「D region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The source S and drain D have a lightly doped extension region (N^- region 151) and a heavily doped region (N^+ region 152), respectively.例文帳に追加

ソースＳ、ドレインＤは、それぞれ低濃度エクステンション領域（Ｎ^−領域１５１）、高濃度領域（Ｎ^＋領域１５２）を有する。 - 特許庁

Since in this case, parts 2a of the spacer members 2 are also arranged in a pixel region D (DR, DG, DB, DW), the liquid crystal 3 is smoothly filled in the region D irrespective of thickness of the gap between the substrates in the region D.例文帳に追加

ここで、スペーサー部材２の一部（２ａ）は画素領域Ｄにも配置されているため、該領域Ｄにおける基板間隙の如何にかかわらず液晶３は該領域Ｄに円滑に充填される。 - 特許庁

A pupil diameter D is calculated from a separated pupil region (S12).例文帳に追加

（Ｓ１２）分離した瞳孔領域から瞳孔径Ｄを算出する。 - 特許庁

(D) The status of intermediate input destination of the parts industry of the Tohoku region例文帳に追加

④ 東北地域の部品産業の中間投入先の状況 - 経済産業省

The tip 24 of the protrusion 22 has a convex surface in the end region D in the lateral direction (X direction), and is pointed sharper in the central region C than in the end region D.例文帳に追加

突起部２２の先端２４は、横方向（Ｘ方向）の端部領域Ｄで凸状の曲面を成し、中央領域Ｃで端部領域Ｄよりも鋭く尖っている。 - 特許庁

The channel length L is equal to or more than a widening width d of a depletion layer in the channel region 29 represented as d=D×N_a^-C.例文帳に追加

チャネル長Ｌは、ｄ＝Ｄ・Ｎ_ａ^−Ｃで表されるチャネル領域２９における空乏層の広がり幅ｄ以上となっている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR RAISED SOURCE/DRAIN(S/D) REGION IN DEVICE例文帳に追加

デバイス内の隆起したソース／ドレーン（Ｓ／Ｄ）領域を製造する方法 - 特許庁

The numerical data of the data in the C region are added at each time and memorized in D region in the memory 4.例文帳に追加

Ｃ領域のデータを各時間毎に数値データを加算していき、メモリ４のＤ領域に記憶する。 - 特許庁

A region E that is a mixed region of SiO_2 and MgF_2 is formed between the regions C and D.例文帳に追加

領域Ｃ、Ｄ間にはＳｉＯ_2とＭｇＦ_2との混合領域である領域Ｅが形成されている。 - 特許庁

To layout a long length region for a D/A converter efficiently.例文帳に追加

Ｄ／Ａコンバータにおいて長尺領域内に効率的なレイアウトを行う。 - 特許庁

A region in contact with slurry on a disk D has hydrophobicity.例文帳に追加

ディスクＤの表面のスラリーと接触する領域に疎水性を持たせる。 - 特許庁

In a matrix formation unit 22, a matrix of 3×3 is formed based on the region value k obtained from the region value calculation unit 21 and the D factor value from the microcomputer 27.例文帳に追加

マトリクス生成部２２は、領域値演算部２１からの領域値kとマイクロコンピュータ２７からのD係数値に基づいて、３×３のマトリクスを生成する。 - 特許庁

The functions and applications of buttons A to D in a region 55 are not preliminarily determined, and the functions and applications of the buttons A to D can be defined by a user.例文帳に追加

領域５５のボタンA乃至ボタンDは、それぞれ機能、用途などが予め決められておらず、ユーザがボタンA乃至ボタンDの機能、用途などを定義することが可能となるようになされている。 - 特許庁

However, in the overseas operation of Japanese companies, R&D activities in the Asian region are very weak compared to R&D activities in North America or in Europe (Fig.2.3.20).例文帳に追加

しかし、日本企業の海外事業活動において、北米地　域、欧州地域におけるR&D活動に比べ、アジア地　域におけるR&D活動は極めて低調な状況にある（第2-3-20図）。 - 経済産業省

A lightly-doped region 10a and a heavily-doped region 12a as the drain region D, and a lightly-doped region 10b and a heavily-doped region 12b as a source region S are formed on the well region.例文帳に追加

そのウェル領域には、ドレイン領域Ｄとしての低濃度不純物領域１０ａおよび高濃度不純物領域１２ａと、ソース領域Ｓとしての低濃度不純物領域１０ｂおよび高濃度不純物領域１２ｂとが形成されている。 - 特許庁

A second insulating layer having a protrusion pattern is formed in the reflection region D.例文帳に追加

反射部Ｄに凸凹型パターンを有する第２絶縁層が形成される。 - 特許庁

The sense electrode structure 54 includes an arrangement of peripheral sense electrodes A-D in a peripheral region surrounding a central sense electrode E.例文帳に追加

センス電極構造(54)は、中央センス電極(E)を囲む周辺領域に配列された周辺センス電極(A-D)を備える。 - 特許庁

In a security system, the part other than residential construction space of the site is partitioned into an approach region A, a parking region B, a garden region C, and a wall proximity region D, and one of three stages of caution levels is set for each of the regions A-D.例文帳に追加

