「C region」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

This duct 30 is disposed in an unevenly distributed state in one longitudinal region 16A in a space 16 partitioned between a roof side rail part 12 and a roof side garnish 14 and having an expected collided part C as a boundary in the roof side garnish 14.例文帳に追加

車両用ダクト３０を、ルーフサイドレール部１２とルーフサイドガーニッシュ１４との間に画成される空間１６において、該ルーフサイドガーニッシュ１４に予測される被衝突部Ｃを境界とした該空間１６における一方の長手領域１６Ａに、偏在させた状態に配設する。 - 特許庁

To provide an iron-based powder mixture for powder metallurgy, which has excellent compactibility even in a low-temperature region of lower than 100°C, does not exert an adverse influence on an atmosphere in a furnace when its compact is sintered, and provides a sintered compact having sufficient mechanical strength and superior machinability.例文帳に追加

１００℃未満という低温度域でも優れた成形性が得られ、また、成形体の焼結に際し炉内環境に悪影響を及ぼすことなく、さらには得られた焼結体の機械的強度および切削性に優れる、粉末冶金用の鉄基混合粉末を提供する。 - 特許庁

In a plasma CVD apparatus to deposit a film on a substrate by generating plasma, a hood to limit a generation region of the plasma is arranged, a heating means (e.g. heater), which maintains a surface temperature to cause the plasma to contact with the hood to a high temperature (e.g. ≥150°C), is arranged.例文帳に追加

プラズマを発生させて基体上に成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記プラズマの発生領域を制限するフードが設けられ、そのフードのプラズマと接する表面温度を高温（例えば１５０℃以上）に維持するための加熱手段（例えばヒータ）を設けた。 - 特許庁

Next, regions narrower than the region subjected to the first alignment processing in the direction (a) are subjected to second alignment processing in a second direction (b) forming about 90° to the direction (a) and a third direction (c) opposite to the direction (a).例文帳に追加

次いで、ａの方向の第１配向処理が施された領域に比べて狭い領域をなすように、上記ａの方向に対して略９０°をなすｂの方向（第２の方向）、及び上記ａの方向とは反対方向にｃの方向（第３の方向）に、第２配向処理を行う。 - 特許庁

Thereafter, when the shutter key is half-depressed, the digital camera carries out photographing at the zoom magnification, applies angle correction processing (c) and trapezoidal correction processing (d) to a second object image 102 acquired thereby to produce a third object image 103 resulting from correcting the rectangular region 101a to be a rectangle.例文帳に追加

その後、シャッターキーが半押しされたらそのズーム倍率で撮影を行い、そこで取得した第２の被写体画像１０２に対して角度補正処理（ｃ）と台形補正処理（ｄ）を行い、四角形領域１０１ａを矩形に補正した第３の被写体画像１０３を生成する。 - 特許庁

Each of network files possible to be utilized on reproducing a DVD 2 is sequentially downloaded in advance from a network server 5 and put into a memory in a mobile DVD player 1 while travelling in a region connectable to a WAN 3 through a wireless base station 31 (b, c).例文帳に追加

無線基地局３１を介してＷＡＮ３に接続可能な地域を走行している期間には、車載ＤＶＤプレイヤ１において、ＤＶＤ２の再生時に利用される可能性のある各ネットワークファイルを、順次、ネットワークサーバ５から先行的にダウンロードして記憶する（ｂ、ｃ）。 - 特許庁

The reflecting mirror 25 is revolved on the circumference C centering an optical axis A, and photographing operations are carried out at different angle positions, and solid shape data at respective angle positions are created from focused region of a plurality of photographed images acquired by carrying out the photographing operations while varying a focal distance at each angle position.例文帳に追加

反射ミラー２５を光軸Ａを中心とする円周Ｃ上に周回移動させて異なる角度位置から撮影を行い、各角度位置において焦点距離を変化させて撮影した複数の撮影画像の合焦領域に基づいて各角度位置の立体形状データを生成する。 - 特許庁

To provide a friction material for DP for which fade performance under elevated temperatures and high loads are required, high in coefficient of friction even at elevated temperatures higher than 350°C and high speed-reducing region in making an AMS fade test, good in fade performance, and also high in abrasion resistance.例文帳に追加

