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「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索
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Diffusionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 18238



例文

To provide a liquid phase diffusion-bonded joint of steel tubes with a hollow shape, and to provide a bonding method therefor.例文帳に追加

中空形状した鋼管の液相拡散接合継手およびその接合方法を提供する。 - 特許庁

These abrasive grain layers 6 are subjected to diffusion bonding using metal selected from Al, Cu, Sn and Zn.例文帳に追加

これら砥粒層6は、Al、Cu、Sn、Znのうちのいずれかの金属を用いて拡散接合する。 - 特許庁

In the apparatus for analyzing a very small amount of gas including at least a diffusion scrubber 11 for collecting a gas component in the atmosphere and a sampling pipe 10 for introducing the atmosphere into the diffusion scrubber 11, a washing means 2 for washing the diffusion scrubber 11 and the sampling pipe 10 using a washing liquid 22 is provided.例文帳に追加

大気中のガス成分を捕集する拡散スクラバ11と、この拡散スクラバ11に前記大気を導入するサンプリング管10とを少なくとも含む極微量ガス分析装置において、前記拡散スクラバ11とサンプリング管10とを洗浄液22を用いて洗浄する洗浄手段2を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a development cartridge, a process cartridge and an image formation apparatus for suppressing the diffusion of developer.例文帳に追加

現像剤の拡散が抑制され得る現像カートリッジ、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

例文

In the gas diffusion layer consisting of a conductive porous body and a hydrophobic material, a hydrophobicity of at least a part of an area on the surface of the gas diffusion layer is to be higher than that at least a part of an area inside the gas diffusion layer existing in adjacency to the former area.例文帳に追加

導電性多孔質体と疎水性材料とからなるガス拡散層において、前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域の疎水性が前記領域に隣接して存在する前記ガス拡散層の内部の少なくとも一部の領域の疎水性よりも高いことを特徴とするガス拡散層。 - 特許庁


例文

An n-type channel diffusion layer 24, a p-type high density diffusion layer 26 for a source, an n-type high density diffusion layer 28, a gate oxide film 30, and a gate electrode 32 which constitute a p-channel DMOS transistor are formed in an area different from the CMOS formation area of the p-type low density epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

P型低濃度エピタキシャル成長層4のCMOS形成領域とは異なる領域に、PchDMOSトランジスタを構成する、N型チャネル拡散層24、ソース用のP型高濃度拡散層26、N型高濃度拡散層28、ゲート酸化膜30及びゲート電極32が形成されている。 - 特許庁

An He gas is diffused into the diffusion space 16 via holes 14 to cool the sample 20.例文帳に追加

この拡散空間16に孔14を介してHeガスを拡散させて試料20を冷却する。 - 特許庁

Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.例文帳に追加

したがって,コンタクト層105を介して半導体層104にp型不純物を拡散ドープすると,半導体層104には,高抵抗基板102に達する拡散深さXj2の素子分離領域106と高抵抗基板102に達しない拡散深さXj1の発光部110とが同時形成される。 - 特許庁

The cathode includes a cathode catalyst layer and a cathode diffusion layer, and the cathode catalyst layer includes a cathode catalyst.例文帳に追加

カソードは、カソード触媒層およびカソード拡散層を含み、カソード触媒層はカソード触媒を含む。 - 特許庁

例文

The anode includes an anode catalyst layer and an anode diffusion layer, and the anode catalyst layer includes an anode catalyst.例文帳に追加

アノードは、アノード触媒層およびアノード拡散層を含み、アノード触媒層はアノード触媒を含む。 - 特許庁

例文

NICKEL-BASE SUPERALLOY COATED WITH ALLOY CONSISTING OF IRIDIUM AND PLATINUM AND THEN DIFFUSION-METALLIZED WITH ALUMINUM例文帳に追加

アルミニウムが拡散浸透されたイリジウムと白金とからなる合金が被覆されたニッケル基超合金 - 特許庁

An EL element 20 is separated from an interface F1 of a diffusion area of an thin film transistor 4 adjacent thereto.例文帳に追加

EL素子20とこれに近接する薄膜トランジスタ4の拡散領域の界面F1を離間させる。 - 特許庁

The base sheet 13 itself thus constitutes the diffusion sheets 6 and 23.例文帳に追加

熱拡散性シート6,23はグラファイトシート7と樹脂フィルム8a,8b、場合により金属薄板22を備える。 - 特許庁

Further, the power output of the beam can be reduced since the diffusion of the heat on the lid is suppressed.例文帳に追加

また、リッド上の熱の拡散が抑制されるため、ビームのパワー出力を低減することが可能となる。 - 特許庁

To increase the parastic resistance of an impurity diffusion layer and reduce the depth thereof.例文帳に追加

