D regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 576件
The device has a barrier rib B, membrane F installed in the region partitioned by the barrier rib B, and a groove D installed in the outer periphery of the region partitioned by the barrier rib B.例文帳に追加
本発明のデバイスは、隔壁Bと、前記隔壁Bによって区画された領域に設けられた膜Fと、前記隔壁Bによって区画された領域の外周部に設けられた溝Dと、を有する。 - 特許庁
In the ratio learning region, the relationship between an engine operating condition in the whole of the region and the deposit learning value (adep) is updated collectively based on a knock controlled variable (indicated by an arrow D in the figure).例文帳に追加
比率学習領域では、同領域内全体における機関運転状態とデポジット学習値adepとの関係をノック制御量に基づき一括更新する(図中矢印D)。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, for manufacturing an LDD region, a pocket layer and a high concentration source/ drain(S/D) region with minimum number of manufacturing processes.例文帳に追加
LDD領域、ポケット層及び高濃度ソース/ドレイン(S/D)領域を、最小限の製造工程数で製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The projecting part 44 is formed so as to come into contact with only one of a d-axis magnetic path region and a q-axis magnetic path region formed within the rotor core 14 by the permanent magnet 20.例文帳に追加
凸部44は、永久磁石20によってロータコア14内に形成されるd軸磁路領域およびq軸磁路領域のうちの一方だけに接触するように形成されている。 - 特許庁
The structural feature is selected from the group consisting of a loop region from an IgNAR variable domain and the solvent exposed face at the C-terminus of the loop region 4 and in the C and D β-strands from an IgNAR variable domain.例文帳に追加
構造特徴が、IgNAR可変ドメイン由来のループ領域と、ループ領域4のC末端ならびにIgNAR可変ドメイン由来のCおよびDβ鎖における溶媒露出面とからなる群より選択される。 - 特許庁
The removing solution comprises (a) a fluorine compound such as ammonium fluoride, (b) a water-soluble organic solvent, (c) a buffer having its buffering pH region in a region of ≥pH 5, such as a good buffer, and (d) water.例文帳に追加
(a)フッ化アンモニウムなどのフッ素化合物、(b)水溶性有機溶剤、(c)グッド緩衝剤などのpH5以上の領域に緩衝pH領域を有する緩衝剤、及び(d)水を含有する剥離液。 - 特許庁
A barrier insulating material 36 is deposited through a CVD method and formed by etching, with which the lower electrode 26 is set separate from the source region 18 and the drain region 20 by a distance D of 50 to 300 nm.例文帳に追加
障壁絶縁材36をCVD堆積した後エッチングにより成形し、下部電極26とソース領域18及びドレイン領域20とが50〜300nmの距離D離れるようにする。 - 特許庁
When a second GaN layer 57 is epitaxially grown on the substrate, a lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 exists merely in a region (defect region Ra) that is positioned at the upper part of the center part of the recess 53a, and there is hardly any lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 in the other regions (low defect region Rb).例文帳に追加
基板上に、第2のGaN層57をエピタキシャル成長させると、凹部53aの中央部の上方に位置する領域(欠陥領域Ra)にのみ第1のGaN層53から伝播した格子欠陥Dが存在し、その他の領域(低欠陥領域Rb)には第1のGaN層53から伝播した格子欠陥Dはほぼ存在しない。 - 特許庁
The output region monitor 16 has a multiplexer 18, an A/D converter 19, a digital signal processor 20 and a parameter/set value matrix 42.例文帳に追加
出力領域モニタ16はマルチプレクサ18、A−D変換器19、ディジタル信号処理部20およびパラメータ・設定値マトリックス42を有する。 - 特許庁
A color filter 22 has a display region D wherein a plurality of pixels E comprising at least one kind of a color layer 28 are two-dimensionally arranged.例文帳に追加
カラーフィルター22は、少なくとも1種の着色層28からなる画素Eが2次元的に複数配列された表示領域Dを有する。 - 特許庁
A diffusion layer S/D for use as a source or drain region is formed in the semiconductor substrate 11 corresponding to both sides of the floating gate FG.例文帳に追加
浮遊ゲートFGの両側に対応する半導体基板11内にソース又はドレイン領域としての拡散層S/Dが形成されている。 - 特許庁
P-type impurity layers (P+D layer 22, FP layer 24) deeper than a drain layer 12 are formed below a contact region of the drain layer 12.例文帳に追加
また、ドレイン層12のコンタクト領域の下方に、ドレイン層12よりも深いP型不純物層(P+D層22,FP層24)を形成する。 - 特許庁
