意味 | 例文 (999件) |
The ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21008件
This mold for forming an optical element uses an ultra-hard alloy metal essentially comprising tungsten carbide as a base material 9, and a predetermined surface of the base material 9 including at least a forming surface is irradiated with nitrogen ion to be infiltrated so that the outermost surface layer of the predetermined surface is converted to a modified layer 10 containing nitrogen.例文帳に追加
炭化タングステンを主成分とする超硬合金を光学素子成形型の基材9とし、基材9の少なくとも成形面を含む所定の面に窒素イオンを照射して注入し、基材9における上記所定の面の最表層を、窒素を含む改質層10にする。 - 特許庁
The semiconductor device manufacturing method includes (A) a step to form a gate electrode 13 on a substrate 11, (B) a step to detect the three dimensional shape of the gate electrode 13, and (C) a step to form a diffusion area 32 in a substrate 11 by implanting a impurity ion 31.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(A)基板11上にゲート電極13を形成するステップと、(B)ゲート電極13の三次元形状を検出するステップと、(C)不純物イオン31を注入することによって、基板11中に拡散領域32を形成するステップとを備える。 - 特許庁
To provide an electrode for an electrochemical device for manufacturing the electrochemical device such as a lithium-ion secondary battery and an electric double layer capacitor which has an active material free from exfoliation from an electric collector and also low in internal resistance, and to provide the electrochemical device using such an electrode for the electrochemical device.例文帳に追加
活物質が集電体から剥離することがなく、内部抵抗が小さな、リチウムイオン二次電池や電気二重層キャパシタなどの電気化学素子を製造するための電気化学素子用電極、およびそのような電気化学素子用電極を用いた電気化学素子を提供すること。 - 特許庁
A part of the silicide layer 6 directly under the contact hole is turned amorphous through an ion implantation method 13, by which silicide is lessened in wet resistance, and silicide directly under the contact hole is removed in a self- aligned manner, after silicide is cleaned and pre-treated before polysilicon is grown.例文帳に追加
イオン注入法13により、コンタクト孔直下部分のシリサイド層6をアモルファス化することにより、シリサイドのウェット耐性を低下させ、更に、ポリシリコンの成長前にシリサイドの洗浄と前処理を施すした後に、コンタクト孔直下のシリサイドが自己整合的に除去される。 - 特許庁
An air electrode is used for a positive electrode 101, aluminum or an aluminum alloy is used for a negative electrode 102, and an aluminum ion conductor is contained in which an electrolyte 103 interposed between the positive electrode 101 and the negative electrode 102 is installed in contact with the negative electrode 102.例文帳に追加
正極101に空気極を用い、負極102にアルミニウムまたはアルミニウム合金を用い、正極101と負極102の間に介在させる電解質103が負極102に当接して設置されたアルミニウムイオン伝導体を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The water supply valve 50 is constituted of a main water supply valve 50a set to a large flow rate and a sub-water supply valve 50b set to a low flow rate, and the ion eluting unit 100 is arranged to a main water supply route 52a connected to the main water supply valve 50a.例文帳に追加
給水弁50は流量大に設定したメイン給水弁50aと流量小に設定したサブ給水弁50bとにより構成されるものであり、イオン溶出ユニット100はメイン給水弁50aにつながるメイン給水経路52aに配置される。 - 特許庁
The potassium concentration in sodium hydrogencarbonate crystals with an average particle size of 50-500 μm is lowered to 50 mass ppm or lower, preferably to as low as possible, and the carbonate ion concentration (in terms of sodium carbonate) in the crystal particles is lowered to 1 mass% or lower.例文帳に追加
