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「Protection film」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索
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Protection filmの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2576



例文

To improve adhesiveness of an insulating protection film and a metal layer, and improve reliability of an element.例文帳に追加

絶縁性保護膜と金属層との密着性を向上させて、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The scar treatment silicone dressing is used for attaching onto a wound of the skin and comprises a silicone layer, a surface layer, a connection layer, and a protection film.例文帳に追加

皮膚の傷口に貼って使用し、シリコン層と、表面層と、接合層と、保護膜と、からなる。 - 特許庁

The small-sized substrates 2 are covered with a protection film 6 until before the organic EL display elements are formed.例文帳に追加

また、有機EL素子を形成するまでの間、小型基板2については保護フィルム6で覆っておく。 - 特許庁

The electrode member 16 is located on the pad 12 to fit to the shape of the opening of protection film 14.例文帳に追加

電極部材16は保護膜14の開口部形状に応じてパッド12上に設けられている。 - 特許庁

例文

To lower the drive voltage of a plasma information display element and produce a protection film excellent in the anti-sputtering performance.例文帳に追加

プラズマ情報表示素子の駆動電圧を下げると共に、耐スパッタリング性能に優れた保護膜を得る。 - 特許庁


例文

To provide a wafer dicing method making the peeling property of a protection film after machining a wafer good.例文帳に追加

ウエハを加工した後の保護フィルムの剥離性を良好とするウエハのダイシング方法を提供する。 - 特許庁

A protection coating film 33 comprising an oxide is formed also in the detected metal-exposed part 31.例文帳に追加

また、検出された金属露出部31に酸化物からなる保護被膜33を形成した構成とする。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING PROTECTION FILM AT OUTER PERIPHERAL PART OF SEMICONDUCTOR WAFER, ITS DEVICE, AND ROTARY FIXTURE FOR ETCHING例文帳に追加

半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法およびその装置ならびにエッチング用回転治具 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER PROTECTING METHOD, AND ADHESIVE FILM FOR PROTECTING THE SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE USED FOR THE PROTECTION METHOD例文帳に追加

半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム - 特許庁

例文

The alumina protection film 21 is formed by coating inner wall with alumina by means of plasma sputtering.例文帳に追加

アルミナ保護膜21はプラズマ溶射により内側壁を覆うようにアルミナを被着させて形成されている。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing the dual damascene wiring of a semiconductor element using a via capping protection film.例文帳に追加

ビアキャッピング保護膜を使用する半導体素子のデュアルダマシン配線の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the protection film 114 coated with the polyurethane adhesive is baked by a baking device 226.例文帳に追加

その後、焼成装置226によりポリウレタン接着剤が塗布された保護フィルム114を焼成する。 - 特許庁

The near-infrared absorbing dyestuff can be contained, for example, in the protection film constituting the polarizing plate.例文帳に追加

近赤外線吸収色素は、例えば、偏光板を構成する保護フィルムに含有させることができる。 - 特許庁

SOLVENT FOR REMOVING RESIST PROTECTION FILM USED IN IMMERSION EXPOSURE PROCESS, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤およびこれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁

SOLVENT FOR REMOVING LIQUID IMMERSION EXPOSURE PROCESS-USE RESIST PROTECTION FILM AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN BY USING THE SAME例文帳に追加

液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤およびこれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁

On the electrolyte film 1 having protection films 3a, 3b which can be peeled off from an electrolyte film 1, a recess pattern 8 is formed on electrolyte 2 side face of the protection films 3a, 3b, and a concave pattern 8 of the protection films 3a, 3b is transferred on the electrolyte film 2.例文帳に追加

本発明は、電解質膜2に剥離可能に保護フィルム3a,3bを有する保護フィルム付き電解質膜1において、保護フィルム3a,3bは、電解質膜2側の面に凸パターン8が形成されており、電解質膜2は、保護フィルム3a,3bの凹パターン8が転写されていることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL element part 1000 is covered with a protection layer 113 containing an SiNxOy film.例文帳に追加

有機EL素子部1000はSiNxOy膜を含む保護層113によって覆われている。 - 特許庁

The top surface of the bored substrate 10 is covered with an insulating protection film 12 as shown in Fig. 1 (b).例文帳に追加

図1(b)に示すように、孔開き基板10の表面を絶縁性の保護薄膜12で覆う。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OPTICAL LOGGING PROTECTION FILM CAPABLE OF DC SPUTTERING AND LOW IN ABNORMAL DISCHARGE例文帳に追加

直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

This way, the regular nitrifying can passivate (cover for protection) the FSG film deeper than the depth of a bias.例文帳に追加