A computation control part 42 specifies an A/D conversion object of the A/D converter 41 within an inspection region based on a computation timing signal, a computation period signal, an inspection width signal from an inspection width setting circuit 32 and so on, and transmits this specific signal to the A/D converter 41 for a given period of time.例文帳に追加
演算制御部42により、演算タイミング信号、演算期間信号、検査幅設定回路32からの検査幅信号などに基づき、A/D変換部41でのA/D変換対象を検査領域内のみに特定し、一定期間この特定信号をA/D変換部41に送る。 - 特許庁
If the refractive index of the medium 60 is n, the depth of the medium 60 from the plane of incidence to the focal point of the lens 50 is d and the aberration generated by the medium 60 is Δs, the region of aberration is between n×d and n×d+Δs from the incident plane of the medium 60.例文帳に追加
この収差範囲は、媒質60の屈折率をn、媒質60の入射面からレンズ50の焦点までの深さをd、媒質60によって発生する収差をΔsとすると、媒質60の入射面からn×d以上n×d+Δs以下である。 - 特許庁
Further, D is the diameter of fittings outer diameter line, d is the diameter of the fittings inner diameter line, and S_0 is the area of the standard region decided according to the width W of the earth electrode on the tip face of the main body fittings 1.例文帳に追加
なお、Dは金具外径線の直径、dは金具内径線の直径であり、S0は、主体金具1の先端面上において、接地電極の幅Wに応じて決定される基準領域の面積である。 - 特許庁
Three-dimensional coordinates of movement reference points A, B, C, D of a mobile unit traveling within a monitoring region R and those of upper points of the movement reference points A, B, C, D according to the height of the mobile unit are set to the image processing apparatus 20.例文帳に追加
監視領域R内を移動する移動体の移動基準点A、B、C、Dと、移動体の高さに応じた移動基準点A、B、C、Dの上方点の3次元座標を画像処理装置20に設定する。 - 特許庁
A chuck region for holding the wafer is divided into a plurality of sectional regions A, B, C, and D, an unexposed part is fixed to the sectional regions A, B, C, and D, and the fixation of the exposed part is once released.例文帳に追加
ウェハを保持するチャック領域を複数の区分化された領域A、B、C、Dに分割し、未露光部はこの区分化された領域A、B、C、Dに固定し、露光された部分は一旦固定を解除する。 - 特許庁
A thickness d of a dielectric between the electrode 16 and the forming region on the surface of the substrate 6 is made smaller than a thickness D of the dielectric between the electrodes 7, 8 and the grounding electrode 12.例文帳に追加
回路用接地電極16と誘電体基体表面の回路パターン形成領域との間の誘電体の厚みdは、放射電極7,8と接地電極12間の誘電体の厚みDよりも薄くなる。 - 特許庁
A control layer for controlling a threshold voltage is provided only on the top surface of the barrier layer of the D-FET to raise up the gate contact layer of the barrier layer, and the buried gate region is formed by doping of impurities.例文帳に追加
D-FETの障壁層上面にのみしきい値電圧を調整するための調整層を設けて障壁層のゲートコンタクト層の嵩上げを行い、不純物をドーピングして埋め込みゲート領域を形成する。 - 特許庁
In an optical disk 11 in which wobbled tracks 18, 19 becoming a user region 17 are formed alternately, a region where a wobble phase is reversed is formed in a part a fixed length D ahead of a header region 16 in order of reproduction in the user region.例文帳に追加
ヘッダ領域16と、ユーザ領域17となるウォブルされたトラック18,19とが交互に形成された光ディスク11において、ユーザ領域17のうち、ヘッダ領域16から再生順にして一定長Dだけ手前となる部分に、ウォブルの位相が他の部分と反転している領域を形成している。 - 特許庁
The automatic exposure control (AEC) system is further provided with an ineffective region determining means 90 that supplies the mammary gland specifying means 80 with the ineffective region information that will nullify a part of the radiation dose information belonging to a region D2 out of a radiation detecting region D where the radiation dose information is detected.例文帳に追加
該自動露出制御システムには、さらに、前記放射線量情報が検出された放射線検出領域Dのうち、一部の領域D2に属する放射線量情報を無効とする無効領域情報を乳腺位置特定部80に供給する無効領域決定部90が設けられる。 - 特許庁
In the control of a region following a spike region initial stage (running average output control: D region), control allowing for running average output value deviation in running accumulated pulse number cast on one place is carried out supposing the use state of an aligner.例文帳に追加
スパイク領域初期に続く領域の制御(移動平均出力制御:D領域)において、露光装置の使用形態を前提にして、1か所に照射する移動積算パルス数における移動平均出力値偏差を考慮した制御を行う。 - 特許庁