平均粒子径50〜500μmの炭酸水素ナトリウムの結晶中のカリウムの濃度を、好ましくは濃度50質量ppmm以下に可及的に低下せしめ、かつ好ましくは、結晶粒子中の炭酸イオン濃度を、炭酸ナトリウム換算で1質量%以下に低下せしめる。 - 特許庁
This is a positive electrode material for Li ion secondary battery which contains a spinel type lithium manganate as expressed by general formula Li_1+xMn_2-x-yAl_yO_4 and which contains Al in non-solid solution state not dissolved in the spinel type lithium manganate 20-80% of the total Al contained in the positive electrode material.例文帳に追加
一般式Li_1+xMn_2-x-yAl_yO_4で表されるスピネル型マンガン酸リチウムを含有し、かつ当該スピネル型マンガン酸リチウムに固溶されない未固溶状態のAlを、正極材料に含まれる全Alの20〜80%含有してなるLiイオン二次電池用正極材料を提案する。 - 特許庁
The galvanized steel sheet is produced by adding a nitrate compd. and an anatase-type TiO2 powder to a chloride-base electrogalvanizing bath, controlling the nitrate ion concn. to 1.25×10-3 to 2.5×10-2 mol/l and electrogalvanizing the steel sheet surface.例文帳に追加
このめっき鋼板の製造は塩化物系電気Znめっき浴に硝酸化合物とアナタ−ゼ型TiO_2粉末とを添加して、硝酸イオン濃度を1.25×10^-3mol/L〜2.5×10^-2mol/Lにした状態で鋼板の表面に電気Zn系めっきを施す方法で行う。 - 特許庁
The invention provides a fullerene derivative having a phosphonic acid ester group -PO(OR)_2 (R is a 1-5C alkyl group or a phenyl group) bonded to the derivative and essentially free from bonded organic compound, preferably a fullerene derivative having a sulfonic acid group -SO_3M (M is H or an alkali metal ion) bonded together with the above group.例文帳に追加
ホスホン酸エステル基−PO(OR)_2(RはC_1〜C_5のアルキル基又はフェニル基)が結合し、有機化合物が実質的に結合していないフラーレン誘導体であり、好ましくは、スルホン酸基−SO_3M(MはH又はアルカリ金属イオン)が同時に結合したフラーレン誘導体。 - 特許庁
When the silicon wafer 1 is heat treated at 1150°C, implanted oxygen ions and defects generated by ion implantations are allowed to grow as nuclei and a fine defect layer 5 of 1-2 μm thickness which includes growing deposited nuclei 4 is formed on the lower area of the epitaxial layer 2 as a gettering site.例文帳に追加
次に、1150℃で熱処理することにより、注入された酸素イオン及びイオン注入により生じた欠陥を核として成長させ、エピタキシャル層2の下部領域に、ゲッタリングサイトとなる成長した析出核4を含んだ厚さ1〜2μmの微小欠陥層5を形成する。 - 特許庁
In this method and device for treating the radioactive substance-containing effluent, the radioactive substance-containing effluent is filtrated using a filtration membrane after adding an oxidant into the effluent, and filtrated water is passed through activated carbon, and is passed thereafter through an ion exchanger or a reverse osmosis membrane.例文帳に追加
放射性物質含有排水に酸化剤を添加した後、該排水を濾過膜を用いて濾過し、濾過水を活性炭に通水した後、イオン交換体または逆浸透膜に通水することを特徴とする放射性物質含有排水の処理方法および処理装置。 - 特許庁
In this method for producing multicomponent composite metallic grain colloid dispersed liquid, (1) a metallic colloidal liquid obtained by reducing liquid containing only one kind of metallic ion is prepared, and (2) plural kinds of the metallic colloidal liquids different in the kinds of metals obtained by the above method (1) are mixed.例文帳に追加
(1)1種類のみの金属イオン含有液を還元して得られた金属コロイド液を調製し、(2)前記(1)の方法で得られた、金属の種類が異なった金属コロイド液を、複数種混合することを特徴とする多元複合系金属粒子コロイド分散液の製造方法。 - 特許庁
Catalyst layers are formed on both sides of an ion conductive electrolyte membranes, a plurality of through holes which penetrate the catalyst layer in a thickness direction are dispersed all over a region, where the catalyst layer is formed, at least on one side, and the through holes are made so as not to make communicative connections with one another.例文帳に追加
