「Si transition」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In addition, the CaSi_y-based powder for manufacturing the transition metal silicide-Si composite powder and the method of manufacturing the same are provided, the CaSi_y-based powder having a Si/Ca ratio (w) of 2.0≤w≤20.0 and containing at least a Ca-silicide phase.例文帳に追加

Ｓｉ／Ｃａ比（ｗ）が２．０≦ｗ≦２０．０であり、少なくともＣａシリサイド相を含む遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末製造用ＣａＳｉ_y系粉末及びその製造方法。 - 特許庁

An anode 14 contains as an anode active material Si alloy powder containing Si, at least one kind of transition metal out of Fe, Co and Ni, and Zn as component elements.例文帳に追加

負極１４は、負極活物質として、Ｓｉと、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうちの少なくとも１種の遷移金属元素と、Ｚｎとを構成元素として含むＳｉ合金粉末を含んでいる。 - 特許庁

The Mo-Si-B alloy has additions of a transition element selected from the group consisting of iron, nickel, cobalt, copper and mixtures thereof.例文帳に追加

鉄、ニッケル、コバルト、銅およびこれらの混合物からなる群より選択された遷移元素をＭｏ−Ｓｉ−Ｂ合金に添加する。 - 特許庁

The polyimide silicone resin has ≤300 ppm content of cyclic siloxane oligomer having ≤10 Si, has ≤250°C glass transition point and is soluble in an organic solvent.例文帳に追加

ケイ素原子数10以下の環状シロキサンオリゴマーの含有量が300ppm以下であり、かつガラス転移点が250℃以下の有機溶剤に可溶なポリイミドシリコーン樹脂。 - 特許庁

An Si-based material has a brittleness-ductility transition temp. at which the state of the material is transited from a state where the material shows brittleness, to a state where the material shows ductility.例文帳に追加

Ｓｉ系材料には、脆性を呈する状態から延性を呈する状態に遷移する脆性−延性遷移温度が存在する。 - 特許庁

This method for producing propylene oxide comprises oxidizing propylene with oxygen or a peroxide using a catalyst obtained by supporting a titanium compound or the titanium compound and a transition metal compound on a high-silica zeolite having ≥500 Si/Al_2 ratio.例文帳に追加

Si/Al_2比が500以上のハイシリカゼオライトにチタン化合物またはチタン化合物と遷移金属化合物とを担持させた触媒を用いて、プロピレンを酸素又は過酸化物により酸化させるプロピレンオキシドの製造方法。 - 特許庁

In order to sustain excitation of plasma P, pressure in a vacuum chamber 22 is controlled in the processing of changing the gas flow rate when a transition is made from formation of the amorphous Si layer to formation of the microcrystalline Si layer.例文帳に追加

プラズマＰの励起を継続させるために、アモルファスＳｉ層の形成処理から微結晶Ｓｉ層の形成処理に遷移するガス流量を変更する処理において、真空チェンバー２２内の圧力が制御されている。 - 特許庁

The recording layer consists of a SbTe mother phase as the phase transition material and the Si element having no solubility in a solid in the whole range with the mother phase and is formed by sputtering.例文帳に追加

記録層はスパッタ法により、相変化材料であるＳｂＴｅの母相と、該母相に対して全域固溶性を持たないＳｉ元素とからなるものを成膜した。 - 特許庁

The dioxins decomposition catalyst is composed of a porous crystalline alumino silicate, in which at least one of a transition metal cation and proton is ion-exchanged and supported and an Si/Al atomic ratio is 5-20.例文帳に追加

このダイオキシン類分解触媒は、遷移金属カチオン又はプロトンの少なくとも一方をイオン交換担持した、Ｓｉ/Ａｌ原子比５〜２０の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩からなる。 - 特許庁

The element is preferably at least one kind selected from a group consisting of silicon (Si), aluminum (Al), phosphorus (P), sulfur (S), alkali metals, alkaline earth metals, transition metals and halogens.例文帳に追加

異種元素としては、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、遷移金属元素及びハロゲン元素からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。 - 特許庁

Accordingly, when a bending moment is applied to a part heated to a temp. equal to or higher than the transition temp., of the Si-based material, crystal lattice interstitial slip or slip among crystal grains in the heated part is caused to deform the material.例文帳に追加

