-sionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 217件
In the second area (I/O 200), a third gate electrode 7, a fourth gate electrode 8, and an SiON film 6 or an SiO_2 film are formed.例文帳に追加
また、第二の領域(I/O部200)には、第三のゲート電極7、第四のゲート電極8およびSiON膜6またはSiO_2膜が形成されている。 - 特許庁
To provide a method for producing a highly practical fluorescent substance having a single phase, capable of obtaining an SiON fluorescent substance with an excellent light emission efficiency.例文帳に追加
単一相を有し、発光効率に優れたSiON蛍光体を得ることができる、実用性の高い蛍光体の製造方法を提供する。 - 特許庁
Thus, the composition of the SiON film or the change of the structure can be generated, and the reflectivity and extinction coefficient of the reflection preventive film can be set so as to be desired values.例文帳に追加
これにより、SiON膜の組成や構造の変化が生じ、反射防止膜の屈折率及び消衰係数を所望の値とすることが可能となる。 - 特許庁
To provide a connector for signal transmission lines, a signal transmis sion line, and a board by which deterioration in the entire transmission character istic of a network transmission line network can be prevented even when the connector for the transmission line with a characteristic impedance different from the one required for the transmission line exists on the network transmis sion line network.例文帳に追加
伝送線路に要求される特性インピーダンスと異なる特性インピーダンスの伝送線路接続用コネクタがネットワーク伝送線路網上に存在する場合でも、ネットワーク伝送線路網全体の伝送特性の劣化を防ぐことができる信号伝送線路接続用コネクタ、信号伝送線路、及び基板を提供する。 - 特許庁
Furthermore, as the barrier layer 3 for suppressing the diffusion of 1A base elements, SiON is used and the deterioration of device characteristics with the passage of time can be suppressed by said barrier layer 3.例文帳に追加
また、1A族元素の拡散を抑制するバリア層3としてSiONを用いており、このバリア層3により素子特性の経時的劣化を抑制することができる。 - 特許庁
After the wafer is carried in, temperature in the furnace is raised to bring about a film deposition temperature within a specified range and an SiON film is formed on the substrate while suppressing formation of an underlying natural oxide film.例文帳に追加
ウェハ搬入後、炉内は昇温され所定範囲の成膜温度となり、下地への自然酸化膜形成を抑えつつ基板上にSiON膜が形成される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing such a semiconductor device that is provided with a gate insulation film using an SiON base insulation film with small EOT and superior boundary characteristic.例文帳に追加
EOTが小さく且つ良好な界面特性を持つSiONベース絶縁膜を用いたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To enable not only character strings which is obtained by Kana (Japa nese syllabary)-Kanji (Chinese character) conversion by a user but also character strings within a document prepared by another device to be abbreviated conver sion candidates.例文帳に追加
利用者が仮名漢字変換した文字列だけでなく、他の装置で作成された文書内の文字列に対しても、短縮変換候補とすることができるようにする。 - 特許庁
By adopting such a constitution, a structure, wherein the upper part of an interface between the Cu pad region 101 and the insulating region 102 is covered by the SiON film 106, is obtained.例文帳に追加
こうした構成を採用することにより、Cuパッド領域101と絶縁領域102との界面の上部がSiON膜106によって覆われた構造とする。 - 特許庁
To provide a network printer system which suppresses data transmis sion and reception when printing is performed, reduces the traffic quantity of the whole of network and improves the operation efficiency.例文帳に追加
印刷時にデータの送受信を抑制して、ネットワーク全体のトラフィック量を減少させ、稼働効率を向上することができるネットワークプリンタシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which photolithograpy antireflection SiON film can be kept stable in KrF laser beam absorption characteristics after it is formed.例文帳に追加
半導体装置のフォトリソグラフィー用反射防止SiON膜の成膜後のKrFレーザ光吸収特性を安定化できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a radar antenna where an installation area of a transmis sion reception section can be increased, a degree of freedom of the layout is increased and the shield effect is enhanced without the need for a special shield structure.例文帳に追加
送受信部の設置面積を増やすことができレイアウトの自由度が増えるとともに、特別なシールド構造を必要とせずシールド効果を向上できること。 - 特許庁
To provide a portable terminal device wherein communication is enabled between users handicapped in eyes and ears by enabling mutual conver sion between voice and text format.例文帳に追加