This electric water heater D is disposed in the upper part of the storage space S of the cabinet 1 and in a side region of a washbasin part 3a, namely in a corner region surrounded with the cabinet side board 1a and a counter 2.例文帳に追加
電気温水器Dを、キャビネット1の収納空間Sにおける上方部であって洗面器鉢部3aの側方領域、すなわちキャビネット側板1aとカウンター2とに囲まれる隅部領域に配置する。 - 特許庁
In this case, the descriptor processing part 4 specifies the operated region from the output signal of the A-D converter 50 transmitted from an ADC device interface 6, and executes processing contents corresponding to the specified region.例文帳に追加
この場合、ディスクリプタ処理部4は、ADCデバイスインタフェース6から送られるAD変換器50の出力信号から、操作のあった領域を特定し、特定された領域に対応する処理内容を実行する。 - 特許庁
A TFT 30 forming the single crystal silicon layer as a channel region 1a' is formed on the insulator layer and at least one line defect D exists within the single crystal silicon layer forming the channel region 1a'.例文帳に追加
そして、絶縁体層上に単結晶シリコン層をチャネル領域1a'としたTFT30が形成され、チャネル領域1a'をなす単結晶シリコン層内に少なくとも一つの線欠陥Dが存在している。 - 特許庁
The fifth hologram region 25 is a region divided by a parting line E connecting coordinate points (-xa, 0) and (-xb, -yb), a parting line D connecting coordinate points (xa, 0) and (xb, -yb), and the x-axis.例文帳に追加
第5のホログラム領域25は、座標点(−xa,0)と(−xb,−yb)とを結ぶ分割線E,座標点(xa,0)と(xb,−yb)とを結ぶ分割線D,及びx軸によって分割された領域である。 - 特許庁
The method also includes increasing the quenching density at a region (U) of an upper part of a cylinder head side, which receives higher sliding friction by a piston than a region (D) in a crank case side in a lower part of the inner surface 11a of the cylinder bore.例文帳に追加
この際、シリンダボア内面11aにおいて、ピストンによって受ける摺動抵抗が、下部のクランクケース側の領域Dに比較して大きいシリンダヘッド側の上部の領域Uの焼き入れ密度を高くする。 - 特許庁
A clamp part 12 is formed on a q-axis in a region between the permanent magnet 11 and the central hole 4, and a rivet 13 is passed on a d-axis in a region (c) between the permanent magnet 11 and the circumferential part of a rotor core 10.例文帳に追加
永久磁石11と中心孔4との間の領域でq軸上にかしめ部12を形成し、永久磁石11とロータコア10の外周との間の領域cでd軸上にリベット13を通す。 - 特許庁
By an A/D converter 2, an image signal which is output by a camera 1 used to photograph a region to be monitored is fetched at set intervals so as to be converted into a digital signal.例文帳に追加
A/D変換器2は、被監視領域を撮影するカメラ1が出力する映像信号を一定間隔で取り込みデジタル信号に変える。 - 特許庁
The non-image part (the recess 5, the region d) in the vicinity of the image part (the protrusion 6) is then heated with a relatively low heating value by a TPH 3 etc. in a subsequent stage.例文帳に追加
続けて後段のTPH3等により、画像部(凸部6)の近傍の非画像部(凹部5、領域d)を相対的に低い熱量で加熱する。 - 特許庁
The display device forms an optical reflection layer 11 reflecting emission light from a light emitting layer 15 in an observation side in a display region A1 of each display body D.例文帳に追加
各表示体Dの表示領域A1内には、発光層15からの出射光を観察側に反射する光反射層11が形成される。 - 特許庁
A prescribed design light emitting means makes the self-emission dot devices D arranged in a prescribed design region A_21 emit light thereby making the prescribed design be displayed.例文帳に追加
所定意匠発光手段が、所定意匠領域A_21に配置された自発光ドットデバイスDを発光させて所定意匠を表示させる。 - 特許庁
Alternatively the absorbent combination member 3 and the outer layer member 2 are fixed together by engagement parts 13 in parts of their non-joining region D.例文帳に追加
また、吸収性組合わせ部材3と外層部材2とが、それらの非接合領域Dの一部において、係合部13により固着されている。 - 特許庁
When attendant information a-k exists on the periphery a current position 20, attendant information c, d, e, f and g is included in a specified region 23.例文帳に追加
現在位置20の周辺に付帯情報a〜付帯情報kが存在する場合、特定領域23に含まれる付帯情報は、付帯情報c,d,e,f,gである。 - 特許庁
Consequently, a defective picture caused by generation of a gap part in the pixel region D and deterioration of display quality accompanied therewith are prevented.例文帳に追加
したがって、画素領域Dにおける空隙部の発生を原因とした画像欠陥が防止され、それに伴う表示品位の低下も防止される。 - 特許庁
