「CGs」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the gate pulse is turned off, a level shift voltage ΔV=(Cgs)/(Cgs+Clc+Cs) is generated as a pixel electrode potential, where Clc is pixel capacity, Cs is auxiliary capacity, Cgs is parasitic capacity.例文帳に追加

画素容量をＣｌｃとし、補助容量をＣｓとし、寄生容量をＣｇｓとすると、ゲートパルスがオフするときに、画素電極電位にレベルシフト電圧ΔＶ＝（Ｃｇｓ）／（Ｃｇｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）が生じる。 - 特許庁

To provide purified, isolated, new nucleic acid sequences encoding cyclic GMP-stimulating phosphodiesterases (cGS-PDEs).例文帳に追加

サイクリックＧＭＰ刺激ホスホジエステラーゼ(cGS-PDEs)をコードする精製および単離された新規のヌクレオチド配列を提供する。 - 特許庁

To quickly repair a CGS in an optimal method by discovering the failure of a CGS introduced to a site.例文帳に追加

サイトに導入されたＣＧＳの故障を発見し、迅速にかつ最適な方法でＣＧＳを修理すること。 - 特許庁

a cgs unit of illumination equal to the brightness of a perfectly diffusing surface that emits or reflects one lumen per square centimeter 例文帳に追加

照度のCGS系単位で1平方センチメートル当たり1ルーメンの反射または放射をする完全拡散面の輝度と同じ - 日本語WordNet

When a pixel capacitance, an auxiliary capacitance and a parasitic capacitance are defined respectively as Clc, Cs and Cgs in this color liquid crystal display device and when a gate pulse is turned OFF, a level-shifted voltage ΔV=(Cgs)/(Cgs+Clc+Cs) is generated on the potential of a pixel electrode.例文帳に追加

画素容量をＣｌｃとし、補助容量をＣｓとし、寄生容量をＣｇｓとすると、ゲートパルスがオフするときに、画素電極電位にレベルシフト電圧ΔＶ＝（Ｃｇｓ）／（Ｃｇｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）が生じる。 - 特許庁

Domain size of a CGS film is determined by the density of nuclei.例文帳に追加

結晶核の密度によって、ＣＧＳ膜のドメインサイズが決定される。 - 特許庁

An a-Si film 14 containing P is then formed directly on the entire surface of the CGS film 13 and Ni element is gettered from the CGS film 13 to the a-Si film 14 by heat treating the CGS film 13 and the a-Si film 14.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１３上の全面に、Ｐを含有したａ−Ｓｉ膜１４を直接形成して、ＣＧＳ膜１３,ａ−Ｓｉ膜１４に加熱処理を施すことにより、ＣＧＳ膜１３からａ−Ｓｉ膜１４にＮｉ元素をゲッタリングする。 - 特許庁

A CGS film 13 is formed by crystallizing an a-Si film 12 using Ni.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜１２にＮｉをを用いて結晶化してＣＧＳ膜１３を形成する。 - 特許庁

A part other than the gettering region 19 of the CGS film 16 is an element forming region 20.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１６のゲッタリング領域１９以外の部分は素子形成領域２０である。 - 特許庁

The operating conditions of a micro-CGS 1 is announced to a server 20 and in the server 20, various kinds of information corresponding to the announced operating conditions are reported to the user of the micro-CGS 1, the maintenance company and the maker.例文帳に追加

マイクロＣＧＳ１の運転状況をサーバ２０に報知し、サーバ２０では、報知された運転状況に応じた各種情報をマイクロＣＧＳ１の使用者、メンテナンス会社、メーカに通知する。 - 特許庁

The cogeneration system CGS comprises a combination of a power generating unit 1 and an absorption refrigerating machine 10.例文帳に追加

コジェネレーションシステムＣＧＳは、発電ユニット１と吸収冷凍機１０とを組み合わせたものである。 - 特許庁

The server computer 5 informs a packager 33-1 being the manufacturer of the defective CGS of the repair information.例文帳に追加

サーバコンピュータ５は、故障したＣＧＳの製造者であるパッケージャ３３−１に修理情報を通知する。 - 特許庁

A clock gating circuit 3 controls an output of a pulse of a clock signal CLK according to a clock gating signal CGS, and disables the clock gating signal CGS while the scan enable signal rises.例文帳に追加

クロックゲーティング回路３は、クロックゲーティング信号ＣＧＳに従いクロック信号ＣＬＫのパルスの出力を制御する一方、スキャンイネーブル信号が立ち上がっている間クロックゲーティング信号ＣＧＳを無効化する。 - 特許庁

