「-sion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this method, since the mobility of carriers is improved by the displacements of the Si atoms, an enough mobility of the carriers can be obtained even when the concentration of nitrogen present in the vicinity of the interface between the SiON film 3 and the Si substrate 1 is made high.例文帳に追加

この方法によれば、Ｓｉ原子の変位によりキャリアの移動度が向上するため、ＳｉＯＮ膜３のＳｉ基板１との界面近傍の窒素濃度が高くても、十分なキャリアの移動度が得られる。 - 特許庁

To provide an emergency stopping device capable of preventing colli sion due to sudden forward travel or sudden reverse travel of a vehicle by stepping on an accelerator pedal by mistake with intention of stepping on a brake pedal in a temporary stop, start or the like.例文帳に追加

一時停止時や発進時等に、ブレーキペダルを踏むつもりで、誤ってアクセルペダルとを踏むことにより、車両が急速前進、急速後進して衝突する事故を未然に防止する緊急停止装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide type optical element in which absorption loss is small even at high specific refractive index difference Δ exceeding 3%, refractive index controllability is high, and a dense and high quality SiON film is used as a core.例文帳に追加

３％を越える高い比屈折率差Δにおいても吸収損失の小さくかつ屈折率制御性が高く緻密な高品質のＳｉＯＮ膜をコアとする、光導波路型の光素子が提供できるようにする。 - 特許庁

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically.例文帳に追加

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。 - 特許庁

After an AlCu film (lower electrode film) 21 is formed on a substrate 10 on which an integrated circuit is formed, an SiON film (insulating film) 22 is formed on the AlCu film 21 except the peripheral area of the film 21.例文帳に追加

集積回路が形成された基板１０上にＡｌＣｕ膜（下部電極膜）２１を形成し、ＡｌＣｕ膜２１上であってＡｌＣｕ膜２１の周辺領域を除く領域に、ＳｉＯＮ膜（絶縁膜）２２を形成する。 - 特許庁

The incident side slab waveguide core 103, a plurality of array waveguide cores 105 and the emission side slab waveguide core 104 comprise SiON with a refractive index of about 1.51, and moreover rare earth elements such as Er are added.例文帳に追加

入射側スラブ導波路コア１０３と、複数のアレイ導波路コア１０５と、出射側スラブ導波路コア１０４とは、屈折率が約１．５１のＳｉＯＮから構成され、かつ、Ｅｒなどの希土類元素が添加されている。 - 特許庁

To obtain a traffic control method and an ATM transmitter in ATM network in which discarded traffic data is prevented from being delivered ineffec tively during unguaranteed band UBR transmission and useless use of transmis sion band is avoided.例文帳に追加

ＡＴＭネットワークにおけるトラフィック制御方法及びＡＴＭ伝送装置に関し、帯域非保証型のＵＢＲ伝送の際に廃棄トラフィックデータが無効に送出されることを防ぎ、伝送帯域が無駄に使用されることを回避する。 - 特許庁

To provide new photoresists that are particularly useful for ion implant lithography applications and can exhibit good adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride, hafnium silicate, zirconium silicate and other inorganic surfaces.例文帳に追加

ＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。 - 特許庁

A tantalum pentoxide film is formed in two-stage constitution and a tantalum pentoxide grain having an average grain size larger than that of the grain of granular silicone is formed by lowering crystallizing heat treatment temperature to control the thickness of an interface SiON film.例文帳に追加

五酸化タンタル膜の二段階形成と、結晶化熱処理温度の低温化によって粒状シリコン結晶粒の平均粒径よりも大きい五酸化タンタル結晶粒を形成することと、界面ＳｉＯＮ膜厚制御を行う。 - 特許庁

Next, an SiON film 7 is made at the sidewall of the SOI layer 3 by nitriding oxidation treatment, and then element isolation is performed by STI method, and lastly an oxide film 10 and an electrode 10 are made to complete a MOSFET.例文帳に追加

つぎに、窒化酸化処理によりＳＯＩ層３の側壁面にＳｉＯＮ膜７を形成し、その後、ＳＴＩ法で素子分離を行って、最後に酸化膜９及び電極１０を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。 - 特許庁

To provide photoresists having excellent adhesiveness to SiON and other inorganic surface layers and suitable for short wavelength imaging, including sub-300 nm or sub-200 nm.例文帳に追加

