「D region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The region C has a decreasing SiO_2 component density ratio and an increasing MgF_2 component density ratio gradually from the region mainly of SiO_2 to the region mainly of MgF_2, and the region D is opposite to the region C, so that there is no clear interface between the regions C and D.例文帳に追加

領域ＣはＳｉＯ_2を主とする領域からＭｇＦ_2を主とする領域にかけて徐々にＳｉＯ_2の成分濃度比率が小さく、同時にＭｇＦ_2の成分濃度比率が大きくなり、領域Ｄでは領域Ｃと逆の関係となり、これらの領域Ｃ〜Ｄ間には明確な界面は存在しない。 - 特許庁

Moreover, desirably, the average Bo value determined by formula II and the average Md value determined by formula III lie in a region surrounded by the straight lines connecting the points A and B, B and C, C and D and D and A in the fig.例文帳に追加

［％Cr］＋23×［％Si］＋210×［％Ｓ］≧15・・・ さらに、下記の(a)式で求めた平均Ｂｏ値および(b)式で求めた平均Ｍｄ値が図の点AとB、BとC、CとD、DとAを結ぶ直線で囲まれる領域内（線上を含む）にあるのが望ましい。 - 特許庁

The region of a part of a pickup image F imaged by image pickup processing is set as a reading region D by processing for setting the reading region, and decoding is performed to the reading region D by decode processing, and whether or not the decoded QR code (R) Q is one of the division information codes is determined.例文帳に追加

撮像処理により撮像された撮像画像Ｆの一部の領域を読取領域設定処理により読取領域Ｄとして設定し、この読取領域Ｄに対してデコード処理によりデコードし、デコードされたＱＲコードＱが分割情報コードの１つであるか否かを判定する。 - 特許庁

One sub pixel D has a region where the irregular pattern is provided and a region where the irregular pattern is not provided and irregular patterns including the irregular pattern identical with the irregular pattern provided in the region of the sub pixel D are continuously provided to the peripheral region Vs.例文帳に追加

一つのサブ画素Ｄは凹凸パターンが設けられた領域と凹凸パターンが設けられない領域とを有し、周辺領域Ｖｓにはサブ画素Ｄの領域に設けられた凹凸パターンと同じ凹凸パターンを含んで連続的に凹凸パターンが設けられている。 - 特許庁

A TFT substrate 2 has a display region D for displaying images, and an terminal region T provided in the periphery of the display region D, on which a terminal 9 to which a flexible printed circuit board 24 is connected and a mounting region R on which the flexible printed circuit board 24 is mounted have been formed.例文帳に追加

ＴＦＴ基板２は、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周辺に設けられ、フレキシブルプリント基板２４が接続される端子９とフレキシブルプリント基板２４が実装される実装領域Ｒが形成された端子領域Ｔとを有する。 - 特許庁

A central region having a center at the half value of a maximum voltage of an A-D converter 102 is determined and sample values having a first region selecting part 103 and a second region selecting part 106 falling within a central region are excluded.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器１０２の最大電圧の半値を中心とする中央領域を定め、第１域選択部１０３及び第２領域選択部１０６が中央領域内に入るサンプル値を除外する。 - 特許庁

A channel region CH and a first low-concentration impurity region LDD1 that is continuous therewith are formed in the first region, and a conductive region served as a source S or a drain D is formed in the second region, while a second low-concentration impurity region LDD2 for connecting the first low-concentration impurity region LDD1 with the conductive region is formed in the intermediate region.例文帳に追加

第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 - 特許庁

A clearance hole with a diameter D is formed in the first electrode, a via hole having a diameter d smaller than the diameter D is concentrically formed in a region of the dielectric layer exposed as a result of the formation of the clearance hole, and a clearance defined by (D-d)/2 is ≥25 μm.例文帳に追加

第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 - 特許庁

Then, as the length L of the STI region 5 is longer, the length d of the p^+ diffusion region 17 formed between the regions is made longer.例文帳に追加

そして、ＳＴＩ領域５の長さＬが長いほど、この領域間に形成されているＰ^＋拡散領域１７の長さｄを長くする。 - 特許庁

To apply a sufficient stress to a channel region to materialize an embedded S/D (source-drain) region by an epitaxial growth having no shape abnormality.例文帳に追加