従って、遷移温度以上に加熱した加熱部に曲げモーメントを作用させると、加熱部において格子間あるいは結晶粒間にすべりが生じ、Ｓｉ系材料は変形する。 - 特許庁

Transition metal particles 23 controlled in size are deposited on an Si substrate 21 having a silicon oxide film 22 on its surface, then this substrate is immersed in an organic liquid, and heated at a synthesis temperature of the carbon nanotubes.例文帳に追加

表面に酸化ケイ素膜２２を有するＳｉ基板２１上に、サイズの制御された遷移金属微粒子２３を堆積し、この基板を有機液体中に浸し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱する。 - 特許庁

To restrain even the deterioration in exhaust emission, while securing combustion stability in transition, when switching an operation mode of an engine 1 between a self-ignition mode (HCCI combustion) and a spark ignition mode (SI combustion).例文帳に追加

エンジン１の運転モードを自己着火モード（ＨＣＣＩ燃焼）と火花点火モード（ＳＩ燃焼）との間で切換える際に過渡時の燃焼安定性を確保しながら、排気エミッションの悪化も抑制する。 - 特許庁

In the method for producing an optical product where an optical thin film is formed on a substrate using two targets by sputtering, the two targets for the sputtering are each composed of Si, and a mixed solid solution composed of at least one transition metal selected from Ti, Nb, Ta, Zr, Hf and Mo, and Si.例文帳に追加

スパッタリングにより２つのターゲットを用いて基板上に光学薄膜を形成する光学製品の製造方法であって、前記スパッタリング用の２つのターゲットが、Ｓｉおよび、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆおよびＭｏから選ばれた少なくとも一種の遷移金属とＳｉからなる混合固溶体である。 - 特許庁

The melt comprises at least one element other than Si, Cr, Ni or C, chosen from a rare-earth element, a transition metal element and an alkaline earth metal element, preferably Ce.例文帳に追加

また、融液にＳｉ、Ｃｒ、ＮｉおよびＣ以外の元素であって希土類元素、遷移金属元素およびアルカリ土類金属元素のうちから選ばれるいずれか１種の元素を含んでおり、好ましくはＣｅである。 - 特許庁

The magnetic material satisfying the above conditions includes La(Fe, Si)_13, (Hf, Ta)Fe_2, (Ti, Sc)Fe_2, and (Nb, Mo)Fe_2 containing 50-60 atm.% transition metals such as Fe.例文帳に追加

上記の条件に適合する磁性材料として、例えば、Ｆｅなどの遷移金属類を５０〜６０原子％以上含む、Ｌａ（Ｆｅ，Ｓｉ）_１３、（Ｈｆ，Ｔａ）Ｆｅ_２、（Ｔｉ，Ｓｃ）Ｆｅ_２、（Ｎｂ，Ｍｏ）Ｆｅ_２を挙げることができる。 - 特許庁

A surface of an Si substrate 1 is coated with a chemical amplification type positive resist agent 12 having such property that the glass transition temperature rises by irradiation with an electron beam, and thus the resist pattern 12a is formed of the resist agent 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に、電子ビームの照射でガラス転移温度が上昇する性質を有する化学増幅型ポジレジスト剤１２を塗布し、このレジスト剤１２によるレジストパターン１２ａを形成する。 - 特許庁

In one embodiment, sodium tetraborate is reduced to sodium and boron by at least one among a hydrocarbon, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a metal hydride, Al, Ga, Si or P.例文帳に追加

本発明の一態様においては、四ホウ酸ナトリウムは、炭化水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、金属水素化物、Ａｌ、Ｇａ、ＳｉまたはＰの少なくとも一つによりナトリウムとホウ素に還元される。 - 特許庁

The magnetic material compatible to the above condition includes, for example, La (Fe, Si)_13, (Hf, Ta)Fe_2, (Ti, Sc)Fe_2, and (Nb, Mo)Fe_2 containing equal to or more than 50-60 atom% transition metal such as Fe.例文帳に追加

上記の条件に適合する磁性材料として、例えば、Ｆｅなどの遷移金属類を５０〜６０原子％以上含む、Ｌａ（Ｆｅ，Ｓｉ）_１３、（Ｈｆ，Ｔａ）Ｆｅ_２、（Ｔｉ，Ｓｃ）Ｆｅ_２、（Ｎｂ，Ｍｏ）Ｆｅ_２を挙げることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with an SOI structure having a very thin strain relief SiGe layer with a very low transition density and with excellent flatness of its surface even if a strained Si channel structure or a strained SiGe structure is employed.例文帳に追加

