「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

(c) Upon contact with estrogen, being capable of activating the transcription of a gene under the transcriptional regulation by the transcriptional regulation region containing an estrogen response sequence and the activation not being substantially inhibited by a compound capable of activating the transcription of the gene in the above (b).例文帳に追加

（ｃ）Eと接触すると、E応答配列を含む転写制御領域の転写制御下にある遺伝子の転写を活性化し、該活性化は前記（ｂ）において遺伝子転写活性化化合物により実質的に阻害されない。 - 特許庁

An X-ray source 10 forms an approximately elliptic X-ray irradiation region in first and second reference planes P1 and P2 by extensively inclining the center axis C of X-rays to the first and second parallel reference planes.例文帳に追加

Ｘ線源１０は、広がりをもってＸ線の中心軸Ｃを、平行をなす第１，第２基準平面Ｐ１，Ｐ２に対して傾斜させることにより、第１，第２基準平面上にほぼ楕円のＸ線照射領域を形成する。 - 特許庁

A dummy interconnection 52, which is formed in the same manufacturing process as the electrode interconnection 49, is provided at a position as an axis of a center C of the n^+-type region 42 so as to maintain a 180° revolution symmetry with the electrode interconnection 49.例文帳に追加

また、ｎ^＋型領域４２の中心Ｃを軸として電極配線４９と１８０°の回転対称となる位置に、電極配線４９と同一製造工程によって形成されたダミー配線５２が設けられている。 - 特許庁

A conductive layer equipped with a silicide layer 103 is formed on a diffusion layer 105 in a region sandwiched in between element isolation oxide films 104 on a silicon substrate 101, and a polysilicon film 106 is formed on all the surfaces of the element isolation oxide films 104 and the silicide layer 103 (c).例文帳に追加

シリコン基板１０１上の素子分離酸化膜１０４に挟まれた領域内に、拡散層１０５上にシリサイド層１０３を有する導電性層を形成し、その上全面にポリシリコン膜１０６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

Then, when the performance is changed in not less than two regions of the plurality of regions A-C, one super-ready-to-win performance according to the combination of change modes of each region where the performance is changed is executed.例文帳に追加

そして、複数の領域Ａ〜Ｃのうち２以上の領域において演出が変化された場合には、演出が変化された領域それぞれの変化態様の組み合わせに応じた１つのスーパーリーチの演出を実行する。 - 特許庁

A title key Kt for encrypting content data C on an SD audio card SDa is further encrypted by a user key Kua generated by a key generating section 23e, and stored in a user data region 4 on an SD card SDq.例文帳に追加

ＳＤオーディオカードＳＤａのコンテンツデータＣを暗号化するタイトル鍵Ｋｔが、鍵生成部２３ｅにより生成されるユーザ鍵Ｋｕａにより更に暗号化され、ＳＤカードＳＤｑのユーザデータ領域４に保存される。 - 特許庁

To provide a heat resistant nickel alloy plating film which has sufficient heat resistance and high temperature hardness in a high temperature region (350-600°C) higher than the glass softening temperature and which can be machined with a diamond cutting tool, and to provide a molding die using the heat resistance nickel alloy plating film.例文帳に追加

ガラス軟化温度よりも高温領域（350℃〜600℃）で十分な耐熱性，高温硬さを有し，ダイヤモンドバイトによる切削加工が可能である耐熱性ニッケル合金めっき被膜及びそれを用いた成形型を提供する。 - 特許庁

A region of a gel in the course of polymerization, having a temperature of 80°C or lower is provided over an area on the moving belt from a position where the start of polymerization of a monomer is observed to a distance of at least 10 am in the travel direction of the belt.例文帳に追加

可動ベルト上における単量体の重合の開始が観測された位置からベルトの進行方向に向って１０ｃｍ以上の幅を有する温度を８０℃以下の重合途中のゲル領域を設ける。 - 特許庁

An annular shroud 22 is disposed in a recess 20b_2 formed on the inner wall 20b_1 of the channel formation section 20b, and the annular shroud 22 forms the outer walls of a channel c and a diffuser (a static pressure increase region) d for compressed gas.例文帳に追加

流路形成部２０ｂの内壁２０ｂ_１に刻設された凹部２０ｂ_２に環状シュラウド２２が配置され、環状シュラウド２２が被圧縮気体の流路ｃ及びディフューザー（静圧上昇領域）ｄの外側壁を形成する。 - 特許庁