不純物拡散層の寄生抵抗の増大を抑制しつつ不純物拡散層の深さを浅くする。 - 特許庁

In two adjoining transistors P205 and P206, there are arranged a common source diffusion region 301, a CA via 200 arranged on the common source diffusion region 301, and a source wiring 213 which is wired on the common source diffusion region 301 and is connected to the CA via 200.例文帳に追加

隣接する2個のトランジスタP205、P206において、共有ソース拡散領域301と、この共有ソース拡散領域上301に配置されたCAビア200と、前記共有ソース拡散領域301上に配線され且つ前記CAビア200に接続されたソース配線213とが配置される。 - 特許庁

A fuel diffusion body 42 is provided in the undersurface side of the tip of the evaporating cylinder 39, and an air diffusion member 60 with blades 63 for diffusing the air introduced in the evaporating cylinder 39 through the blower cylinder 41 in the circumferential direction is provided in an outer peripheral side of the fuel diffusion body 42.例文帳に追加

気化筒39の頂部下面側には燃料拡散体42が設けられているとともに、当該燃料拡散体42の外周側に、送風筒41を通じて気化筒39内に導入された空気を周方向に拡散させるための羽根63を備えた空気拡散部材60が設けられている。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管11が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管11の下側の端部から炉心管11内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管11内に配置された拡散半導体基板ボート22上の各シリコン基板21に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

The end face of the catalyst layer 30 of one gas diffusion electrode layer 26 is arranged so as to slip from the end face of the catalyst layer 28 of the other gas diffusion electrode layer 24, and spaces 27, 29 of at least one part are left to the end face of the catalyst layers 28, 30 in the outer circumferences of the gas diffusion electrode layers 24, 26.例文帳に追加

一方のガス拡散電極層26の触媒層30の端面が、他方のガス拡散電極層24の触媒層28の端面に対して位置をずらして設置され、ガス拡散電極層24,26の外周に、前記触媒層28,30の端面と少なくとも一部間隔27,29を開けている。 - 特許庁

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.例文帳に追加

その後、基板上に第2の層間絶縁膜147を堆積し、第2の層間絶縁膜147を貫通して応力緩和用金属パッド152,P型拡散層上第1プラグ160pに到達するN型拡散層上第2プラグ170n,P型拡散層上第2プラグ170pを形成する。 - 特許庁

The storage node electrode is electrically connected to a diffusion region 19 of a semiconductor substrate by means of the plug section.例文帳に追加

プラグ部によって半導体基板1の拡散領域19との電気的接続を図っている。 - 特許庁

The semiconductor device includes gate electrode parts G21a-G21c formed over a P type diffusion region, an N type diffusion region, and an element isolation region, and arranged on a diffusion region; and a plurality of gate polysilicon films G20a-G20c having gate wiring parts G22a-G22c arranged on the element isolation region.例文帳に追加

半導体装置は、P型拡散領域,N型拡散領域及び素子分離領域に跨って形成され、拡散領域上に位置するゲート電極部G21a〜G21cと、素子分離領域上に位置するゲート配線部G22a〜G22cとを有する複数のゲートポリシリコン膜G20a〜G20cを備えている。 - 特許庁

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域12,13が形成されたN型シリコンウエル領域11の表面を層間絶縁膜15で覆い、この上にN型不純物拡散領域13の境界線まで広げたメタル配線層21を形成し、これをP型不純物拡散領域12に電気的に接続する。 - 特許庁

A manifold structure 62 is formed by joining three sheets of manifold plates 26, 27 and 28 through diffusion joining.例文帳に追加

3枚のマニホールドプレート26、27、28を拡散接合で接合してマニホールド構造体62を形成する。 - 特許庁

The amplifying transistor generates the signal based on the signal electrical charge transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

増幅トランジスタは、フローティングディフュージョン領域に転送された信号電荷に基づく信号を生成する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してn形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

Therefore, appropriate condensation and diffusion of light are obtained and improvement of luminance and reduction of luminance unevenness can be realized.例文帳に追加

このため、溝により適度な集光と拡散が得られ、輝度の向上と輝度むらの低減が図れる。 - 特許庁

The thermal diffusion module is in contact with the LED module to prevent an overheat of the LED module.例文帳に追加

熱拡散モジュールはLEDモジュールの過熱を防止するためにLEDモジュールと接触している。 - 特許庁

When a movement machine moves in the area or travels into/out of the area, the base station reallocates a channel/time slot (diffusion code).例文帳に追加

その地域で移動機の移動、出入があると、チャネル/タイム・スロット(拡散符号)を再割り当てする。 - 特許庁

The diffusion layer (12) has a conductivity type reverse from that of the source/drain region (13).例文帳に追加

ソース/ドレイン領域(13)の導電型に対する拡散層(12)の導電型が逆の極性となっている。 - 特許庁

A digital matched filter 21 outputs correlation value data for indicating the correlation between the reception signal and the diffusion code.例文帳に追加