イオン伝導性を有する電解質膜の両面に触媒層を形成し、少なくとも一方の触媒層の形成領域中に該触媒層を厚み方向に貫通する貫通孔を複数分散させ、且つ該貫通孔同士を連通させないようにした。 - 特許庁
To provide a method of producing a PZT thin film capable of feeding Ti ion stably to a mixed alkaline aqueous solution used for a hydrothermal synthesis, in which a cooling step is employed after the completion of the film- forming, and to provide a PZT structure obtained by the method.例文帳に追加
水熱合成に使用する混合アルカリ水溶液にTiイオンを安定的に供給することができ、PZT薄膜の形成が終了したのちに冷却工程をとるようにしたPZT薄膜の製法およびそれにより得られたPZT構造体を提供する。 - 特許庁
The surface of a semiconductor chip (wafer 10) is subjected to ion milling with a mixture gas of Ar and H2 to form conductor layers 14, 16 on an Al layer 12 and a polyimide layer 13, and the exposed surface of the polyimide layer 13 is subjected to sputter etching with am N2 gas.例文帳に追加
半導体チップ(ウエハ10)の表面に対し、ArとH_2 の混合ガスによりイオンミリングを行い、Al層12とポリイミド層13の上に導体層14,16を形成した後、露出しているポリイミド層13の表面に対し、N_2 ガスによりスパッタエッチングを行う。 - 特許庁
The transparent conductive film mainly containing a metal oxide has a peak intensity ratio of MSiO_3 to M (MSiO_3/M) of 0.5 to 20in a dynamic SIMS measurement of the transparent electrode film, provided a metal element ion of the metal oxide is M.例文帳に追加
金属酸化物を主に含有する透明導電膜で、前記金属酸化物の金属元素イオンをMとした時、前記透明導電膜のダイナミックSIMS測定におけるMSiO_3とMのピーク強度比(MSiO_3/M)が0.5〜20であることを特徴とする透明導電膜。 - 特許庁
The lithium-ion secondary battery 10 includes a positive electrode sheet 13 having a positive electrode active material 12 containing transition metal formed on a collector 11, a negative electrode sheet 18 having a negative electrode active material 17 formed, and nonaqueous electrolyte solution 20 filling a space between the positive electrode and the negative electrode.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池10は、集電体11に遷移金属を含む正極活物質12を形成した正極シート13と、負極活物質17を形成した負極シート18と、正極と負極との間を満たす非水系電解液20と、を備える。 - 特許庁
Finally, a drain region 8 and a source region 9 are formed by forming an insulating gate 6 of polysilicon layer, having substantially T-shaped cross-section through the silicon oxide film 5, while filling the trench 4 and performing ion implantation and annealing using the insulating gate 6 as a mask.例文帳に追加
次に、溝部4を埋め込むように、シリコン酸化膜5を介して断面略T字状のポリシリコン層から成る絶縁ゲート6を形成し、絶縁ゲート6をマスクとしてイオン注入及びアニール処理を行うことにより、ドレイン領域8及びソース領域9を形成する。 - 特許庁
After a sidewall 604 is formed on both side surfaces of the gate electrode 602, an N-type impurity is applied thereto through ion implantation by using the gate electrode 602 and sidewall 604 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加
ゲート電極602の両側面にサイドウォール604を形成した後、ゲート電極602及びサイドウォール604をマスクとしてN型の不純物をイオン注入し、その後、熱処理を行なうことによりN型の第1の不純物拡散層605を形成する。 - 特許庁
The lithium ion capacitor 26 has a high operating voltage of 2.2- 4 V, stores a large amount of charges and has little self-discharge; therefore, a laser diode can be driven for a long time without serial connection, the necessity of a balance circuit can be eliminated, and miniaturization of the laser pointer can be achieved.例文帳に追加
リチウムイオンキャパシタ26は、動作電圧が2.2V〜4Vと高く、大量の電荷を蓄積でき、かつ、自己放電が少ないので、直列接続することなくレーザダイオードを長時間駆動することができ、バランス回路が不要となり、レーザポインタの小型化を図ることができる。 - 特許庁