The concentration of impurities in the channel formation region CH is inhibited, thus preventing the threshold voltage of the D-MOSFET 20 from becoming higher than conventional.例文帳に追加
チャネル形成領域CHの不純物濃度を抑えることで、D−MOSFET20のしきい値電圧が従来より高くなることを防ぐことができる。 - 特許庁
Consequently, the etching reaction in the cleaning gas supplying-side region A is slowed and the etching reactions in the regions B, C, and D on the exhaust side are successively made faster.例文帳に追加
これにより、クリーニングガス供給側の領域Aでのエッチング反応を遅く、排気側の領域B、C、Dでのエッチング反応を順次速くする。 - 特許庁
Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)).例文帳に追加
イオン注入領域3では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板1が完成する(d)。 - 特許庁
In a partial load operation region D, burnt gas discharged from a preceding cylinder in an exhaust stroke is introduced as it is to a following cylinder in an intake stroke.例文帳に追加
部分負荷運転領域Dでは、排気行程にある先行気筒から排出される既燃ガスをそのまま吸気行程にある後続気筒に導入する。 - 特許庁
A display device forms an optical reflection layer 11 reflecting emission light from a light emitting layer 15 in an observation side in a display region (A) of a display body D.例文帳に追加
表示体Dの表示領域A内には、発光層15からの出射光を観察側に反射する光反射層11が形成される。 - 特許庁
By this constitution, light 5 is reflected by the bonding surfaces (a), (b), (c), (d) to almost uniformly irradiate the photosetting adhesive 4 over the almost entire region thereof.例文帳に追加
これにより、光5が、各接着面a,b,c,dにより反射されて、光硬化型接着剤4のほぼ全域に亘って、ほぼ均一に照射されるようになる。 - 特許庁
The photoelectric encoder comprises: a light emitting element; and a plurality of light receiving elements arranged in one direction D in a region at which light from the light emitting element arrives.例文帳に追加
発光素子と、この発光素子からの光が到達し得る領域に、一方向Dに並べて配置された複数の受光素子とを備える。 - 特許庁
The ridge part 12a (optical waveguide) is formed in a region, biased from the central section of the semiconductor layer 12 toward one side (direction side of arrow D).例文帳に追加
また、リッジ部12a(光導波路)は、半導体層12の中央部から一方側(矢印D方向側)に寄った領域に形成されている。 - 特許庁
Then, the capacitor D is provided in a region S1 between the external end of the unbalanced terminal T0 and that of the ground terminal G in a plan view.例文帳に追加
そして、キャパシタDは、平面視において、不平衡端子T0の外側端と接地端子Gの外側端との間の領域S1に設けられている。 - 特許庁
A protection substrate 44 is arranged at a position separated from the surface of the observation side of the display body D to be a light transmission plate material facing the display region (A).例文帳に追加
保護基板44は、表示体Dの観察側の表面から離間した位置に配置されて表示領域Aに対向する光透過性の板材である。 - 特許庁
This method includes a removing process of removing out of the exposed surface of the sanitary ware 10, a surface portion at least containing a contaminated region H where the dirt D adheres or which is impregnated with the dirt D by polishing, and a coat forming process of applying a coating agent countering silicone to a region at least containing the polished region to which polishing is performed.例文帳に追加
衛生陶器10の露出面のうちで、汚物が付着若しくは含浸した汚染部位Hを少なくとも含む面部分を研磨によって除去する除去工程と、衛生陶器の露出面のうちで、研磨が施された研磨部位35を少なくとも含む部位にシリコーンを含有するコーティング剤を塗布して、硬化塗膜を形成する塗膜形成工程と、を備える。 - 特許庁
The optical processing element includes a processing region, wherein a plurality of unit processing regions, with each being formed, by periodically arraying the unit arrangement patterns in a lattice shape at an interval d2<D which is wider than the interval d1<D are provided on the substrate.例文帳に追加
光処理素子は、該単位配列パターンを間隔d1<Dよりも大きい間隔d2<Dで離隔して格子状に周期的に配列させた単位処理領域を基板上に複数設けた処理領域を備える。 - 特許庁
The ultraviolet light source unit includes: a plurality of ultraviolet light emitting diodes D provided on a substrate 28; a heat sink 29 arranged on the opposite side to the ultraviolet light emitting diodes D; and an inner cover 30 having a grating part found at a region covering the heat sink 29.例文帳に追加
基板28に対して複数の紫外線発光ダイオードDを備え、この紫外線発光ダイオードDの反対側にヒートシンク29を備え、このヒートシンク29を覆う部位にグレーチング部を有する内部カバー30を備えた。 - 特許庁
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