こうして本窒化処理は、FSG薄膜をバイア深さよりも深くパッシベート(保護被覆)することができる。 - 特許庁

With a protection film 18 at a lower-surface side as a mask, the silicon wafer 1 is etched, and a pit 19 is formed.例文帳に追加

次に、下面側の保護膜18をマスクとしてシリコンウエハ1をエッチングし、ピット19を形成する。 - 特許庁

The optical element 10 is constituted of a polarizing plate 7, a protection layer 3, the optical compensation film 8 and a glass pane 6.例文帳に追加

光学素子10は、偏光板7と、保護層3と、光学補償フィルム8と、ガラス板6とからなる。 - 特許庁

Thus, the secondary electron emission characteristics, luminance, efficiency, and long-term reliability of the protection film 8 can be improved.例文帳に追加

これにより保護膜8中の二次電子放出特性、輝度、効率、長期信頼性の向上を図る。 - 特許庁

The polarizer protection film has a nylon-based resin layer on one surface of an (meth)acrylic resin layer.例文帳に追加

本発明にかかる偏光子保護フィルムは、(メタ)アクリル系樹脂層の片面にナイロン系樹脂層を有する。 - 特許庁

An impurity ion is ion implanted into a surface layer of a pad electrode 9a exposed on a protection film 11.例文帳に追加

保護膜11から露出したパッド電極9aの表面層に不純物イオンをイオン注入する。 - 特許庁

The polarizer protection film has a (meta-)acrylic resin layer on one of the surfaces of a polyester resin layer.例文帳に追加

本発明の偏光子保護フィルムは、ポリエステル系樹脂層の片面に(メタ)アクリル系樹脂層を有する。 - 特許庁

After a carbon nanotube forming a channel is arranged on the silicon substrate, the carbon nanotube is coated with a protection film.例文帳に追加

次いで、シリコン基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。 - 特許庁

The polarizer protection film has a nylon type resin layer on one surface of the polyester resin layer.例文帳に追加

本発明にかかる偏光子保護フィルムは、ポリエステル系樹脂層の片面にナイロン系樹脂層を有する。 - 特許庁

The protection film is formed by a mixed material of magnesium oxide and rare-earth elements.例文帳に追加

本発明では、保護膜を、酸化マグネシウムと希土類元素の混合材料から構成することもできる。 - 特許庁

The diode is used in an electrostatic discharge protection circuit using a TFT(thin film transistor) manufacturing technology.例文帳に追加

TFT(薄膜トランジスタ)製造技術を用いた静電気放電保護回路において使用されるダイオード。 - 特許庁

The polarizer comprises the polarizer protection film laminated on at least one surface of a polarizer.例文帳に追加

および上記偏光子保護フィルムが偏光子の少なくとも片面に貼り合わされてなる偏光板。 - 特許庁

The printing portion 9a and the protection portion 9b are made of synthetic resin, and formed of the same film.例文帳に追加

印字部位9aと保護部位9bとは、合成樹脂製であって同一の被膜から形成されている。 - 特許庁

The blend ratio of A and B of the film for protection is 90-60:10-40 by a weight standard.例文帳に追加

AとBの混合比率が、重量基準で、A:B=90〜60:10〜40である上記保護用フィルム。 - 特許庁

Then it is characterized in that the cut angle θ is 126 to 150°and the normalized film thickness Hz/λ of the insulation protection film (wherein Hz is an average thickness of the insulation protection film, and λ is a wavelength of the surface acoustic traversal wave) is 0.02 to 0.4.例文帳に追加

そして、カット角θが、126〜150°であり、絶縁保護膜の規格化膜厚Hz/λ(Hzは絶縁保護膜の平均厚さを示し、λは横波型弾性表面波の波長を示す。)が、0.02〜0.4であることを特徴とする。 - 特許庁

A first protection insulating film 12 is formed on the lines 11B for contact and the fourth interlayer insulating film 10, and a first opening 12a for exposing the respective lines 11B for contact is formed in the first protection insulating film 12.例文帳に追加

各コンタクト用配線11Bの上及び第4層間絶縁膜10の上に第1保護絶縁膜12が形成されており、第1保護絶縁膜12には、各コンタクト用配線11Bを露出させる第1開口部12aが形成されている。 - 特許庁

A protective film forming device 100 has a resin discharge head 126 discharging protection film resin to the protection film forming area of a semiconductor chip and a head control part 123 for controlling the operation of the resin discharge head.例文帳に追加

