「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The shape change of an electronic component to be fired is suppressed by reducing the shape change of the tool material itself in a high temperature region close to 1,600°C by improving the sinterability of the tool material by adding a zinc oxide raw material in an amount of 0.01-10 wt.% in outer percentage basis.例文帳に追加

０．０１〜１０重量％の酸化亜鉛原料を外配で添加する事により、道具材の焼結性を向上させ、道具材自身が１６００℃付近の高温度域での形状変化を少なくする事により、焼成対象物である電子部品の形状変化を抑制する事を要旨とする。 - 特許庁

In the toner to be used for developing an electrostatic latent image formed on an electrostatic latent image carrying body to form an image, the storage modulus G' of the toner ranges from 10^2 Pa to 10^3 Pa in the temperature region from the softening point of the toner to 200°C, and the amount of the release agent ranges from 0 to 3 mass%.例文帳に追加

静電潜像担持体に形成した静電潜像を現像して画像を形成するために使用するトナーにおいて、トナーの軟化点から２００℃までの温度範囲の貯蔵弾性率Ｇ’が１０^２ Ｐａから１０^３ Ｐａの範囲内であるともに、離型剤の量が０から３質量％の範囲内であるトナー。 - 特許庁

Again, by carrying out third scanning (c) of scanning the substrate 10 in X direction by the laser light along the predetermined cutting line 21a, and fourth scanning (d) of scanning in Y direction along predetermined cutting line 21b, a modified region is formed in a shallow distance d2 (d1>d2) in the substrate 10 from the surface where the laser light comes in.例文帳に追加

再び、レーザ光が切断予定線２１ａに沿って基板１０をＸ方向に走査する第３走査（ｃ）と、切断予定線２１ｂに沿ってＹ方向に走査する第４走査（ｄ）とで、レーザ光が入射する面から基板１０内の浅い距離ｄ２（ｄ１＞ｄ２）に改質領域を形成する。 - 特許庁

The laser beam becomes a condensing beam C, which is positioned at the almost central part of the fragile material 2 and becomes half or above the thickness of the fragile material 2 in focal depth, by the condensing means and, when the condensing beam is moved along a dividing and cutting scheduled line by a moving means 5, a modified region T is formed to a part where the condensing beam passes.例文帳に追加

上記集光手段により、レーザ光は脆性材料２の略中央に位置し、焦点深度が板厚の半分以上となる集光線Ｃとなり、移動手段５が上記集光線を割断予定線に沿って移動させると、集光線が通過した部分に改質領域Ｔが形成される。 - 特許庁

To provide a sintering method capable of effectively suppressing the warpage arising in sintering of a sintered compact target, more particularly a ceramic target, even in a region where a sintering temperature exceeds 1,400°C and capable of straightening occurred warpage and improving the yield of manufacturing and to provide a method and apparatus for straightening the sintered compact.例文帳に追加

焼結温度が１４００°Ｃを超える領域においても、焼結体ターゲット、特にセラミックスターゲットの焼結に際して発生する反りを効果的に抑制し、また発生した反りを矯正することのでき、さらに製造歩留りを向上できる焼結方法及び焼結体の矯正方法並びに装置を提供する。 - 特許庁

In formula (1), R represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having an atomic number of 1-20 as a main chain, Ar represents a substituted or unsubstituted bivalent aromatic hydrocarbon group or alicyclic hydrocarbon group having a nuclear atomic number of 5-30, X represents a specific bivalent group, and C represents a coumarin region.例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｘ−Ｃ （１）（式（１）中、Ｒは、主鎖の炭素数１〜２０の置換又は無置換の１価の炭化水素基を示し、Ａｒは、置換又は無置換の核原子数５〜３０の２価の芳香族炭化水素基又は脂環式炭化水素基を示し、Ｘは特定の２価の基を示し、Ｃはクマリン部位を示す。 - 特許庁

The elastic body 51 comprises: fixed sections 51A which are, with the elastic body 51 stretched in the longitudinal direction L, fixed to the sheet 52 at least at the boundaries between the center region C and the end regions S; and free end sections 51B located further toward the outside than the fixed section 51A in the longitudinal direction L and not fixed to the sheet 52.例文帳に追加