歪Ｓｉチャネル又は歪ＳｉＧｅチャネル構造を採用するも、転移密度が極めて低く表面の平坦性に優れた極薄の歪緩和ＳｉＧｅ層を有するＳＯＩ構造の半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive, easily producible clathrate compound essentially consisting of Si atoms, also having a direct transition type energy band structure, and capable of red light emission, to provide a light emitting device obtained by using the same, and to provide a method of producing a clathrate compound.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ原子を主体としかつエネルギーバンド構造が直接遷移型であり、安価で簡便に製造でき、赤色発光が可能なクラスレート化合物及びそれを用いた発光素子、クラスレート化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the sustrate is covered by the silicon oxide film, the transition metal particles 23 never sink into the Si substrate 21 by reacing with it, and as a result, the high density and highly oriented carbon nanotubes can be easily manufactured in a large volume and at a low cost, with good reproducibility.例文帳に追加

酸化ケイ素膜を介しているので、遷移金属微粒子２３がＳｉ基板２１と反応して沈み込むことが無くなり、その結果、容易に、再現性良く、高密度、高配向のカーボンナノチューブを、大量、かつ、低コストで合成できる。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery includes an anode with an anode active material layer containing Si, and a cathode with a cathode active material layer containing lithium transition metal complex oxide containing Li and Co as constituent elements.例文帳に追加

本発明の非水電解液二次電池は、Ｓｉを含む負極活物質層を有する負極と、Ｌｉ及びＣｏを構成元素として含有するリチウム遷移金属複合酸化物を含む正極活物質層を有する正極とを備える。 - 特許庁

In a nonaqueous electrolyte secondary battery including a positive electrode containing a lithium-containing transition metal oxide having layer structure as a positive active material, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte, the negative electrode contains a compound containing Si and O as constituent elements (0.5≤Si/O≤1.5)例文帳に追加

層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物を正極活物質として含有する正極、負極および非水電解質を備えた非水電解質二次電池において、前記負極に、ＳｉとＯを構成元素に含む化合物（ただし、０．５≦Ｓｉ／Ｏ≦１．５）と導電性材料とを含有させ、前記非水電解質に、下記一般式（１）で表されるシロキサン誘導体を含有させる。 - 特許庁

This oxide phosphor for an electroluminescence device is obtained by adding an activator of at least one transition metal element to a base material of an oxide of yttrium (Y) or adding, as a luminescence center, at least one of any transition metal elements or rare earth metal elements to a base material of an oxide of Y-Ge-O or Y-Ge-Si-O.例文帳に追加

イットリウム（Ｙ）の酸化物を母体材料とし、付活剤として少なくとも１種以上の遷移金属元素を添加し、又はＹ−Ｇｅ−Ｏ系、Ｙ−Ｇｅ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物を母体材料とし、発光中心材料として少なくとも１種以上の任意の遷移金属元素あるいは希土類金属元素を添加してエレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体とする。 - 特許庁

A preferable matrix or cage component(s) is one or more elements selected from Si, Ge, Sn, Pb, Al, Ga, In and transition elements, and a preferable clathrating component(s) is one or more elements selected from alkali metals, alkaline-earth metals and transition metals including lanthanoids and actinoids, and, more preferably, one or more elements selected from alkaline-earth elements, lanthanoids, and ocationally, actinoids.例文帳に追加

好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび遷移元素から選択された１以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された１以上の元素である。 - 特許庁

A gate insulation film 3 is formed by adding a light emitting substance, e.g. a semiconductor nanocrystal of Si, SiGe or Ge, polycrystal or microcrystal of a direct transition semiconductor, a rare earth element of Er or Eu, or a fluorescent substance of ZnS:Mn, or the like.例文帳に追加

ここで、ゲート絶縁膜３は、内部に発光物質、具体的にはＳｉ，ＳｉＧｅ，Ｇｅなどの半導体ナノクリスタル、直接遷移型の半導体の多結晶や微結晶、Ｅｒ，Ｅｕなどの希土類元素、ＺｎＳ：Ｍｎなどの蛍光物質が添加されて形成されている。 - 特許庁

The thermosetting resin composition comprises an isocyanurate ring-containing polymer having a dialkylsiloxane oligomer bonded to the isocyanurate ring as a repeating unit and a weight average molecular weight of 1,000-1,000,000, a polysiloxane containing an Si-H bond, and a curing catalyst having a transition metal.例文帳に追加