In addition, if used as a SOI substrate formed by SIMOX, high temperature oxidation thermal treatment is performed in the gas atmosphere containing oxygen of 20% or more at 1,300-1,380°C for 4-48 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment after oxygen ion is implanted in the SIMOX.例文帳に追加
また、SIMOXにより形成されるSOI基板として用いる場合には、前記SIMOXでの酸素イオン注入後、酸素を20%以上含むガス雰囲気中で1300〜1380℃×4〜48時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁
Provided is a surface structure-modified polyimide film prepared by subjecting a film consisting mainly of a polyimide obtained by reacting an aromatic tetracarboxylic acid compound with an aromatic diamine compound to an ion beam treatment to modify the surface structure, characterized in that the surface area rate of the film is 1.2 to 2.8.例文帳に追加
芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類とを反応させて得られるポリイミドを主成分とするフィルムがイオンビーム処理されて表面構造が改質されたフィルムであって、該フィルムの表面積率が1.2以上、2.8以下であることを特徴とする表面構造改質ポリイミドフィルム。 - 特許庁
This method comprises the following steps: (a) obtaining an opalescent colloid by grinding piscine spermatogonia and separation; (b) treating the above colloid with an alkali solution comprising ≥1 M of a salt composed of a monovalent ion and having a pH value of 8 to 12; and (c) adding ethanol to the thus obtained mixture to precipitate DNAs.例文帳に追加
a)魚類の精原細胞を破砕、分離して、乳白色のコロイドを収得し、b)前記コロイドに1価イオンからなる塩を1M以上含有するpH8〜pH12のアルカリ溶液で処理し、c)こうして得た混合物にエタノールを加えてDNAを沈殿させる段階を含む方法である。 - 特許庁
The sizes of the ion clusters, to be classified by a differential mobility analyzer (DMA) 1, are determined by both a voltage value impressed by a high-voltage generating device 2 and the quantity of flow of gas exhausted by an exhaust pump 3, and their concentration distribution is measured by an ammeter 10.例文帳に追加
微分型電気移動度分級器(DMA)1によって分級されるイオンクラスタは、高圧発生装置2によって印加される電圧値と排気ポンプ3によって排気されるガスの流量によってそのサイズが決定され、その濃度分布は電流計10によって測定される。 - 特許庁
After that, a threshold of a parasitic transistor to be generated on the peripheral edge portion of the channel is increased using an ion implantation method, and a leak current due to the parasitic transistor is suppressed.例文帳に追加
SOIトランジスタのチャネル部周縁部を開口し、中央部へのイオン注入を防ぐための第1不純物添加阻止層を形成した後イオン注入法を用いてチャネル部周縁部に生じる寄生トランジスタの閾値を上昇させて寄生トランジスタ起因のリーク電流を抑制する。 - 特許庁
To provide a target for ion plating for producing a zinc oxide-based thin film having extremely low specific resistance, extremely small rate of change of the specific resistance after a wet heat resistance test, and excellent wet heat resistance, and the zinc oxide-based transparent conductive thin film produced by using the target.例文帳に追加
比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。 - 特許庁
The secondary battery having a secondary battery positive electrode having Li_1-xFePO_4 as a positive electrode active material, a secondary battery negative electrode, and an electrolyte of evaluation object is assembled, and discharge characteristics after constant voltage charging of the secondary battery are measured, thereby, evaluation of the electrolyte for lithium ion battery is carried out.例文帳に追加
Li_1−xFePO_4を正極活物質とする二次電池用正極と、二次電池用負極と、評価対象の電解液とを備えた二次電池を組み立て、該二次電池の定電圧充電後の放電特性を測定することにより、リチウムイオン電池用の電解液の評価を行う。 - 特許庁