半導体チップの保護膜形成領域に対して保護膜用樹脂を吐出させる樹脂吐出用ヘッド126と、この樹脂吐出用ヘッドの動作を制御するヘッド制御部123と、を有することで保護膜形成装置100を構成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises a polishing step of polishing peripheral edges of a semiconductor substrate 1 and a protection film formation step of forming a protection film 9, that is an insulating film 6, over the surface of the semiconductor substrate 1 including a surface 8 exposed by the polishing step.例文帳に追加

半導体基板1の周縁部を研削する研削工程と、研削工程により露出した表面8を含む前記半導体基板1の表面に、絶縁膜6である保護膜9を形成する保護膜形成工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a surface protection film which inhibits generation of adhesion marks of protection films on coating surfaces, even in an outdoor environment, and exerts a good protection property on the applied surface and a high release property allowing no paste remnants which become pollutants.例文帳に追加

屋外環境の中にあっても、塗装表面に保護フィルムの接着跡が発生せず、塗装面の保護性と、汚染物質となる糊残りのない剥離性に優れる表面保護フィルムのを提供すること。 - 特許庁

The self-sealing protection layer 13 forms a closed film and the corrosion protection foil 12 and/or protection layer 13 comprise hydrophobically acting components in order to prevent moisture from penetrating to the blank surface 11.1 to be protected.例文帳に追加

セルフシール保護層13は、閉鎖膜を形成し、腐食保護箔12および/またはセルフシール保護層13は、保護されるブランク表面11.1に水分が浸透するのを防ぐための疎水性の作用成分を含む。 - 特許庁

To attain a self-protection mechanism by a fuse without increasing the size of a film capacitor to enhance durability and reliability of the film capacitor.例文帳に追加

フィルムコンデンサのサイズを増大させることなく、ヒューズによる自己保安機構を実現し、フィルムコンデンサの耐久性と信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a coated film suitable for surface protection, the film particularly excellent in processability and achieving printing adaptability and stamping adaptability as well as antifouling property.例文帳に追加

表面保護に適した塗布フィルム、特に加工性に優れ、印字適正や捺印適正と防汚性を両立させた塗布フィルムに関する。 - 特許庁

To secure a required film thickness as reliably as possible when a protection film is formed at a connection portion of an electric wire and a terminal.例文帳に追加

電線と端子との接続部分に保護膜を形成する際に、必要膜厚をなるべく確実に確保できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

After that, the insulating film 22 for injection protection is removed, the conductive film 15 is subjected to patterning, and a gate electrode 21 of a logic element is formed.例文帳に追加

その後、注入保護用の絶縁膜22を除去してから、導体膜15をパターニングして、ロジック素子のゲート電極21を形成する。 - 特許庁

Meanwhile, in a high-area region AreaH, a lower insulating film 102 and the second protection insulating film 104 are formed on the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

一方、高面積領域AreaHには、半導体基板101上に下地絶縁膜102及び第2の保護絶縁膜104を形成する。 - 特許庁

Similarly, a CD-RW substrate formed by the disk forming device 6 is reloaded to the protection film coating device 5 after being passed a recording layer film forming device 7.例文帳に追加

同様に、ディスク成形装置6でできたCD−RW基板は、記録層成膜装置7を経て保護層塗布装置5に移載される。 - 特許庁

After the mask is removed, an NdBa2Cu3O7-y film is formed on the insulating protection film 12 by a sputtering method as a second superconductor.例文帳に追加

次に、マスクを除去した後、スパッタ法により、絶縁保護膜12上に第2の超電導体膜として、NdBa_2 Cu_3 O_7-y 膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent a deterioration in film quality of an underbump metal film even if a chip protection material is formed, and its manufacturing method.例文帳に追加

チップ保護材を形成してもアンダーバンプメタル膜の膜質の劣化を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A heating resistor section 31, an interbedded insulation film 36, a metallic pattern layer 38 and a surface protection film 41 are formed on an Si substrate in the above order.例文帳に追加

Si基板上に発熱抵抗体部31、層間絶縁膜36、金属配線層38、表面保護膜41をこの順で形成する。 - 特許庁

The composition of this invention can be used, for example, to form a protection film and/or a compensation film for a polarizer.例文帳に追加

本発明の組成物は、例えば偏光板において使用するための保護フィルムおよび/または補償フィルムを形成するために使用できる。 - 特許庁

例文

A protection film 60 is formed of porcelain enamel which is a glass film coating, and coated on the surface of the outer package can 10 including an opening edge.例文帳に追加

保護膜60は、ガラス膜被覆である琺瑯で構成されており、開口端縁を含む外装缶10の表面にコーティングされている。 - 特許庁




  
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