First, before explaining the present invention, the structure of a folded minor loop will be explained in order to facilitate understanding of the present invention. As explained in FIGS. 2b to 2d, the folded minor loop 1 has a more complicated configuration than the folded minor loop 1 explained in FIG. and
The 180° corner road section 1b can be separated into two types of elements, and is formed by combining these two types of elements 1a and 1b.
The dotted line inside is the decomposition line into these two types of elements 1a and 1b. These are explained more clearly in Fig. 3. Fig. 3 a and b take as an example the minor loop 1 of the form shown in Fig. 2 b and c, and decompose it into two types of elements 1a and 1b. The figure shows a specific example in which the thin line indicates the straight transfer path section 1a, and the thick line indicates the 180° corner section 1b.
It is.
したがつて従来のマイナループ1は、第2図、
第3図に示したように互いに隣接する直線転送路
部1aがいかなる位置でも平行状態に形成されて
いた。 Therefore, the conventional minor loop 1 is as shown in Fig. 2,
As shown in FIG. 3, the linear transfer path portions 1a adjacent to each other were formed in a parallel state at any position.
一方、前述したように磁気バブルメモリチツプ
が高密度化したとき、磁気バブルメモリ特性が不
安定となり、バイアス磁界マージンΔHBを半減
させるのは、上記二種類の要素のうち180゜コーナ
路部1bであり、直線転送路部1aは問題なく動
作することが発明者らの実験により明らかとなつ
た。ところが、第3図に示したように180゜コーナ
路部1bは一個のマイナループ1内に複数種類存
在し、第3図aの場合は4個、同図bの場合は6
個の180゜コーナ路部1bを含んでおり、バイアス
磁界マージンΔHBを半減させるのはこれら全て
の180゜コーナ路部1bではなく、これらのうちで
少数の180゜コーナ路部1bだけである。そして、
これらのバイアス磁界マージンΔHBを半減させ
る不安定な動作特性を有している180゜コーナ路部
1bを、そのスペースを大きくするだけで、バイ
アス磁界マージンΔHB損失がなく、全く安定し
て動作できることが実験的にわかつた。 On the other hand, as mentioned above, when the density of the magnetic bubble memory chip increases, the magnetic bubble memory characteristics become unstable and the bias magnetic field margin ΔH B is halved due to the 180° corner path 1b. The inventors' experiments have revealed that the linear transfer path section 1a operates without problems. However, as shown in Fig. 3, there are multiple types of 180° corner road sections 1b within one minor loop 1, with 4 in the case of Fig. 3a and 6 in the case of Fig. 3b.
It is not all of these 180° corner paths 1b, but only a small number of 180° corner paths 1b that reduce the bias magnetic field margin ΔH B by half. . and,
The 180° corner path section 1b, which has unstable operating characteristics that reduces the bias magnetic field margin ΔH B by half, can be operated completely stably without any bias magnetic field margin ΔH B loss by simply increasing its space. I found out experimentally that it can be done.
したがつて本発明による磁気バブルメモリチツ
プのマイナループは、従来どの位置でも互いに平
行であつた直線転送路を、部分的に平行状態から
不平行状態に形成して問題となる180゜コーナ路部
のスペースを広くしたものである。 Therefore, the minor loop of the magnetic bubble memory chip according to the present invention changes the straight line transfer paths, which were conventionally parallel to each other at any position, from partially parallel to non-parallel, thereby eliminating the problematic 180° corner path. It has a wider space.
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第4図、第5図は本発明による磁気バブルメモ
リチツプのマイナループの実施例を示す拡大平面
図で、第4図はマイナループ1の形状がG字形の
場合の例、第5図はマイナループの形状がS字形
の場合の例をそれぞれ示したものであり、前述の
図と同記号は同一要素となるのでその説明は省略
する。これらの図において、マイナループ1を構
成する全ての180゜コーナ路部1bのスペースが広
く形成されている。この場合、細線が直線転送路
部1a、太線が180゜コーナ路線1bをそれぞれ示
すことは上述した第3図と全く同様である。そし
て、180゜コーナ路部1bと直線転送路部1aとの
間には不平行直線転送路部1cを形成配置して
180゜コーナ路部1bのスペースが広く形成されて
いる。 4 and 5 are enlarged plan views showing embodiments of the minor loop of the magnetic bubble memory chip according to the present invention. FIG. 4 is an example in which the shape of the minor loop 1 is G-shaped, and FIG. 5 is the shape of the minor loop. The figures show examples in which the figures are S-shaped, and the same symbols as in the previous figure are the same elements, so their explanation will be omitted. In these figures, the spaces of all the 180° corner sections 1b constituting the minor loop 1 are formed wide. In this case, the thin lines indicate the straight transfer path portion 1a and the thick lines indicate the 180° corner line 1b, as in FIG. 3 described above. A nonparallel linear transfer path portion 1c is formed between the 180° corner path portion 1b and the linear transfer path portion 1a.