弾性体５１は、中央領域Ｃと端部領域Ｓとの少なくとも境界において、弾性体５１が長手方向Ｌに伸張した状態でシート５２に固定される固定部５１Ａと、固定部５１Ａよりも長手方向Ｌの外側に位置し、シート５２に固定されていない自由端５１Ｂとを有する。 - 特許庁

The glass ceramic of which the surface roughness Ra without grinding is <50 nm, the thermal expansion at 20-300°C is <1.2×10^-6/K and the transmittance is >85% at near-infrared region of 1050 nm and thickness of 4 mm contains β-quartz and/or keatite solid solution.例文帳に追加

研磨することなく表面粗度Ｒａが＜５０ｎｍ、２０〜３００℃の温度範囲で熱膨張が＜１．２×１０^-6／Ｋ、近赤外領域における透過率が１０５０ｎｍにおいて、厚みが４ｍｍで＞８５％である、ベータ石英および／またはキータイト固溶体を含み、次の組成（質量％）を含を有する。 - 特許庁

A transfer mechanism drive controlling part 56 continuously changes the posture of a C-shaped arm while an instruction to change the posture is inputted by an operator by an operation part 6 or the like, and controls respective rotation mechanisms 14 to 18-2 so that the posture change is stopped for a reference posture defined in the middle of the change region of the posture.例文帳に追加

移動機構駆動制御部５６は、操作部６などで操作者により姿勢の変化の指示が入力されている間に、Ｃ形アームの姿勢を連続的に変化させ、その姿勢の変化範囲の中間に定められた基準姿勢では姿勢の変化を停止するように、各回転機構１４〜１８−２を制御する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor element comprises a step (b) of forming an alloy promoting film 8 to a window structure 14 part, a step (c) of forming at least a protective film 9 in a region other than the window structure 14 by a catalytic CVD method, and steps (d) and (e) of alloying the window structure 14 part by heat treatment.例文帳に追加

窓構造１４部分に対する混晶化促進膜８を形成する工程（ｂ）と、触媒ＣＶＤ法によって窓構造１４以外の領域に少なくとも保護膜９を形成する工程（ｃ）と、熱処理によって窓構造１４部分に対する混晶化を行う工程（ｄ），（ｅ）とを含む。 - 特許庁

Since precipitable material in the water to be treated within the lower flow region 2b is flown by the force of inertia of a horizontal direction due to the whirling flow A generated by rotation of the stirring blade 4, the precipitable material hardly accompanies ascending flow C depending on raw water feeded quantity or the like, receives downward force due to the downward flow B and is separated.例文帳に追加

下部流動域２ｂ内の被処理水の沈降性物質は攪拌翼４の回転により生じた旋回流Ａによる水平方向の慣性力で流動するために、原水流入量等に依存する上昇流Ｃに同伴しにくく、下向流Ｂにより下方向の力を受け、分離される。 - 特許庁

In the optical deflection element wherein a chiral smectic C liquid crystal is provided between a pair of transparent substrates, a plurality of ribs 10 for regulating the distance (gap) between the substrates are formed on the surface of the transparent substrate 2 having an inclined region (an inclined part formation substrate) and each tip of each rib is in contact with a standard substrate (transparent substrate) 3.例文帳に追加

一対の透明基板間にキラルスメクチックＣ液晶を設けた光偏向素子において、基板間距離（ギャップ）を規制するための複数のリブ１０が傾斜領域を有する側の透明基板（傾斜部形成基板）２の表面に形成され、それぞれのリブ先端が基準基板（透明基板）３に接触している。 - 特許庁

To provide a foaming agent capable of making a flow self-curing mold free of fall of sand and providing predetermined strength without causing swelling, and kept in a liquid-like form without degrading a foaming property and foam stability nor degrading uniformity of an effective constituent even in a low-temperature region (for instance, 0-5°C).例文帳に追加

従来の砂の下がりがなく、所定の強度が得られ、かつ型張りの発生しない自硬性流動鋳型を造型することができ、起泡性と泡安定性を損なうことなく、低温域（例えば０〜５℃）でも有効成分の均一性が損なわれず液状に保たれる起泡剤を提供する。 - 特許庁

