「Torr」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Partial pressure of oxygen is set in the range of 10-7 to 10-4 Torr.例文帳に追加

酸素の分圧は１０^-7〜１０^-4トルの間である。 - 特許庁

The inside of the bulb 31 is filled with argon gas, whose sealing pressure ranges from 3 Torr to 6 Torr, at a filler gas ratio of 99% or more.例文帳に追加

バルブ31内に、封入ガス比率が９９％以上のアルゴンガスを封入圧力３〜６torrの範囲で封入する。 - 特許庁

A gas straightening device 13 is prepared between the gas supplying inlet 10 and the liquid column flow 5 and a pressure loss of not lower than 1 Torr but not higher than 760 Torr is generated.例文帳に追加

ガス供給口10と液柱流５との間に、１Torr以上760Torr以下の圧力損失を発生させるガス整流器13を設ける。 - 特許庁

Tar and/or pitch is heated under a pressure of from 200 to 700 Torr at from 400 to 600°C to obtain a bulk mesophase carbon with a highly developed anisotropy.例文帳に追加

タールおよび／またはピッチを、圧力 200〜700 Torrの条件下400〜600 ℃の温度で熱処理して、高度に異方性が発達したバルクメソフェーズカーボンを得る。 - 特許庁

It is preferable to make the degree of vacuum at the vacuum distillation to 5×10^-5 to 10 Torr.例文帳に追加

好ましくは真空蒸留の際の真空度を5×10^-5〜10Torrとする。 - 特許庁

Preferably, a basic atmospheric pressure in the chamber 10 in which the ion beam deposition is performed is adjusted to 10^-12 Torr or more and 10^-7 Torr or less.例文帳に追加

前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ１０の基本気圧を１０^−１２Ｔｏｒｒ以上１０^−７Ｔｏｒｒ以下に調節するのがよい。 - 特許庁

If the evacuation to the vacuum in the vacuum degassing vessel starts from 380 Torr, the necessary time is shorter than the starting from the atmosphere (760 Torr).例文帳に追加

真空脱ガス槽の真空化を３８０Ｔｏｒｒから開始すれば、大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）からの開始よりもその所要時間は少なくなる。 - 特許庁

Thermal treatment is performed for 10 min at 1400°C under N_2 atmosphere of 10 Torr.例文帳に追加

１０ＴｏｒｒのＮ_2雰囲気下で１４００℃、１０分間熱処理した。 - 特許庁

At that time, the pressure in the treatment room is kept between 10^-4 and 10^-5 torr.例文帳に追加

その際、処理室内の圧力を１０^−４〜１０^−５ｔｏｒｒに保持する。 - 特許庁

Argon gas is sealed in as starting rare gas, with its partial pressure at 5 to 10 torr.例文帳に追加

始動用希ガスとしてアルゴンガスを封入し、その分圧を５〜１０ｔｏｒｒとする。 - 特許庁

A base material contg. at least aluminum is subjected to heating treatment preferably at a temp. of 450 to 600°C under a vacuum of ≤10-3 torr, prefreably of ≤5×10-4 torr.例文帳に追加

少なくともアルミニウムを含有する基材を、１０^-3ｔｏｒｒ以下、好ましくは５×１０^-4ｔｏｒｒ以下の真空中で、好ましくは４５０〜６００℃の温度で加熱処理する。 - 特許庁

To form an amorphous carbon film having a relatively low hardness at a pressure of more than 10 Torr and smaller than or equal to atmospheric pressure.例文帳に追加

１０Ｔｏｒｒを超え常圧以下において、比較的低硬度の炭素膜を生成する。 - 特許庁

A sample is reacted with the reagent ions at the pressure below 0.1 Torr to produce product ions of the sample.例文帳に追加

0.1Torr未満の圧力で、サンプルを試薬イオンと反応させて、サンプルの生成イオンを生成する。 - 特許庁

After cleaning with the finishing solution, the steel can be dried under a reduced pressure of ≤100 Torr.例文帳に追加