The domain size of the CGS film 13 is controlled as specified through the heat treatment.例文帳に追加

このＣＧＳ膜１３のドメインサイズは、上記加熱処理を行うことによって、所定の大きさに制御されている。 - 特許庁

To form a CGS film containing no impurity of catalytic metal by conducting a photolithography process only once.例文帳に追加

１回のフォトリソグラフィ工程を行うだけで、触媒金属による不純物を含まないＣＧＳ膜を形成する。 - 特許庁

Consequently, switching characteristics are improved owing to the reduction of the on-resistance and the reduction of gate-source capacitance Cgs.例文帳に追加

これにより、オン抵抗の低減、およびゲート−ソース間容量Ｃｇｓの低減によるスイッチング特性の向上が図れる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which has a very small parasitic capacity Cgs between the gate and the source, and which has a uniform characteristics.例文帳に追加

ゲートとソースとの間の寄生容量Ｃgsが極めて小さく、且つ特性が均一な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The obtd. gas permeable refractory has 0.5-6 MPa hot bending strength at 1400°C and 0.5-2.0 CGS permeability.例文帳に追加

得られた通気性耐火物は、１４００℃での熱間曲げ強度が０．５〜６ＭＰａ、通気率が０．５〜２．０ＣＧＳである。 - 特許庁

Therefore, the retention volumes Cgd and Cgs can be formed by utilizing an element structure of a transistor TR2 for driving, and the retention volumes Cgd and Cgs can be ensured even when the pixel parts 201 are arranged by narrow spacings.例文帳に追加

したがって、駆動用トランジスタＴＲ２の素子構造を利用して保持容量Ｃｇｄ及びＣｇｓを形成することができ、画素部２０１が狭い間隔で配列されている場合でも保持容量Ｃｇｄ及びＣｇｓを確保することができる。 - 特許庁

To provide a method, apparatus, and a kit capable of improving accuracy of CGS devices using dynamic outputs of continuous glucose sensors.例文帳に追加

連続グルコースセンサの動的出力を用いてＣＧＳデバイスの精度を改善可能な方法、装置およびキットを提供する。 - 特許庁

To obtain a thermoelectric hydrogen supply system including a cogeneration system (CGS) using LNG, and a hydrogen separation type steam reformer.例文帳に追加

ＬＮＧを用いたコジェネレーションシステム（ＣＧＳ）と水素分離型水蒸気改質器による熱電気水素供給システムを得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a CGS film which does not contain impurities of catalyst metal elements is formed.例文帳に追加

触媒金属元素による不純物を含まないＣＧＳ膜が形成された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a distance between the gate electrode 2a and the source electrode 3b is widened, a parasitic capacitance Cgs is suppressed to be small, the difference of the parasitic capacitance Cgs among pixels is reduced even when displacements occur at the time of exposure, and the degree of shot irregularity can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート電極２ａとソース電極３ｂとの間の距離が広がって寄生容量Ｃｇｓが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Ｃｇｓの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。 - 特許庁

This widens a distance between the gate electrode 2a and the source electrode 3b to suppress a parasitic capacitance Cgs small to reduce the difference of the parasitic capacitance Cgs among pixels even when displacements occurr at the time of exposure, which decreases the degree of shot irregularity.例文帳に追加

これにより、ゲート電極２ａとソース電極３ｂとの間の距離が広がって寄生容量Ｃｇｓが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Ｃｇｓの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a gate parasitic capacitance component Cgs between a gate electrode and a source electrode can be reduced.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極との間のゲート寄生容量成分Ｃｇｓを低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A region 14a in a CGS film 14, subjected to gettering with phosphorus element, is defined by an opening pattern 16a of a photoresist 16 and a region 14b in the CGS film 14 subjected to silicon etching is defined by an opening 15a of a gettering mask film 15.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１４中のリン元素がゲッタリングされるゲッタリング領域１４ａは、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンにより規定され、ＣＧＳ膜１４中のシリコンエッチングを行うエッチング領域１４ｂは、ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａにより規定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a new structure of a MOSFET wherein tradeoff relationship between Cgd/Cgs and state-on resistance is improved.例文帳に追加

Ｃｇｄ／Ｃｇｓとオン抵抗とのトレードオフ関係を改善したＭＯＳＦＥＴの新規構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the active matrix liquid crystal display device, shapes and dimensions of a drain electrode 40" and a source electrode 50" are formed so that a channel width W and a channel gap L of each TFT element are made constant although the gate-source parasitic capacitance Cgs of a TFT element disposed apart from the position of a gate driver is larger than that of a TFT element disposed near.例文帳に追加

