「D region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In the etching method for etching a semiconductor substrate 1 to form a pattern, a pseudo pattern 3 is provided on the region of the semiconductor substrate 1 other than a region on which a desired pattern is formed, the end point of etching of the pseudo pattern 3 is monitored simultaneously with the etching, and the etching is terminated when the end point reaches a predetermined depth D.例文帳に追加

半導体基板１をエッチングしてパターンを形成するエッチング方法において、半導体基板１に形成する所望のパターンの領域以外に疑似パターン３を設け、エッチングと同時に疑似パターン３のエッチングの終点を監視し、この終点が所定の深さＤになったときに、エッチングを終了させることを特徴とする。 - 特許庁

The method has a step of receiving ultrasonic information from a volumetric region (16) of an object, a step of volume scan converting the ultrasonic information from the volumetric region to process a rendering box (30), and a step of volume rendering the rendering box (30) to project on a 2-D slice, using a volume rendering method.例文帳に追加

本方法は、物体の一部の体積領域（１６）から超音波情報を受け取るステップと、レンダリング・ボックス（３０）を処理するために前記体積領域からの超音波情報をボリューム走査変換するステップと、ボリューム・レンダリング手法を用いて２Ｄスライス上にレンダリング・ボックス（３０）を投影するためにレンダリング・ボックスをボリューム・レンダリングするステップとを有する。 - 特許庁

The magnetic disk device includes: a servo playback signal forming means reading a servo pattern region S by a magnetic head 2 and forming a servo playback signal through an absolute circuit; and a magnetic head controlling means recording/reproducing data to/from a data recording region D by controlling the magnetic head 2 based on the servo playback signal.例文帳に追加

磁気ディスク装置は、磁気ヘッド２でサーボパターン領域Ｓを読み取り、絶対値化回路を通してサーボ再生信号を生成するサーボ再生信号生成手段と、サーボ再生信号に基づいて磁気ヘッド２を制御することにより、データ記録領域Ｄに対する記録あるいは再生を行う磁気ヘッド制御手段とを有している。 - 特許庁

Then, with the liquid film removed region T disposed at the central section, DIW is being removed from the surface while expanding the liquid film removed region T by rotating the wafer W acceleratingly up to a predetermined high rotational speed and moving the supplying position of the nitrogen gas towards the periphery (Fig. 4 (d)).例文帳に追加

そして、液膜除去領域Ｔが前記中心部に配置された状態で、ウエハＷを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Ｔを拡大させつつＤＩＷを前記表面から排除していく（図４（ｄ））。 - 特許庁

A strip panel 100 is made by sticking a first substrate 101 and a second substrate 102 through sealing material 103 and adhering material 104 which connects the first substrate 101 and the second substrate 102 is disposed on the part where the first region 101D of the first substrate 101 and the second region 102 D of the second substrate 102 are crossed and are opposed to each other.例文帳に追加

短冊パネル１００は第１基板１０１と第２基板１０２とがシール材１０３を介して貼り合わされ、第１基板１０１の第１領域１０１Ｄと、第２基板１０２の第２領域１０２Ｄとが交差対向する部分にて、第１基板１０１と第２基板１０２とを接続する固着材１０４が設けられる。 - 特許庁

The system has an ultrasonic transducer receiving ultrasonic information from a volumetric region of an object, a volume scan converter (42) processing a volume rendering box (30) obtained from the volumetric region, and a volume rendering processor (46) projecting the rendering box (30) on a 2-D slice, using a volume rendering method to enhance the contrast.例文帳に追加

本システムは、物体の一部の体積領域（１６）から超音波情報を受け取る超音波トランスデューサと、前記体積領域から得られたレンダリング・ボックス（３０）を処理するボリューム走査変換器（４２）と、コントラスト増強のためにボリューム・レンダリング手法を用いて２Ｄスライス上にレンダリング・ボックス（３０）を投影するボリューム・レンダリング処理装置（４６）とを有する。 - 特許庁

Whether the engine is stopped or not is determined, and a trouble of the stored water solution is detected in accordance with the concentration D detected by the concentration sensor 74 when that the engine is stopped is determined, if it is in another region than a normal region defined with a predetermined value Dslh as a boundary (S407).例文帳に追加

エンジンが停止しているか否かを判定し、停止していると判定されたエンジン停止時に濃度センサ７４により検出された濃度Ｄに基づいて、これが所定の値Ｄｓｌｈを境界として定められる正常領域以外の領域にあるときに、貯えられている水溶液に関する異常を検出する（Ｓ４０７）。 - 特許庁