チャネル領域に十分な応力を与え、形状異常のないエピタキシャル成長による埋め込みＳ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域を実現する。 - 特許庁

The display area is equipped with switching elements having the position of the source region S and the drain region D different from one another.例文帳に追加

この表示エリアにおいて、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの配置位置が互いに異なるスイッチング素子を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

As a result, the horizontal diffusion length of impurities in the source region S and the drain region D can be controlled to 0.25 μm or smaller.例文帳に追加

これにより、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄにおける不純物の水平拡散長を０．２５μｍ以下に抑制することができる。 - 特許庁

The size of contact region can be set to d+2h (d is diameter of via 124 and h is depth at which the via 124 is embedded within the first wiring 112).例文帳に追加

接触領域のサイズは、ｄ＋２ｈ（ｄはビア１２４の直径、ｈはビア１２４が第一の配線１１２内に埋め込まれる深さ）とすることができる。 - 特許庁

In this form, c workssimilarly to d, except that it leaves you in insert mode so that you can enter replacement text for the deleted region.例文帳に追加

このようにcはdと似たような動きをします、挿入モードから切り換えない限りあなたはテキストを削除したところと置き換えることができます。 - Gentoo Linux

Furthermore, angle chip region shaping processing is operated, so that incomplete angular sections as β of d can be shaped.例文帳に追加

さらに、角欠け領域整形処理を行い、ｄのロのような不完全な角部分を整形する。 - 特許庁

The movable partition plate 13 is moved to the appropriate partitioning position near the boundary (d) of the brown rice region (a) and mixed rice region (b) by signals from the sensor 14.例文帳に追加

センサ１４からの信号により可動仕切板１３を玄米域ａと混合米域ｂの境界ｄ付近における適正仕切位置に移動させる。 - 特許庁

In a step S_3, the correction region is divided into small meshes with a mesh width D/2, to generate a table which contains region density information on the respective small meshes.例文帳に追加

ステップＳ_３ で、メッシュ幅がＤ／２である小メッシュに補正領域を分割し、各小メッシュの面積密度情報を格納するテーブルを作成する。 - 特許庁

An impurity is injected in the semiconductor thin-film 8 through a resist 9 corresponding to the gate electrode 5, so that a source region S and a drain region D are formed.例文帳に追加

ゲート電極５に対応するレジスト９を介して半導体薄膜８に不純物を注入してソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを形成する。 - 特許庁

A source S and a drain D comprising an N type impurity region are provided in the semiconductor region 11 in the vicinity of both sides of the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３両側近傍の半導体領域１１にＮ型の不純物領域で構成されるソースＳ、ドレインＤ設けられている。 - 特許庁

The storage capacitor is formed as a contact hole capacitor KK in at least one contact hole for a source region S or a drain region D.例文帳に追加

ストレージキャパシタは、ソース領域Ｓまたはドレイン領域Ｄのための少なくとも１つのコンタクトホールにおいて、コンタクトホールキャパシタＫＫとして形成されている。 - 特許庁

A dummy wiring electrode 501 is formed in a non-display region N so as to be along the periphery of a display region D wherein a plurality of pixel electrodes 111 are formed.例文帳に追加

複数の画素電極１１１が形成された表示領域Ｄの周囲に沿うように、ダミー配線電極５０１を非表示領域Ｎに形成する。 - 特許庁

In a systolic array circuit, although on FF (D flip flop) 120 has been used as a primary holding region of the result of an arithmetic operation, a D latch 110 is adopted as the primary holding region of the arithmetic operation.例文帳に追加

シストリックアレイ型回路では、演算結果の一次保持領域として、ＦＦ（Ｄフリップフロップ）１２０が使用されていたが、本発明では、演算結果の一次保持領域としてＤラッチ１１０を採用した。 - 特許庁

In order not to produce a lateral electric field in the region (D) 71, a portion of a pixel electrode, being the lower electrode layer, corresponding to the region (D) 71 is removed while the shape of the slit 61 is left as it is.例文帳に追加

この領域（Ｄ）７１において、横方向電界を生じさせないためには、スリット６１の形状はそのままにして、下部電極層である画素電極において、領域（Ｄ）７１に対応する部分を除去する。 - 特許庁

The nozzle diameter of a second nozzle 10b which discharges resin near the border of a coating region D on a substrate is set smaller than that of a first nozzle 10a which discharges the resin other than in the vicinity of border of the coating region D.例文帳に追加