The 180° corner road portion 1b has a wide space.
第6図は上述した不平行直線転送路部1cの具
体的な転送パターンの一例を示す要部拡大平面図
である。これらの図において、不平行直線転送路
部1cは、同図a,bに示すような左右で足の高
さの異なる非対称シエブロンパターン8,9を同
図c,dに示すように斜め方向に配列することに
よつて容易に形成することができる。 FIG. 6 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a specific transfer pattern of the above-mentioned non-parallel linear transfer path section 1c. In these figures, the non-parallel linear transfer path section 1c has asymmetric chevron patterns 8 and 9 with different foot heights on the left and right sides as shown in a and b of the figure, and is arranged in an oblique direction as shown in c and d of the figure. It can be easily formed by arranging.
なお、上記実施例において、マイナループに含
まれる180゜コーナ路部の全てのスペースを広くす
る場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、所要の特定のコーナ路部の
みスペースを広くした場合においても前述と全く
同様の効果が得られることは勿論である。 In the above embodiment, a case has been described in which all the spaces of the 180° corner road included in the minor loop are widened, but the present invention is not limited to this, and only the space of a specific corner road is widened. Of course, the same effect as described above can be obtained even when the distance is made wider.
また、不平行とすることによりスペースを広く
する手段として、第4図ないし第6図で説明した
以外の他の形状に適用しても前述と全く同様の効
果が得られることは言うまでもない。 Furthermore, it goes without saying that the same effect as described above can be obtained even if the means for widening the space by making the shapes non-parallel is applied to shapes other than those explained in FIGS. 4 to 6.
以上説明したように本発明によれば、磁気バブ
ルメモリ素子の高密度化に対して180゜コーナ路に
よる特性低下がなくなり、広いバイアス磁界マー
ジンで安定動作できる折り重ね形マイナループが
得られるという極めて優れた効果を有する。 As explained above, according to the present invention, there is no characteristic deterioration due to a 180° corner path, and a folded minor loop that can operate stably with a wide bias magnetic field margin can be obtained, which is an extremely advantageous feature for increasing the density of magnetic bubble memory elements. It has a good effect.
第1図は磁気バブルメモリチツプの一例を示す
要部拡大平面図、第2図はマイナループの構成を
示す要部拡大平面図、第3図はマイナループを直
線転送路部と180゜コーナ路部とに分解した例を示
す要部拡大平面図、第4図は本発明による磁気バ
ブルメモリチツプに係わるマイナループの一例を
示す要部拡大平面図、第5図は本発明による磁気
バブルメモリチツプに係わるマイナループの他の
実施例を示す要部拡大平面図、第6図は本発明に
よる磁気バブルメモリチツプに係わるマイナルー
プの具体的なパターン例を示す要部拡大平面図で
ある。
1……マイナループ、1a……直線転送路部、
1b……180゜コーナ路部、1c……不平行直線転
送路部、8,9……非対称シエブロンパターン。
Fig. 1 is an enlarged plan view of the main part showing an example of a magnetic bubble memory chip, Fig. 2 is an enlarged plan view of the main part showing the configuration of the minor loop, and Fig. 3 shows the minor loop with a straight transfer path section and a 180° corner path section. FIG. 4 is an enlarged plan view of main parts showing an example of a minor loop related to the magnetic bubble memory chip according to the present invention, and FIG. 5 is an enlarged plan view of main parts showing an example of a minor loop related to the magnetic bubble memory chip according to the present invention. FIG. 6 is an enlarged plan view of the main part showing another embodiment of the present invention. FIG. 1... Minor loop, 1a... Straight transfer path section,
1b...180° corner path section, 1c...non-parallel linear transfer path section, 8, 9...asymmetric chevron pattern.
Claims (1)
バブルメモリチツプにおいて、前記マイナループ
の相互に隣接する直線転送部が部分的に互いに不
平行となる部分を有し、前記不平行となる部分
を、左右で足の高さの異なる非対称シエブロンパ
ターンを配列して形成したことを特徴とする磁気
バブルメモリチツプ。1. In a magnetic bubble memory chip equipped with folded minor loops, mutually adjacent linear transfer portions of the minor loops have portions that are partially non-parallel to each other, and the non-parallel portions are arranged on the left and right sides. A magnetic bubble memory chip characterized by an array of asymmetric chevron patterns with different foot heights.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182273A JPS5885989A (en) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | Magnetic bubble memory chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182273A JPS5885989A (en) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | Magnetic bubble memory chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885989A JPS5885989A (en) | 1983-05-23 |
| JPS6360477B2 true JPS6360477B2 (en) | 1988-11-24 |
Family
ID=16115376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56182273A Granted JPS5885989A (en) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | Magnetic bubble memory chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885989A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4176404A (en) * | 1978-01-13 | 1979-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Bubble memory structure with enhanced data density |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP56182273A patent/JPS5885989A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5885989A (en) | 1983-05-23 |
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