ＳｉＯＮおよび他の無機表面層に対して著しい接着性を示すことができる３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含む短波長イメージングに適した新規フォトレジストの提供。 - 特許庁

To overcome the problem that reduction of data transmission capabil ity or the like is caused to degrade the performance of the Internet because data processing is delayed according as a packet passes the same data transmis sion route reaching an objective mode, due to fixed data in a routing table.例文帳に追加

ルーティングテーブルのデータが固定されているためパケットが目的ノードに至る間同一のデータ伝送経路を経るに従いデータ処理が遅延し、データ伝送能力減少等を招きインターネットの性能を低下させる。 - 特許庁

The total film thickness of the SiO film 4 and the SiN film 5 being the insulation films formed on the surface of the dispersed resistance layer 7 of the n-type silicon single crystal region 2 is thinner than the film thickness of the SiON film 3 of the insulation film of the rear surface.例文帳に追加

ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 - 特許庁

Then, SiH_4 gas, N_2O gas and He gas is supplied through a shower head part 40 connected to a high frequency power source R to each chamber 4 in which an Si wafer W is housed so that a reflection preventive film constituted of an SiON film can be formed.例文帳に追加

ＳｉウェハＷが収容された各チャンバ４には、高周波電源Ｒに接続されたシャワーヘッド部４０を通してＳｉＨ_4ガス、Ｎ_2Ｏガス及びＨｅガスが供給され、ＳｉＯＮ膜から成る反射防止膜が成膜される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that includes an Ni-FUSI/SiON or High-k gate insulating film structure that is easily manufactured and a CMIS having a low threshold voltage Vth, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

製造が容易なＮｉ−ＦＵＳＩ／ＳｉＯＮあるいはＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜構造および低いしきい値電圧Ｖｔｈを有するＣＭＩＳを備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。 - 特許庁

To obtain a new cytochrome c oxidase complex and genetic material useful for preparing the complex, such as a recombinant polypeptide contained in the cytochrome c oxidase complex, a recombinant DNA fragment, an expres sion vector or a recombinant organism.例文帳に追加

本発明は、新規チトクロームcオキシダーゼ複合体、チトクロームcオキシダーゼ複合体に含まれる組換え型ポリペプチド、組換え型DNA断片、発現ベクター、組換え型生物等のような、上記複合体の調製に有用な遺伝学的材料を目的とする。 - 特許庁

To reduce a deformation amount of a body at the time of side colli sion, and to provide safety for an occupant, by reinforcing structural rigidity for a sill part of the body via a reinforcing member.例文帳に追加

車体のシルサイド部に対する構造的な剛性を補強部材を介して強化させることによって、側面衝突の際、車体の変形量を減らすとともに、搭乗客の安全を図るようにした自動車のシルサイド部補強構造を提供する。 - 特許庁

In addition, at least one of the first insulating film 16 and the passivation film 34 is a film mainly composed of SiON, a film mainly composed of Sin, or a laminated film of these, and the interlayer dielectrics 19, 23, 27 are films of low dielectric constant.例文帳に追加

そして、前記第１の絶縁膜１６、パッシベーション膜３４の少なくとも一方はＳｉＯＮを主とする膜、若しくはＳｉＮを主とする膜、又はこれらの積層膜であり、前記層間絶縁膜１９、２３、２７は低誘電率膜である。 - 特許庁

The method includes a step of, flowing a plurality of reaction gases consisting of SiH4, N2, NH3 and N2O in identical point of time without the bypass of SiH4 gas, and a step of carrying out a vapor deposition of a PE-SiON film material by turning on the HF-RF power in the chamber.例文帳に追加

ＳｉＨ_4ガスのバイパスなしにＳｉＨ_4、Ｎ_2、ＮＨ_3、Ｎ_2Ｏの複数の反応ガスを同一時点でチャンバ内にフローさせる段階と、前記チャンバにＨＦ−ＲＦパワーをターンオンさせてＰＥ−ＳｉＯＮ膜質蒸着をなす段階と、を含む。 - 特許庁

To provide an unsaturated polyester resin composition which maintains the excellent characteristics, such as dimensional accuracy, mechanical strength, moldability, heat resistance, and flame retardancy, of conventional unsaturated polyester molding materials and has high sliding characteristics and high abra sion resistance.例文帳に追加

