「Protection film」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The transparent coloring article is produced by successively forming an interference multilayer film 14, a light absorption thin film 16 and a protection thin film 18 in contact with each other on a rear surface of a transparent base material 12.例文帳に追加

透明基材１２の裏面に、干渉多層膜１４、光吸収薄膜１６及び保護薄膜１８を、順次接して形成した透明着色品。 - 特許庁

Then, after a protection film spacer 32a is formed on both side walls of the inter-layer dielectric film pattern and the mask pattern, a conductive film for a pad 34 is formed to bury the contact hole.例文帳に追加

以後、層間絶縁膜パターン及びマスクパターンの両側壁に保護膜スペーサ３２ａを形成した後、コンタクトホールに埋め込むようにパッド用導電膜３４を形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, three layers of a gate insulating film, an oxide semiconductor layer, and a channel protection film are continuously film-deposited by a sputtering method out of contact with the atmosphere.例文帳に追加

課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。 - 特許庁

To provide a polyester film for a solar cell back surface protection film for a thin film silicon solar cell, which has superior durability under high temperature and high humidity, and in the presence of light irradiation.例文帳に追加

薄膜シリコン太陽電池において高温高湿度下および、光照射下での耐久性に優れた太陽電池裏面保護膜用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

A second insulation film 9, a semiconductor substrate 1, a first insulation film 2, and a passivation film 4 are sequentially etched and removed by using a resist layer and a protection layer 20 as a mask.例文帳に追加

レジスト層や保護層２０をマスクとして第２の絶縁膜９，半導体基板１，第１の絶縁膜２，及びパッシベーション膜４を順にエッチングして除去する。 - 特許庁

To obtain a thermoplastic saturated norbornene-based resin film, optical film, polarizer protection film, retardation plate and polarizing plate that are hardly damaged and yet have high optical properties.例文帳に追加

傷がつきにくく、しかも高い光学特性を有する熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂フィルム、光学フィルム、偏光子保護フィルム、位相差板及び偏光板を提供する。 - 特許庁

To provide a dicing film with a protection film which shortens a down time, and can stick a dicing film onto a semiconductor wafer without positional deviation.例文帳に追加

ダウンタイムを短縮するとともに、ダイシングフィルムを半導体ウェハに位置ズレを起こすことなく貼り付けることを可能とする保護フィルム付きダイシングフィルムを提供すること。 - 特許庁

The silicon oxide film 3a has a function as a protection film for blocking the reaction of Hf contained in the HfSiO film 2a and the silicon contained in the gate electrode 5a.例文帳に追加

シリコン酸化膜３ａは、ＨｆＳｉＯ膜２ａが含有するＨｆとゲート電極５ａが含有するシリコンとの反応を阻止する保護膜としての機能を有している。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a protection film 10, a first insulating film 11, and a second insulating film 12 are formed in the order on an SiO_2 layer 4 provided with the lower-layer wiring 9 on the top surface side.例文帳に追加

表面側に下層配線９が設けられたＳｉＯ_2層４上に、保護膜１０と第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２とを順次形成する。 - 特許庁

To provide a lighting apparatus 11 which prevents invasion of moisture between a translucent cover 13 and the end part of a protection film 31 and can maintain a scattering prevention function of the protection film 31 in the case of breakage of the translucent cover 13.例文帳に追加

透光性カバー13と保護膜31の端部との間への水分の浸入を防止し、透光性カバー13が割れた場合の保護膜31による飛散防止機能を維持できる照明器具11を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the end face 11D of the protection film 11C is formed by an anisotropic etching using the sealing substrate 21 as a mask after forming the protection film 11C on the whole face of the driving sealing substrate 11.例文帳に追加

保護膜１１Ｃの端面１１Ｄは、保護膜１１Ｃを駆動用基板１１の全面に形成した後、封止用基板２１をマスクとした異方性エッチングによって形成することが好ましい。 - 特許庁

Thus, a problem that a hole is made in the insulation protection film of a wiring arrangement except the bonding pad is solved in the etching process for opening the bonding pad is solved, and a defect of the insulation protection film is prevented.例文帳に追加

これにより、ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程においてボンディングパッド上以外の配線配置部絶縁保護膜に穴が開く問題を解決し、絶縁保護膜の欠損を防止する。 - 特許庁

To provide a film for surface protection in which fish eyes are very few, transparency is excellent, and which is made of a propylene resin suitable as a film for surface protection improved under the control of an exfoliation force and sending-out performance.例文帳に追加

フィッシュアイが非常に少なく、透明性に優れ、剥離力の制御と繰り出し性能が改良された表面保護用のフィルムとして好適なプロピレン系樹脂製の表面保護用フィルムの提供。 - 特許庁