The conductive ink composition including fine particles (A) of a copper salt composed of a carboxylic acid having reducing power and a copper ion and a coordinating compound (B) is applied onto or filled in a portion required to achieve electric conduction in a substrate, and the substrate is heat-treated to form the objective electrically conducting portion.例文帳に追加
還元力を有するカルボン酸と銅イオンとからなる銅塩の微粒子(A)、及び配位性化合物(B)を含有する導電性インク組成物を、基材中の電気的導通を得たいと所望する部位に塗布又は充填し、当該基材を加熱処理して、電気的導通部位を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method includes: segmenting a comb-like portion 16 from a metal thin plate 15 with a thickness of 30 μm or less using a convergent ion beam processing technique; and mounting and integrating the comb-like portion with the probe supporting part 12 of a mechanism capable of manipulation within a vacuum device, using a gas deposition function.例文帳に追加
その製造方法は、30μm厚み以下の金属薄板15から櫛形状部位16を集束イオンビーム加工技術により切り出し、真空装置内でマニピュレート操作できる機構のプローブ支持部12に、ガスデポジション機能を用いて取り付けて一体化する。 - 特許庁
To provide a high resistance transparent conductive film at a low cost which can be suitably used as a transparent electrode for resistance-type touch panels, has few defects, has specific resistance in the range of 0.9 to 1.8×10^-3 Ωcm, and is produced by the DC sputtering method or the ion plating method which have been widely used industrially.例文帳に追加
工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が0.9〜1.8×10^-3Ω・cmの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する - 特許庁
On the other hand, a resistance layer 15C is formed in an N-type well 11C in the forming region 10C of a first high-resistance element, and a resistance layer 15D is formed in an N-type well 11D in the forming region 10D of a second high-resistance element by using first and second ion implantation.例文帳に追加
一方、第1の高抵抗素子の形成領域10C、第2の高抵抗素子の形成領域10Dにおいては、前記第1及び第2のイオン注入を用いて、N型ウエル11Cの中に抵抗層15Cを形成し、N型ウエル11Dの中に抵抗層15Dを形成する。 - 特許庁
To provide a method of preparing a film forming solution for manufacturing an ion permeable diaphragm by which a pulverizing apparatus is stably operated even using a pulverizing apparatus such as a bead mill in the preparation of the film forming solution and also of preparing the film forming solution with high recovery rate.例文帳に追加
製膜溶液の調製にあたりビーズミル等の粉砕装置を用いたとしても当該粉砕装置を安定的に運転することができ、短時間に、かつ高い回収率で製膜溶液を調製することのできるイオン透過性隔膜製造用製膜溶液の調製方法を提供する。 - 特許庁
To provide a base material for an oxide superconductor and an oxide superconductor employing the same, with crystal orientation of an intermediate layer formed by the ion beam assist method (IBAD method) enhanced, and including a bed layer having characteristics of promoting film-forming conditions of the intermediate layer to be of a wide range.例文帳に追加
イオンビームアシスト法(IBAD法)により形成される中間層の結晶配向性を高め、かつ、中間層の成膜条件が広範囲となるよう促す特性を有するベッド層を備えた酸化物超電導体用基材及びそれを用いた酸化物超電導導体の提供。 - 特許庁
After this, the polysilicon 44 is removed, only the sidewall 44 is left, a structure of a pair of two rectangles is formed with the sidewall 46 as a mask, next, two pieces of fins are each manufactured into a pair of p/n-MOS transistors 35, 39 by performing ion implantation with a certain angle.例文帳に追加
この後、ポリシリコン44を除去し、サイドウォール46のみ残し、このサイドウォール46をマスクとして、矩形状の二本が対となる構造を形成し、次に、イオン注入をある角度をもって行うことで、二本のフィン39をそれぞれp/n−MOSトランジスタ35、39の1対を製造する。 - 特許庁