基板上の塗布領域Ｄの境界付近に樹脂を吐出する第２ノズル１０ｂのノズル径を、塗布領域Ｄの境界付近以外に該樹脂を吐出する第１のノズル１０ａのノズル径より小さくする。 - 特許庁

In the second semiconductor region, a tilted bottom region 6a which gradually increases in depth and a flat bottom region 6b which is adjacent to outside the tilted bottom region and whose depth is kept to a fixed distance D.例文帳に追加

第２半導体領域には、深さが徐々に深くなる傾斜底領域６ａと、傾斜底領域の外側に隣接しているとともに深さが一定距離Ｄに維持されている平坦底領域６ｂが形成されている。 - 特許庁

Placement of the individual antenna elements is optimized on the roof panel 11 by assigning A-region 31, B-region 32, C-region 33 and D-region 34 in ascending order of line length from the transceiver 12 at predetermined spaced intervals.例文帳に追加

ルーフパネル１１には、送受信機１２からのライン長の短い順にＡ領域３１、Ｂ領域３２、Ｃ領域３３、Ｄ領域３４が予め決められた間隔で割り当てられ、各アンテナ素子の配置が最適化されている。 - 特許庁

The semiconductor thin film 1 is divided into an input-side region S and an output-side region D, and the thickness of the semiconductor thin film 1 located from a boundary 3 between both of them to the output-side region D is at least partially reduced as compared with that of the semiconductor thin film 1 located from the boundary 3 to the input-side region S.例文帳に追加

半導体薄膜１は、入力側領域Ｓと出力側領域Ｄとに分かれており、両者の境界３から入力側領域Ｓにある半導体薄膜１の厚みに比べ、境界３から出力側領域Ｄにある半導体薄膜１の厚みが少なくとも部分的に薄くなっている。 - 特許庁

Also, a comparison between the R&D activities that US and Japanese companies carried out in China and ASEAN 4 on the basis of the growth in total R&D costs in the manufacturing industry (Fig.2.3.22)indicates that US companies, though expanding their R&D activities in the entire East Asian region,have concentrated their efforts on China, while Japanese companies have focused the development of R&D activities in ASEAN 4, and R&D activities in China have remained sluggish.例文帳に追加

また、この米国企業と日本企業の中国とASEAN４におけるR&D活動の状況を、製造業の研究開発費総額の伸び率ベース（1995年＝100）で比較してみると（第2-3-22図）、米国企業は、東アジア地域の中でも中国に傾倒してR&D活動を拡大していることがわかる。これに対し、日本企業のR&D活動は東アジア地域の中でも、ASEAN４を中心に展開されてきている点に特徴があり、中国におけるR&D活動は低調に推移してきていることがわかる。 - 経済産業省

In an S/D extension region forming process which is carried out after a gate electrode 4 is formed, a PMOS region is covered with a resist 5, As or P ion implanted into an NMOS region at a low acceleration speed.例文帳に追加

ゲート電極４が形成された後のＳ／Ｄエクステンション領域形成工程において、ｐＭＯＳ領域をレジスト５で覆い、ｎＭＯＳ領域にＡｓまたはＰの低加速注入を行う。 - 特許庁

A source region (s) and a drain region (d) of a TFT are formed in a region including a plurality of crystal grains within the alignment of the crystal grains 5 so that an electric current may flow in the direction of the crystal growth.例文帳に追加

この結晶粒列（５）の中の複数の結晶粒を含む領域に、結晶成長方向に電流が流れるように、ＴＦＴのソース領域（ｓ）及びドレイン領域（ｄ）を形成する。 - 特許庁

When a zone in the surface of a porous silicon region has an average pore diameter D (nm) and a pore number density N (pores/cm^2), a porous silicon region is formed by anodizing a silicon wafer so as to meet conditions, 0<N≤D×1.9×10^12 and 0.235 nm≤D<91 nm.例文帳に追加

多孔質シリコン領域における表面近傍の領域が、平均孔径をＤ（ｎｍ）、孔数密度をＮ（個／ｃｍ^２）としたときに、０＜Ｎ≦Ｄ×１．９×１０^１２、０．２３５ｎｍ≦Ｄ＜９１ｎｍの条件を満たすようにシリコンウエハを陽極化成して多孔質シリコン領域を形成する。 - 特許庁