仕上洗浄液を用いた後の乾燥は１００トール以下の減圧乾燥とすることができる。 - 特許庁

The semiconductor thin film 2 is formed at a growth temperature, for example, 1020°C, lower than a reference growth temperature at which haze does not arise, under pressure, for example, 200 Torr lower than ordinary temperature (760 Torr).例文帳に追加

ヘイズが発生しない基準成長温度よりも低い成長温度たとえば１０２０゜Ｃでかつ常圧（７６０Torr）よりも低い圧力たとえば２００Torr下で半導体薄膜２を形成する。 - 特許庁

The container body 12 has double wall structure of inner and outer cases 13, 14 and an enclosed space S between the cases 13, 14 is vacuum of 1 Torr or below.例文帳に追加

そして、両ケース１３, １４間の密閉空間Ｓは１Ｔｏｒｒ以下の真空とした。 - 特許庁

Also oxygen is made to flow in the first step and the pressure is reduced to ≤10^-3 Torr in the second step.例文帳に追加

また、第１の工程では酸素を流し、第２の工程では１０^-3Ｔｏｒｒ以下に減圧する。 - 特許庁

Moreover, the vapor pressure of iron used for the growth catalyst is 10^-2 Torr at about 1,500°C.例文帳に追加

また、成長触媒に使用した鉄の蒸気圧は、約１５００℃において１０^−２Ｔｏｒｒである。 - 特許庁

The pressure in the reaction chamber 5, the temperature of the substrate 9 and the partial pressure of oxygen in the reaction chamber 5 are set to be in a range of 1 to 10 Torr, 450 to 550°C and 0.05 to 0.5 Torr, respectively.例文帳に追加

反応室５内の圧力を１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲、基板９の温度を４５０℃〜５５０℃の範囲、反応室５内の酸素分圧を０．０５Ｔｏｒｒ〜０．５Ｔｏｒｒの範囲にそれぞれ設定する。 - 特許庁

The pressure in the measuring cell 7 is set to 100-500 torr by a Venturi pump 24 and the gas to be measured is diluted with the dilution gas so that the partial pressure of the gas to be measured may become 50 torr or below.例文帳に追加

測定セル７内の圧力をベンチュリポンプ２４によって１００〜５００ｔｏｒｒとし、かつ測定対象ガスの分圧を５０ｔｏｒｒ以下となるように希釈ガスで測定対象ガスを希釈する。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming a film at a medium pressure of 5 to 150 Torr and to provide a method for forming the film.例文帳に追加

５〜１５０Ｔｏｒｒの中圧力において被膜を形成する装置とその方法を提供する。 - 特許庁

The plasma treatment is performed preferably in an oxygen atmosphere under a pressure condition of ≤10 Torr.例文帳に追加

前記「プラズマ処理」は、好ましくは、酸素雰囲気下、及び、１０Ｔｏｒｒ以下の低圧条件下において施される。 - 特許庁

The rare gas comprises argon gas and krypton gas, a ratio of the krypton gas is 10-40%, and the rare gas is encapsulated at a pressure of 80-100 Torr.例文帳に追加

また、希ガスは８０〜１００Ｔｏｒｒの圧力で封入されていることを特徴とする。 - 特許庁

Chlorosilane with a carrier gas is heated to 900-1,300°C under reduced pressure of 1-100 Torr.例文帳に追加

クロロシランをキャリアーガスとともに１〜１００Ｔｏｒｒの減圧気流中で温度９００〜１３００℃に加熱する。 - 特許庁

In this case, when the material is nickel, pressure in the vacuum chamber is decompressed below to 8.0×10^-3(Torr), and when the material is aluminum, it is decompressed below to 1.2×10^-8(Torr).例文帳に追加