An adhesive tape 20 for resin sealing used in manufacturing of a resin sealed semiconductor device includes a base material layer not having a glass transition temperature in a temperature region of 260°C or below, and an adhesive layer laminated on the base material layer.例文帳に追加

２６０℃以下の温度領域にガラス転移温度を有さない基材層と、当該基材層上に積層された粘着剤層とを備える樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用の粘着テープ２０。 - 特許庁

A resist pattern 3a including hole patterns 6b and a hole pattern 6c is formed on a semiconductor substrate 1, and a resin-layer pattern 7a is buried selectively in the hole pattern 6c of a region C wherein its distributive density is made low relatively to others.例文帳に追加

半導体基板１上にホールパターン６ｂおよびホールパターン６ｃを含むレジストパターン３ａを形成し、ホールパターンの分布密度が相対的に疎な領域Ｃのホールパターン６ｃを樹脂層パターン７ａで選択的に埋め込む。 - 特許庁

To provide an iron-based powdery mixture for powder metallurgy, which upon the sintering of a molded body, provides excellent moldability even in a low temperature region of <100°C, and provides a sintered compact excellent in mechanical strength and machinability.例文帳に追加

成形体の焼結に際し、100℃未満という低温度域でも優れた成形性が得られ、さらには得られる焼結体の機械的強度および切削性に優れる、粉末冶金用の鉄基粉末混合物を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus which can avoid discharge tracks on the rear surface of a silicon wafer which has been generated, when ion implantation is carried out over the wafer at a temperature exceeding 300°C with use of a 10 mA-100 mA region ion implantation apparatus.例文帳に追加

１０ｍＡから１００ｍＡ領域のイオン打込み装置を使い３００℃を越える温度でシリコンウエハにイオン打込みを行うときに発生していたウエハ裏面放電痕のないイオン打込み装置を提供する。 - 特許庁

A coordinate detection device 1 comprises an outer frame 2 arranged on a peripheral edge of a coordinate region C and having a surface formed so as to retro-reflect, and a pair of optical devices 3 and 4 arranged at both ends on the upper side of the outer frame 2.例文帳に追加

座標検知装置１は、座標領域Ｃの周縁上に配置され、表面が再帰反射するよう形成された外枠２と、外枠２の上辺の両端に配置された一対の光学装置３，４とを備える。 - 特許庁

Afterwards, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are removed, and ion is injected into a high resistance SiC layer 2 at a high temperature of 150°C or higher, by using the silicon dioxide mask 21, so that a p-well region 3 being an impurity diffused layer can be formed.例文帳に追加

その後、レジストマスクＲｅ１，Ａｌマスク２２を除去し、二酸化珪素マスク２１を用いて、１５０℃以上の高温で高抵抗ＳｉＣ層２内にイオン注入して、不純物拡散層であるｐウェル領域３を形成する。 - 特許庁

The ink follower for the ball-point pen using a water base ink which has the value of tanδ in a frequency region 0.1-650 rad/sec in angular frequency at 25°C of 0.1-2 and the ball-point pen using a water base ink having the ink follower are provided.例文帳に追加

温度２５℃、角周波数０．１〜６５０ｒａｄ／ｓｅｃの周波数領域におけるｔａｎδの値が０．１〜２であることを特徴とする水性ボールペン用インキ追従体およびこれを備えた水性ボールペン。 - 特許庁

The second optically anisotropic layer 38 is a birefringent structure acting as a negative C plate wherein inorganic materials having refractive indices different from each other are alternately laminated and compensates positive optical retardation generated by a vertical alignment region A1.例文帳に追加

第２の光学異方性層３８は、屈折率の異なる無機材料が交互に積層された負のＣプレートとして作用する複屈折性構造体であり、垂直配向領域Ａ１により生じる正の位相差を補償する。 - 特許庁

Further, even when using at a high temperature of 100°C or more, a deterioration with age of dielectric constant in a radio signal region of 100 MHz or more can be made sufficiently small, and a deformation at the treatment of the electronic part 10 can be prevented enough.例文帳に追加

また１００℃以上の高温下で長時間使用しても、１００ＭＨｚ以上の高周波域での誘電率の経時変化を十分小さくでき、電子部品１０の取扱い時における変形等を十分防止できる。 - 特許庁