The protrusive bending part 31 is formed so that the protrusive height of the protrusive bending part 31 is formed to be the highest in the longitudinal direction central region C, and by inserting and fitting the protrusive bending part 31 into the recessed shaped inserted part 21, the inner face member 2 groups can be mutually connected by the inner face member connecting member 3.例文帳に追加

凸状曲がり部３１は、凸状曲がり部３１の凸部高さが、長手方向中央部Ｃにおいて最大となるように形成され、凸状曲がり部３１を凹状被挿入部２１に挿入して嵌合することにより、内面部材２同士を内面部材連結材３で相互に連結する。 - 特許庁

The waste liquid containing a tetraalkylammonium ion discharged from the cleaning process of a resist preferably after concentrated is directly fed to a region at ≥400°C in a combustion facility like a cement manufacture facility such as the furnace end of a calcination furnace or a rotary kiln by a supply method of dropping a liquid or spraying.例文帳に追加

レジストの洗浄工程から排出されるテトラアルキルアンモニウムイオン含有廃液を、好ましくは濃縮後、セメント製造設備の如き燃焼設備における４００℃以上の温度を有する領域、例えば、仮焼炉やロータリーキルンの窯尻に液滴や噴霧等の供給方法により直接投入する。 - 特許庁

In the fountain pen type chalk holder 100 consisting of a tubular holder main body 10 holding a chalk C therein, the hollow plastic cap 50 fittingly installed at a region on the chalk projecting side of the holder main body, a recessed part 51 is formed on the inner surface of the cap 50 so as to fix the magnet 52 to the interior of the recessed part.例文帳に追加

チョークＣを保持する筒状のホルダ本体１０と、該ホルダ本体のチョーク突出側の部位に嵌合装着される中空状のプラスチック製のキャップ５０と、から成る万年筆型のチョークホルダ１００において、キャップ５０の内面に凹部５１を形成するとともに、該凹部の内部に磁石５２を固着する。 - 特許庁

After this, the piezoelectric ceramics stack 20 is impregnated again in entirety in the insulating oil at, for example, 100°C, and specified high voltage is applied between the side electrodes 23 and 24, whereby the voltages of reverse polarity are applied alternately to the internal electrode 22 of each layer, so as to polarize again only the active region that the internal electrode 22 in each layer faces opposite.例文帳に追加

この後、再度、例えば１００℃の絶縁オイル中に圧電セラミックス積層体２０全体を浸漬して、両側面電極２３，２４間に所定の高電圧を印加することで、各層の内部電極２２に交互に逆極性の電圧を印加して、各層の内部電極２２が対向する活性部のみを分極し直す。 - 特許庁

In this method of nitrification from a combustion exhaust gas containing nitrogen oxide, as a reducing agent, an organic nitrogen compound having a nitryl group is added to the exhaust gas, and, after that, denitrating treatment by the reduction of the nitrogen oxide is performed in the temperature region of 100 to 500°C in the presence of a denitrating catalyst.例文帳に追加

窒素酸化物を含む燃焼排ガスの脱硝方法において、排ガスにニトリル基を有する有機窒素化合物を還元剤として添加した後、１００℃〜５００℃の温度域にて脱硝触媒の存在下、該窒素酸化物の還元による脱硝処理を行うことを特徴とする排ガス脱硝方法。 - 特許庁

To provide a nonionic, substituted ethynyl gold-nitrogen-containing heterocyclic carbene complex having luminescence in a blue region of ≤475 nm indispensable for achieving full color display, and useful as a light-emitting material or the like for an organic luminescence element having a high melting point of ≥200°C and resisting to the Joule heat generated when applying a voltage.例文帳に追加

フルカラーディスプレイを実現するために不可欠な４７５ｎｍ以下の青色領域の発光を有し、電圧印加時に発生するジュール熱に耐えうる２００℃以上の高い融点をもつ有機ルミネッセンス素子用発光材料等として有用な非イオン性の置換エチニル金−含窒素へテロ環カルベン錯体を提供する。 - 特許庁

The plasmid vector comprises T7 promoter, cloning region for inserting nucleic acid in the plasmid vector, B and C regions of an operon of the unclassified Haemophilus strain and, preferably, E. coli cer gene and has a diagnostic character of the plasmid vector i.e, plasmid JB-2646-1 (ATCC NO.203256).例文帳に追加