The tape exposed by peeling the support plate is used as a protection film, a hole is formed on the protection film to form an electrode for external connection to be connected to the wiring pattern exposed by opening.例文帳に追加

支持板を剥離することにより露出したテープを、保護膜として用い、かつ、この保護膜に穴を空け、開口により露出した配線パターンと接続される外部接続用電極を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing cracking of a protection film in a portion for covering an electrode caused by a compression stress onto the protection film from a solder when the solder is solidified.例文帳に追加

半田凝固時の半田から保護膜への圧縮応力により電極を覆う部分の保護膜が割れることを低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes a process of forming the etching protection film 15 having an insulating layer and an opening by exposure and development to a photoresist layer 10, forming the slit 6, and peeling the etching protection film.例文帳に追加

フォトレジスト層１０への露光、現像により、絶縁層及び開口部を有するエッチング保護膜１５を形成する、スリット６を形成する、エッチング保護膜を剥離する、工程を具備する。 - 特許庁

In the resistor element 1 in which a resistor 5 is covered with a glass protection film 6 and exposed to an air flow in use, the protection film 6 is formed of a mixed material composed of glass and titanium oxide.例文帳に追加

抵抗体５の表面をガラス保護膜６で覆い、空気流の中に曝露して使用される抵抗体素子１であって、前記保護膜６を、ガラスと酸化チタンとの混合部材で形成する。 - 特許庁

To provide a press forming die having a protection film formed by the PVD process and having a high resistance to seizure, and a method for manufacturing a press forming die protection film.例文帳に追加

ＰＶＤ法により形成された保護膜を有するプレス成形用金型において、高い耐焼き付き性を有するプレス成形用金型及びプレス成形金型用保護膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a resist mask 8 is formed on the conductive protection film 7 by a photo-resist method, and ions are doped on the conductive protection film 7 and the upper part electrode 6 through an opening part between the resist masks 8.例文帳に追加

そして、フォトレジスト法によりレジストマスク８を導電性保護膜７上に形成し、レジストマスク８間の開口部を通じて導電性保護膜７及び上部電極６にイオンをドープする。 - 特許庁

To reduce a generation of dark spots on a protection film caused by an aging process applied to an organic EL element to which, the protection film is formed and the aging is carried out in order to stabilize a brightness property.例文帳に追加

保護膜を形成するとともに、輝度特性等の安定化のためにエージングを行う有機ＥＬ素子の製造方法において、エージングに起因する保護膜のダークスポットの発生を低減する。 - 特許庁

The materials for a polishing liquid for a metal, as the materials for preparing the polishing liquid for a metal, include an etching agent for an oxidized metal, an agent capable of forming a protection film, and an agent for assisting the dissolution of the agent capable of forming a protection film.例文帳に追加

金属用研磨液を調製するための材料として、酸化金属溶解剤と、保護膜形成剤と、該保護膜形成剤の溶解補助剤とを含む金属用研磨液材料。 - 特許庁

The resin composition for the insulation and protection film contains a curable resin material for the insulation and protection film, a phosphoric acid ester compound having ≤59 mg-KOH/g acid value and a melamine cyanurate.例文帳に追加

絶縁保護皮膜用硬化性樹脂材料と、酸価が５９ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であるリン酸エステル化合物及びメラミンシアヌレートを含むことを特徴とする絶縁保護皮膜用樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a method for selectively removing only a conductive film on the top surface of an interlayer insulating film without forming a protection insulating film in a recess after forming the conductive film, in the conductive film formed extending from a bottom and a sidewall of the recess formed at an interlayer insulating film to a top surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。 - 特許庁

Before separating the substrate 10, a protective film 40 can be formed at a third protection region 40C collectively, a first protection region 40A, a second protection region 40B, and the third protection region 40C are covered with the moisture-resistant protective film 40, thus preventing moisture from entering from the outside.例文帳に追加

基板１０の分離前に一括して第３保護領域４０Ｃに保護膜４０を形成することが可能となり、第１保護領域４０Ａ、第２保護領域４０Ｂおよび第３保護領域４０Ｃが耐湿性を有する保護膜４０で被覆され、外部からの水分の侵入を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

The light diffusion film for optics comprises a base material film, the antistatic back protection layer provided on one surface of the base material film and the antistatic surface light diffusion layer provided on the other surface of the base material film.例文帳に追加

基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けた帯電防止性背面保護層と、該基材フィルムの他の面に設けた帯電防止性表面光拡散層からなる光学用光拡散フィルム。 - 特許庁