To provide an anti-glare film displaying superior anti-glare performance and capable of preventing the lowering of visibility by whitening, and exhibiting high contrast without generating glares, even when the film is applied ion a high-precision image display; and to provide a method for manufacturing the film.例文帳に追加
優れた防眩性能を示し、かつ、白ちゃけによる視認性の低下を防止することができるとともに、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる防眩フィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A bed layer 22 of ZrO_2-Y_2O_3 mixed oxide and an intermediate layer 23 made of film deposited by an ion beam assist deposition method are provided on a metal base material 21, and the oxide superconductor layer is laminated onto them so as to be used for the substrate of the oxide superconductor.例文帳に追加
本発明は、金属基材21上に、ZrO_2−Y_2O_3混合酸化物のベッド層22とイオンビームアシスト法により成膜された中間層23とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 - 特許庁
An ion generator 20, which generates ions by applying a voltage to a discharge electrode 22 disposed on a base plate 25 to cause an electric discharge, is provided with striking units 40, 50, 60 for striking the discharge electrode 22 or a support part 29 and the base plate 25 that are connected to the discharge electrode 22.例文帳に追加
基板25上に設けられた放電電極22に電圧を印加して放電することによりイオンを発生するイオン発生装置20において、放電電極22または放電電極22に連結される支持部29や基板25を叩打する叩打装置40、50、60を備えた。 - 特許庁
To provide a resin composition for sealing a semiconductor, reducing an impurity ion lowering reliability for its moisture resistance, also maintaining the transparency of its cured material and excellent in low discoloration and low fading characteristics, and also a semiconductor device sealed by using the resin composition for sealing the semiconductor.例文帳に追加
耐湿信頼性を低下させる不純イオンを低減するとともに、硬化物の透明性を維持することができ、低変色性、低着色特性に優れた半導体封止用樹脂組成物と、この半導体封止用樹脂組成物を用いて封止された半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high grade cupric oxide fine powder in which the purity of copper oxide is high and the solubility to a plating liquid is high, and to provide a feeding method of a copper ion to a copper sulfate aqueous solution that is a plating bath of copper electroplating using the cupric oxide fine powder.例文帳に追加
酸化銅の純度が高く、かつめっき液への溶解性が高い高純度の酸化第二銅微粉末と、その酸化第二銅微粉末を用いた銅電気めっきのめっき浴である硫酸銅水溶液への銅イオンの供給方法の提供を目的とする。 - 特許庁
To obtain an ionized water production device and parting walls for ionized water production device capable of controlling the pH of objective ionized water by reducing the power conduction rate to a cathode by half in order to balance hydrogen ion production amount by controlling the power conduction amount.例文帳に追加
本発明は通電電気量のコントロールによって水素イオン生成量のバランスを取るために、陰電極の通電量を半減させることにより、目標とするイオン水のペーハーをコントロールすることができるイオン水造水装置およびイオン水造水装置用仕切壁を得るにある。 - 特許庁
Accordingly, two conditions are fulfilled that energy distribution stays within a limited range and there is a region having spatially low density in the energy distribution, and even in a mass analysis in a minute range, the high ion generation efficiency can be achieved, and the sufficient detection sensitivity can be secured.例文帳に追加
したがって、エネルギー分布が有限な範囲に収まること、及びエネルギー分布の中で空間的に密度の低い領域が存在する、という2つの条件を満たし、微小範囲の質量分析においても高いイオン生成効率が達成でき、十分な検出感度を確保できる。 - 特許庁
