「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the plurality of light emitting diodes 10 to 12 independently emit light without using a diffusion member which is used in conventional cases; the loss of light caused by the diffusion member is eliminated and unnecessary light is not emitted; thus the light emission efficiency is improved.例文帳に追加

しかも、従来例のように拡散部材を使わず且つ複数の発光ダイオード１０〜１２を各別に発光させるから、拡散部材による光の損失がなくなるとともに無駄な光が放射されないことで発光効率を高めることができる。 - 特許庁

A gas supply unit is constituted of a gas supply pipe and a semi-circular gas diffusion pipe connected with the gas supply pipe, or structure is used wherein a horizontal cross-sectional area of the gas diffusion pipe is decreased in relation to introducing direction of gas.例文帳に追加

ガス供給ユニットをガス供給管と第一のガス供給管に接続された半円形状のガス拡散管で構成するか、あるいはガス拡散管の水平断面積をガスの導入方向に対して減少する構造とする。 - 特許庁

Inside a guide pipe 6 with an aperture window 6a, a fuel gas inlet pipe 3 or a diffusion plate support 12 is slidably installed where a cell support pipe 5 and a fuel gas diffusion plate 10 are prepared to a mounting jig 2.例文帳に追加

開口窓６ａが形成されたガイド管６の内側には、セル支持管５及び燃料ガス拡散板１０が設けられた燃料ガス導入管３または拡散板支持部材１２が装着治具２に摺動自在に装着されている。 - 特許庁

To simplify a production process and to reduce a production cost in a solid-state imaging device by commonizing the formation of the diffusion layer of an charge transfer unit and the formation of the diffusion layer of a transistor composing an output unit in the periphery.例文帳に追加

固体撮像装置において、電荷転送部の拡散層の形成と、その周辺の出力部を構成するトランジスタの拡散層の形成とを共通化し、これにより製造工程を簡略化するとともに製造コストを削減する。 - 特許庁

After the permeability test of a ground 39 is performed to acquire a head diffusion coefficient 63 between observation points, the constellation 41 of observation points A, B to J is determined by using the inverse of the head diffusion coefficient 63 as similarity in a multi-dimensional scaling method.例文帳に追加

地盤３９の透水試験を行って観測点間の水頭拡散率６３を取得した後、水頭拡散率６３の逆数を多次元尺度構成法における類似度として用いて、観測点Ａ、Ｂ、…、Ｊの布置４１を求める。 - 特許庁

In a stage of manufacturing a back light unit 12, operations for receiving and setting a diffusion plate 20 and a diffusion sheet 21 on a reception frame 24 and so on are carried out after a laminate 26 on the reverse side of a lens sheet 22 is peeled and before the lens sheet 22 is set.例文帳に追加

バックライト装置１２の製造工程において、レンズシート２２の裏側のラミネート２６を剥離してから、そのレンズシート２２をセットするまでの間に、拡散板２０や拡散シート２１を受けフレーム２４に対してセットするなどの作業を行う。 - 特許庁

Gates FG1 to FG4 in a square or circular annular shape in plan view are formed so that the center section of the diffusion layers L1 and L2 surrounded by the element separation region is exposed, and at the same time the edge sections at both sides of the diffusion layers L1 and L2 are covered.例文帳に追加

平面視で角形又は円形の環状を呈するゲートＦＧ１〜ＦＧ４を、素子分離領域によって囲まれた拡散層Ｌ１，Ｌ２の中央部を露出させ、かつこの拡散層Ｌ１，Ｌ２の両側のエッジ部を覆うように形成する。 - 特許庁

(1) The fuel cell comprises a metal separator 18 and diffusion layers 13 and 16, and further comprises a metal porous element 34 provided between the metal separator 18 and the diffusion layers 13 and 16, the metal porous element 34 being integrated with the metal separator 18.例文帳に追加