Ｔ７プロモーター、核酸分子をプラスミドベクターに挿入するためのクローニング部位、および非分類型Ｈaeｍophilus菌株のオペロンの部分ＢおよびＣを含み、好ましくはＥ.coli cer遺伝子を含み、また好ましくはプラスミドＪＢ-2646-１(ＡＴＣＣ ＮＯ.203256)であるプラスミドの識別形質を有することを特徴とするプラスミドベクター。 - 特許庁

To provide a glass ceramic dielectric material capable of obtaining a calcined compact and a circuit member for high frequency wave which can be calcined at a temperature not higher than 1,000°C and have a high bending strength, whose resonance frequency is not liable to vary by temperature in a high frequency region of not lower than 0.1 GHz, and have a low dielectric loss.例文帳に追加

１０００℃以下の温度で焼成でき、しかも、曲げ強度が高く、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域において、共振周波数が温度によって変化しにくく、低い誘電損失を有する焼結体及び高周波用回路部材を得ることが可能なガラスセラミック誘電体材料を提供することである。 - 特許庁

An amorphous tantalum oxide film of thickness 10 nm or so is deposited on the primary surface of a semiconductor substrate 1 where an element isolation structure 9, an N-type semiconductor region 10, an N-type well 12, and a P-type well 11 are formed, and the semiconductor substrate 1 is thermally treated in an oxidizing atmosphere at a temperature of 800°C for three minutes.例文帳に追加

素子分離構造９、ｎ型半導体領域１０、ｎ型ウエル１２およびｐ型ウエル１１が形成された半導体基板１の主面上に、約１０ｎｍの膜厚の非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これをたとえば酸化性雰囲気において８００℃、３分間の熱処理を行う。 - 特許庁

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

The photosetting transfer sheet having a photosetting transfer layer of ≤70% in light transmittance in a wavelength region of 380 to 420 nm consisting of photosetting composition containing photopolymerizable oligomer of ≤20°C in glass transition temperature and the optical information recording substrate and optical information recording medium using the same.例文帳に追加

ガラス転移温度が２０℃以下である光重合性オリゴマーを含む光硬化性組成物からなり、３８０〜４２０ｎｍの波長領域の光透過率が７０％以上である光硬化性転写層を有する光硬化性転写シート、これを用いた光情報記録基板及び光情報記録媒体。 - 特許庁

In a method for cleaning ground water polluted with a pollutant containing the halogenated organic compound, a water permeable reaction region containing a reducing agent of which the standard electrode potential to a standard hydrogen electrode at 25°C is 300-2,400 mV and nutrients for soil microorganisms is formed in the ground and the pollutant in ground water is chemically and biologically decomposed during the passage of ground water through the reaction region.例文帳に追加

ハロゲン化有機化合物を含む汚染物質で汚染された地下水を浄化する方法であって、２５℃における標準水素電極に対する標準電極電位が３００ｍＶ〜−２４００ｍＶである還元剤と、土壌微生物の栄養剤とを含む、水透過性の反応域を地中に形成し、地下水が前記反応域を通過する間に、地下水中の汚染物質が、化学的分解反応および生物学的分解反応を受けることを特徴とする、前記浄化方法。 - 特許庁

It was agreed that, in addition to the existing cooperation, the following five areas will be studied and researched, with ERIA playing a core role: (A) charting outlook for energy demand and saving potential over the medium-to-long term; (B) coordinating emergency response policies and measures; (C) enhancing the use of existing fossil fuel resources in the region; (D) improving electric power infrastructure, including nuclear power generation; and (E) developing clean energy and smart communities for efficient use of energy in the region; this agreement was also welcomed at East Asia top-level meetings.例文帳に追加

既存の協力に加え、①中長期に渡るエネルギー需要と省エネポテンシャルのアウトルックの策定、②緊急時の政策及び対応の連携、③地域における既存の化石燃料資源利用の促進、④原子力発電を含む電力インフラの改善、⑤地域の効率的なエネルギー利用を目的としたクリーンエネルギーやスマートコミュニティの開発の 5 つの分野についてERIA を中核に調査研究を行うことが合意され、東アジア首脳会議においても合意が歓迎された。 - 経済産業省