特に高温・高負荷におけるフェード性能を要求されるＤＰ用摩擦材において、ＡＭＳフェード試験時の３５０℃を超える高温度、高減速度域においても摩擦係数が高く、フェード性能が良く、耐摩耗性にも優れる摩擦材を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this embodiment, the capacitors C, each having the electrode L2a connected to the pad 5 and the electrode L1a to which the ground potential is given, are respectively formed between all pads 5 arranged on the pad arrangement region 4 and the substrate 10 with the same layer construction.例文帳に追加

また、本実施形態では、パッド配置領域４に配置されたすべてのパッド５と基板１０の間に、それぞれパッド５に接続された電極Ｌ２ａと接地電位が供給される電極Ｌ１ａとを備えたキャパシタＣが、同一の層構成によって形成されている。 - 特許庁

To provide a glass ceramic sintered compact which can be fired at a temperature of 1,000°C or lower, which has a lower dielectric loss in a high-frequency region of 0.1 GHz or higher, and which provides a multilayered substrate that is not deformed even if simultaneous firing with a silver conductor is carried out, and a circuit member for microwave.例文帳に追加

１０００℃以下の温度で焼成でき、しかも、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域における誘電損失が低く、かつ銀導体と同時焼成を行っても多層基板が変形しないガラスセラミックス焼結体及びマイクロ波用回路部材を提供することである。 - 特許庁

A channel region C of a pixel transistor TFT connected to a pixel electrode P is arranged on an intersection of the signal line X to be electrically connected to the pixel electrode P by conduction of the pixel transistor TFT and a scanning line Y to drive the pixel transistor TFT and bring it into conduction.例文帳に追加

画素電極Ｐに接続された画素トランジスタＴＦＴのチャネル領域Ｃは、当該画素トランジスタＴＦＴの導通により当該画素電極Ｐに電気的に接続される信号線Ｘと、当該画素トランジスタＴＦＴを駆動して導通させる走査線Ｙとの交差部に配置される。 - 特許庁

The printer includes (A) a head part that ejects an adhesive to form dots on the medium, (B) a printer control section that makes a user set, through an user interface screen, the adhesive ejected region where the adhesive is ejected to form the joining surface on the medium, and (C) an unit control section that operates the head part to form the joining surface on the adhesive ejected region.例文帳に追加

（Ａ）接着剤を噴出して媒体上にドットを形成するヘッド部と、（Ｂ）前記媒体上に接着面を形成するための接着剤を噴出する領域である接着剤噴出領域を、ユーザーインターフェース画面を介してユーザーに設定させる印刷装置制御部と、（Ｃ）前記ヘッド部を動作させて前記接着剤噴出領域上に接着面を形成するユニット制御部と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of preparing a metal frequency 30 and a semiconductor substrate 10 having a first region having a nitride or oxynitride film and a main surface including a second region with an exposed semiconductor material, and depositing an HfSiO film at 200-260°C to form HfSiO films 40, 50 different in hafnium density on the first and second regions, respectively.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、酸化膜３０、窒化膜または酸窒化膜が設けられた第１の領域、および、半導体材料が露出した第２の領域を含む主面を有する半導体基板１０を準備し、２００℃〜２６０℃のもとでＨｆＳｉＯ膜を堆積することによって、ハフニウム濃度の異なるＨｆＳｉＯ膜４０、５０を、第１の領域および第２の領域に形成することを具備する。 - 特許庁

The dispersant has an amine number between 1 and 100 mgKOH/g, and is formed by reacting the isocyanate groups of a urethane prepolymer (E) that has two isocyanate groups in one terminal region formed by reacting the hydroxyl groups of a vinyl polymer (A) having two hydroxyl groups in one terminal region with the isocyanate groups of diisocyanate (B), and the primary and/or secondary amino group of an amine compound containing polyamine (C).例文帳に追加

片末端領域に２つのヒドロキシル基を有するビニル重合体（Ａ）のヒドロキシル基と、ジイソシアネート（Ｂ）のイソシアネート基とを反応してなる片末端領域に２つのイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー（Ｅ）のイソシアネート基と、ポリアミン（Ｃ）を含むアミン化合物の一級及び／又は二級アミノ基と、を反応させてなる分散剤であり、アミン価が１〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇである分散剤により解決。 - 特許庁