（１）メタルセパレータ１８と拡散層１３、１６を備えた燃料電池であって、メタルセパレータ１８と拡散層１３、１６との間に金属多孔体３４を設け、該金属多孔体３４をメタルセパレータ１８と一体化した燃料電池。 - 特許庁

It becomes possible to directly write out a result of multiple valued error diffusion processing and a binary valued result of the dither processing, without bit expansion for a memory area, by binarizing the output of the dither processing as 0 and the maximum output value of the error diffusion processing.例文帳に追加

ディザ処理の出力を０と誤差拡散処理の最大出力値の２値にする事で、一つの記憶領域に対して、多値化の誤差拡散処理結果と、２値化のディザ処理結果をビット拡張せずに直接書き出す事を可能にした。 - 特許庁

A reflection angle is made large, at an interface between the light-diffusion particle and the depletion part so that reflection of the fluorescent light converted by the scintillator layer 13 is produced in the small region, and suppresses lowering of the resolution or the luminance due to diffusion of the reflected light to long distance.例文帳に追加

光散乱性粒子と空乏部との界面での屈折角が大きくなり、シンチレータ層13により変換された蛍光の反射が小領域内で生じ、反射光の遠方拡散による解像度低下や輝度の低下を抑える。 - 特許庁

For this phosphorus diffusion method, at vapor-diffusion of phosphorus P to a polysilicon film 12 which is a base film, the upper limit of a temperature is the relatively low temperature of 850°C capable of P density control and the upper limit of a pressure is 5000 Pa capable of the P density control.例文帳に追加

下地膜であるｐｏｌｙＳｉ膜１２にリン（Ｐ）を気相拡散するに際し、温度はＰ濃度制御が可能で比較的低温の８５０℃を上限とし、かつ圧力はＰ濃度制御可能な５０００Ｐａを上限とする。 - 特許庁

This light source unit is provided with a flat fluorescent lamp 3, a diffusion plate 6 arranged on the emission surface side of the flat fluorescent lamp, and a support member 7 arranged on the emission surface side of the flat fluorescent lamp 3 to support the diffusion plate 6.例文帳に追加

本発明の光源ユニットは、平面型蛍光ランプ３と、平面型蛍光ランプの発光面側に配置された拡散板６と、平面型蛍光ランプ３の発光面側に拡散板６を支持するように配置された支持部材７とを具備している。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

A diffusion light guide plate 14, diffusion plate 15 and reflection plate 16 of the optical sheet block 10 are positioned relatively to each other by a plurality of optical stud members 17 attached to a back panel 9 and are held by regulating opposed interval.例文帳に追加

光学シートブロック１０の拡散導光プレート１４と拡散プレート１５と反射プレート１６とを、バックパネル９に取り付けたを複数の光学スタッド部材１７によって、相互に位置決めするとともに対向間隔を規定して保持する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 1 wherein circuits are formed by a diffusion layer 2, a functional electrode 3 which is formed on the surface of the semiconductor substrate and is connected with the circuits in the diffusion layer and a rear electrode 4 formed on the back of the semiconductor substrate.例文帳に追加

拡散層２により回路が形成された半導体基板１と、半導体基板の表面に形成され拡散層内の回路と接続された機能電極３と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極４とを備える。 - 特許庁

A method for evaluating the lifetime of the diffusion wafer is provided, wherein after forming an oxide film with thickness of 1.4 μm or more and 1.5 μm or less in the surface of the diffusion wafer, recombination lifetime is measured by μ-PCD method.例文帳に追加

本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。 - 特許庁

Thus, the stirring/mixing of both the members are prevented to allow only the member on the side that the pin is inserted to undergo plastic flow, and the plastic flow promotes the diffusion of atoms in the abutment surfaces so as to enable diffusion welding.例文帳に追加

これによって、両者の部材が攪拌・混合するのを防止し、ピンを挿入した側の部材のみを塑性流動させることができ、塑性流動によって接合界面での原子の拡散を促進させて、拡散接合を行うことができる。 - 特許庁