音声とテキスト形式の相互変換を可能にし、目や耳に障害を持つ人同士の間でもコミュニケーションがとれるようにした携帯端末装置を提供する。 - 特許庁
Moreover, an oxide film 153 generated by the passivation is covered with a passivation film 111 composed of one of SiN, SiON, and SiO_2 that are dielectrics.例文帳に追加
そして、不動態化によって生成された酸化膜153を、誘電体であるSiN、SiON及びSiO_2のいずれかからなるパッシベーション膜111で被覆する。 - 特許庁
A smile oxide film 6 functioning as a gate oxide film is formed beneath the three layer polymetal gate layer 11 consisting of a doped polysilicon layer 4, a tungsten layer 5 and an SiON layer 8.例文帳に追加
ドープドポリシリコン層4、タングステン層5及びSiON層8からなる3層ポリメタルゲート11下にゲート酸化膜として機能するスマイル酸化膜6が形成される。 - 特許庁
To provide a method of laminating SiON films which are excellent not only in the controllability of a composition ratio between oxygen and nitrogen but also in mechanical strength, corrosion resistance, coatability and so on.例文帳に追加
SiON膜の酸素と窒素の組成比の制御性に優れ、機械的強度、耐食性、被覆性等に優れたSiON膜の積層方法を提供する。 - 特許庁
A silicon substrate is directly nitrided to form a silicon nitride film, which is annealed with mixed gas containing N2O and H2 to form a silicon oxynitride (SION) film.例文帳に追加
シリコン基板を直接窒化して、シリコン窒化膜を形成し、前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化(SiON)膜を形成する。 - 特許庁
To make a gap between an electrifying roller and a photoreceptor drum almost uniform even when an electrifying roller is rotated, via a transmis sion gear, by a driving gear on the photoreceptor drum side.例文帳に追加
感光体ドラム側の駆動ギヤで伝達ギヤを介して帯電ローラを回転させても、帯電ローラと感光体ドラムとの間のギャップが略均一になるようにする。 - 特許庁
The semiconductor device has a field effect transistor formed of a semiconductor substrate, a gate insulation film formed on the substrate and a gate electrode formed on the gate insulation film, wherein the gate insulation film contains silicon oxynitride (SiON) as a major component and the state of strain of the gate insulation film is a compression strain state.例文帳に追加
半導体基板と、前記基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されるゲート電極とを有する電界効果型トランジスタが形成され、前記ゲート絶縁膜が酸窒化シリコン(SiON)を主成分とし、前記ゲート絶縁膜のひずみ状態が圧縮ひずみ状態であることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁
A capacitor 10 is provided with a lower electrode 14A; a dielectric layer 16 having an SiO_2 layer 20 formed on the lower electrode 14A, an SiON layer 21 formed on the SiO_2 layer 20, and an Si_3N_4 layer 22 formed on the SiON layer 21; and an upper electrode 14B formed on the dielectric layer 16.例文帳に追加
本発明に係るキャパシタ10は、下部電極14Aと、下部電極14Aに成膜されたSiO_2層20とSiO_2層20上に成膜されたSiON層21とSiON層21上に成膜されたSi_3N_4層22とを有する誘電体層16と、誘電体層16上に形成された上部電極14Bとを備えることを特徴とする。 - 特許庁
A silane compound or the like is introduced into the reaction chamber 10 of a plasma CVD device to form an antireflection SiON film on a wafer 5, and the antireflection SiON film formed on the wafer 5 is thermally treated at a required temperature in an inert gas atmosphere of nitrogen gas or the like so as to be kept stable in KrF laser beam absorption characteristics after a film forming process is finished.例文帳に追加
プラズマCVD装置の反応室10内にシラン系化合物等を導入してウェハー5上に反射防止SiON膜を成膜後、該成膜工程終了後に窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で反射防止SiON膜を所望の温度で熱処理し、反射防止SiON膜のKrFレーザ光吸収特性を安定化させる。 - 特許庁
When the contents provider terminals 61_1, 61_2 receive the contents retrieval event, in matching with the acquisition condition of the filter from the SION 36, the contents provider terminals 61_1, 61_2 return an acknowledgement message, including contents information.例文帳に追加
コンテンツプロバイダの端末61_1、61_2が、フィルタの取得条件に合致したコンテンツ検索イベントをSION36から受信すると、コンテンツ情報を含めた応答メッセージを返信する。 - 特許庁
A first protective film 6 made of Sr-SION is formed on the upper side of a heating element 3 and an electrode layer 4, and then, the heat treatment is carried out under a state of a vacuum degree of 2 to 30 Pa (Figure (e)).例文帳に追加
発熱体3および電極層4の上側に、Sr−SIONからなる第1保護膜6を形成してから、真空度2〜30Paの真空中で熱処理を施す(図(e))。 - 特許庁
To provide an electronic learning machine with which learning can be proceeded effectively by proceeding learning (learning by heart, comprehen sion and the like) step by step and an answering method of story problems in a learning machine.例文帳に追加