A distillation remaining solution obtained by distilling a waste solution after the distillation of wheat shochu to solid-liquid separation and having a boiling point of 107 to 110°C or components precipitated upon addition of ethyl alcohol to the distillation remaining solution can maintain extremely high corrosion suppression effect to the corrosion of iron from a high alkaline region to a slightly acidic region under the conditions where chloride ions of high concentration are present.例文帳に追加

麦焼酎蒸留廃液を固液分離した溶液を蒸留して得られる１０７〜１１０℃の沸点を有する蒸留残留液や、その蒸留残留液にエチルアルコールを加えた時に析出する成分は、高濃度の塩化物イオンが存在する条件下で、高アルカリ性領域から弱酸性領域まで、鉄の腐食に対して極めて高い腐食抑制効果を維持できる。 - 特許庁

1. For the purposes of this Agreement, the term “resident of a Contracting Party” means: (a) in the case of the Hong Kong Special Administrative Region: (i) any individual who ordinarily resides in the Hong Kong Special Administrative Region, provided that the individual has a substantial presence, permanent home or habitual abode in the Hong Kong Special Administrative Region, and that he has personal and economic relations with the Hong Kong Special Administrative Region; (ii) any individual who stays in the Hong Kong Special Administrative Region for more than 180 days during a year of assessment or for more than 300 days in two consecutive years of assessment one of which is the relevant year of assessment, provided that he has personal and economic relations with the Hong Kong Special Administrative Region; (iii) a company having a primary place of management and control in the Hong Kong Special Administrative Region; and (iv) any other person having a primary place of management and control in the Hong Kong Special Administrative Region; (b) in the case of Japan, any person who, under the laws of Japan, is liable to tax therein by reason of his domicile, residence, place of head or main office or any other criterion of a similar nature, except any person who is liable to tax in Japan in respect only of income from sources in Japan; and (c) the Government of a Contracting Party or apolitical subdivision or local authority thereof. 例文帳に追加

１この協定の適用上、「一方の締約者の居住者」とは、次の者をいう。(a)香港特別行政区については(i)香港特別行政区内に通常居住する個人（当該個人が、香港特別行政区内に実質的に所在し、又は恒久的住居若しくは常用の住居を有し、かつ、香港特別行政区に人的及び経済的関係を有する場合に限る。）(ii)香港特別行政区内に一賦課年度中に百八十日を超えて滞在し、又は連続する二賦課年度において三百日を超えて滞在する個人（当該個人が、香港特別行政区に人的及び経済的関係を有する場合に限る。）(iii)香港特別行政区内に事業の管理及び支配の主たる場所を有する法人(iv)香港特別行政区内に事業の管理及び支配の主たる場所を有するその他の者(b)日本国については、日本国の法令の下において、住所、居所、本店又は主たる事務所の所在地その他これらに類する基準により日本国において課税を受けるべきものとされる者（日本国内に源泉のある所得のみについて日本国において租税を課される者を除く。）(c)一方の締約者の政府及び一方の締約者の地方政府又は地方公共団体 - 財務省

To provide a HCV (hepatitis C virus) fusion protein that includes a mutated NS3 protease domain, fused to at least one other HCV epitope derived from another region of the HCV polyprotein, usable in a method of stimulating a cellular immune response to HCV, such as activating hepatitis C virus (HCV)-specific T cells (including CD4^+ and CD8^+ T cells).例文帳に追加

ＨＣＶに対する細胞性免疫応答を刺激する有効な方法、およびＨＣＶ特異的Ｔ細胞（ＣＤ４^＋Ｔ細胞およびＣＤ８^＋Ｔ細胞を含む）の活性化のような、ＨＣＶに対する細胞性免疫応答を刺激する方法において使用され得る、ＨＣＶポリペプチドの別の領域に由来する、少なくとも１つの他のＨＣＶエピトープに融合された、変異ＮＳ３プロテアーゼドメインを含むＨＣＶ融合タンパク質を提供すること。 - 特許庁

The resulting components will exhibit a surface region having a mean precipitate sizing of between about 50 and 100 nm and a Sigma A of less than about 2×10^-19 hr with the workpiece processing generally being limited to temperatures below 680°C for extrusion and below 625°C for all other operations, thereby simplifying the fabrication of the nuclear reactor components while providing corrosion resistance comparable with conventional alloys.例文帳に追加