A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.例文帳に追加

第２の素子は、第１の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第２のボディ領域３１と、第２の不純物拡散層７と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第３の不純物拡散層９とを有する。 - 特許庁

To provide a light diffusion base material which can efficiently dissolve brightness unevenness and can make uniformity and high brightness characteristic on a screen compatible and to provide a surface light source which uses the light diffusion base material and can become a direct backlight with high brightness and high uniformity.例文帳に追加

本発明は、輝度ムラを効率良く解消し、画面上の均斉度と高輝度特性を両立することができる光拡散基材と、それを用いた高輝度かつ高均斉度の直下型バックライトとなり得る面光源を提供する。 - 特許庁

In this fiber-reinforced light metallic cylinder liner, matrix light metal is formed on an inner side of the cylinder liner with preliminarily fiber formed body for the particle diffusion type or particle non-diffusion type fiber-reinforced light metallic cylinder liner cast therein.例文帳に追加

粒子分散型または粒子非分散型繊維強化軽金属製シリンダライナ用の繊維予備成形体を鋳込んでマトリックス軽金属がシリンダライナの内側に形成されて鋳造されたことを特徴とする繊維強化軽金属製シリンダライナである。 - 特許庁

In this lighting system, a cutout 10 is formed in a side face of a frame 1 storing a light guide plate 4, a light source 3, a light reflection plate 5 and a light diffusion plate 6, while projecting parts 16, 17 locked to the cutout 10 are formed in the light diffusion plate 6 and a prism sheet 7.例文帳に追加

本発明による照明装置は、導光板、光源、光反射体及び光拡散板を収容するフレームの側面に切り欠きを設け、光拡散板やプリズムシートに、前記切り欠きに係止される突部を設けてなる。 - 特許庁

This structure can reduce the resistance of the bit-line diffusion layer without increasing the area of the bit-line diffusion layer on a primary surface of a semiconductor substrate, thereby obtaining a semiconductor memory device having stable electrical characteristics without increasing the cell area.例文帳に追加

これにより、ビットライン拡散層の半導体基板主面上での面積を大きくせずにビットライン拡散層の抵抗を低くすることができ、セル面積を増大させることなく安定した電気的特性の半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁

Furthermore, an error diffusion/binary transform section 15 transforms the dot image data of each multilevel color plate into dot image data of each color plate consisting of binary basic colors by applying an error diffusion method only to pixels in the region of each individual dot.例文帳に追加

さらに、誤差拡散／二値変換部１５は、その多階調の色版別の網点画像データを、個々の網点の領域内にある画素についてのみ誤差拡散法を施すことで、２値の基本色からなる色版別の網点画像データに変換する。 - 特許庁

Moreover, a N-type buried diffusion (BDN) layer and a P-type buried diffusion (BDP) layer are adopted to replace the contacts in the layout of conventional decoder, such that the layout can be simplified and the bump pad pitch thereof can be decreased.例文帳に追加

また、Ｎ型埋込拡散（ＢＤＮ）層及びＰ型埋込拡散（ＢＤＰ）層を採用して従来のデコーダのレイアウトにおけるコンタクトを置換しているので、レイアウトを簡素化できるとともにそのバンプパッドのピッチを減少させることができる。 - 特許庁

To provide a soil and ground water contamination diffusion preventing structure capable of preventing diffusion of contaminating substance around even when water stopping or shielding performance of an underground continuous wall itself is deteriorated, and easily detecting deterioration of water stopping or shielding performance of a wall body.例文帳に追加

地中連続壁自体の止水性、遮断性が低下した場合でも、周辺への汚染物質の拡散が防止でき、また、壁体の止水性、遮断性の低下の発見が容易な土壌・地下水汚染の拡散防止構造を提供する。 - 特許庁