学習(暗記や理解等)を段階的に進める事で、効率よく学習を進めることができる電子学習機及び学習機における文章問題の解答方法を提供する。 - 特許庁
To speed up compression and to increase total throughput by efficient ly conducting an MH compression on original picture data in a picture compres sion device and a recording medium.例文帳に追加
本発明は画像圧縮装置及び記録媒体に関し、原画像データのMH圧縮処理を効率良く行うことで、圧縮処理の高速化を達成し、トータルスループットを向上させる。 - 特許庁
An adhesive layer 4, constituted of, for example, a P-SiO film, a P-SiON film or PE-SiO film, is formed between the fluorinated silicate glass film 3 and the silicon nitride film 5.例文帳に追加
そして、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜3とシリコン窒化膜5との間に、例えばP−SiO膜、P−SiON膜、またはPE−SiO膜からなる接着層4が形成される。 - 特許庁
To provide an image forming device and an image forming method where halftone density can be simply stabilized in a short time, at high preci sion, without generating any ozone.例文帳に追加
中間調濃度の安定化を短時間に、かつ高精度に、オゾンを発生することなく、簡単に行なうことができる画像形成装置及び画像形成方法を提供すること。 - 特許庁
Next, a core 103 is formed on the lower clad layer 102 by finely processing the deposited and formed SiON film by well known photolithography technology and etching technology.例文帳に追加
ついで、堆積形成したSiON膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工することで、下部クラッド層102の上にコア103が形成された状態とする。 - 特許庁
To provide a UTOPIA(UNIVERSAL TEST AND OPERATIONS PHY INTERFACE FOR ATM) level 1/level 2 conversion system and its conver sion circuit in ATM multiplexer, which can reduce the circuit area considerably and simplify circuits.例文帳に追加
大幅な回路面積削減および回路の簡素化ができるATM多重装置におけるUTOPIAレベル1/レベル2変換システムおよびその変換回路を提供する。 - 特許庁
To provide a method and system for compensating polarization disper sion by which the compensation effectiveness of polarization dispersion is im proved, in order to increase a bit rate of data and a transmission distance by an optical fiber.例文帳に追加
光ファイバーによるデータのビットレートおよび伝送距離を増加するために、偏波分散の補償有効性を改善する偏波分散補償装置および方法を提供する。 - 特許庁
In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加
半導体装置において、Cuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層として、Si/N組成比が0.75以下のP−SiN膜12またはP−SiON膜を用いる。 - 特許庁
The adhesion-promoting additive compound has one or more moieties capable of reacting with a silicon oxynitride (SiON) layer and other inorganic substance layers or forming complexes with the layers.例文帳に追加
本発明の接着促進添加化合物は酸窒化シリコン(SiON)層および他の無機物層と反応するかまたは錯体を形成することができる1以上の部位を有する。 - 特許庁
Further, a protection film 4 is constituted by a compound having a main skeleton composed of quadridentate ligand to which, nitrogen and oxygen is coordinated as ligand, concretely, by SiON.例文帳に追加
さらに、保護膜4を四配位原子で形成された主骨格に窒素原子および酸素原子が配位子として結合してなる化合物、具体的にはSiONによって構成する。 - 特許庁
Further, a flattened film 3 is constituted by a compound having a main skeleton composed of quadridentate ligand to which, nitrogen and oxygen is coordinated as ligand, concretely, by SiON.例文帳に追加
さらに、平坦化膜3を四配位原子で形成された主骨格に窒素原子および酸素原子が配位子として結合してなる化合物、具体的にはSiONによって構成する。 - 特許庁
To secure sufficient tractive strength, and to sufficiently absorb colli sion energy by a nonstrengthened part of a side member at the time of collision.例文帳に追加
牽引強度が十分に確保できると共に衝突時におけるサイドメンバの非強度部による衝突エネルギーの吸収を十分に行うことができる牽引フック構造を提供する。 - 特許庁
To provide a removal pipe connecting device for connecting pipe lines which can easily be overhauled into individual parts as far as possible, and can repeatedly be sterilized many times, and has a possible minimum dimen sion.例文帳に追加
簡単にかつできるだけ個々の部品に分解でき、かなりの回数殺菌することができかつ可能な最小寸法をもつパイプラインを連結するための取り外し可能のパイプ連結装置を提供する。 - 特許庁
To provide a base ball wood bat which can favorably improve repul sion characteristic and durability and a method for production of the same which can produce the bat efficiently.例文帳に追加
反発特性及び耐久性を良好に向上させることができる木製バット、及びそのような木製バットを効率的に製造することができる木製バットの製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, etching is conducted up to the etching stopper film, SiN film so that an SiON film with an desirable even thickness is formed on the fuse.例文帳に追加