この場合、前記材料がニッケルである場合には、前記真空チャンバ内の圧力を８．０×１０^-3［Ｔｏｒｒ］以下にまで減圧し、前記材料がアルミニウムである場合には、１．２×１０^-8［Ｔｏｒｒ］以下にまで減圧する。 - 特許庁

During the process, the partial pressure of water and oxygen in the oven is set to 1×10-6 Torr or lower.例文帳に追加

また、ｔ１〜ｔ４の処理の間は、炉内の水及び酸素の分圧を１×１０^^−６Ｔｏｒｒ以下に設定する。 - 特許庁

In the above reaction step, it is preferred that the mixture is subjected to the solid-phase reaction at a degree of vacuum lower than 0.1 Torr (13.3 Pa).例文帳に追加

前記反応工程は、０．１Ｔｏｒｒ（１３．３Ｐａ）未満の真空度において、前記混合物を固相反応させるものが好ましい。 - 特許庁

To provide a microwave plasma torch capable of stable plasma ignition under the pressure of barometric pressure to several Torr.例文帳に追加

大気圧〜数Ｔｏｒｒの圧力下において、安定したプラズマ着火が可能なマイクロ波プラズマトーチを提供する。 - 特許庁

The enclosed gas has the pressure of 2.9 to 5 Torr at 25°C and the coating volume of the phosphor layer is 2 to 3.5 mg/cm^2.例文帳に追加

封入ガスは２５℃で２．９〜５トルの圧力を有し、蛍光体層の被覆量が２〜３．５ｍｇ／ｃｍ^2である。 - 特許庁

The pressure of the process chamber 204 is increased between 30 to 300 Torr.例文帳に追加

アルゴンフローはF_2流量の３〜１０倍に維持し、プロセスチャンバ２０４の圧力を３０〜３００Ｔｏｒｒの間まで増加させる。 - 特許庁

To ionize a sample by chemical ionization by flowing the sample and a reagent gas into an ion source at a pressure below 0.1 Torr.例文帳に追加

0.1Torr未満の圧力で、サンプルおよび試薬ガスをイオン源へと流すことにより、化学イオン化によってサンプルをイオン化する。 - 特許庁

The method for producing a high softening point coal tar pitch comprises feeding a raw material coal tar pitch having a softening point of 70°C to 160°C into a treating vessel, heating the treating vessel at 300°C to 600°C, and rendering the inner pressure of the treating vessel ≤5 Torr.例文帳に追加

70℃から160℃の範囲の軟化点を有する原料コールタールピッチを処理容器内に供給し、該処理容器を300℃から600℃の範囲の温度に加熱し、該処理装置の内部圧力を5 Torr以下の範囲にする高軟化点コールタールピッチの製造方法。 - 特許庁

Addition of argon to the total pressure of greater than 1 Torr promotes wafer cooling, when the wafer is placed on a water-cooled pedestal.例文帳に追加

１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。 - 特許庁

When the thin film is formed on a substrate using a plasma processing, a partial pressure of material gas is set in 3 Torr or higher.例文帳に追加

プラズマ処理装置により基板上に薄膜を形成する際に、原料ガスの分圧を３Ｔｏｒｒ以上に設定する。 - 特許庁

While maintaining an ion source at the pressure below 0.1 Torr, a reagent gas is ionized in the ion source by electron ionization to produce reagent ions.例文帳に追加

イオン源を0.1Torr未満の圧力に維持しながら、電子イオン化により、試薬ガスをイオン源内でイオン化して、試薬イオンを生成する。 - 特許庁

Such an etching treatment was carried out by supplying Ar gas and Cl2 gas at 0.04 Torr vacuum and high-frequency power of 0.44 W/cm2.例文帳に追加

本エッチング処理は、真空度０.0４Torr、高周波電力0.44W/cm^2 成る条件下で、ArガスとＣl_2ガスを供給することにより実施した。 - 特許庁

A quartz glass bulb 2 having a volume of not more than 65 mm^3 is charged with mercury in a proportion of 270 mg/cc and charged with gas at a pressure of 170 Torr.例文帳に追加