When the scheduled printing is stopped, if a determination is made that only part of a scheduled printing region is printable, printing of the printable part (printing area PA) is carried out while an area (masked area MA) other than the printable part is masked (Fig. 11(d)).例文帳に追加

予定の印字を中止した場合、予定の印字領域のうち一部でも印字可能であると判断すれば、印字可能な一部を除く領域（マスク領域ＭＡ）をマスクしつつ印字可能な一部（印刷領域ＰＡ）の印字を実行する（同図（ｄ））。 - 特許庁

The liquid crystal layer side surface of the CF substrate 51 has a projection 33 of height H and width W, while the liquid crystal layer side surface of the TFT substrate 52 in the region facing the projection 33 has a recess 34 of a depth D and a width W2.例文帳に追加

ＣＦ側基板５１の液晶層側表面には高さＨ、幅Ｗ１の凸部３３を有し、ＴＦＴ側基板５２の液晶層側表面であって凸部３３に対向する領域には深さＤ、幅Ｗ２の凹所３４を有する。 - 特許庁

To provide technologies capable of precisely reflecting the result of specification on the computation of indexes such as a C/D ratio when a target region is specified while observing a stereoscopically visible stereoscopic fundus image consisting of a pair of left and right fundus images.例文帳に追加

左右一対の眼底画像からなり立体的に視認可能な立体眼底画像を観察しつつ注目部位が指定されたときに、その指定結果をＣ／Ｄ比等の指標の演算に精度良く反映させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

A pattern 12 for chromaticity measurement consisting of the black matrix 4, the coloring pixel 2 and the transparent conductive film 3 and a pattern 13 for haze value measurement consisting of the light scattering film 9 are provided on a region d other than a display part of the color filter on the transparent substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタの表示部以外ｄの透明基板上１に、ブラックマトリックス４、着色画素２、透明導電膜３で構成される色度測定用パターン１２と、光散乱膜９で構成されるヘイズ値測定用パターン１３を設けたこと。 - 特許庁

A pitch distance (d) of the hearth roller 2 in a region having temperature exceeding temperature at which a thermal strain occurs to at least a plate-form substance A to be heated is narrowed to a value at which even when the plate-form substance A to be heated is placed directly on the hearth roller 2, so that no strain occurs thereto.例文帳に追加

少なくとも板状被加熱物Ａが熱歪みを生じる温度以上になる領域のハースローラー２のピッチ間隔ｄを、板状被加熱物Ａを直接ハースローラー２上に載置しても歪みが生じないように狭くした。 - 特許庁

When an application solution supply nozzle 46 passes through outer circumferential edge regions G1 to G4, application solution T of low viscosity (shown in black) is applied, and it is applied to a region (white part D) excepting the outer circumferential edge regions G1 to G4 by raising its viscosity.例文帳に追加

塗布液供給ノズル４６が外周縁部領域Ｇ１〜Ｇ４を通過する際に粘度の低い塗布液Ｔ（黒色で示す。）を塗布し、外周縁部領域Ｇ１〜Ｇ４以外の領域においては粘度を高めて塗布する（白色の部分Ｄ）。 - 特許庁

Therefore, when a length (d) of the valid region 24 held between both the terminal parts is 0.4 μm, width(w) is 0.6 μm, the fuse element can be made smaller than L/S=1.2 μm/0.8 μm of a minimum pattern rule specified in patterning ability.例文帳に追加

このため、両端部に挟まれた実効領域２４の長さｄを０．４μｍとし、その幅ｗを０．６μｍとして、パターニング実力に規定された最小パターンルールのＬ／Ｓ＝１．２μｍ／０．８μｍより小さくすることが可能になる。 - 特許庁

On the other hand, in a state in which light is irradiated from the liquid crystal display device 21 and the light emitting element 22, a meter image displayed on a display region D of the permeable urethane synthetic leather 31 through the apertures 11 and 12 of the instrument panel 10 is visually recognized.例文帳に追加

一方、液晶表示器２１および発光素子２２から光が照射された状態では、インパネ１０の開口部１１，１２を通して透過性ウレタン合皮３１の表示領域Ｄに表示されるメータ画像が乗員に視認される。 - 特許庁