A first terminal portion interconnecting additional resonant electrodes 22, 23 formed within the region between the substrates (b) and (c) and extending along the resonant electrode 21 is connected with the open terminal of the resonant electrode 21 via a via-hole electrode 31.例文帳に追加

基板ｂ，ｃ間領域内に形成され共振電極２１に沿って延びた付加的共振電極２２，２３の互いに接続された第１の端部は、ビアホール電極３１を介して共振電極２１の開放端と接続される。 - 特許庁

When the radio signal is in a large power region, the radio signal is amplified by a transistor 42, i.e. an efficient nonlinear amplifier of good saturation represented by a class AB amplifier, a class B amplifier or a class C amplifier.例文帳に追加

一方、無線信号が大電力領域にある場合は、ＡＢ級増幅器、Ｂ級増幅器、Ｃ級増幅器に代表される効率の良い飽和型の非線形増幅器であるトランジスタ４２により無線信号を増幅する。 - 特許庁

To provide a self-hardening binder composition for a mold which can be hardened even in the low temperature region of 10 to 110° C without generating harmful gas such as amines and sulfur dioxide even on pouring and without depending on the kinds of molding sands.例文帳に追加

注湯時においても、アミン類、亜硫酸ガス等の有害なガスが発生せずに、且つ、鋳物砂の種類に影響されない、１０〜１１０℃の低温度域でも硬化させ得る鋳型用自硬化性粘結剤組成物を提供すること。 - 特許庁

In the austenitic stainless steel, Ni_3Nb or Fe_2Nb40 is precipitated within the grains of crystal grains 30, and Fe_2Nb20 is precipitated on the grain boundaries 10 in aging treatment in the high temperature region of ≥700°C.例文帳に追加

本実施の形態によるオーステナイト系ステンレス鋼では、７００℃以上の高温域で時効処において、結晶粒３０の粒内にＮｉ_３ＮｂないしはＦｅ_２Ｎｂ４０が析出し、粒界１０にＦｅ_２Ｎｂ２０が析出する。 - 特許庁

To increase the long term reliability of electronic components and display devices while satisfying recent environmental requests by creating an SnO-P_2O_5 based glass satisfactorily softening and flowing at a low temperature region of ≤450°C and also having satisfactory weatherability.例文帳に追加

４５０℃以下の低温域で良好に軟化流動し、且つ耐候性も良好なＳｎＯ−Ｐ_２Ｏ_５系ガラスを創案することにより、近年の環境的要請を満たしつつ、電子部品や表示装置の長期信頼性を高めること。 - 特許庁

In the step of forming the embrittled region, ion species which are not mass-separated are used as the ions and a temperature of the single crystal semiconductor substrate is set to 250°C or higher during irradiation with the ions.例文帳に追加

そして、前記脆化領域を形成する工程において、前記イオンとして質量分離されていないイオン種を用いるとともに、前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を２５０℃以上に設定する。 - 特許庁

Since the wavelength of the alignment index P sets a wavelength region longer than that of the green filter, only the eyeground image Er' of Fig.(d) corresponding to the red filter appears and the eyeground images Er' of Figs.(b) and (c) can not be almost visually confirmed.例文帳に追加

アライメント指標Ｐの波長は、緑色フィルタよりも長い波長領域を設定しているため、（ｄ）の赤色に対応した眼底像Ｅｒ’にのみ現れ、（ｂ）及び（ｃ）の眼底像Ｅｒ’では殆ど視認することができない。 - 特許庁

Afterwards, the center O is disposed in the liquid film removed region T by moving the supplying position of nitrogen gas onto the surface from the gas nozzle 4 to the central section of the surface (the center O and in the vicinity thereof) (Fig. 4 (c)).例文帳に追加

その後、ガスノズル４から前記表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部（中心Ｏおよびその近傍）に移動させることにより、液膜除去領域Ｔ内に中心Ｏを配置させる（図４（ｃ））。 - 特許庁

A gramineous plant resistant to diseases is prepared by introducing a chitinase C gene derived from actinomycete of the family 19 containing a conserved region of an amino acid sequence close to a vegetable into a gramineous plant and expressing the gene.例文帳に追加

植物に近いアミノ酸配列の保存領域を有するファミリー１９に属している放線菌由来のキチナーゼＣ遺伝子をイネ科植物に導入、発現させることにより、病害抵抗性イネ科植物を作製する。 - 特許庁