敷地の住宅建築スペースを除く部分がアプローチ領域Ａ、駐車領域Ｂ、庭領域Ｃ及び壁際領域Ｄに区画され、各領域Ａ〜Ｄに三段階の警戒レベルのうちのいずれかが設定されている。 - 特許庁

An image extraction means 6 extracts an image in the blur confirmation region from the image D and also extracts an image in a region corresponding to the blur confirmation region from an image D' to which a correction is made.例文帳に追加

画像抽出手段６は、ボケ確認領域の画像を画像Ｄから抽出すると共に、補正済み画像Ｄ’からボケ確認領域に対応する領域の画像を抽出する。 - 特許庁

A multilevel grayscale photomask includes, on a transparent substrate 21, a light shielding region A, a first translucent region B (dark translucent region), a second translucent region C (bright translucent region) and a light transmitting region D.例文帳に追加

本発明の多階調フォトマスクは、透明基板２１上に遮光領域Ａ、第１半透光領域Ｂ（暗い半透光領域）、第２半透光領域Ｃ（明るい半透光領域）及び透光領域Ｄを設ける。 - 特許庁

A multi-gradation photomask has a light-shielding region A, a first translucent region B (dark translucent region), a second translucent region C (light translucent region), and light-transmitting region D provided on a transparent substrate 11.例文帳に追加

本発明の多階調フォトマスクは、透明基板１１上に遮光領域Ａ、第１半透光領域Ｂ（暗い半透光領域）、第２半透光領域Ｃ（明るい半透光領域）及び透光領域Ｄを設ける。 - 特許庁

The method comprises a polymorphism detection step of detecting the presence or absence of D sequences in a C-terminal region of a CagA protein and the number of the D sequences in the C-terminal region.例文帳に追加

ＣａｇＡタンパク質のＣ末端領域中のＤ配列の有無、および前記Ｃ末端領域中のＤ配列の数を検出する多型検出工程を有する。 - 特許庁

This Ir powder has a bimodal particle size distribution where one peak exists in a region of >25 nm particle size D and the other peak exists in a region of <25 nm particle size D.例文帳に追加

Ｉｒ粉末は，粒径Ｄ＞２５nmの領域に１つのピークが，また粒径Ｄ＜２５nmの領域に１つのピークがそれぞれ存在する二山形の粒度分布を有する。 - 特許庁

A reflective electrode 149 is formed on the second insulating layer in the reflection region D.例文帳に追加

反射部Ｄの第２絶縁層上に反射電極１４９が形成される。 - 特許庁

The ratio b/a=(d-r)/r between the longitudinal length of the second region 304 and that of each first region 302 is 0.5 or less.例文帳に追加

第二領域３０４と第一領域３０２の長手方向長さ比ｂ／ａ＝（ｄ−ｒ）／ｒを、０．５以下とする。 - 特許庁

Specifically, the surface layer is divided into four regions, i.e., a region A around a head, a region B around a chest, a region C around a lower back part, and a region D around a leg part, thereby to obtain the relationship of A≥D>B>C concerning the thickness of the surface layer.例文帳に追加

具体的には、表面層を頭部周辺領域Ａ、胸部周辺領域Ｂ、腰部周辺領域Ｃ、脚部周辺領域Ｄの４つの領域に区分し、前記表面層の厚みが、Ａ≧Ｄ＞Ｂ＞Ｃの関係が成り立つようにする。 - 特許庁

In a step S_2, the correction region is divided into square meshes and a mesh width D is found.例文帳に追加

ステップＳ_２ で、補正領域を正方形メッシュで分割してメッシュ幅Ｄを求める。 - 特許庁

The depth d of the n-type region 121 is within the depths of the bottom surfaces BS1, BS2.例文帳に追加

Ｎ型領域１２１の深さｄは、底面ＢＳ１，ＢＳ２の深さ以内である。 - 特許庁

In region D, a platy GaN crystal grows dominantly.例文帳に追加

また、領域Ｄは、板状のＧａＮ結晶が支配的に結晶成長する領域である。 - 特許庁

A boundary of an adjacent region B is multiplexed to the outer side, and an overlapping region D is provided between the initial region and it, and a region under processing X (the overlapping region + the adjacent region) is projected on a two-dimensional plane, and a texture GB is allocated.例文帳に追加

隣接領域Ｂの境界線を外方へ多重化して初期領域との間に重複領域Ｄを設け、処理中の領域Ｘ（重複領域＋隣接領域）を２次元平面に射影してテクスチャＧＢを割り当てる。 - 特許庁

Thereafter, the region R of the laser light 50 is shifted to the next region D to repeat the crystallization step.例文帳に追加

この後、レーザ光５０の照射領域Ｒを右隣にある次の分割領域Ｄに移して該結晶化工程を繰り返す。 - 特許庁

In a region outside the display region, a Y-electrode lead wire 22 is extended in the same direction as the Y-electrode in a range d.例文帳に追加