イソシアヌル環に結合したジアルキルシロキサンオリゴマーを繰り返し単位とする重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００のイソシアヌル環含有重合体、ＳｉーＨ結合を含有したポリシロキサンおよび遷移金属を有する硬化触媒からなる、熱硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

M in the composition of the Si-C-M-O ceramic inorganic continuous fibers is one or two or more metal elements selected from alkali metal forming stable oxide, carbide and silicide, alkali earth metal, polyvalent metal, transition metal, precious metal, rare earth metal and actinide metal.例文帳に追加

ここにＳｉーＣーＭーＯ系セラミック無機長繊維の組成中のＭは、安定な酸化物、炭化物、珪化物を形成するアルカリ金属、アルカリ土類金属、多価金属、遷移金属、貴金属、稀土類金属、アクチナイド金属から選ばれる１又は２以上の金属元素である。 - 特許庁

The positive electrode for a lithium secondary battery contains a lithium-metal complex oxide of spinel structure containing lithium and manganese as a first positive electrode active material, and a lithium-metal complex oxide of olivine structure containing Li, Si, and a transition metal as a second positive electrode active material.例文帳に追加

リチウム二次電池の正極において、第一正極活物質として、リチウムとマンガンとを含むスピネル構造のリチウム−金属複合酸化物を含み、さらに、第二の正極活物質として、ＬｉとＳｉと遷移金属を含むオリビン構造のリチウム−金属複合酸化物を含む。 - 特許庁

Nitrides of at least one kind of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, B, Al or Si are uniformly dispersed and incorporated at a concentration of ≥1 to ≤20% into an amorphous film of a rare earth-transition metal alloy constituting a magnetic recording layer.例文帳に追加

磁気記録層を構成する希土類−遷移金属合金非晶質膜中に、少なくとも１種類のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、又はＳｉの窒化物を、濃度１％以上２０％以下で膜中に均一に分散させて含有させる。 - 特許庁

The optical information recording medium provided with a composite type dielectric layer formed by laminating a high refractive index dielectric layer and the low refractive index dielectric layer has excellent productivity by using an Si oxide containing a ferromagnetic transition metal for the low refractive index dielectric layer.例文帳に追加

高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とが積層された複合型の誘電体層を備える光情報記録媒体であって、この低屈折率誘電体層に強磁性遷移金属を含有するＳｉ酸化物を用いることで、生産性に優れる光情報記録媒体を提供することができる。 - 特許庁

The functional thin film has a transition layer containing a first component selected from aluminum (Al) and silicon (Si) and at least one second component selected from an oxygen atom (O) and a nitrogen atom (N), and each of the first and second components has a gradual concentration gradient along the thickness of the thin film.例文帳に追加

アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）より選択される第１成分ならびに酸素原子（Ｏ）及び窒素原子（Ｎ）より選択される少なくとも一の第２成分を含む転移層を有し、該第１成分及び第２成分は薄膜の厚みに沿って漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする機能性薄膜。 - 特許庁

The concentration of an Si-F bond contained in the glass material is 100-10,000 wt.ppm, the concentration of dissolved nitrogen is 100-10,000 wt.ppm, the concentration of OH group contained in the glass is <10 wt.ppm and the concentration of metallic impurities comprising a group containing typical metals and transition metal elements is <50 ppb.例文帳に追加

ガラス材に含有されるＳｉ−Ｆ結合の濃度が１００wtppm〜１００００wtppmの範囲内であり、溶存する窒素の濃度が１００wtppm〜１００００wtppmの範囲内であり、含有されるＯＨ基の濃度が１０wtppm未満であり、かつ典型金属及び遷移金属元素を含む群からなる金属不純物の濃度が５０ppb未満とされている。 - 特許庁

The method comprises: a sintered billet forming step S10 for obtaining a billet formed by using, as a starting material, Al-Si-X fine metal powder (X is a transition metal) where Al is contained as a principal component and 5 to 40wt.%例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、Ｓｉを５〜４０重量％添加されたＡｌ−Ｓｉ−Ｘ金属微粉末（Ｘは遷移金属）を出発原料として焼成されたビレットを得る焼結ビレット形成行程Ｓ１０と、圧力を付与しながら最終製品形状または最終製品形状と類似の形状に成形する成形工程Ｓ２０と、を有する。 - 特許庁