This energy ray-curable resin composition comprises (A) a resin having in the molecule ethylenically unsaturated group, (B) a compound exhibiting absorption in the near infrared region of 650 nm to 1,000 nm, (C) a light resistance improving agent and (D) a reactive silicone.例文帳に追加

分子内にエチレン性不飽和基を有する樹脂（Ａ）、６５０ｎｍから１０００ｎｍの近赤外領域を吸収する化合物（Ｂ）、耐光性向上剤（Ｃ）、反応性シリコーン（Ｄ）を含有することを特徴とするエネルギー線硬化型樹脂組成物。 - 特許庁

This ion implantation group III nitride semiconductor substrate 20 includes an ion implantation region 20i which resides at one principal plane 20m side and is formed by a predetermined depth D from the principal plane 20, and has a thickness T of 500 μm or larger.例文帳に追加

本イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０は、一方の主面２０ｍ側であって主面２０から所定の深さＤで形成されているイオン注入領域２０ｉを含み、５００μｍ以上の厚さＴを有する。 - 特許庁

With respect to respective cross-sectional shapes including each of straight lines L1 to L6 of a fuel electrode (a region shown by fine dots) embedded in a recess 12 formed on a principal surface of a plate-shaped support substrate, a relation of "E≤2.0*d" is satisfied.例文帳に追加

平板状の支持基板の主面に形成された凹部１２に埋設された燃料極（微細なドットで示した領域）の直線Ｌ１〜Ｌ６の各直線を含むそれぞれの断面形状について、「Ｅ≦２．０・ｄ」という関係が成立する。 - 特許庁

Then, a tomographic image P'a(tc) corresponding to the tomographic face S'a and the prescribed time tc is displayed in a monitor so that the image of the bloodstream region is displayed in the color corresponding to the direction D of the bloodstream and in the color density corresponding to the velocity V of the bloodstream.例文帳に追加

そして、血流領域の画像が、血流の向きＤに応じた色、および血流の速さＶに応じた色の濃さで示されるよう、断層面Ｓ′ａおよび所定の時刻ｔｃに対応する断層画像Ｐ′ａ（ｔｃ）をモニタに表示する。 - 特許庁

The dimension of the black matrix 16 is determined so as to shield the light (an arrow D) transmitted within a range of a prescribed angle of visibility through the light leakage region A generated in a liquid crystal layer 30, corresponding to the voltage between two pixel electrodes 15 adjacent to each other.例文帳に追加

隣接する２つの画素電極１５の電位差に応じて液晶層３０内に生じる光漏れ領域Ａを所定の視野角の範囲内で透過する光（矢印Ｄ）を遮るように、ブラックマトリクス１６の寸法を定める。 - 特許庁

The size of a diffusion plate 103b forming an optical sheet 134 of the backlight device 103 is made smaller than an irradiation opening Do in a diffusion region D, and the diffusion plate 103b is not provided in the vicinity of the end portion of the irradiation opening Do.例文帳に追加

バックライト装置１０３の光学シート１３４を構成する拡散板１０３ｂの大きさを拡散領域Ｄの照射口Ｄｏより小さくし、照射口Ｄｏの端部近傍には拡散板１０３ｂが備わらない構成とする。 - 特許庁

Loads F43, F44, F45 which are applied on the seal members 33, 34, 35 toward an inner circumference surface of the circumference wall 17 by flat springs 43, 44, 45 installed in D region are equal to each other and are greater than loads of the flat springs 40, 41, 42.例文帳に追加

Ｄ領域に設置されている板ばね４３、４４、４５が周壁１７の内周面に向けてシール部材３３、３４、３５に加える荷重Ｆ４３、Ｆ４４、Ｆ４５は等しく、その荷重は板ばね４０、４１、４２の荷重よりも大きい。 - 特許庁

This pair of underpants is constituted in such a scheme that the stretchability each of the part extended from front lower parts of the knees (a) to front femoral region b and the hip parts c is high, and the stretchablity each of the front belly part d, the waist perimeter e, and the rest cylindrical leg parts f at both sides is low.例文帳に追加

膝の前下部ａ、ａから大腿前部ｂ、ｂ、及び、臀部ｃ、ｃの伸縮性を大きく構成し、前腹部ｄ、ｄ及び腰部周囲ｅ、ｅ並びに両側の脚筒残部ｆ、ｆの伸縮性を小さく構成した。 - 特許庁