容積65mm^3以下の石英ガラス製のバルブ２に、270mg/ccの割合で水銀を封入し、170Torrの圧力でガスを封入する。 - 特許庁

In this case, the distance of separation between a deposition source and the substrate is set at 50 cm or more, the pressure during the deposition of the conductor thin film is set lower than 1×10-5 Torr, and a pressure during the deposition of the dielectric thin film is set higher than 5×10-5 Torr.例文帳に追加

ここで、蒸着源と基板との距離は５０ｃｍ以上離し、かつ導体薄膜蒸着時の圧力を１×１０^-5Ｔｏｒｒよりも小さく、誘電体薄膜蒸着時の圧力を５×１０^-5Ｔｏｒｒよりも大きくする。 - 特許庁

The inert gas preferably comprises argon, helium or nitrogen and preferably raises the chamber pressure to about 500 Torr during chamber bake-out.例文帳に追加

不活性ガスは、アルゴン、ヘリウム、または窒素であることが好ましく、チャンバベークアウト中に約500トルのチャンバ圧まで上昇させることが好ましい。 - 特許庁

A coating liquid containing a low vapor pressure solvent below 1 Torr (133. 322 Pa) in the vapor pressure at room temperature is used as the coating liquid to be used for the scan coating application method.例文帳に追加

スキャン塗布法に用いる塗布液として、室温での蒸気圧が１Ｔｏｒｒ（１３３．３２２Ｐａ）未満の低蒸気圧溶剤を含む塗布液を用いる。 - 特許庁

At this time, the film 43a is formed in an LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) chamber, which maintains a temperature of 300 to 600°C and a pressure of 0.1 to 1.2 Torr.例文帳に追加

このとき、ＴａＯＮ膜は３００乃至６００℃及び０.１乃至１.２Torrを維持するＬＰＣＶＤチャンバ内で形成される。 - 特許庁

The p-type ZnO semiconductor film can be easily manufactured by sputtering in ultra-high vacuum of about 1×10^-7 Torr.例文帳に追加

１×１０^−７Ｔｏｒｒ程度の超高真空でスパッタリングすることにより、ｐ型のＺｎＯ半導体膜を容易に製造できる。 - 特許庁

The method for molding glass for EUV lithography includes heating and fusing two or more vitreous bodies to any temperature between a slow cooling point and the softening point in an atmosphere of 10 Torr or less and then molding them at a temperature between the softening point and the softening point+250°C in an atmosphere exceeding 100 Torr.例文帳に追加

２以上のガラス体を１０Ｔｏｒｒ以下の雰囲気で徐冷点〜軟化点のいずれかの温度に昇温し融着した後、１００Ｔｏｒｒを越える雰囲気で軟化点〜軟化点＋２５０℃にて成型することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用ガラスの成型方法。 - 特許庁

Composition of discharge gas is 2% to 20% for Xe and 15% to 50% for He, He composition larger than that of Xe, total pressure of the discharge gas is 400 Torr to 550 Torr, and the width of the voltage pulse impressed on the address electrode is not more than 2 μs.例文帳に追加

その条件は、放電ガスの組成比がＸｅ２％〜２０％、Ｈｅ１５％〜５０％であり、Ｈｅ組成比がＸｅ組成比よりも大きく、放電ガスの全圧力が４００Ｔｏｒｒ〜５５０Ｔｏｒｒであり、且つアドレス電極に印加する電圧パルスの幅が２μs以下である。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film (O_3-TEOS film 3) which uses TEOS as a raw material and ozone as an oxidizing agent is formed under conditions of 400°C, and 450 Torr.例文帳に追加

続いて、４００℃、４５０Ｔｏｒｒで原料をＴＥＯＳ、酸化剤をオゾンとするシリコン酸化膜（Ｏ_3-ＴＥＯＳ膜３）を成膜する。 - 特許庁