従来の不飽和ポリエステル成形材料が有する寸法精度，機械的強度，成形性，耐熱性，難燃性等の優れた特性を保持したまま、高度の摺動特性及び耐摩耗性を有する不飽和ポリエステル樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

Preferred polymers of the invention are terpolymers and tetrapolymers that can exhibit good adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON and Si_3N_4 surfaces and contain repeat units with pendant moieties having hetero-atom substituent.例文帳に追加

本発明の好ましいポリマーは、下層無機表面、ＳｉＯＮおよびＳｉ_３Ｎ_４表面などに対して良好な付着性を示すことができ、ヘテロ原子置換基を有するペンダント部分を有する繰り返し単位を含むターポリマーおよびテトラポリマーである。 - 特許庁

To obtain an elastic block, which provides excellent safety by preventing the warping of an elastic body and in which not only workability and an article assortment are improved but also a deformation due to an abra sion and a color change due to an exposure for a prolonged term even by a user for the prolonged term are inhibited.例文帳に追加

弾性体の反りを防止して優れた安全性を提供でき、施工性、品揃え性に優れるのはもちろんのこと、長期間の使用によっても、磨耗による変形や、長期暴露による変色が抑制できる弾性ブロックを得る。 - 特許庁

To switch lines so as not to cause data omission by making the phases and frequencies of modulation data coincide with each other about data transmis sion which transmits the same modulation data through different lines and switches the lines to make it possible to receive the modulation data when a line fails.例文帳に追加

同一の変調データを異なる回線を介して伝送し、回線障害時に回線を切替えて変調データの受信を可能とするデータ伝送に関し、変調データの位相及び周波数を一致させてデータの欠落が生じないように切替える。 - 特許庁

To provide a rotatively driven shaft driving device devised to transmit rotating power of an electric motor to a driven shaft through a gear transmis sion means, rotating shafts, a worm gear and a worm wheel capable of making itself compact and reducing the number of parts, preventing occurrence of a gear locked state.例文帳に追加

電動モータの回転動力を、ギヤ伝動手段、回転軸、ウォームギヤおよびウォームホイールを介して回動軸に伝達するようにした回動軸駆動装置において、コンパクト化および部品点数の低減を可能とした上で、ギヤロック状態の発生を防止する。 - 特許庁

An electrode substrate 2 comprises a recess forming film 12 where an SiN film 13, an SiO2 film 14, an SiON film 15 and a phosphorus doped P-Si film 16 are deposited sequentially on a basic material 11 from the low etching rate side and a recess 17 having an inclining face 17a is made therein.例文帳に追加

電極基板２は、基材１１上にエッチレイトの低い側からＳｉＮ膜１３、ＳｉＯ_2膜１４、ＳｉＯＮ膜１５及びリンドープＰ−Ｓｉ膜１６を順次積層した凹部形成膜１２を設けて、傾斜面１７ａを有する凹部１７を形成した。 - 特許庁

To provide an information transmission device which can easily and securely confirm the transmission reservation state of an information transmis sion channel and its transmission reservation, with respect to an information transmission device which transmits information by using multiple information transmission channels.例文帳に追加

複数の情報送信経路を用いて情報送信を行うことが可能な情報送信装置において、情報送信経路の送信予約状況や自己の送信予約を、容易かつ確実に確認することが可能な情報送信装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose wiring capacitance can be reduced effectively, by excluding a stopper film of an SiON film, and by forming its wiring layer in a portion separated, e.g. by 20 nm or more, from its lower-layer insulation film having a high dielectric constant.例文帳に追加

ＳｉＯＮなどのストッパー膜を使用しない構造であって、しかも、例えば、下層の比誘電率の高い絶縁膜から20ｎｍ以上、離れた部分に配線層を構成することにより、配線間容量低減を有効に達成できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor drives a functional device wherein an outer layer is protected by a film containing at least one of SiN_x, SiON, SiO_x, SiOC, or SiC_x, and it is provided with a channel layer formed of an amorphous oxide film having a main constituent element of In-M-Zn-O.例文帳に追加

外層をＳｉＮ_x、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_x、ＳｉＯＣ又はＳｉＣ_xの少なくとも１つを含む膜で保護された機能デバイスを駆動するための薄膜トランジスタであって、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏを主たる構成元素とする非晶質酸化物膜のチャネル層を持つ。 - 特許庁