表示外領域では、Ｙ電極引出し線２２が範囲ｄにおいてＹ電極と同じ方向に延在している。 - 特許庁

Then a wiring process is performed where a wiring electrode 7 electrically connected to the source region S and the drain region D is formed.例文帳に追加

さらに配線工程を行い、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに電気接続する配線電極７を形成する。 - 特許庁

For the reason stated above, layer thickness d of a liquid crystal layer 50 in the reflective display region 100b is considerably thinner than layer thickness d of a liquid crystal layer 50 in the transmissive display region 100c.例文帳に追加

このため、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄは、透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄよりもかなり薄い。 - 特許庁

Thereby, the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the reflective display region 100b is much smaller than the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the transmissive display region 100c.例文帳に追加

このため、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄは、透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄよりもかなり薄い。 - 特許庁

Thus, a difference in the quantity of group III and group V raw materials to be supplied between the edge part of the device forming region D and the central part is suppressed and the central part of the device region D is not recessed.例文帳に追加

これにより、素子形成領域Ｄのエッジ部分と中央部とでIII族及びV族の原料の供給量の差が抑制され、素子領域Ｄ中央部が凹部となることがない - 特許庁

So, the amount of resin discharged near the border of the coating region D on the substrate is smaller than that discharged other than in the vicinity of border of the coating region D on the substrate.例文帳に追加

これにより、基板上の塗布領域Ｄの境界付近に吐出される樹脂量が、基板上の塗布領域Ｄの境界付近以外に吐出される樹脂量より少なくできる。 - 特許庁

In one embodiment, a second S/D region is separated from the channel by an offset region, and the photo absorption threshold bias region is the offset region in the Ge layer, after light P-doping.例文帳に追加

一実施形態において、第２のＳ／Ｄ領域は、オフセット領域によりチャネルから引き離され、光吸収しきい値バイアス領域は、濃度の薄いＰ型ドーピング後のＧｅ層中のオフセット領域である。 - 特許庁

In the method for forming the contact hole toward an S/D region 25 on an interlayer insulating film 40 covering the S/D region 25 on the surface of a semiconductor substrate 20, a resist pattern 50 forming an opening at the upper part of the S/D region 25 is formed on the interlayer insulating film 40.例文帳に追加

半導体基板２０表面のＳ／Ｄ領域２５上を覆う層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至るコンタクトホールを形成する方法であって、層間絶縁膜４０上にＳ／Ｄ領域２５の上方を開口するレジストパターン５０を形成する。 - 特許庁

The refractive index n_1 of the core region 11 is higher than both of the refractive index n_2 of the inner clad region 12 and the refractive index n_3 of the outer clad region 13 (Fig. 1 (d)).例文帳に追加

内クラッド領域１２の屈折率ｎ_2および外クラッド領域１３の屈折率ｎ_3の何れよりもコア領域１１の屈折率ｎ_1が大きい（図１（ｄ））。 - 特許庁

In the channel width direction D, the semiconductor device has a semiconductor region (silicon region 20) connecting the pair of diffusion regions 5 between the gate groove 4 and element isolation region 3.例文帳に追加

チャネル幅方向Ｄにおいて、ゲート溝４と素子分離領域３との間に、一対の拡散領域５を繋ぐ半導体領域（シリコン領域２０）を有している。 - 特許庁

A p^+ region 21 is adjacent to the source/drain regions S/D separating from them by a separating region 20, and one end of the gate electrode 15 is included in the separating region 20.例文帳に追加

Ｐ^＋領域２１とソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄは離間領域２０を隔てて隣り合い、離間領域２０にはゲート電極１５の一方端部が含まれる。 - 特許庁

When the diameter of the deriving electrode region 42 is denoted by Ds, and the diameter of the beam hole 81 is denoted by D; Ds and D are set to be in the range denoted by 0.8Ds≤D≤1.2Ds.例文帳に追加

引出し電極領域４２の直径をＤｓとし、ビームホール８１の直径をＤとしたとき、前記ＤｓとＤとが、０．８Ｄｓ≦Ｄ≦１．２Ｄｓで表される範囲に設定される。 - 特許庁

A circuit element region 30 is enclosed along a dicing line D, and a groove 40 to the interior of the wafer 100 is formed between the circuit element region 30 of the wafer 100 and the dicing line D enclosing the circuit element region 30.例文帳に追加

ウエーハ１００の回路素子領域３０と、回路素子領域３０を取り囲むダイシングラインＤとの間に、ダイシングラインＤに沿って回路素子領域３０を取り囲み、かつウエーハ１００の内部に至る溝部４０を形成する。 - 特許庁

In the region 2, a reformed region K is appropriately formed in a route in depth (d), where the condensing point P of the laser beam L is scanned.例文帳に追加

領域２では、レーザ光Ｌの集光点Ｐが走査された深さｄの経路に、改質領域Ｋが適正に形成される。 - 特許庁