The LED element (the semiconductor light-emitting element) has an n-type active layer 4 having an MQW structure, a diffusion preventive layer 5 formed on the active layer 4 and a semi-insulating second clad layer 6 formed on the diffusion preventive layer 5.例文帳に追加

このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for restraining a diffusion layer from increasing in sheet resistance due to segregation of impurities and forming an impurity diffusion layer of shallow junction depth without contaminating a substrate.例文帳に追加

基板の汚染を発生させることなく、不純物の偏析に起因する拡散層のシート抵抗値の増大を抑制することができ、浅い接合深さの不純物拡散層を形成するのに好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a diffusion layer constituting a diffusion layer electrode for fuel cell which can prevent occurrence of aggregation in mixed powder and is easy to handle by giving high rigidity to a layer formed of mixed powder.例文帳に追加

混合粉体内に凝集が生じるのを阻止することができ、かつ混合粉体で形成される層に高い剛性を与えることでハンドリングを容易とした、燃料電池用拡散電極を構成する拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each of the pixel circuits 111 has a photodiode PD1 for storing a signal charge, floating diffusion FD1, a transfer transistor NM1 connected between the photodiode PD1 and the floating diffusion FD1, and an amplification transistor NM3.例文帳に追加

複数の画素回路１１１の各々は、信号電荷を蓄積するフォトダイオードＰＤ１と、フローティングディフュージョンＦＤ１と、フォトダイオードＰＤ１とフローティングディフュージョンＦＤ１との間に接続された転送トランジスタＮＭ１と、増幅トランジスタＮＭ３とを備える。 - 特許庁

A mask blank 10 comprises a glass substrate 1 containing an alkali metal, a diffusion prevention layer 2 formed on a surface of the glass substrate, a light-shielding layer 3 formed on the diffusion prevention layer 2, and an antireflection layer 4 formed on the light-shielding layer 3.例文帳に追加

マスクブランクス１０は、アルカリ金属を含有するガラス基板１、このガラス基板の表面上に形成された拡散防止層２、拡散防止層２上に形成された遮光層３、遮光層３上に形成された反射防止層４を備える。 - 特許庁

A capturing means 14 is provided in front of the diffusion suppressing means 12 in the jetting direction so as to capture silicon produced by decomposition of the fluorine-based silicon gas or the silane gas from the plasma jet passing through the diffusion suppressing means 12.例文帳に追加

捕集手段１４が拡散抑制手段１２を通過したプラズマジェットから、フッ素系珪素ガスまたはシランガスの分解により生成されたシリコンを捕集するよう拡散抑制手段１２の噴射方向の前方に設けられている。 - 特許庁

Since the high-brightness diffusion plate has an integrated structure and has excellent strength, the high-brightness diffusion plate can be easily assembled in a backlight module 220, and can uniformize a light source provided for a display panel 210 from the backlight module 220.例文帳に追加

高輝度拡散板は、一つの整体構造であって且つ優れる強度を有するため、バックライトモジュール２２０に容易に組み立てることができ、且つ、バックライトモジュール２２０から表示パネル２１０に提供される光源を均一化することができる。 - 特許庁

In the high silicon steel sheet obtained by subjecting a steel sheet containing ≤4 wt% Si to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession, the average concentration of C in the steel sheet after the diffusion soaking treatment is ≤90 ppm.例文帳に追加

Si：4wt％以下を含む鋼板に、加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次施すことにより得られる高けい素鋼板において、前記拡散均熱処理後の鋼板平均C濃度が90ppm以下である高けい素鋼板。 - 特許庁

To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.例文帳に追加

拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁

Since PEB can be executed in a region where a diffusion coefficient is low, i.e., a region where diffusion of acid hardly occurs, it can be restrained acid from diffusing into a low dose region, thereby improving the contrast of developed resist.例文帳に追加

これにより、拡散係数の低い領域、すなわち酸の拡散の起こりにくい領域でＰＥＢを実行することができるので、低ドーズ領域に酸が拡散することを抑制でき、現像されたレジストのコントラストを向上させることができる。 - 特許庁

