Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
A contact hole 10 is formed in the P^+ diffusion layer which is in common with the source region, and the gate region and the drain region are arranged concentrically.例文帳に追加
また、P^+拡散層にはソース領域と共通にコンタクトホール10が形成され、ゲート領域とドレイン領域とは同心円状に配置される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can attain improvement in the reliability of copper wiring certainly by restraining interface diffusion of copper.例文帳に追加
銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The first fuel nozzle 41 of a diffusion combustion type supplies a fuel-air mixture directly to the gas-phase combustion chamber 20 from a nozzle tip 53 of an air blast type.例文帳に追加
拡散燃焼方式の第1燃料ノズル41は、エアーブラスト方式のノズルチップ53から気相燃焼室20に直接混合気を供給する。 - 特許庁
Thus, detecting the diffusion reflection light and mirror reflection light makes it possible to detect a registration control pattern 38 formed with any type of toner.例文帳に追加
このように、拡散反射光と鏡面反射光を検出することで、どのような種類のトナーで形成されたレジコンパターン38でも検出可能となる。 - 特許庁
The copper silicide suppresses Cu diffusion and electromigration and serves as a barrier material in the regions where contact to further conductive material is made.例文帳に追加
ケイ化銅は、Cu拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein device performance can be improved by preventing diffusion of impurities from a gate electrode to the outside.例文帳に追加
ゲート電極からの不純物の外方拡散を防止して、デバイス性能を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Each of chip rate finger sections 2-a to 2-c performs inverse diffusion and symbol integration of a reception baseband digital signal from the A/D converter 1 through time-sharing.例文帳に追加
各チップレートフィンガー部2−a〜2−cは、A/Dコンバータ1からの受信ベースバンドデジタル信号の逆拡散及びシンボル積分を時分割で行う。 - 特許庁
A nitriding layer of not less than Hv 900 made of a compound layer and a diffusion hardening layer by nitriding is formed on a surface of a rolling element made of a steel material.例文帳に追加
鋼材からなる転動体の表面に、窒化処理によって化合物層と拡散硬化層とからなるHv900以上の窒化層を形成する。 - 特許庁
COPPER DIFFUSION-PREVENTING BARRIER FILM, FORMATION METHOD OF THE SAME, FORMATION METHOD OF SEED LAYER FOR DAMASCENE COPPER WIRING, AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THE DAMASCENE COPPER WIRING例文帳に追加
銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー - 特許庁
To plastic materials, a conductive substance, a conductive body diffusion substance for diffusing the conductive substance into the plastic materials and a minus ion generating mineral are added.例文帳に追加
プラスチック材に、導電性物質と、この導電物質をプラスチック材料内に拡散させる導電材拡散物質と、マイナスイオン発生鉱物とを添加する。 - 特許庁
The three layer polymetal gate layer 11 is not exposed but covered with an oxidation preventive film 7 composed of a material having an oxygen diffusion rate lower than that of silicon.例文帳に追加
そして、3層ポリメタルゲート11が露出することなく、ポリシリコンより酸素の拡散速度の遅い材料からなる酸化防止膜7で覆われる。 - 特許庁
The intermediate layer 18 may contain Zr diffused from the solid electrolyte 16, and the amount of diffusion is 40 atom% at the maximum.例文帳に追加
この中間層18には、固体電解質16から拡散したZrが含まれることがあるが、その拡散量は、最大でも40原子%に抑制される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus which forms a minute impurity diffusion region, and to provide the semiconductor apparatus and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加
微細な不純物拡散領域を形成することが可能な半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域のリン(P)ドーパント拡散を使用してLDD接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにBVDssを改善する。 - 特許庁
By controlling characteristics of carbon particles contained in a carbon particle containing layer formed in a gas diffusion layer, durability of PEFC is improved.例文帳に追加
ガス拡散層に形成されるカーボン粒子含有層に含まれるカーボン粒子の特性を制御することによって、PEFCの耐久性が向上する。 - 特許庁
The well of the 2nd conduction type includes a narrow width switching passage between the 3rd and 4th diffusion layers.例文帳に追加
本発明において、前記第2導電型のウェルは前記第3及び第4拡散層の間に幅が狭いスイッチング通路を含むことを特徴とする。 - 特許庁
To prevent a short circuit between scanning lines by conduction in an undercut portion arising from reciprocal diffusion of aluminum and silicon composing a bus wiring of the scanning line.例文帳に追加
スキャン線バス配線を構成するアルミニウムとシリコンの相互拡散に起因するアンダーカット部の同通によるスキャン線間の短絡を防止する。 - 特許庁