To correct only the defect of a film which is located below upper layer films, such as a protection film and an insulating film, without damaging those upper layer films present over the film to be corrected.例文帳に追加

修正すべき膜の上層に保護膜や絶縁膜などが存在する場合にも、これら上層膜には損傷を与えず、その下層にある当該修正すべき膜の欠陥のみを修正する。 - 特許庁

Then an insulating protection film 12 is formed on the Yba2Cu3O7-x film 11, over which an Nb film is formed as a mask, and then the Yba2Cu3O7-x film 11 is ion-milled to form a V-shape groove 11a.例文帳に追加

その後、ＹＢａ_2 Ｃｕ_3 Ｏ_7-x 膜１１上に絶縁保護膜１２を形成し、その上にマスクとしてＮｂ膜を形成した後、ＹＢａ_2 Ｃｕ_3 Ｏ_7-x 膜１１をイオンミリングしてＶ字溝１１ａを形成する。 - 特許庁

Thus, by conversion of the organic material film to the oxide film in a state covered by a conductive protection film, exhibit defective level formation damage occurring in the organic material film can be controlled.例文帳に追加

このように、有機物材料膜を導電性保護膜で覆った状態で酸化物膜へ変換することにより、有機物材料膜に生じる欠陥準位形成ダメージを抑制できる。 - 特許庁

After etching and removing selectively the protection film 24 exposed to the opening 40 relatively to the plating seed film 22, a plating film to be changed into a barrier metal is formed on the plating seed film 22 exposed to the opening 40.例文帳に追加

開口部４０に露出した保護膜２４をシード膜２０に対して選択的にエッチング除去した後、開口部４０に露出したシード膜２２上にバリアメタルとなるめっき膜を形成する。 - 特許庁

An electronic component element 1 includes: a substrate 2, an ITO film 3 formed on the substrate 2; and a protection film 4 formed on the ITO film 3 to protect a surface of the ITO film 3.例文帳に追加

電子部品素子１では、基板２と、この基板２上に形成されたＩＴＯ膜３と、このＩＴＯ膜３上に形成され前記ＩＴＯ膜３の表面を保護する保護膜４とが設けられている。 - 特許庁

To prevent puncture of insulation of a dielectric film resulting in scattering of the film in the form of particles by preventing the dielectric film adhered to an adhering protection board from being electrostatically charged when the dielectric film is formed by a sputtering device.例文帳に追加

誘電体をスパッタリング装置で成膜する際に防着板１９に付着した誘電体膜が帯電し、その誘電体膜が絶縁破壊すると飛散してパーティクルとなるのを防止する。 - 特許庁

The protection film of the semiconductor wafer is formed of a cured film of a curable fluoropolyether elastomer composition, the method for protecting the semiconductor wafer surface includes a step of covering one or both surfaces of the semiconductor wafer, and the method for processing the semiconductor wafer includes a step (a) of coating one surface of the semiconductor wafer with the protection film to obtain a protection film coated semiconductor wafer.例文帳に追加

硬化性フルオロポリエーテルエラストマー組成物の硬化皮膜からなる半導体ウエハの保護膜；半導体ウエハの片面または両面を上記保護膜で被覆することを含む半導体ウエハ表面の保護方法；（ａ）半導体ウエハの片面を上記保護膜で被覆して保護膜被覆半導体ウエハを得る工程を有する半導体ウエハの加工方法。 - 特許庁

The protection film 17 comprises a water-soluble film, the protection film 17 is dissolved or swollen to bring the carrier 15 into contact with an aqueous solution of a detected object, when the aqueous solution of the detected object contacts with the protection film 17, and the detection agent in the carrier 15 reacts with the detected object to be discolored, when the detected object is contained in the aqueous solution.例文帳に追加

保護膜１７は水溶性フィルムで構成されているので、検出物質の水溶液が保護膜１７に接触すると、保護膜１７が溶解又は膨潤して担体１５に検出物質の水溶液が接触し、その水溶液に検出物質が含まれる場合は、担体１５中の検知剤が検出物質と反応して変色する。 - 特許庁

Also, a metal film 20 composed of copper or a copper alloy is formed on the crystallinity enhancement film 18 so as to fill the through hole 13a and wiring formation trench 15a, and an upper-side wiring layer 20 consists of the first protection conductive film 16, second protection conductive film 17, crystallinity enhancement film 18 and metal film 19.例文帳に追加

さらに、銅又は銅合金からなる金属膜２０が、結晶性向上膜１８上で且つスルーホール１３ａ及び配線形成溝１５ａを充填するように形成されており、第１の保護導電膜１６、第２の保護導電膜１７、結晶性向上膜１８及び金属膜１９により上部配線層２０が構成されている。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