A fourth insulating film 22 is flattened and provided below a filter 23 of each color, and between the filter 23 and fourth insulating film 22, neither an antireflective SiON film nor a plasma SiN film 25 for passivation and hydrogen sintering is left and provided, as is the conventional case.例文帳に追加

各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 - 特許庁

To provide the evaluating method for an optical fiber fixing member which can measure the array state of optical fiber engagement grooves with high precision and an evaluating method for molding which easily measure the array state of engagement groove forming projection parts with high preci sion.例文帳に追加

複数本の光ファイバ係合溝の配列状態を高い精度の下に測定することが容易な光ファイバ固定用部材の評価方法及び複数個の係合溝形成用凸部の配列状態を高い精度の下に測定することが容易な成型の評価方法を提供する。 - 特許庁

The organic light-emitting element, and its manufacturing method, contains a substrate, a barrier layer, a first electrode, a second electrode, and an organic film intercalated between the first and the second electrodes, with the barrier layer containing a laminated structure of an SiO inorganic film and an SiON inorganic film.例文帳に追加

基板と、バリア層と、第１電極と、第２電極と、第１電極及び第２電極間に介在された有機膜とを含む有機発光素子において、バリア層がＳｉＯ無機膜及びＳｉＯＮ無機膜の積層構造を含む有機発光素子及びその製造方法である。 - 特許庁

Layers 602, 606, 610 of SiON as a Fresnel lens material are deposited by a known method and the chemical composition for depositing material is selectively altered to form middle etching stopping layers 604, 608 at appropriate positions.例文帳に追加

本発明の一態様による製作方法では、公知の方法でフレネルレンズ材であるＳｉＯＮ層６０２，６０６，６１０をそれぞれ堆積した後、堆積された材料の化学組成を選択的に変化させることにより、中間エッチング停止層６０４，６０８が適当な位置に形成される。 - 特許庁

To provide new photoresists suitable for short wavelength imaging, including ≤300nm and ≤200nm such as 193 nm and 157nm and exhibiting significant adhesion to SiON and other inorganic surface layers and to provide micro electric device substrates coated with the compositions.例文帳に追加

３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍおよび１５７ｎｍをはじめとする短波長イメージングに好適でＳｉＯＮおよび他の無機表面層に対して顕著な接着性を示す新規フォトレジスト及びこの組成物をコーティングしたマイクロエレクトリックデバイス基体。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of mixing hydrogen gas with the HMDS and reactant gas consisting of gas containing nitrogen atom gas and/or gas containing oxygen atom gas; and varying the carbon contents of the silicon film (SiN film, SiO_2 film, and SiON film) by changing the mixing ratio of the reactant gas and the hydrogen gas.例文帳に追加

ＨＭＤＳと窒素原子含有ガス及び／又は酸素原子含有ガスとから成る反応ガスに水素ガスを混合し、反応ガスと水素ガスとの混合比を変化させることにより、シリコン系膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＯＮ膜）の炭素含有量を変化させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device (high-performance MOS type semiconductor device, for example) structure having favorable electrical characteristics using an SiO_2 film and an SiON film as an insulation film having an extremely thin film thickness and using polysilicon, amorphous silicon, and SiGe as an electrode.例文帳に追加

極めて薄い膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a road surface situation grasping system capable of conducting road surface information measurements at a plurality of points on a road surface and a plurality of sky information measurements at a depres sion angle equivalent to an elevation angle when measuring road surface informa tion at a plurality of points without using a high precision rotary base.例文帳に追加

高精度の回転台を使用することなく、路面における複数点の路面情報計測及びその複数点の路面情報計測時の仰角に相当する俯角での複数の天空情報計測を可能とする路面状況把握システムを提供する。 - 特許庁

To provide an optical transmission system of a wavelength division multiplex system in which gain fluctuation by the change of the number of channels of input WDM (wavelength division multiplexing) signal light to an optical direct amplification stage is reduced and the deterioration of a transmis sion characteristic due to the fluctuation of the gain of residual WDM signal light is suppressed.例文帳に追加

光直接増幅段への入力ＷＤＭ信号光のチャンネル数変化による利得変動を低減し、残留ＷＤＭ信号光の利得変動による伝送特性劣化を抑制する波長分割多重方式の光伝送システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of construction work using very simple working processes reducing the labor required of the special technique by clamping a commercially available single pipe and its component mainly for resource and labor savings, by means of cutting a 48.6-Φ pipe to measure design dimen sion.例文帳に追加