The negative type image recording material to which recording is made by irradiation with IR contains (A) a cationic dye having absorption in the IR region and using a tetraaryl borate as a counter anion, (B) a thermal radical generating agent and (C) a radical polymerizable compound.例文帳に追加

赤外線の照射により記録可能であり、（Ａ）赤外線領域に吸収を有するテトラアリールボレートを対アニオンとするカチオン色素と、（Ｂ）熱ラジカル発生剤と、（Ｃ）ラジカル重合性化合物とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a means for removing the surface part of an ion implantation layer in a semiconductor layer without causing new damage in a method for manufacturing a semiconductor device possessed of the semiconductor layer containing Si and C and serving as an active region.例文帳に追加

ＳｉとＣとを含む半導体層を活性領域とする半導体素子を製造する方法において、半導体層内へのイオン注入層の表面部を新たなダメージを与えずに除去する手段を提供する。 - 特許庁

In the method of forming the SiC monocrystal thin film, the SiC monocrystal is homoepitaxially grown at 800 to 1,200°C on a substrate including a monocrystalline silicon carbide (SiC) region by plasma chemical vapor phase growth (plasma CVD).例文帳に追加

単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）領域を含む基板上に、プラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ法）を用いて、８００〜１２００℃でＳｉＣの単結晶をホモエピタキシャル成長させるＳｉＣ単結晶薄膜の作製法である。 - 特許庁

In the bundle region C, in the adjacency of at least one of an upper layer and a lower layer of a first wiring fin, a second wiring fin having a greater width of electrical wiring than the first wiring fin is arranged.例文帳に追加

束線領域Ｃにおいて、第１の配線フィンの上層及び下層の少なくとも一方に隣接して、第１の配線フィンの電気配線よりも大きな幅の電気配線を有する第２の配線フィンが配置されている。 - 特許庁

To easily and inexpensively provide corrosion-resistant ceramic which has excellent adherence even in the high temperature region of about 800 to 1,600°C and a long-lived surface-coated layer, and consists of a nonoxide ceramic sintered compact.例文帳に追加

８００〜１６００℃付近の高温域においても優れた付着力わを有するとともに、寿命の長い表面被覆層を有する非酸化物セラミック焼結体から成る耐食性セラミックスを簡易且つ低コストで提供すること。 - 特許庁

Further, by performing cooling at a cooling rate equal to or higher than water cooling from the temperature range of from a β transformation point -100°C to a β single phase region upper limit, an optical microscope structure has 45% or less of pro-eutectoid α phase.例文帳に追加

さらに、β変態点−１００℃からβ単相域上限の温度範囲より水冷以上の冷却速度で冷却することにより、光学顕微鏡組織の初析α相が４５％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

On a reference plane U that is orthogonal to the vector W and goes through the center point R (x, y), the contour C (i, j) of the pixels is projected in the Z direction, the region inside the projected image is used as a relief unit plane with respect to the pixels P (i, j).例文帳に追加

ベクトルＷに直交し、中心点Ｒ（ｘ，ｙ）を通る参照平面Ｕ上に、画素の輪郭線Ｃ（ｉ，ｊ）をＺ方向投影し、投影像内部の領域を、画素Ｐ（ｉ，ｊ）についてのレリーフ単位面とする。 - 特許庁

User side systems (100A to C): read out and transmit the identification number from the storage medium; and request transmission of regional information desired by the user out of the regional information on a region associated with the user included in the personal information.例文帳に追加

ユーザ側システム（１００Ａ〜Ｃ）により、記録媒体から識別番号が読出され送信され、個人情報に含まれるユーザに関連する地域の地域情報のうち、当該ユーザが所望するものの送信が要求される。 - 特許庁

For each analytic node being set on the analytic region, contribution of an auxiliary band within a specified distance from the analytic node to the impurity concentration is calculated using an analytic function (Figs. (c), (d)).例文帳に追加

解析領域上に設定される解析節点ごとに、その解析節点から所定距離内にある補助バンドからの不純物濃度についての寄与を、解析関数を用いて算出し（図１（ｃ），（ｄ））、それらを重ね合わせる。 - 特許庁

A source image I used for visual inspection is separated into images G_A, G_B, G_C, G_D in inspection regions A, B, C, D and a non-inspection region image H and the images G_A, G_B, G_C, G_D are made into individual image files and stored.例文帳に追加