Two current threshold values I_TH1, I_TH2 are employed so as to be larger than an upper limit value I_U of a current in the drive region D.例文帳に追加

運転領域Ｄの電流の上限値Ｉ_Uよりも大きく、二つの電流閾値Ｉ_TH1，Ｉ_TH2が採用される。 - 特許庁

In this case, the driver D is not able to select the switches 21a to 21c, 22a to 22d of the other region 18 or 19.例文帳に追加

このとき、運転者Ｄは他方の領域１８，１９のスイッチ２１ａ〜２１ｃ，２２ａ〜２２ｄを選択できない。 - 特許庁

The second emission surface 122 satisfies a relation of 0.2<cosθ_1*cos^2θ_2<0.98 in a region of d/p<0.4.例文帳に追加

第２出射面１２２は、ｄ／ｐ＜０．４の領域では、０．２＜ｃｏｓθ_1・ｃｏｓ^2θ_2＜０．９８を満足する。 - 特許庁

While the residual liquid crystal 3 advances through a route A12 and is filled in a pixel region D.例文帳に追加

この間、残りの液晶３は、符号Ａ_12に示す経路を通って進行し画素領域Ｄに充填される。 - 特許庁

At last, protruding region shaping processing is operated so that unnaturally protruding sections as γ of d can be shaped.例文帳に追加

最後に突出領域整形処理を行い、ｄのハのような不自然に飛び出した部分を整形する。 - 特許庁

An extracting section 154 extracts a face region image F from the image D judged to include a human.例文帳に追加

抽出部１５４は、人物が存在すると判定された画像Ｄから、顔領域画像Ｆを抽出する。 - 特許庁

The semiconductor substrate is heat-treated to recrystallize the region, into which the impurity for forming strain has been injected (d).例文帳に追加

（ｄ）半導体基板を熱処理し、歪形成用の不純物が注入された領域を再結晶化させる。 - 特許庁

The region existence data includes the holder A, B, C, D, but does not include the holder E (data for reproduction exclusive recording area).例文帳に追加

領域存在データはフォルダＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを含むが、フォルダＥ（再生専用データ記録区域）を含まない。 - 特許庁

A pair of source/drain regions S/D are provided on the surface of the semiconductor substrate across the channel region.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄが、チャネル領域を挟むように半導体基板の表面に設けられる。 - 特許庁

In a microcomputer 27, an objective region of color transformation and desired target x and target y after transformation are set based on the user's operation, and a D factor value is calculated according to them.例文帳に追加

マイクロコンピュータ２７は、ユーザの操作に基づいて、色変換の対象領域と変換後の所望の目的x, 目的yを設定し、それに応じてD係数値を求める。 - 特許庁

The method for implanting ions comprises the steps of detecting the gap (d) between each chip region and the mask member 21 each time each chip on the wafer W is aligned with the mask member, and regulating the gap (d) to a prescribed value.例文帳に追加

ウェーハＷ上の各チップ領域をマスク部材２１と位置合わせする毎に、これらの間の間隙ｄを検出し、間隙ｄを所定値へ調整する。 - 特許庁

Next, a second region 12(#2) which has a depth along the irradiation directions deeper than depths d(#1a), d(#1b) of the first regions is determined among the targets 12 and irradiated with the particle beams along the irradiation direction F1 and the irradiation direction F2 respectively through a bolus or an energy filter.例文帳に追加

次に、ターゲット１２のうち、照射方向に沿った深さが、第１の領域の深さｄ（＃１ａ），ｄ（＃１ｂ）よりも深い第２の領域１２（＃２）を決定する。 - 特許庁

A cut-off wall 3 for damming groundwater W is provided in the permeable ground 1 of a seaside region, and constructed between faults D and D almost in parallel with a sea area.例文帳に追加

臨海部の透水性地盤１内には、地下水Ｗをせき止めるための止水壁３が設けられており、断層Ｄ、Ｄ間に海域とほぼ平行に構築されている。 - 特許庁

A property measuring part 1 measures load-displacement properties of a sample D in an elastoplastic region AEP by applying pressure to the sample D by an indentor 1b.例文帳に追加

特性計測部１が、圧子１ｂによって試料Ｄに圧力を加えることにより試料Ｄの弾塑性領域ＡＥＰにおける荷重−変位特性を計測する。 - 特許庁