In producing the alkoxy-containing silicone based compound by a Si-H bond-containing hydrosilane compound and a hydroxyl group- containing compound in the presence of a transition metal complex catalyst, after the reaction is completed, the reaction solution is contacted with a metal oxide to give an alkoxysilane compound having a slight residue of the catalyst and excellent stability.例文帳に追加

遷移金属錯体触媒の存在下、Ｓｉ−Ｈ結合を有するヒドロシラン化合物と水酸基を含有する化合物により、含アルコキシケイ素系化合物類を製造する場合において、反応終了時に反応液を金属酸化物と接触させることにより触媒残さが少なく安定性の良好なアルコキシケイ素系化合物類を得る。 - 特許庁

The method for producing an amine compound comprises the step (1) of reducing an amide compound with a polymer having at least one Si-bonded hydrogen atom in the molecule in the presence of a transition metal catalyst to form an oxidized polymer being a gelatinous or solid substance, and the step (2) of removing the gelatinous or solid substance.例文帳に追加

（１）アミド化合物を、遷移金属触媒の存在下で、分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも１つ有するポリマーによって還元し、この際に酸化された該ポリマーはゲル状乃至固体状物質となる工程、次いで、（２）前記ゲル状乃至固体状物質を除去する工程、を含むことを特徴とするアミン化合物の製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a wafer processing apparatus comprises: a step of depositing a film electrode onto the surface of a base substrate; and a step of overcoating the structure with a protective coating film layer comprising at least one of a nitride, a carbide, a carbonitride, and an oxynitride of elements selected from a group consisting of B, Al, Si, Ga, refractory hard metals, transition metals, and combinations thereof.例文帳に追加

ウェーハ加工装置の製造に当たり、ベース基板の表面上にフィルム電極を堆積し、この構造を次にＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなる保護コーティングフィルム層で被覆する。 - 特許庁

The stress-induced light emitter is a stress-induced light emitter containing a matrix material which emits light upon receiving stress and contains a transition metal (except a rare earth metal) and further contains at least either element of Si and Sn, wherein at least part of the element is mixed with the matrix material in a state not solid-dissolved therein.例文帳に追加

本発明に係る応力発光体は、応力を受けることで発光する母体材料を含む応力発光体であって、遷移金属（ただし希土類金属を除く）、Ｓｉ及びＳｎのうち少なくとも一つの元素をさらに含み、当該元素の少なくとも一部が母体材料に非固溶状態で混合されてなるものである。 - 特許庁

This luminous material is obtained by adding at least one luminescence center selected from rare each metals and transition metals which irradiate when the electrons excited by a mechanical energy return to the ground state, to a base body material essentially comprising at least a composite of an oxide of at least one metal selected from Y, Ba and Mg and an oxide of Si.例文帳に追加

Ｙ、Ｂａ及びＭｇの中から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物とＳｉの酸化物との複合体を少なくとも主成分とする母体材料に、機械的エネルギーによって励起された電子が基底状態に戻る際に発光する希土類金属及び遷移金属の中から選ばれた少なくとも１種の発光中心を添加してなる。 - 特許庁

This radiogram conversion panel having on a support, a phosphor layer containing at least one layer of phosphor particles is characterized by containing amorphous AOx particles (A is at least one kind selected from Si, Ti, Al, Zr, transition elements and rare earth elements) whose ratio occupying in the phosphor particles is 0.0005-1.0 wt.%.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも１層の蛍光体粒子を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、不定形ＡＯｘ粒子（Ａは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、遷移元素及び希土類元素から選ばれる少なくとも１種）を含有し、該蛍光体粒子に占める該不定形ＡＯｘ粒子の比率が、０．０００５〜１．０質量％であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

The glass member with the optical multilayer film comprises the optical multilayer film formed on the principal surface of the glass substrate and an adhesion enhancing layer formed between the glass substrate and the optical multilayer film, wherein the adhesion enhancing layer is an oxide film of Si (silicon) or Al (aluminum) which are elements constituting a glass network, and is formed between a transition state and a metal state in reactive sputtering.例文帳に追加

ガラス基板の主表面に光学多層膜が形成され、前記ガラス基板と前記光学多層膜との間に付着力強化層が形成された光学多層膜付きガラス部材であって、付着力強化層は、ガラスネットワークを構成しうる元素であるＳｉ（珪素）もしくはＡｌ（アルミニウム）の酸化物膜であり、反応性スパッタリングにおける遷移状態から金属状態の間で形成されている。 - 特許庁