得られた構成部品は、一般的に加工物処理を押出し成形については６８０°Ｃ以下の温度にまた他の全ての作業については６２５°Ｃ以下の温度に制限した状態で、約５０〜１００ｎｍの析出物平均サイズを有する表面領域と約２×１０^−１９時間よりも小さいシグマＡとを示し、従来型の合金に匹敵する耐食性を得ながら原子炉構成部品の製造を簡素化させる。 - 特許庁

In this reaction vessel, the substrate consists mainly of a resin composition with a coefficient of thermal expansion of 100-2,000_(10^-5/°C) at 20-120°C and the light transmittance in the visible light region between the bottom of the well-like reaction detective parts and the substrate reverse face is 60-90%.例文帳に追加

基板に、複数のウェル状反応検出部を備え、該ウェル状反応検出部上に保護フィルムがヒートシールにより貼り合わされてなる反応容器であって、該基板の２０〜１２０℃における熱膨張率が１００〜２０００（１０^−５／℃）の範囲内である樹脂組成物を主成分としており、かつウェル状反応検出部底部と基板裏面の間における可視光域での光線透過率が６０％〜９０％の範囲内である、ことを特徴とする反応容器とする。 - 特許庁

The ion source consists of (a) an ionization device for generating ions and sending them to ionization region, (b) a collecting conduit adjacent to the ionization device for collecting ions generated by the ionization device, (c) a first gas source supplying gas for desolvation of the ions generated by the ionization device, and (d) a second gas source supplying gas to the ionization region at a given flow velocity.例文帳に追加

本発明のイオン源は、（ａ）イオンを生成して該イオンをイオン化領域に送るイオン化装置と、（ｂ）前記イオン化装置によって生成されたイオンを収集するための、前記イオン化装置に隣接した収集導管と、（ｃ）前記イオン化装置によって生成されたイオンを脱溶媒和するためにガスを供給する第１のガス源と、（ｄ）イオン化領域に所定の流速でガスを供給する第２のガス源とからなることを特徴とする。 - 特許庁

In fact, a questionnaire survey79 carried out by the EIU80 among 600 member companies operating in that Asian region shows that many companies, which have entered the Asian region, raised problems such as the following as obstacles to business development in Asia: (a) it is becoming more difficult every year to find high-skilled workers with a higher degree of expertise who are necessary for new business development81, (b) filling vacant positions is difficult82, (c) there is a high turnover rate83, (d)and there has been in increase in wages, etc.例文帳に追加

実際、EIU80がアジア地域に展開する会員企業600社を対象に行ったアンケート調査81では、アジア地域に進出している多くの企業が、①新しい事業展開に必要なより専門性の高い高度なスキルを持つ労働者を確保することが年々難しくなりつつあること82、②欠員の補充が困難83、③高い離職率84、④賃金の高騰85等といった点をアジアにおける事業展開上の障害として挙げている。 - 経済産業省

The subject method permits directly and efficiently amplifying a nucleic acid in a region rich in guanine (G) and cytosine (C), which is considered to be a difficult region for PCR even if a purified DNA is used, from a specimen containing a large amount of PCR-inhibiting substances such as blood without separating/purifying the nucleic acid by including a polyhydric alcohol and/or ammonium sulfate in an amplification reaction liquid.例文帳に追加

本発明は、グアニン（Ｇ）シトシン（Ｃ）含量の多い領域中の核酸を増幅する核酸増幅法において、増幅反応液中に多価アルコール及び／又は硫酸アンモニウムを存在させることにより、精製DNA使用時においても、ＰＣＲが困難とされているＧＣリッチな領域を核酸の分離・精製の過程を経ずに、血液等のＰＣＲ阻害物質を多く含んだ試料から、直接効率よく増幅することが可能となった。 - 特許庁

An average pitch of fine surface projection and recession of the reflection electrode 31 is controlled to be 1 μm or less, and reflectance in a wavelength region of 200-400 nm is controlled to be 90% or more of reflectance at the wavelength of 400 nm, by forming a metal film constituting the reflection electrode 31 at 170°C or below.例文帳に追加

反射電極３１を構成する金属膜の成膜温度を１７０℃以下で行うことにより、反射電極３１の微細な表面凹凸の平均ピッチを１μｍ以下に制御し、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍでの反射率を波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上とする。 - 特許庁