The photosensitive lithographic printing plate comprises an aluminum support and a photopolymerizable photosensitive layer containing (A) a polymerizable compound having two or more carbon-carbon double bonds and also having a tertiary amino group, (B) a sensitizing dye having an absorption maximum in the wavelength region of 300-450 nm and (C) a hexaarylbisimidazole compound.例文帳に追加

アルミニウム支持体、及び、（Ａ）炭素−炭素二重結合を２個以上有し、かつ３級アミノ基を有する重合可能な化合物、（Ｂ）３００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長域に吸収極大を持つ増感色素、および（Ｃ）ヘキサアリールビスイミダゾール化合物を含有する光重合性感光層を有することを特徴とする感光性平版印刷版。 - 特許庁

When the epitaxial film is formed on the wafer, a supply gas consisting of a silane compound and a hydrogen gas is made to flow at 50 liters per minute, and the wafer is heated within a temperature range of 1,080 to 1,100°C, thereby greatly improving resistivity characteristics in an epitaxial layer in the peripheral edge region of the formed epitaxial silicon wafer.例文帳に追加

ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成する際に、シラン化合物と水素ガスからなる供給ガスを毎分５０リットル以上流し、かつウェーハを１０８０℃以上、１１００℃以下の温度範囲になるように加熱することにより、形成されたエピタキシャルシリコンウェーハの周縁領域のエピタキシャル層内の抵抗率特性が大幅に改善される。 - 特許庁

When the accumulated amount of particulates reaches a specified amount to determine the time to regenerate, in the case an engine is in a low speed travel region VSP1-VSP2, the temperature of exhaust gas is raised to a comparatively low target temperature (450°C) to burn particulates in almost the same amount as the amount of particulates which flow into the diesel particulate filer.例文帳に追加

パティキュレート堆積量が規定量に達したとして再生すべき時期であると判定したときに、エンジンがＶＳＰ１〜ＶＳＰ２の低速走行領域にある場合は、ディーゼルパティキュレートフィルタに流入するパティキュレートの量とほぼ同量のパティキュレートが燃焼するように、比較的に低い目標温度（４５０℃）に排気ガスを昇温させる。 - 特許庁

A method of forming a multilayer conductive film comprising this polysilicon film 108 comprises a process, wherein the surface of the film 108 is etched back using etching gas containing C and S components and an F component to remove a recessed region generated in the film 108, and a process, wherein a conductive film having a resistance lower relatively than that of the film 108 is formed on the film 108.例文帳に追加

本発明のポリシリコン膜１０８を含む多層導電膜の形成方法は、Ｃ、Ｓ、そしてＦ成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜１０８の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜１０８より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

When the abnormality detection means C detects the abnormality, a data storage means D for analyzing an abnormality erases programs and data on a rewritable nonvolatile memory 13 where programs and data for operating the electronic device are stored, and writes and stores the data for analyzing an abnormality required for analyzing the abnormality detected in the erased region.例文帳に追加

異常検出手段Ｃが異常を検出すると、異常解析用データ保存手段Ｄが、電子装置を動作させるためのプログラムやデータが格納されている書き換え可能な不揮発性メモリ１３上のプログラムやデータを消去し、その消去した領域に検出された異常を解析するために必要な異常解析用データを書き込み保存する。 - 特許庁

The method includes: providing a melt in a crucible; imposing, on the melt, a horizontal magnetic field having a magnetic induction B at a field center C; directing a gas between the silicon single crystal and a heat shield toward a melt free surface; and controlling the gas to flow over a region of the melt free surface which extends in a direction substantially perpendicular to the magnetic induction B.例文帳に追加

るつぼに融液を提供し、磁界中心Ｃにおける磁気誘導Ｂを有する水平方向磁界を融液に提供し、ガスをシリコン単結晶と熱遮へい体の間を融液自由面に向かって送り、融液自由面の、実質的に磁気誘導Ｂに対して垂直に延びた領域上を流れるようにガスを制御する。 - 特許庁