Then, only the second layer 4 is peeled off and an area including the catalyst layer 6 and reaching a part surrounding the window hole 5 in the first layer 3 is covered with the gas diffusion layer 7.例文帳に追加
その後、第2層4のみを剥がし、続いて、触媒層6を含み、第1層3の窓穴5周囲部分に至る領域をガス拡散層7で覆う。 - 特許庁
An impurity diffusion layer 110 is formed at parts of an upper part of the AlGaN layer 104 which come into contact with at least the electrodes 107 and 108.例文帳に追加
AlGaN層104の上部における少なくとも各電極107、108と接触する部分には、不純物拡散層110が形成されている。 - 特許庁
MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY, MEMBRANE-ELECTRODE GAS DIFFUSION LAYER ASSEMBLY HAVING THE SAME, SOLID HIGH POLYMER FUEL CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY例文帳に追加
膜電極接合体、及びこれを備える膜電極ガス拡散層接合体、固体高分子形燃料電池、並びに膜電極接合体の製造方法 - 特許庁
The silicon nitride film 6 and the diffused layer 3 partially overlap vertically, while an offset part 11 provided between the silicon nitride film 6 and the diffusion layer 2.例文帳に追加
シリコン窒化膜6と拡散層3とは、上下方向が一部オーバーラップしており、シリコン窒化膜6と拡散層2との間にはオフセット部11が設けられる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a silicon wafer capable of effectively and efficiently removing an injection damage while suppressing the diffusion of an injected ion.例文帳に追加
注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thermal lithographic printing plate enabling suppression of diffusion of heat into an aluminum substrate and formation of an image by laser irradiation of lower energy.例文帳に追加
アルミニウム支持体への熱の拡散が抑制でき、より低エネルギーのレーザー照射によって画像形成が可能な感熱性平版印刷版を提供する。 - 特許庁
A three-dimensional diffusion panel 1 composed of six transparent panels is disposed on an optical path of image light from the device 2 and is periodically moved in the depth direction.例文帳に追加
この装置2からの画像光の光路上に6枚の透明パネルからなる立体拡散パネル1を配置し、奥行き方向に周期的に移動させる。 - 特許庁
Furthermore, the conventional source/drain diffusion region can be replaced by including the formation of the electrical junction by impressing the voltage to the sub gate.例文帳に追加
さらに、本発明はサブゲートに電圧を印加することにより電気接合の形成を誘起し、従来のソース/ドレイン拡張領域を置換することができる。 - 特許庁
Finally, metallic wiring layers 122-124 having portions, which are embedded in the contact holes 121 and connected to the source-drain diffusion layer and gate electrode, are formed.例文帳に追加
そして、コンタクト孔121に埋設されソース−ドレイン拡散層及びゲート電極に接続された部分を有する金属配線層122〜124を形成する。 - 特許庁
To provide a simulation system for analyzing a diffusion phenomenon with accuracy within a short time without using complex processing and solution of complex equation.例文帳に追加
複雑な処理や複雑な方程式の解法を用いることなく、短時間で精度良く拡散現象を解析するシミュレーションシステムを提供する。 - 特許庁
The reflection polarizer 40 is arranged on the back of the liquid crystal panel 20 and a diffusion plate 30 and an illuminator 70 are arranged on the back of the polarizer 40.例文帳に追加
液晶パネル20の背面に反射偏光子40を配置し、その反射偏光子40の背面に拡散板30及び照明装置70を配置する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of decreasing a parasitic capacity between two impurity diffusion regions having opposite conductive types mutually.例文帳に追加
相互に反対導電型を有する2つの不純物拡散領域の間の寄生容量を低減させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
Since Pt is confined and fixed as particles in ceramics, easy diffusion of Pt into the multilayered film can be prevented effectively.例文帳に追加
Ptを微粒子としてセラミクスの中に閉じ込めて固定するため、Ptが容易に多層膜中へ拡散することを効果的に防止することができる。 - 特許庁
To provide a display device that prevents diffusion of moisture remaining in the display device and also prevents intrusion of water or oxygen from the outside of a panel.例文帳に追加
表示装置内に残存する水分の拡散を防止するだけでなく、パネル外部からの水や酸素の浸入を防止する表示装置を提供する。 - 特許庁
An error distribution matrix 25 diffuses the error to a non-binarized pixel separated by a predetermined distance from the focused pixel and positioned annularly, based on an error diffusion matrix.例文帳に追加
誤差配分マトリクス25は、誤差拡散マトリクスに基づき、注目画素から所定距離だけ離れた、環状に位置する未二値化画素に誤差を拡散する。 - 特許庁
When the number of channels to be demodulated is small, not all operations of a high-speed Hadamard transformation are carried out, and a specific channel is demodulated in a back diffusion.例文帳に追加
復調すべきチャネル数が少ない場合は、高速アダマール変換の全ての演算を行わなわず、特定のチャネルを逆拡散復調する。 - 特許庁
To provide a process for controlling the diffusion of dopant in a semiconductor layer at the levels of impurity concentration required, and also to provide a semiconductor layer formed thereby.例文帳に追加