Average pitch of the fine surface ruggedness of the reflection electrode 31 is controlled to be ≤1 μm and the reflectance in 200-400 nm wavelength region is specified to be ≥90% of the reflectance at 200 nm wavelength by film-depositing the metal film to be the reflection electrode 31 at ≤170°C.例文帳に追加

反射電極３１を構成する金属膜の成膜温度を１７０℃以下で行うことにより、反射電極３１の微細な表面凹凸の平均ピッチを１μｍ以下に制御し、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍでの反射率を波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上とする。 - 特許庁

The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。 - 特許庁

The metal complex comprises a metal selected from transition metals of the forth period and the fifth period, W, Os, Ir, Au and lantanoides, the monodentate ligand and the tridentate ligand containing ≥1 aromatic rings and 3 ligand atoms in the aromatic rings and expresses light emission in the visible region at ≥10°C.例文帳に追加

第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属と、単座配位子と、１個以上の芳香環を含みかつ当該芳香環構造内に３個の配位原子を含む３座配位子とを有する金属錯体であって、１０℃以上で可視域に発光を示す金属錯体。 - 特許庁

A light shielding part (30) consisting of a light shielding part which does not allow a transmission of light is partially formed on a code disc (1) to form a slit (3), so, even if the code disc (1) is displaced, a normal light reception amount change region (C) is provided to generate a normal encoder signal.例文帳に追加

本発明によるエンコーダ用スリットは、符号板（１）には光を透過しない状態の遮光部分からなる遮光部（３０）が部分的に形成されてスリット（３）が形成され、符号板（１）が変位した場合でも正常な受光量変化領域（Ｃ）が得られ、正常なエンコーダ信号を得る構成である。 - 特許庁

An average pitch of fine surface irregularity of the reflective electrode 31 is controlled to 1μm or less, and a reflectance in a wavelength region of 200-400 nm is controlled to 90% or more at that of the wavelength of 400 nm, by forming the metallic film constituting the electrode 31 at 170°C or below.例文帳に追加

反射電極３１を構成する金属膜の成膜温度を１７０℃以下で行うことにより、反射電極３１の微細な表面凹凸の平均ピッチを１μｍ以下に制御し、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍでの反射率を波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上とする。 - 特許庁

The device C for automatically drilling goods comprises a drilling machine 38 provided with a main shaft head provided with a drill in an X-Y direction in plane coordinates and in an up-and-down direction movably and a goods retaining device 39 for retaining an attached contacting board arranged downward in the plane movement region of the main shaft head in the drilling machine 38.例文帳に追加

物品自動穿孔装置Ｃは、ドリルを備えた主軸頭を平面座標のＸ−Ｙ方向および上下方向に移動可能に備えた穿孔機３８と、穿孔機３８における主軸頭の平面移動領域の下方に配設されて添接板を保持する物品保持装置３９とから構成される。 - 特許庁

A metallic tube 1 is heated to the temperature region of ≥900°C, where quenching is performable, by passing through a heater 4, next, the special-shaped tube 7 is formed by passing the heated part 5 of the metallic tube 1 through a forming means which is composed of rolls 6 or dies 9 and, next, the special-shaped tube 7 is cooled and quenched by passing through a cooler 8.例文帳に追加

金属管１を、加熱手段４に通過させて焼入れが可能な９００℃以上の温度域に加熱し、次に金属管１の加熱部５を、ロール６又はダイス９からなる成形手段に通過させて異形管７を成形し、次に異形管７を、冷却手段８に通過させて冷却して焼入れる。 - 特許庁

A printing relief plate C, within a screen tint region A, includes main halftone dot convexities 204m, halftone dot convexities 204s, and other halftone dot convexities 204t, in which the heights of printing surfaces of the halftone dot convexities 204 to which ink is applied differ from each other in a plurality of halftone dot convexity height levels Lh1, Lh2 and Lh3.例文帳に追加

印刷用凸版Ｃは、平網部領域Ａにおいて、インキが付けられる網点突起部２０４の印刷面の高さが、複数の網点突起部高さレベルＬｈ１、Ｌｈ２及びＬｈ３と異なる網点主突起部２０４ｍ、網点突起部２０４ｓ、及び網点突起部２０４ｔを有するようにしている。 - 特許庁