This section describes the challenges for Japanese corporate activities in the East Asian region andstrategic approaches that have proved successful for expanding business in this region, focusing on thefollowing points with regard to the approaches necessary to improve the earnings performance ofJapanese companies in the East Asian region in the future: from a macro-economic perspective on (i) thecomparative advantage structure between Japan and each region in East Asia in terms of trade; and froma micro-economic perspective on (ii) the characteristics of motivation for entry into the East Asianregion and development of business, (iii) recouping of headquarters costs and collection of profits, (iv)making the most of merits in business costs, (v) local management structure, (vi) local R&D activities,and (vii) efforts by Japanese companies with the opening of the Chinese market.例文帳に追加

本節においては、今後、日本企業が東アジア地域において収益性を向上させる上で必要となる取組みについて、マクロの観点から（1）日本と東アジア各地域貿易における比較優位構造を中心に、また、ミクロの観点からは、（2）東アジア地域への進出動機や事業展開の状況から見た特徴、（3）本社コストの対価及び利益の回収状況、（4）事業コスト面でのメリットの活用状況、（5）現地経営体制の状況、（6）現地R&D活動の状況、（7）中国市場開放に伴う日本企業の取組みに着目して、東アジア地域における日本企業の事業活動の課題と、東アジア地域において事業の拡大に成功している戦略的な取組みを取り上げる。 - 経済産業省

More particularly, when the diameter d of the inner magnet 35 is smaller than the inner peripheral radius R of the outer magnet 31, and is rotated around a central axial line 37 of the outer magnet 31, the strongly sputtered region passes over the entire surface of the target.例文帳に追加

特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 - 特許庁

In the FM-CW system radar 11, a beat signal from a receiving circuit 16 is converted through an A/D circuit 17 into a digital signal, components in a frequency region are extracted by an FFT circuit 18 and then data is detected by a target detecting circuit 19.例文帳に追加

ＦＭ−ＣＷ方式のレーダ装置１１では、受信回路１６からのビート信号をＡ／Ｄ回路１７でデジタル信号に変換し、ＦＦＴ回路１８で周波数領域の成分の抽出を行った後、目標検出回路１９でデータを検出する。 - 特許庁

Because the load applied to the offset tool T can be suppressed; compared with a forming tool which cuts the wide region of the groove Da in the work D at one time, it is possible to enhance the durability of the offset tool T and improve the processing accuracy of the processed surface.例文帳に追加

ワークＤの溝Ｄａの広い領域を一度に切削する総形工具に比べてオフセット工具Ｔが受ける荷重を低く抑えることができるので、オフセット工具Ｔの耐久性を高めるとともに加工面の仕上げ精度を高めることができる。 - 特許庁

In the disk receiving part 2, there is installed an 8 cm diameter perfect- circular notch 4 which makes the information recording region 83 of the disk D face with an optical reading device such as a disk player, and the perfect- circular notch 4 is set concentrically with the annular frame 1.例文帳に追加

ディスク受け部２に、ディスクＤの情報記録領域83をディスクプレーヤ等の光学的読取装置に臨ませる直径８cmの真円形切欠部４が設けられ、該真円形切欠部４が円環状枠体１と同心状にあるものと設定されている。 - 特許庁

As being understood by comparison of Figs.11(a) and (b) with Figs.11(c) and (d), according as the recorded data amount is increased, the discolored region in the drawing layer is gradually and concentrically increased from the center of the optical disk 1 toward the outer edge of the disk.例文帳に追加

よって、図１１（ａ）、（ｂ）と、図１１（ｃ）、（ｄ）とを比較すると分かるように、記録済みデータ量が増加するに従って、描画層において変色した領域が光ディスク１の中心から同心円状に当該ディスクの外縁に向かって徐々に大きくなる。 - 特許庁

When the threshing clutch-operating member 31 and the reaping clutch-operating member 33 are further rotated in the normal rotation direction to pass the threshing clutch-operating member 31 through the dead point D, both the threshing clutch-operating member 31 and the reaping clutch-operating member 33 are positioned in the engaging region.例文帳に追加

脱穀クラッチ操作体３１と刈取りクラッチ操作体３３とが更に正回転方向に回転操作され、脱穀クラッチ操作体３１が死点Ｄを超えると、脱穀クラッチ操作体３１と刈取りクラッチ操作体３３とが入り域に位置する。 - 特許庁

Thereafter, the p-type GaN substrate 7 is turned into a thin film so as to be restrained from increasing in resistance and turned to a p-type GaN electrode forming region 8 (Figure 1 (d)), and a p-type electrode 11 and an n-type electrode 12 are formed using evaporation, lithography, and dry etching (Figure 1 (e)).例文帳に追加