An element isolation protection film 21 that is made of resist is deposited on an entire surface including an element isolation insulation film 11 and a stack cell electrode 17 on a semiconductor substrate 10, an etchback is made, and an exposed region 11a of the element isolation insulation film 11 is covered with an element isolation protection film 21.例文帳に追加

半導体基板１０上に素子分離絶縁膜１１及びスタックセル電極１７を含む全面にわたって、レジストからなる素子分離保護膜２１を堆積し、エッチバックを行なって素子分離絶縁膜１１の露出領域１１ａを素子分離保護膜２１で覆う。 - 特許庁

Accordingly, a silicon dioxide forming an underlayer protection film 3 is suppressed in its amount of the inclusion of absorbed water, and a water content is diffused, particularly, into a semiconductor film 14 under the operating temperature of a thin film transistor 1 as an impurity from the underlayer protection film 3 in order to prevent the application of an adverse effect on the operating characteristics.例文帳に追加

これによって、下地保護膜３を構成する二酸化シリコンは、吸蔵水の含有量が抑えられ、薄膜トランジスタ１の動作温度において、下地保護膜３から水分が不純物として特に半導体膜１４へ拡散して、動作特性に悪影響を与えることが防止される。 - 特許庁

The second resist 24d is treated by photo lithography, the intermediate insulation film 22d and the first resist 20d are treated by reactive ion etching, and the protection film 18d is wet-etched in order, thus forming a contact hole in the protection film 18d without exposing the thin-film metallic resistance 16 in a plasma.例文帳に追加

第２レジスト２４ｄに対するフォトリソグラフィー、中間絶縁膜２２ｄ及び第１レジスト２０ｄに対するリアクティブイオンエッチング、保護膜１８ｄに対するウエットエッチングを順次行うことにより薄膜金属抵抗１６をプラズマに晒すことなく保護膜１８ｄにコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

On a TFT array substrate 9 where the switching active element 5 and a switching active element protection film 7 are formed, a color filter film 11 is formed and then a contact part 6 is formed by processing the color filter film 11 and switching active element protection film 7 at the same time by dry etching using patterned etching resist 10.例文帳に追加

スイッチング能動素子５とスイッチング能動素子保護膜７が形成されたＴＦＴアレイ基板９上に、カラーフィルタ膜１１を形成した後、パターニングされたエッチングレジスト１０を用いて、カラーフィルタ膜１１とスイッチング能動素子保護膜７を同時にドライエッチングしコンタクト部位６を形成する。 - 特許庁

The resin film roll is obtained by winding the resin film with swells, a height of which is 5-30 μm, at the cut edges across the width and a protection film which is narrower than the resin film and laminated on at least one side of the resin film.例文帳に追加

幅方向両端部における切断部の盛り上がり量が５μｍ〜３０μｍの樹脂フィルムと、少なくともその片面側に積層した、該樹脂フィルムよりも幅が狭い保護フィルムとが巻き取られた樹脂フィルムロールとする。 - 特許庁

To provide a sticking device for a functional film such as a polarizing plate, an AR film, etc., that prevents the functional film from scratching a protection film and air from being present between the functional film and a flat panel substrate.例文帳に追加

機能性フィルムの保護フィルムへの擦り傷の発生や機能性フィルムとフラットパネル基板との間への空気の巻き込みの発生等を防止できるようにした偏光板やＡＲフィルム等の機能性フィルム貼付装置を提供する。 - 特許庁

An overlay seal 18 is formed by sticking projection portions 14f of a first protection film 14a and a second protection film 14b outside outer edge portions 12c of a first substrate 12a and a second substrate 12b together across adhesive layers 14d of the protection films 14.例文帳に追加

第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂの外縁部１２ｃより外側の第１の保護フィルム１４ａと第２の保護フィルム１４ｂにおける張出部１４ｆを保護フィルム１４の粘着層１４ｄを介して貼り合わせて重ねシール１８を形成している。 - 特許庁

The feature of the thick-film circuit board has the base material 1, the conductor layer 2 and a glass layer 3 or a protection coat.例文帳に追加

基材１と、導体層２と、ガラス層３あるいは保護被膜と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a surface protection film capable of controlling the intrusion of corrosive gas better than before.例文帳に追加

従来よりも腐食性ガスの侵入を抑制することのできる、表面保護膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a PDP that prevents contamination due to a protection film in a manufacturing process and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程での保護フィルムによる汚染を防止したＰＤＰとその製造方法を提供する。 - 特許庁