The recombinant DNA molecule or the DNA molecule of a cDNA molecule encoding the Ig molecule which includes at least one of antigenic or immunogenic heterogenic epitopes in the CDR of the N-terminal variable region of the Ig molecule and holds a function participating in the H chain C-terminal constant domain peculiar to a specific cell/receptor type is obtained.例文帳に追加

そのＮ末端可変部のＣＤＲに少なくとも１個の抗原性または免疫原性の異種エピトープを有し、特定の細胞／レセプター型に特異的なＨ鎖のＣ末端定常領域に関する機能性を保持しているＩｇ分子をコードする組換えＤＮＡ分子またはｃＤＮＡ分子であるＤＮＡ分子。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

When the new road passes the learning object determination region in the periphery of the destination as a comparison result, a learned road comprising a connection node corresponding to a deviation spot on the road 1, a connection node corresponding to a returning spot on the road 2, and a link connecting both connection nodes is registered as shown in Fig.3(c).例文帳に追加

比較の結果、当該新規道路が目的地周辺の学習対象判定領域内を通る場合、図３（ｃ）に示すように、道路１上の離脱地点に対応する接続ノードと、道路２上の復帰地点に対応する接続ノードと、この両接続ノードを結ぶリンクからなる学習道路を登録する。 - 特許庁

To provide a nonionic substituted ethynyl gold-nitrogen-containing heterocyclic carbene complex exhibiting light emission in a blue region of the wavelength of 460 nm or shorter essential for realizing a full-color display and useful as an organic light emitting material or the like of a high melting temperature of 200°C or higher withstanding Joule heat generated upon applying a voltage thereto for use in an organic electroluminescent device.例文帳に追加

フルカラーディスプレイを実現するために不可欠な460nm以下の青色領域の発光を有し、電圧印加時に発生するジュール熱に耐えうる200℃以上の高い融点をもつ有機ルミネッセンス素子用発光材料等として有用な非イオン性の置換エチニル金−含窒素へテロ環カルベン錯体を提供する。 - 特許庁

There is provided the dispersion prepared by dispersing carbon materials and a resin prepared by reacting a polyamine (C) having at least two primary and/or secondary amino groups with a prepolymer having isocyanate groups at the terminals and prepared by reacting a vinylic polymer (A) having two hydroxyl groups in one terminal region with a diisocyanate (B), in an organic solvent.例文帳に追加

片末端領域に２つのヒドロキシル基を有するビニル重合体（Ａ）およびジイソシアネート（Ｂ）とを反応させてなる末端にイソシアネート基を有するプレポリマーに、少なくとも２つの一級及び／又は二級アミノ基を有するポリアミン（Ｃ）を反応させてなる樹脂とを有機溶媒に分散させてなる分散体。 - 特許庁

The method comprises heating a steel slab, hot-rolling the heated slab, subjecting the hot-rolled slab to accelerated cooling from the austenitic temperature region to a middle temperature in bainite transformation, immediately re-heating the cooled slab after the accelerated cooling to concentrate C in the untransformed austenite to realize a metal structure containing a martensite-austenite constituent after the cooling subsequent to the re-heating.例文帳に追加

鋼スラブを加熱、熱間圧延後、オーステナイト温度域からベイナイト変態途中温度まで加速冷却を行い、加速冷却後直ちに再加熱を行い、未変態オーステナイト中にＣを濃化せしめることによって、再加熱後の冷却後に島状マルテンサイトを含んだ金属組織とする製造方法を用いる。 - 特許庁

When the ceramic substrate 1 is produced, intersections of splitting grooves 12 and 13 of latticelike splitting grooves are punched over a predetermined region including a part of a tubular electrode 9a under the state of an unburnt multilayer green sheet 10, and a through-hole conductor 4 (remaining portion of the tubular electrode 9a) having C-shaped plan view is exposed through that punching hole 11.例文帳に追加

セラミック基板１の製造時に、未焼成の多層グリーンシート１０の状態で格子状の分割溝１２，１３の交叉部を円筒状電極９ａの一部を含む所定領域に亘って打ち抜き、その抜き穴１１に平面視Ｃ字形状のスルーホール導体４（円筒状電極９ａの残部）を臨出させる。 - 特許庁