その後、抵抗値を抑えるためにｐ型ＧａＮ基板７を薄膜化してｐ型ＧａＮ電極形成領域８とし（図１（ｄ））、ｐ型電極１１およびｎ型電極１２を、蒸着、リソグラフィ、ドライエッチングを用いて形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁

In a cylindrical battery 10, a two-dimensional code 15 described with the individual identification information is printed on a specific region D of a battery side part 13 having the prescribed distance d1 from the battery bottom 11 and the prescribed distance d2 from the battery top 12.例文帳に追加

円筒型電池１０において、電池底部１１から所定の距離ｄ１を有し、かつ電池頭部１２から所定の距離ｄ２を有した電池側面部１３上の特定領域Ｄに、個体識別情報を記した二次元コード１５を印刷する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition for the near-IR absorbent contains: a colorant (A) containing a phthalocyanine compound having an absorption maximum wavelength in a near-IR region; a binder resin (B); a photopolymerizable compound (C); a photopolymerization initiator (D); and a solvent (E).例文帳に追加

近赤外線領域に吸収極大波長を有するフタロシアニン化合物を含む着色剤（Ａ）、バインダー樹脂（Ｂ）、光重合性化合物（Ｃ）、光重合開始剤（Ｄ）及び溶剤（Ｅ）を含む近赤外吸収材用感光性樹脂組成物である。 - 特許庁

The longitudinal ends of the first and second arms 84 and 86 remote from a region in which the first and second arms 84 and 86 perpendicularly intersect are connected by an arc portion 88 having a diameter D larger than a distance W between the two spring strips.例文帳に追加

第１、第２アーム部８４、８６が直交する箇所から離れた第１、第２アーム部８４、８６の延在方向の端部は、２つのばね板が、２つのばね板間の間隔Ｗよりも大きな寸法の直径Ｄからなる円弧部８８で接続されている。 - 特許庁

A plating part 3 is formed in the surface shape 1 of a lead frame to be manufactured on its metal plate surface, that is, in a region which includes a plating formation area 2 and projects by a predetermined width d from the outer periphery 1a of the surface shape 1 of the lead frame.例文帳に追加

製造すべきリードフレームの金属板表面上での表面形状１に対し、めっき形成領域２を含み且つリードフレーム表面形状１の外周縁１ａから所定幅ｄだけ外側に突き出た領域に、めっき部３を形成する。 - 特許庁

A rubber layer 6 having JIS hardness 40 to 50 and thickness t ≤2mm is arranged on a groove wall surface 2b located in a lower region 2X of 30 to 50% of a groove depth d from a groove bottom 2a of a peripheral direction groove 2 extended in a tire peripheral direction T on a tread surface 1.例文帳に追加

トレッド面１にタイヤ周方向Ｔに延設した周方向溝２の溝底２ａから溝深さｄの３０〜５０％の下部領域２Ｘに位置する溝壁面２ｂにＪＩＳ硬度が４０〜５０でかつ厚さｔが２ｍｍ以下のゴム層６を配置する。 - 特許庁

The inner wall shape of the shield case 7 in the vicinity of a region including the range of oscillation of the oscillating member 4 has such a shape as to maintain an approximately constant minimum distance (d) between the sensing electrodes 2a and 2b and inner walls of the shield case 7 regardless of displacements of the sensing electrode 4.例文帳に追加

少なくとも振動部材４の振動範囲を含む領域の近傍のシールドケース７の内壁形状が、検知電極２ａ、２ｂとシールドケース７内壁との最短距離ｄを検知電極４の変位に関わらずほぼ一定とする様な形状である。 - 特許庁

Thickness of the central start end 101 of the spiral wall 12b is increased in two step shape toward the root side of an end plate 12a, and a delivery port 25 is disposed at a position at which a part of the port overlaps on a thickness increasing region N of a step shape part D.例文帳に追加

渦巻壁１２ｂの中央始端部１０１の壁厚が端板１２ａの付け根側に向かって２段階状に厚くするとともに、吐出ポート２５を、その一部が段階形状部Ｄの肉厚増加領域Ｎに重なる位置に設ける構成を採用した。 - 特許庁