ゲートライバの位置から遠くに配置されたＴＦＴ素子のゲート・ソース寄生容量Cgsが近くに配置されたＴＦＴ素子のそれよりも大きくするが、ＴＦＴ素子各々のチャネル幅ＷとチャネルギャップＬが一定となるようドレイン電極とソース電極の形状・寸法を形成している。 - 特許庁

The restrained layer consisting of the hardly sintering CG 30 is arranged on the both sides of the laminated body 20 before firing consisting of a plurality of CGs (11A-14A) for lamination and the laminated body is fired.例文帳に追加

複数の積層用ＣＧ（１１Ａ〜１４Ａ）からなる焼成前積層体２０の両面に難焼結性ＣＧ３０からなる拘束層を配設し、焼成する。 - 特許庁

To provide a new encoding technology of providing image quality scalability corresponding to an interest area, in a CGS framework of SVC of H.264/AVC.例文帳に追加

本発明は、Ｈ．２６４／ＡＶＣのＳＶＣのＣＧＳの枠組みにおいて、興味領域に対応した画質スケーラビリティを実現する新たな符号化技術の提供を目的とする。 - 特許庁

A clock gating circuit 3b disables the clock gating signal CGS and reverses the clock signal CLK while the scan enable signal SCANEn rises.例文帳に追加

クロックゲーティング回路３ｂは、スキャンイネーブル信号ＳＣＡＮＥｎが立ち上がっている間クロックゲーティング信号ＣＧＳを無効化すると共にクロック信号ＣＬＫを反転させる。 - 特許庁

A gate-to-drain, Cgd, feedback capacitances of the first and second input MOS transistors are neutralized by respective gate-to-source, Cgs, capacitances in the two neutralizing MOS transistors (MN1, MN2).例文帳に追加

第１および第２の入力ＭＯＳトランジスタのゲートドレインＣｇｄである帰還キャパシタンスを、２つの中和ＭＯＳトランジスタ（ＭＮ１，ＭＮ２）のそれぞれのゲートソースＣｇｓキャパシタンスにより中和する。 - 特許庁

First and second control gates CGs for driving the floating gate FG via the insulating film between the gates IGI are formed on both side walls of the floating gate FG positioned on both diffusion layers S/Ds.例文帳に追加

両拡散層Ｓ／Ｄ上に位置し、浮遊ゲートＦＧの両側壁にゲート間絶縁膜ＩＧＩを介して浮遊ゲートＦＧを駆動する第１、第２の制御ゲートＣＧが形成されている。 - 特許庁

The operation situations of CGS introduced to sites 7-1, 7-2, 7-3, and so on are monitored by computers 11-1, 11-2, 11-3, and so on, and communicated through a network 3 to a server computer 5.例文帳に追加

サイト７−１、７−２、７−３、…に導入されたＣＧＳはコンピュータ１１−１、１１−２、１１−３、…によって運転状況を監視され、ネットワーク３を介してサーバコンピュータ５に通知される。 - 特許庁

The gate resistance switching circuit discharges charges stored in a gate-source capacitance CGS in cooperation with the 1st resistor when a gate-source voltage VGS of the switching element is a prescribed voltage or over.例文帳に追加

上記ゲート抵抗切換回路は、スイッチング素子のゲート〜ソース間のゲート電圧Ｖ_GSが所定値以上であるときに、第１の抵抗とともに、ゲート〜ソース間に充電された容量Ｃ_GSの電圧を放電するように動作する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystalline semiconductor film which has a mean particle diameter larger than that of a conventional LPS film and smaller than that of a conventional solid-phase crystallized film (for example, a CGS silicon film).例文帳に追加

従来のＬＰＳ膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜（例えば、ＣＧＳシリコン膜）よりも平均結晶粒径が小さい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first α-Si film is formed on the surface of a quartz substrate 11 for patterning, and then a second α-Si film is formed over it, which is crystalized in a thermal process with Ni as a catalyst for form a CGS film 16.例文帳に追加

石英基板１１表面に第１のα−Ｓｉ膜を形成してパターニングした後、その上に第２のα−Ｓｉ膜を形成し、Ｎｉを触媒として熱処理によって結晶化して、ＣＧＳ膜１６を形成する。 - 特許庁

This ring-like gate terminal 10 of a GCT(gate-commutated turnoff) device for controlling large current at an operating frequency of 1 kHz or above is composed of a magnetic material, having maximum permeability of 15,000 or less (CGS Gausian unit system).例文帳に追加