The substrate 13 is rotatable, and the quantity of light of the light emitting diode 16 located on the side of the center C of rotation of the substrate 13 is set lower than the quantity of light of the light emitting diode 16 located on the outside, thus maintaining the quantity of light integrated throughout the irradiation region of the light emitting means substantially uniformly.例文帳に追加

基板１３は回転可能であり、基板１３の回転中心Ｃ側に位置する発光ダイオード１６の光量は、外側に位置する発光ダイオード１６の光量よりも低く設定され、これによって発光手段の光照射領域の全域における積算光量が略均一に保たれるようになっている。 - 特許庁

In a step of increasing voltage, when a voltage is increased at a contact surface pressure of 0, a voltage at a first change point C that allows a current density to start to decrease after an increase is defined as a threshold voltage and the voltage is increased so that the voltage in a region where a barrier film is exposed is higher than the threshold voltage.例文帳に追加

電圧を高める工程では、接触面圧を０とした状態で、電圧を高めた場合に、電流密度が増加から減少に転じる第１変化点Ｃ電圧を閾値電圧とし、バリア膜を露出させた領域における電圧が、閾値電圧を超えるように、電圧を高めることを特徴とする。 - 特許庁

The temperature of a region, into which the substrate W is transferred is detected by a temperature/humidity detector 3, and the temperature of the wafer W cooled down by the cooling plate 41, is regulated on the basis of detected value so that the temperature of the wafer W transferred to the application unit C gets equal to the application temperature of a processing liquid.例文帳に追加

ウエハＷが搬送される領域の温度を温湿度検出部３により検出し、この検出値に基づいて、塗布ユニットＣに搬送されたときのウエハＷの温度が処理液の塗布温度となるように、前記冷却プレート４１で冷却されるウエハＷの温度を調整する。 - 特許庁

As a result, the holder substrate 40 is moved at a distance C in a right direction in order to align the peak light quantity position Cc of the illuminance distribution 54 by the illumination device to the center Bc of the reading region, thereby, the peak positions can be aligned to the center and the moving regulation can be executed without collapsing the illuminance distribution state of this time.例文帳に追加

これにより、上記照明装置による照度分布５４のピーク光量位置Ｃｃを読取領域の中心Ｂｃに一致させるために、ホルダ基板４０を右方向に距離Ｃ移動させることで、ピーク位置を一致でき、この時の照度分布状態を崩すことなく、移動調整できる。 - 特許庁

The antibacterial amorphous alloy 10 has particles 2 formed from at least one metal selected from Ag and Cu dispersed in an amorphous alloy 1 having a supercooled liquid region at 20°C or higher, wherein at least one part of the particles 2 is exposed to a face of the amorphous alloy 1.例文帳に追加

２０℃以上の過冷却液体領域を有する非晶質合金１中に、Ａｇ及びＣｕから選択される少なくとも一種の金属からなる粒子２が分散し、粒子２のうちの少なくとも一部が非晶質合金１面に露出していることを特徴とする抗菌性非晶質合金１０。 - 特許庁

To obtain a method for reductive denitration by hydrocarbon at a wide temperature range of 300-600°C by adding hydrogen in the waste gas so as to drastically shift an active temperature region to low temperature side at the time of purifying the gas containing NOX and oxygen by a silver/ alumina catalyst or an alumina catalyst.例文帳に追加

銀／アルミナ触媒又はアルミナ触媒により酸素を含むＮＯｘ含有排ガスを浄化するに際して、排ガス中に水素を添加することにより、活性温度域を大きく低温側にシフトさせ、３００〜６００℃というような幅広い温度範囲で炭化水素による還元脱硝を行う方法を得る。 - 特許庁

The imaging apparatus comprises two image sensors 4 and 5 (for example, a CCD and C-MOS) having different illuminance characteristics for imaging the same imaging region.例文帳に追加

同一の撮像領域を撮像する照度特性の異なる二つのイメージセンサ４，５（例えば、ＣＣＤとＣ−ＭＯＳ）を備えた構成とし、各イメージセンサ４，５で同時に撮像された画像Ｇ１，Ｇ２のうち、最もコントラストの高い画像が分割領域毎に選択され、最終的な画像Ｇ３として出力される構成とする。 - 特許庁