Sealing members 12 in square frames are formed on the drop substrate at positions opposing to the respective counter substrates, and drops D of a liquid crystal 15 are dropped onto each drop region S surrounded by the sealing member 12 to a thickness smaller than the thickness of the sealing member 12.例文帳に追加

滴下基板４Ｍの各対向基板４に相対する位置に、それぞれ四角枠状のシール部材１２を形成し、シール部材１２によって囲まれる各滴下領域Ｓに、シール部材１２の厚さよりも薄い液晶１５の液滴Ｄを滴下するようにした。 - 特許庁

On a region in which a lower layer wiring (short-circuit line) 16a is formed, a dummy wiring D for relatively thinning the thickness of a flattened film 37 formed on the lower layer wiring 16a to the thickness of the flattened film 37 in a part except the lower layer wiring 16a is formed.例文帳に追加

下層配線（短絡線）１６ａが形成される領域に、その上に形成される平坦化膜３７の厚さを下層配線１６ａ以外の部分の平坦化膜３７の厚さに対して相対的に薄くするためのダミー配線Ｄを形成する。 - 特許庁

The arranged pitch P1 between the discharge apertures (n) in a specified end part region E2 of each discharge aperture array, is set in accordance with an interarray distance (d) of a pair of mutually adjacent nozzle arrays, e.g. the discharge aperture arrays y1 and y2, in an ink discharge state of the nozzle arrays.例文帳に追加

各吐出口列の所定の端部領域Ｅ２内における吐出口ｎの配列ピッチＰ１が、前記複数のノズル列内のインク吐出状態において、互いに隣接する一対のノズル列、例えばｙ１，ｙ２の列間距離ｄに応じて設定されている。 - 特許庁

The liquid quantity measuring instrument composed of a sample photographing means, an image signal processor 108 for A-D converting data, an image data processor 109 for extracting features of the image data by filtering, and a data analyzing processor 110 for analyzing the obtained image, specifies the region of a serum image and detects the peak value of the density in the specified region to detect fibrins.例文帳に追加

検体の撮像手段とデータをＡ／Ｄ変換する画像信号処理部１０８とフィルタリングにより画像データの特徴抽出する画像データ処理部１０９と得られた画像を解析するデータ解析処理部１１０とから構成される液量測定装置で血清画像の領域の特定とその領域内の濃淡のピーク値検出を行ってフィブリン検出を行う。 - 特許庁

The following points will be discussed with regard to the overseas business activities of Japanese companies: (1) Characteristics of motivation for entry into the East Asian region and development of business; (2) recouping of headquarters costs and collection of profits; (3)making the most of merits in business costs; (4) local management structure; (5) R&D activities; and (6) efforts by Japanese companies with the opening of the Chinese market. With regard to (1) above, the difference in comparisons between Japanese companies and foreign companies is that Japanese companies emphasize balance in production functions between China and ASEAN and foreign companies focus on the use of R&D functions.例文帳に追加

また、日本企業の海外事業活動について、①東アジア地域への進出動機や事業展開の状況から見た特徴、②本社コストの対価及び利益の回収状況、③事業コスト面でのメリットの活用状況、④現地経営体制の状況、⑤R&D活動の状況、⑥中国市場開放に伴う日本企業の取組みに着目して見ると、①については、日本企業は外資系企業と比較すると、中国における研究開発機能の取扱いや中国とASEANの生産機能に関するバランスを重視する姿勢等に相違点が見られている。 - 経済産業省

The purpose of this is to bring the source-handle assembly 9 into a state of being at a separation temperature higher than room temperature in step (d), to essentially keep the same the degree of embrittlement of the dividing region at this separation temperature, and perform the mechanical division at this temperature.例文帳に追加

この目的は、ソース‐ハンドル複合体９をステップｄ）で室温よりも高い分離温度の状態にし、この分離温度において所定の分割領域の脆弱化の程度を本質的に同一にとどめ、この温度で機械的分割を実施することで達成される。 - 特許庁

Then, a laser beam is irradiated to the amorphous semiconductor film 260 for heat treatment (see Fig. 3(d)), thereby forming a semiconductor film 265a in an approximately single crystal state over a predetermined region including the slit ST of the film 260 (see Fig. 3(e)).例文帳に追加

次に、非晶質半導体膜２６０にレーザ光を照射して熱処理を施すことで（図３（ｄ）参照）、非晶質半導体膜２６０のうちスリットＳＴを含む一定範囲の領域に略単結晶状態の半導体膜２６５ａを形成する（図３（ｅ）参照）。 - 特許庁