ヒューズを覆ってSiON膜、SiN膜、SiO_2膜をこの順序で形成した後、エッチングストッパ膜であるSiN膜までエッチングすることにより、ヒューズ上に均一で所望の膜厚のSiON膜を形成する。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor device includes: an HDP oxide film 22 formed on the upper surface of the plasma SiON film 21; and a plasma SiN film 25 formed covering the HDP oxide film 22.例文帳に追加
さらに、複数の配線を覆うように、プラズマSiON膜21の上面に形成されたHDP酸化膜22と、HDP酸化膜22を覆うように形成されたプラズマSiN膜25とを備えている。 - 特許庁
When a first aluminum wiring 3 functioned as the lower electrode of the MIM capacitance element is formed, an antireflection film 4 of two-layer structure of a TiN layer 41 and an SiON layer 42 is used.例文帳に追加
MIM容量素子の下部電極として機能する第1のアルミ配線3の形成の際には、TiN層41、SiON層42から成る二層構造の反射防止膜4が使用される。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus, an image forming appara tus, and an image processing program capable of preventing deterioration in the image quality in expanding an image compressed by a block type compres sion method.例文帳に追加
ブロック型の圧縮方法によって圧縮された画像を伸張する際に,画質の劣化を防止することができる画像処理装置,画像形成装置および画像処理プログラムを提供すること。 - 特許庁
An optical constant control part 13 controls the flow rate of the N2O gas, based on the optical constant of a medium adjacent to the SiON film for controlling the optical constant of the NiON film.例文帳に追加
光学定数制御部13は、SiON膜に隣接する媒質の光学定数に基づいて、N2Oガスの流量を制御することにより、SiON膜の光学定数を制御する手段である。 - 特許庁
As a result, a tensile stress oriented toward the side of the SiON film 3 so acts on the atoms present on the surface layer of the Si substrate 1 as to generate strains and as to lengthen the interatomic distances of the Si atoms present in the Si substrate 1.例文帳に追加
この結果、Si基板1の表層に存在する原子には、SiON膜3側への引張応力が作用して歪が生じ、Si基板1中のSi原子の原子間距離が長くなる。 - 特許庁
The base SiON film is formed through thermal oxidization/nitrization of a Si substrate or deposition of an oxidized/nitided film on the Si substrate, and then oxidization step (plasma oxidization or O_2 oxidization) is followed by plasma nitirization.例文帳に追加
このベースSiON膜は、Si基板の熱酸窒化もしくはSi基板上の酸窒化膜の堆積により形成し、その後、酸化工程(プラズマ酸化、もしくはO_2酸化)を行い、引き続きプラズマ窒化を行う。 - 特許庁
To provide a color cathode ray tube slight in the decline of its emis sion efficiency even if the excitation density of electron beams increases and capable of maintaining high screen display luminance, and to provide a red phosphor to be used in the color cathode ray tube.例文帳に追加
電子ビームの励起密度が増大しても発光効率の低下が少なく、高い画面表示輝度を維持することが可能なカラー陰極線管及びそれに用いる赤色蛍光体を提供する。 - 特許庁
To provide a compact and low-price transmission unit and a transmis sion method capable of transmitting an interruption signal (having high respon siveness), with small number of input/output terminals (without having a dedicat ed interruption signal line).例文帳に追加
本発明は、少ない入出力端子で(専用の割り込み信号ラインを有することなく)、割り込み信号を伝送可能な(高い応答性を有する)小型で安価な伝送装置及び伝送方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for forming a film, by which a SiON film can be surely formed on a substrate, the film-forming process can be simplified, and the increase of thermal load applied on the substrate during the process can be sufficiently suppressed.例文帳に追加
基体上にSiON膜を確実に形成でき、その成膜工程を簡略化できると共に、その際に基体に付与される熱負荷の増大を十分に抑制可能な成膜装置及び方法を提供する。 - 特許庁
To speed up the retrieval in a tactile sensation information transmis sion apparatus which converts visual selection objects to tactile selection objects and transmits these objects to a tactile sensation receiver in an access to infor mation from visual sensation selection items.例文帳に追加
視覚的な選択項目から情報にアクセスする際に視覚的選択オブジェクトを触覚的選択オブジェクトに変換して触覚受容器に伝える触覚情報伝達装置に関し、探索を迅速化すること。 - 特許庁
To provide a game machine capable of preventing the execution of any erroneous advance announcement based on advance announcement deci sion probability in a high probability condition regardless of a low capability condition at the time of executing big success and ready-to-win advance announcement.例文帳に追加
大当り・リーチ予告を行なうときに、低確率状態であるにもかかわらず高確率状態での予告判定確率にもとづく間違った予告が実行されることを防止できる遊技機を提供すること。 - 特許庁
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