デジタルマッチドフィルタ21は、受信信号と拡散符号との相関を表す相関値データを出力する。 - 特許庁

Separator plates 25 formed with gas flow passage 24 are positioned on the gas diffusion layers 23 to constitute a cell.例文帳に追加

ガス拡散層23にガス流路24を形成したセパレータ板25を配置し、単セルが構成される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LENS SHEET WITH LIGHT-SHIELDING LAYER, OPTICAL DIFFUSION SHEET, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND REAR PROJECTION TYPE DISPLAY例文帳に追加

遮光層付きレンズシートの製造方法、光拡散シート、その製造方法及び背面投影型ディスプレイ - 特許庁

METHOD OF FORMING MASK FOR HALFTONE PROCESSING, METHOD FOR ERROR DIFFUSION PROCESSING, IMAGE OUTPUT APPARATUS AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

ハーフトーン処理用マスク作成方法、誤差拡散処理方法、画像出力装置及び記録媒体 - 特許庁

With respect to a semiconductor device including the clamp diode, a P^--type diffusion layer 5 is formed in the surface of an N^--type semiconductor layer 2.例文帳に追加

N−型の半導体層2の表面には、P−型の拡散層5が形成されている。 - 特許庁

To provide a gas diffusion device capable of reliably releasing air upon reopening even when stopping the supply of gas into viscous fluid.例文帳に追加

粘性流体内への気体の供給を停止しても再開時に確実に空気を放出する。 - 特許庁

To provide an energy therapy device capable of performing appropriate therapy by preventing diffusion of energy.例文帳に追加

エネルギーの拡散を防止して適切な処置を行うことが可能なエネルギー治療装置を提供する。 - 特許庁

To provide a developing device that prevents diffusion of developer, and an image forming apparatus with the same.例文帳に追加

現像剤の拡散を防止する現像装置及びそれを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a moisture control sheet having good productivity and excellent shape retention with which a gas diffusion sheet, superior in gas diffusion property, and drainage property for generated water, can be manufactured, and the gas diffusion sheet, a film-electrode assembly, and a solid polymer fuel cell using the moisture control sheet.例文帳に追加

生産性良く製造することができ、形態保持性に優れるとともに、ガス拡散性、及び生成水の排出性に優れるガス拡散シートを製造することのできる水分管理シート、この水分管理シートを用いたガス拡散シート、膜−電極接合体及び固体高分子形燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To suppress mutual diffusion of a TiO_2 film and an HfO_2 film, and to suppress an increase in a leakage current.例文帳に追加

TiO_2膜とHfO_2膜との相互拡散を抑制でき、リーク電流の増加を抑制させる。 - 特許庁

A data processing unit 75 generates a DTI image representing anisotropy of molecular diffusion in a subject.例文帳に追加

データ処理部75は、被検体内における分子拡散の異方性を表すDTI画像を生成する。 - 特許庁

The shielding layer has a first conductivity, and forms a pn junction between the shielding layer and the first diffusion region.例文帳に追加

シールド層は第1の導電型よりなり、第1の拡散領域との間にpn接合を形成する。 - 特許庁

A first metal silicide film is formed in a region of a part of the first diffusion region surface.例文帳に追加

第1の拡散領域の表面の一部の領域に第1の金属シリサイド膜が形成されている。 - 特許庁

To enable easy indoor diffusion of cleaned air cleaned with a filter and containing ions.例文帳に追加

フィルタで浄化されかつイオンを含む浄化空気を、室内に容易に拡散させることを可能にする。 - 特許庁

The embedded photo diode 9 is arranged in a semiconductor substrate 3 part, at a position deeper than the surface photodiode 5 and floating diffusion 7.例文帳に追加

これよりも深い位置の半導体基板3部分には埋込フォトダイオード9が設けられている。 - 特許庁

To prevent a short circuit between an electron emission material and a grid electrode, and to suppress the diffusion of an electron beam.例文帳に追加

電子放出材料とグリッド電極との短絡を防止するとともに、電子ビームの拡散を抑える。 - 特許庁

To provide a lateral diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor, and a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体(LDMOS)トランジスタと、これを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The heat-diffusion plate 10 has a protrusion 10a protruding into the space between the Peltier elements 12-13.例文帳に追加

熱拡散板10は、ペルチェ素子12〜13の間の空間に突出する突起部10aを有している。 - 特許庁

A DC power supply 11 applies a reverse bias voltage between the P pocket 7 and the N^+ diffusion layer 8.例文帳に追加

直流電源11は、Pポケット7とN^+拡散層8との間に逆バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

例文

A quantization section 105 quantizes the image data, with the diffusion error integrated value added thereto, by using a quantization threshold.例文帳に追加

量子化部105は、拡散誤差積算値が加算された画像データを、量子化閾値を用いて量子化する。 - 特許庁




  
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