The hologram image having the color information is observed in an observation region for the hologram and a color image by ink ribbons are observed in other regions by transferring with ink ribbons that are respectively in complementary color relationship of C for R, M for G and Y for B regarding the dots that were not transferred among the dots R, G, B.例文帳に追加

Ｒ，Ｇ，Ｂのドットのうち、転写されなかったドットについては、Ｒに対してＣ、Ｇに対してＭ、Ｂに対してＹの、それぞれ補色関係にあるインクリボンを転写することで、ホログラムの観察領域においてはカラー情報を持ったホログラム画像が観察され、それ以外の領域においてはインクリボンによるカラー画像が観察される。 - 特許庁

The fiber rope includes a core fiber layer and a braided outer fiber layer covering the core fiber layer and has an effective sectional area ratio and a core fiber layer content in a region enclosed by A, B and C in a figure exhibiting a relation between the effective sectional area ratio (%) and the core fiber content (%) shown as Fig.1 in an attached drawing.例文帳に追加

芯繊維層及び前記芯繊維層を被覆する編組外繊維層を有し、添付図面中の図１として示す実効断面積率（％）と芯繊維層含有率（％）の関係を示す図において、Ａ、Ｂ及びＣで囲まれた領域内の実効断面積率及び芯繊維層含有率を有することを特徴とする繊維ロープとする。 - 特許庁

The output part 30 gives the object region individually the vibrations of a superimposed wave A overlapped with sine wave of 25 to 40 Hz associated with a substance surface roughness, of a sine wave B of 200 to 250 Hz associated with the substance's frictional coefficient, and of a sine wave C of 0.4 to 7 Hz associated with the compliance of the substance.例文帳に追加

そして、出力部３０は、物質の表面粗さと関連付けられる２５〜４０Ｈｚの正弦波を重畳した重畳波Ａ、および物質の摩擦係数と関連付けられる２００〜２５０Ｈｚの正弦波Ｂ、および物質のコンプライアンスと関連付けられる０．４〜７Ｈｚの正弦波Ｃの振動を個別に対象部位に付与する。 - 特許庁

A control apparatus 16 is configured to return a response signal by a mode A/C from a ghost target or a real machine, while an all-call question is being made in the mode S by making a MIIP question, to at least a part of a monitoring region covered by a mode S radar ground station and to measure the distribution of an azimuth in which a mode A address is overlappingly detected.例文帳に追加

制御装置１６において、モードＳレーダ地上局がカバーする監視領域の少なくとも一部に対し、ＭＩＩＰ質問を行うことでモードＳによるオールコール質問を行いつつゴーストターゲットやリアル機からモードＡ／Ｃによる応答信号を返送させ、モードＡアドレスが重複して検出される方位の分布を測定するようにしている。 - 特許庁

To suppress that a physical defect is caused in an electrolyte membrane, a membrane electrode assembly using the electrolyte membrane, and a manufacturing method of the electrolyte membrane, and improve durability in a long time operation in the electrolyte membrane used in a fuel cell system which is actuated in a temperature region of 100°C or more on condition that a fuel gas is not humidified.例文帳に追加

燃料ガスが無加湿という条件下、１００℃以上の温度領域で作動する燃料電池システムに用いられる電解質膜、この電解質膜を用いた膜電極接合体、及びこの電解質膜の製造方法において、電解質膜に物理的欠陥が生じることを抑制し、長期運転時の耐久性を向上させる。 - 特許庁

To provide a metallic material for glass melting treatment, which enables the extension of the service life of an apparatus by the effective strengthening of the joinability between iridium and a surface layer consisting of platinum or the like known as an element suppressing the oxidation of iridium being the one of physically and chemically most stable materials in the high temperature region of ≥1,550°C, and to provide its production method.例文帳に追加

1550℃以上の高温域で物理的、化学的にも最も安定な材料の一つであるイリジウムの酸化を抑制することで知られている白金等からなる表面層のイリジウムとの接合性を効果的に強化されて装置寿命の延命を図ることができるガラス溶融処理用金属材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At an encoding device side, the wavelet conversion signal of a two-dimensional signal is region-divided into plural coefficient groups with coefficients arranged at spatially the same positions as one group (a coefficient group to which the same subscripts a, b, c, and d are added is defined as one coefficient group), and encoding processing to the plural coefficient groups is executed in parallel by plural encoding parts.例文帳に追加

