「Thermal Diffusion Furnace」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The wafer taken out of the thermal diffusion furnace is treated with a hydrofluoric acid for 15-30 sec, thereby removing the glass layer and the oxide film.例文帳に追加

そして、熱拡散炉から取り出したウェハをフッ酸で１５〜３０秒間処理することにより、ガラス層および酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide a thermal diffusion furnace of which core tube has a long service life by preventing cracking or breakage of the core tube due to crystallization of impurities.例文帳に追加

不純物の結晶化による炉心管のひびや割れを防止し、炉心管の寿命（耐用期間）の長い熱拡散炉を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor treating device that can perform a uniform heat treatment on the wafers and is a vertical thermal diffusion furnace preventing metal contamination.例文帳に追加

ウエハに対して均質な熱処理を施すことが出来、かつ、金属汚染を防止した縦型熱拡散炉である半導体処理装置を提供すること。 - 特許庁

If the semiconductor substrate 1 is disposed in vertical placement so as to be subjected to thermal diffusion in a diffusion furnace, the sheet resistance of an upper side 7 of the semiconductor substrate 1 become lower than the sheet resistance of a lower side 8 so that the irregularities in the plane of sheet resistance are generated.例文帳に追加

半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。 - 特許庁

To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加

縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

The thermal diffusion furnace 10 is provided with a core tube 11, a heater 12 to heat the core tube from its surrounding, and a core-tube wall protection tube 15 which is inserted into the vicinity of the furnace port 112 of the core tube 11 and protects the inner wall of the core tube 11 adjacent thereto.例文帳に追加

熱拡散炉１０は、炉心管１１と、周囲から炉心管を加熱するヒーター１２と、炉心管の炉口１１２近傍に嵌挿され炉口１１２近傍の炉心管１１の内壁を保護する炉心管壁保護管１５とを有する。 - 特許庁

The core-tube wall protection tube 15 is only inserted into the core tube 11, so that it can be easily exchanged if it is broken and the productivity of the thermal diffusion furnace 10 is hard to be lowered.例文帳に追加

なお炉心管壁保護管１５は炉心管１１に嵌挿されているだけなので、破損した場合の交換も容易に行え、熱拡散炉１０における生産性を低下させることは無い。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁

This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.例文帳に追加

該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を１２００℃〜１５００℃に加熱し、廃熱と熱交換して１５００℃〜１８００℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁

To provide a thermal ring closure for microwave curing that is capable of enabling the curing temperature to become a low temperature range of less than 250°C and in which the membrane properties of the resulting cured membrane has no difference from the physical properties of the cured membrane obtained from the high temperature treatment using a thermal diffusion furnace.例文帳に追加

マイクロ波照射による硬化温度を２５０℃未満に低温度化することが可能で、得られる硬化膜の膜特性が熱拡散炉を用いた高温処理で得られる硬化膜の物性と差がないマイクロ波硬化用熱閉環硬化型樹脂を提供する。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁

In such the thermal diffusion furnace 10, excessive impurities in a carrier gas are deposited on the inside surface of the core-tube wall protection tube 15 in the vicinity of the furnace port 112, and they are crystallized on the surface of the core-tube wall protection tube 15, so that almost no impurity adheres to the main body of the core tube 11.例文帳に追加

このような熱拡散炉１０では、キャリアガス中の過剰不純物は炉口１１２近傍において炉心管壁保護管１５の内側表面に堆積して炉心管壁保護管１５の表面で結晶化し、炉心管１１の本体にはほとんど不純物が付着しない。 - 特許庁

To form a bonding layer or a BSF layer in simple steps by forming the boding layer by a thermal diffusion, then switching to an oxygen atmosphere in a furnace, and annealing to form a protective film on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱拡散による接合層の形成の後、炉内を酸素雰囲気に切り換えて徐冷を行うことで、基板表面に保護膜を形成し、これにより簡単な工程で接合層やＢＳＦ層を形成する。 - 特許庁

The variation of a PN junction capacity caused by a thermal variation in the semiconductor wafer resulting from heat treatment in the diffusion furnace is corrected by making each area of the semiconductor region wherein the impurity is deposited different.例文帳に追加

上記拡散炉での熱処理による上記半導体ウェハの熱バラツキによるＰＮ接合容量のバラツキは、上記不純物がデポジションされら半導体領域の面積を異なせることにより補正する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce damage to an Si substrate by uniforming thermal diffusion of boron during boron doping in a vertical furnace and to realize formation of an insulating film with high insulation withstand pressure on a surface of the Si substrate, when an ink-jet head is formed with use of anisotropic etching and a high-density boron etching stop to the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板の異方性エッチングおよび高濃度ボロンエッチングストップを利用して形成されるインクジェットヘッドにおいて、縦型炉にてボロンドープを行う場合、ボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減し、Ｓｉ基板表面に高絶縁耐圧の絶縁膜を形成することを可能とする。 - 特許庁