周波数１ｋＨｚ以上の動作周波数で大電流を制御するＧＣＴ装置１のリング状ゲート端子１０を、最大透磁率が１５０００以下（ＣＧＳガウス単位系）となる磁性体の材料によって構成する。 - 特許庁

The amplifier device includes a field effect transistor M1 where an input signal is input into a gate; a variable capacitor Cgs that is connected between the field effect transistor M1 and a source; and a variable inductor Ls that is connected with the source of the field effect transistor M1.例文帳に追加

入力信号がゲートに入力される電界効果トランジスタＭ１と、電界効果トランジスタＭ１のゲートとソースの間に接続された可変キャパシタＣｇｓと、電界効果トランジスタＭ１のソースに接続された可変インダクタＬｓを設ける。 - 特許庁

The resistors R6, R7, R15, R16, R23, R24 change phases of voltages Vgs, Vgd applied to a gate-source capacitance Cgs and a gate-drain capacitance Cgd in the transistors Qtx1 to Qtx4, Qrx1 to reduce a harmonic distortion amount thereby.例文帳に追加

これら抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ２３，Ｒ２４は、トランジスタＱｔｘ１〜Ｑｔｘ４，Ｑｒｘ１におけるゲート−ソース間容量Ｃｇｓ、ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄにかかる電圧Ｖｇｓ，Ｖｇｄの位相が変化させ、それにより高調波歪み量を低減させる。 - 特許庁

The CPU 101 obtains images taken by shooting the object with the camera unit 202 while applying a predetermined external force to the object with the arm unit 203, compares the images and CGs, adjusts the parameters prescribing the movement of the movement model with respect to the external force; thus parameters for the movement model are set.例文帳に追加

CPU101は、アーム装置203により物体に所定の外力を加えて、カメラ装置202から物体を撮影した画像を取得し、画像とCGの比較、および、動作モデルの外力に対する動きを規定するパラメータの調整により、動作モデルのパラメータを設定する。 - 特許庁

In the equivalent circuit model of a field effect transistor used for a power converting circuit, the capacitance Cgs between the gate and the source, the capacitance Cgd between the gate and the drain, and the channel current source Ich are extracted from the switching waveform in the inductive load of the field effect transistor.例文帳に追加

電力変換回路に用いられる電界効果型トランジスタの等価回路モデルにおいて、ゲート−ソース間容量Ｃｇｓ、ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄ、及びチャネル電流源Ｉｃｈを、電界効果型トランジスタの誘導性負荷におけるスイッチング波形から抽出する。 - 特許庁

At this time, the sidewall memory gate electrode MGs and the single memory gate electrode MGu are formed in the same process, and the control gate electrode CGs and the sidewall memory gate electrode MGs are formed so as to be adjacently disposed to each other in a state of being electrically isolated from each other.例文帳に追加

その際、側壁メモリゲート電極ＭＧｓとシングルメモリゲート電極ＭＧｕとは同一の工程で形成し、制御ゲート電極ＣＧｓと側壁メモリゲート電極ＭＧｓとは、互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されるようにして形成する。 - 特許庁

Since the opening 15a of the gettering mask film 15 is formed by self-aligment technology utilizing the photoresist 16 as a mask, the opening pattern of the gettering mask film is formed, without being shifted from the opening pattern 16a of the photoresist 16 and a CGS film containing no impurity of catalytic metal can be formed by performing a photolithographic process only once.例文帳に追加

ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａは、フォトレジスト１６をマスクとして利用して、セルフアラインにより形成されるので、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンに対して、ゲッタリングマスク膜の開口部のパターンがずれることなく形成され、１回のフォトリソグラフィ工程によって、触媒金属による不純物を含まないＣＧＳ膜を形成することができる。 - 特許庁

A gas permeable refractory composed of a blended material containing 65-90 wt.% aluminous raw material, 3-25 wt.% mullite base raw material and 3-10 wt.% of the whole SiO2 content, and having 1-20 MPa compressive strength after burning, 0.2-2 MPa hot bending strength at 1400°C and 2-5 CGS, is used.例文帳に追加

アルミナ質原料６５〜９０重量％とムライト質原料３〜２５重量％を含有し、全体のＳｉＯ_2の含有量が３〜１０重量％である配合物からなり、焼成後の圧縮強度が１〜２０ＭＰａであり、１４００℃での熱間曲げ強度が０．２〜２ＭＰａであり、通気率が２〜５ＣＧＳである通気性耐火物を使用したポーラスプラグである。 - 特許庁