本工事方法は省資源、省力化のために市販の単管パイプ及びその部品を主とし、設計寸法に合せた48.6Φパイプを切断し、クランプ止めをするという特別な専門技術を省力化する極めて単純な作業工程による工事方法であります。 - 特許庁

A process is provided for selectively etching a SiN film or a CVD-deposited SiON film with respect to a SiO_2 film, a Si substrate, or a Si film at the azeotropic temperature of an etching solution, which is a mixed solution of H_2SO_4 and H_2O having an azeotropic point of 150°C or higher.例文帳に追加

共沸点が１５０℃以上のＨ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液をエッチング液として用い、共沸点温度で、ＳｉＮ膜またはＣＶＤ法で作製されたＳｉＯＮ膜を、ＳｉＯ_2膜、Ｓｉ基板またＳｉ膜に対して選択的にエッチングする工程を有する。 - 特許庁

An insulating protective layer 16 of a thermal head substrate 11 containing at least one of the group consisting of, SiN, SiC, SiO2, Ta2O5, Si3N4, SiON, CrO, AlN, SiAlON and diamond is formed up to a region facing a metallic heat dissipation plate 19.例文帳に追加

サーマルヘッド基板１１の、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ダイヤモンドからなる群のうちの少なくとも一つを含んで構成された絶縁性保護層１６を、金属製放熱板１９と対向する領域にまで形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device structure (such as a high performance MOS semiconductor device) having excellent electric characteristics using an SiO_2 film and an SiON film having extremely thin (such as 2.5 nm or less) film thickness as an insulating film, and using polysilicon, amorphous silicon, and SiGe as an electrode.例文帳に追加

極めて薄い（例えば２．５ｎｍ以下）膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

When receiving the search event through a filter F, a mobile terminal 43 of an information provider 41 informs an SION manager device 21 of a first network number of the mobile terminal 42 acquired from the event and a second network number of the mobile terminal 43 of the information provider 41.例文帳に追加

情報提供者４１の移動端末装置４３が、フィルタＦを介してその探索イベントを受信すると、イベントから取得した移動端末装置４２の第１のネットワーク番号および該情報提供者４１の移動端末装置４３の第２のネットワーク番号をＳＩＯＮ運営者装置２１に通知する。 - 特許庁

To inexpensively produce a metal fitting-rubber integrated composite product excellent in adhesion characteristics such as the adhesiveness or adhe sion durability of an aluminum metal fitting and rubber by integrally bonding rubber to the aluminum metal fitting comprising aluminum or an aluminum alloy under vulcanization without generating a problem of environmental pollu tion or the like.例文帳に追加

アルミニウム若しくはアルミニウム合金からなるアルミ金具にゴムを一体的に加硫接着せしめてなる複合製品にして、アルミ金具とゴムとの接着性や接着耐久性等の接着特性に優れる金具−ゴム一体複合製品を、環境汚染の問題等を生じることなしに、安価に製造すること。 - 特許庁

As an insulated layer of a solder bump 5 and an organic insulating film 2, one of SiO_2, SiN and SiON is used as an inorganic based insulating film 3 to form a mask for patterning on the inorganic based insulating film 3, metal films as a composition of a solder are deposited from thereon, respectively, and this mask is removed to form a bump precursor.例文帳に追加

はんだバンプ５と有機絶縁膜２の分離層として、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、およびＳｉＯＮの１つを無機系絶縁膜３として用い、無機系絶縁膜３に、パターニングするマスクを形成し、その上からはんだの組成となる金属膜をそれぞれ蒸着し、このマスクを除去してバンプ前駆体を形成する。 - 特許庁

A metal oxide such as SiO_x and Al_2O_3 or a nitride such as SiON and Si_3N_4 with a thickness of about 100 nm to about 1 μm are directly formed at an end of a first electrode 105, and the entire organic EL display is configured to be sealed by a sealing glass 112 via this inorganic film layer 113.例文帳に追加

第１電極１０５の端部に、ＳｉＯ_ｘやＡｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物またはＳｉＯＮやＳｉ_３Ｎ_４などの窒化物を厚さ１００ｎｍ〜１μｍ程度、幅１〜４ｍｍ程度で直接形成し、この無機膜層１１３を介して封止ガラス１１２により有機ＥＬディスプレイ全体を封止するようにした。 - 特許庁