An atmospheric oxidizing treatment or a wet treatment with Zn ion-containing aqueous solution, is applied to the galvannealed steel sheet having the hot dip Zn-Fe alloy plated layer having the composition composed by mass % of 8-12% Fe, 0.05-0.25%例文帳に追加
質量%でFe:8〜12%、Al:0.05〜0.25%、残部は不純物およびZnからなる組成の、η相が存在しないZn−Fe合金めっき層、を有する合金化溶融亜鉛めっき鋼板を大気酸化するか、Znイオン含有水溶液で湿式処理して、めっき層の上にZn化合物を主体とする表面層を形成する。 - 特許庁
To provide an OA-TOFMS capable of avoiding troubles when strong ion pulses are fed to an MCP to saturate it and such measurement conditions occur that might cause the missing of a mass spectrum due to the dead time and a short life of the MCP itself.例文帳に追加
強力なイオンパルスがMCPに入射して、MCPが飽和し、その不感時間に伴うマススペクトルの欠落とMCP自身の短寿命化とを引き起こしかねない測定条件に遭遇しても、それらの不都合を回避することのできるOA−TOFMSを提供する。 - 特許庁
The method includes a step wherein, with laser light being irradiated on a predetermined range on a diamond substrate (1) in a vacuum bath (2), a dopant ion beam is injected into the same region to form a conductive layer; and a step of forming a metal electrode on the conductive layer.例文帳に追加
真空槽(2)にて、ダイヤモンド基板(1)上の所定領域にレーザー光を照射しながら、その同じ所定領域に不純物のイオンビームを注入して導電層を形成するステップと、その導電層上に金属電極を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁
The new anti-aging agent for natural rubber and synthetic rubber contains a perchlorate ion-type hydrotalcite compound, and the rubber composition excellent in anti-aging performance and hard to be discolored is obtained by adding the new anti-aging agent to natural rubber and synthetic rubber.例文帳に追加
過塩素酸イオン型ハイドロタルサイト類化合物を含有することを特徴とした新規な天然ゴム及び合成ゴム用老化防止剤であり、天然ゴム及び合成ゴムに添加することにより、老化防止性に優れ、さらに着色の起こりにくいゴム組成物を得ることができる。 - 特許庁
Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加
そして、エッチングガスとしてフッ素ガス(100sccm)および酸素ガス(100〜400sccm)の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約2000Å/minであった。 - 特許庁
In the methods, arrythmias (e.g. atrial fibrillation, atrial flutter, early after depolarizations and prolongation of QT interval) can be reduced or eliminated by administering ion channel modulating compounds to a subject in need thereof via the dosing regimens disclosed in the specification.例文帳に追加
これらの方法において、本明細書中で開示された投与レジメによって、その必要がある患者にイオンチャネル調節化合物を投与することによって、不整脈(例えば心房細動、心房粗動、早期後脱分極、およびQT間隔の延長)が、抑制または排除され得る。 - 特許庁
These graphitized particles, obtained by calcinating the graphite particle at 3000 C°, also have minute projections, and the electrode density can be increased, by mixing these graphite particles, with the lithium ion secondary battery having small reduction of a discharged capacity retention, and superior cycle characteristics can be obtained.例文帳に追加
この黒鉛粒子を3000℃で焼成して黒鉛化したものも同様に微小突起を有するものであり、この黒鉛粒子を混合することにより電極密度を高くすることができ、放電容量保持率の低下が小さいサイクル特性の優れたリチウムイオン二次電池が得られる。 - 特許庁
Metal ions are attached to the sample gas in an ionizing chamber 16 to produce sample gas ions, the sample gas ions are passed through a mass spectrometry part 13 formed with an electromagnetic field and mass- segregated, and the mass-segregated sample gas ions are detected and measured as ion current with a detecting part 14.例文帳に追加
イオン化室16で試料ガスに金属イオンを付着して試料ガスイオンを生成し、試料ガスイオンが電磁場によって形成された質量分析部13を通って質量分離され、質量分離された試料ガスイオンをイオン電流として検出部14で検出し測定する。 - 特許庁
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