半導体層中のドーパントを所望の不純物濃度に拡散制御するプロセス及びそれにより形成された半導体層を提供する。 - 特許庁
As a result, the impurities implanted to the silicon oxide layer 4 are passed through the additional silicon oxide layer 14, and solid layer diffusion of the impurities occurs in the silicon single-crystal layer 12.例文帳に追加
その結果、酸化シリコン層4に注入された不純物は、追加酸化シリコン層14を貫通してシリコン単結晶層12に固層拡散する。 - 特許庁
A field effect transistor comprises a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加
半導体基板1上にゲート絶縁膜2と、ゲート電極3と、一対のソース/ドレイン拡散領域13,13とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁
To provide a fixed potential electrolytic gas sensor where the resistance in a section where a lead wire comes into contact with each electrode on a gas diffusion film is reduced for stabilization.例文帳に追加
ガス拡散膜上の各電極にリード線が接触する部分の抵抗を小さくし安定させた定電位電解型ガスセンサを提供する。 - 特許庁
Oxygen is introduced into a part of a surface layer of a semiconductor wafer by internal diffusion associated with a heat treatment in an atmosphere of an oxidized gas or ion implantation.例文帳に追加
半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。 - 特許庁
The heat transport device 100 of high airtightness can thereby be manufactured without increasing the total load F applied when diffusion-joined.例文帳に追加
これにより、拡散接合時に加えられる全体荷重Fを大きくすることなく、気密性の高い熱輸送デバイス100を製造することができる。 - 特許庁
Polysilicon film 29 that becomes a gate electrode 24 and a sidewall 26 of polysilicon, which becomes a diffusion region, are formed by one pattern as a plurality of FETs.例文帳に追加
ゲート電極24となるポリシリコン膜29と拡散領域となるポリシリコンのサイドウォール26とを、複数のFET分として一つのパターンで形成する。 - 特許庁
A conductive cap layer 6 is selectively formed on the conductive layers 5 for interconnection, and serves as a barrier for diffusion of copper inside the conductive layers 5 for interconnection.例文帳に追加
導電性のキャップ層6は、配線用導電層5上に選択的に形成され、かつ配線用導電層5中の銅の拡散のバリアとして機能する。 - 特許庁
MICROLENS, OPTICAL PLATE, LIGHT DIFFUSION PLATE, LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT, SCREEN FOR PROJECTION, PROJECTION SYSTEM, ELECTROOPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MICROLENS例文帳に追加
マイクロレンズ、光学板、拡散板、導光板、バックライト、プロジェクション用スクリーン、プロジェクションシステム、電気光学装置および電子機器、並びにマイクロレンズの製造方法 - 特許庁
Carbon monoxide concentration in the test gas having passed on the surface of the porous body is measured, and the gas diffusion property of the porous body is evaluated using the measurement result.例文帳に追加
そして、多孔体の表面を通過した試験ガス中の一酸化炭素濃度を計測し、その計測結果によって多孔体のガス拡散性を評価する。 - 特許庁
To obtain a sheet material having a photocatalyst function which is free of initial contamination due to diffusion of a plasticizer component and wherein hardening of a vinyl chloride resin layer does not occur.例文帳に追加
可塑剤成分の拡散による初期汚染の発生がなく、且つ塩化ビニル樹脂層の硬化が起こらない光触媒機能性シ−ト材を得る。 - 特許庁
After a copper diffusion prevention film 4 is formed on a copper pad 1, a titanium film 5, a nickel film 6 and a paradium film 7 comprising a barrier metal are formed thereon.例文帳に追加
銅パッド1上に銅拡散防止膜4を形成した後、この上にチタン膜5、ニッケル膜6、パラジューム膜7から成るバリアメタルを形成する。 - 特許庁
To provide a substrate for solar cells which inhibits metal diffusion to a light absorption layer and has excellent productivity and high heat resistance.例文帳に追加
光吸収層への金属の拡散を抑制することができると共に、生産性に優れ、高い耐熱性を有する太陽電池用基板を提供する。 - 特許庁
Mainly, electrolyte (a proton exchange membrane), an anode layer, a first cathode catalyst layer, a second cathode catalyst layer, a cathode fine pore layer, and a cathode gas diffusion layer are included.例文帳に追加
主に電解質(プロトン交換膜)、陽極層、第一陰極触媒層、第二陰極触媒層、陰極微孔層、陰極気体拡散層を含む。 - 特許庁
A laminated lenticular lens 5 is constituted by laminating a lenticular lens film 51 and an antireflection film 54 on both sides of a diffusion sheet 52 whose other side also functions as a substrate.例文帳に追加
他方の面にも基板となる拡散シート52の両面に、レンチキュラレンズフィルム51および反射防止フィルム54を積層した積層レンチキュラレンズ5とする。 - 特許庁
To provide a membrane electrode junction capable of restraining interlayer separation due to water-absorptive expansion among a proton exchange membrane 3, a catalyst layer 4 and a diffusion layer 5.例文帳に追加
プロトン交換膜3、触媒層4、拡散層5との間に吸水膨張による層間剥離が生じるのを抑制できる膜電極接合体を得る。 - 特許庁
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