符号化装置側で、２次元信号のウェーブレット変換信号を、空間的に同じ位置にある係数を１組とする複数の係数組（同じ添字ａ，ｂ，ｃ，ｄが付された係数群が１つの係数組）に領域分割し、複数の係数組に対する符号化処理を複数の符号化部によって並列に実行する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) of forming a first insulating film 11 on a substrate 12, a step (c) of selectively removing the first insulating film 11 by wet etching, and a step (d) of forming a second insulating film 17 on a region of the substrate 12 having the insulating film 11 removed therefrom.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１２の上に第１の絶縁膜１１を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜１１をウェットエッチエッチングにより選択的に除去する工程（ｃ）と、基板１２における第１の絶縁膜１１が除去された領域の上に第２の絶縁膜１７を形成する工程（ｄ）とを備えている。 - 特許庁

Thereby, in the stage when the second developing step is finished, a second exposure area not covered with the second photoresist film 3' is formed, as shown in (c), within the first exposure area that is not covered with the first photoresist film 3 but exposed in the stage when the first developing step is finished, because the saturation sensitization region d' is formed in a tapered figure.例文帳に追加

その結果、第２現像工程を終えた段階においては、(ｃ)に示すように、第２フォトレジスト膜３´で被われていない第２露出エリアは、飽和感光領域ｄ´が先窄み形状に形成されていた為、第１現像工程を終えた段階において第１フォトレジスト膜３で被われずに露出していた第１の露出エリア内に形成されている。 - 特許庁

To provide a novel cold storage medium which secures an ultralow temperature of at most ≤-55°C, furthermore can prolong the period of time to reach a necessary low temperature region from the ultralow temperature, simultaneously, enables quick cooling, and is not subject to various restrictions on the refrigeration storage and distribution of foods and foodstuffs, and its manufacturing method.例文帳に追加

少なくとも−５５℃以下の超低温を確保することができ、しかもその超低温から必要とされる低温域までに到達する時間が長くすることができるとともに急速冷却を可能とし、食品、食材の冷凍保管、流通に関して種々の制約を受けることのない新規な蓄冷材及びその製造方法とする。 - 特許庁

An object tracing unit 104a calculates a similarity between an image in a search frame B at a position of each search frame and a template image while moving the search frame B in a frame subject region C set in each frame of moving image data, and specifies a position of the search frame B with the highest similarity as a position of the object between respective frames.例文帳に追加

被写体追跡部１０４ａは、動画像データの各フレーム内に設定した探索対象領域Ｃ内で探索枠Ｂを移動させながら、各探索枠位置における探索枠Ｂ内の画像とテンプレート画像との類似度を算出し、算出した類似度が最も高い探索枠Ｂの位置を各フレームにおける被写体位置として特定する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the steel stock for spring by subjecting a billet of spring steel to hot rolling and cooling, the steel billet is kept under the thermal environment in the temperature region higher than its A3 transformation point during the whole process from the initiation of the hot rolling to its finishing, and the cooling is performed at (0.5 to 3.0)°C/s cooling rate.例文帳に追加

ばね鋼の鋼片を熱間圧延したのち冷却してばね用鋼材を製造する方法において、熱間圧延の開始から終了までの全過程で、鋼片はそのＡ３変態点より高い温度域の熱環境下にあり、かつ、冷却は、０.５〜３.０℃／秒の冷却速度で実施されるばね用鋼材の製造方法。 - 特許庁

A reflecting means 19, installed on the front face of a transmission antenna 2 of the reader/writer 1, diffuses and reflects the radio waves from the transmission antenna 2 in the horizontal direction so that the radio wave can reach the RFID tag 5 positioned in the communication-invalidating region C, and that communication with the RFID tag 5, which is originally invalid, can be validated.例文帳に追加

リーダライタ１の送信アンテナ２の正面には設置された反射手段１９は、送信アンテナ２からの電波を水平方向に拡散して反射するので、通信不能領域Ｃに位置するＲＦＩＤタグ５に電波が到達するようになり、本来なら通信不能なＲＦＩＤタグ５と通信することが可能となる。 - 特許庁