外観検査に用いられた原画像Ｉを、各検査領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの画像Ｇ_Ａ，Ｇ_Ｂ，Ｇ_Ｃ，Ｇ_Ｄと非検査領域画像Ｈとに切り分け、画像Ｇ_Ａ，Ｇ_Ｂ，Ｇ_Ｃ，Ｇ_Ｄを個別の画像ファイルにして保存する。 - 特許庁

To provide a high strength steel pipe for high-strength steam transport piping, having excellent strength and long-term creep characteristics in a medium temperature region of 300 to 400°C, to provide a high strength steel sheet as a material therefor, and also to provide their manufacturing methods.例文帳に追加

３００〜４００℃の中温度域での強度及び長時間クリープ特性に優れる、高強度蒸気輸送配管用高強度鋼管及びその素材である高強度鋼板、並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

As shown in Fig. (c), in a region that the number of target rotations exceeds the number Rb of base rotations, an inverter and the booster are controlled by a field-weakening current and a boosting ratio in which the sum of a field-weakening loss and a boosting loss becomes the minimum.例文帳に追加

目標回転数が基底回転数Ｒｂを超える領域において、弱め界磁損失と昇圧損失との和が最小となる弱め界磁電流と昇圧比によりインバータと昇圧器を制御する（図６の（ｃ））。 - 特許庁

A molten metal comprising, by mass, 2 to 3.2% C and 0.6 to 3.3% Si, and preferably lying in a hypoeutectic region is admixed with at least either one kind selected from Nb, Mo, V and W by 0.5 to 20 mass% in total.例文帳に追加

２〜３．２質量％のＣ、０．６〜３．３質量％のＳｉを含有し、好ましくは亜共晶域である溶湯に対し、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗの少なくともいずれか１種を合計で０．５〜２０質量％となる割合で添加する。 - 特許庁

To obtains porcelain which is used as an insulating layer of a wiring board for high-frequency and capable of being fired at 800-1,000°C and showing reduced dielectric loss in a high-frequency region, also to provide a production process of the porcelain and further to provide a porcelain composition for producing the porcelain.例文帳に追加

８００〜１０００℃にて焼成可能で、高周波領域において誘電損失を低減できる高周波用配線基板の絶縁層用の磁器とその製造方法およびその組成物を提供する。 - 特許庁

The capacitive element region C includes: a plurality of capacitance lines CpL1-CpL4 laminated on a semiconductor substrate; and a plurality of interlayer insulating layers formed between the upper and lower portions of the plurality of capacitance lines CpL1-CpL4.例文帳に追加

容量素子領域Ｃは、半導体基板上に積層された複数の容量線ＣｐＬ１〜ＣｐＬ４と、それら複数の容量線ＣｐＬ１〜ＣｐＬ４の上下間に形成された複数の層間絶縁層とを備える。 - 特許庁

To provide a curable silicone resin composition capable of being used as a light-transmitting sealant which can seal at a lower temperature than 300°C and is excellent in heat resistance, light resistance, and light-transmitting property in a light wavelength region from UV light to visible light.例文帳に追加

３００℃より低温で封止可能であり、紫外光から可視光の波長領域の光線透過性、耐熱性および耐光性に優れた透光性封止材として使用可能な硬化性シリコーン樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a garment capable of suppressing the influence of exterior environment such as ambient temperature even in a frigid region of antarctic area and Siberian area colder than 0°C or in a high-temperature environment such as a fire site and having excellent effect for protecting human body.例文帳に追加

本発明は、南極やシベリア地方の氷点下を下回る極寒地域でも、火事場等の高温環境下においても、外気温度等の外部環境の影響を抑えることができ、人体の保護に優れる衣類を提供する。 - 特許庁

Since the lower coat layer 2 mainly contains the oxide whose reactivity with the NOx occlusion material is lower than that of alumina, the solid solution of the NOx occlusion material is controlled, and a high NOx occlusion capacity is developed in a high temperature region of at least 500°C.例文帳に追加

また下コート層２はＮＯ_ｘ 吸蔵材との反応性がアルミナより低い酸化物を主としているため、ＮＯ_ｘ 吸蔵材の固溶が抑制され、 ５００℃以上の高温域において高いＮＯ_ｘ 吸蔵能が発現される。 - 特許庁