A first p-type diffusion layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 are arranged on a silicon substrate 100, two n-type diffusion layers 103, 103 are arranged on a surface part of the p-type semiconductor layer 102, and two light receiving parts are constituted.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、第１Ｐ型拡散層１０１とＰ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面部分に２つのＮ型拡散層１０３，１０３を設けて２つの受光部を構成する。 - 特許庁

The optically functional sheet is constituted by alternately arranging a light diffusion phase and a transparent phase in the sheet surface direction and, further, the light diffusion phase has at least two kinds of thickness in the sheet thickness direction.例文帳に追加

光拡散相と透明相とがシート面方向に交互配列してなる光学機能性シートであって、シート面垂直方向断面において、光拡散相がシートの厚さ方向に少なくとも２種類以上の厚みを有している光学機能性シート。 - 特許庁

A controller 24 is connected to an activated sludge densitometer 27, an air supply valve 38, and an ozone supply valve 40, and switching of the diffusion through the fine bubble diffusion pipe 18 is controlled from the measured values sent from the activated sludge densitometer 27.例文帳に追加

コントローラ２４は活性汚泥濃度計２７、エア供給弁３８、及びオゾンガス供給弁４０と接続し、活性汚泥濃度計２７から送信された測定値を基にして、微細気泡散気管１８の散気の切り替えが制御される。 - 特許庁

To provide a case for evaporation diffusion process for reducing generation of deposition between an R-T-B system sintered magnet and a support, and a method for manufacturing the R-T-B system sintered magnet using the case for evaporation diffusion process.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と支持体との溶着の発生を減少させる蒸着拡散処理用ケース及びその蒸着拡散処置用ケースを用いたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an Ag paste for liquid-phase diffusion bonding capable of surely bonding metal members made from aluminum or an aluminum alloy, and a manufacturing method for a board of a power module using the Ag paste for liquid phase diffusion bonding.例文帳に追加

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材を確実に接合することが可能な液相拡散接合用Ａｇペースト、および、この液相拡散接合用Ａｇペーストを用いたパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second gas diffusion layer 50 for diffusing oxidizing gas is formed on the side having the first catalyst layer 20 of the electrolyte membrane 10 before joining the electrolyte membrane 10 and the first gas diffusion layer 30 or at the same time as the joining.例文帳に追加

また、電解質膜１０と、第１のガス拡散層３０との接合の後に、またはその接合と同時に、電解質膜１０の第１の触媒層２０が形成されている側に、酸化ガスを拡散するための第２のガス拡散層５０を形成する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly includes an electrolyte membrane, a catalyst layer formed on the electrolyte membrane, a gas diffusion layer formed on the catalyst layer, and a radiating part for absorbing heat from the gas diffusion layer and discharging it to the exterior of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体は、電解質膜と、電解質膜上に形成された触媒層と、触媒層上に形成されたガス拡散層と、ガス拡散層から熱を奪って膜電極接合体の外部に放出するための放熱部と、を備える。 - 特許庁

To provide a water repellent electrode for gas diffusion for a solid polymer fuel cell having superior water repellency and battery performance, its manufacturing method, and a fuel cell equipped with the water repellent electrode for gas diffusion.例文帳に追加

本発明は、優れた撥水性及び電池性能を兼備する固体高分子形燃料電池用のガス拡散用撥水性電極、その製造方法及びそのガス拡散用撥水性電極を具備する燃料電池を提供することを課題とする。 - 特許庁

On the electrode for fuel cell, an arithmetic mean roughness Ra of an interface 33 of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 is made small by filling carbon grains with a small diameter on a conventional gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電極は、従来のガス拡散層上に粒子径の小さいカーボン粒子３２３を充填するなどにより、触媒層３１とガス拡散層３２との界面３３の算術平均粗さＲａを小さくする。 - 特許庁