「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(196ページ目) - Weblio英語例文検索

A photovoltaic system includes: optical fibers 60, 61, 62; a photovoltaic element 50 receiving light transmitted by the optical fibers 60, 61, 62 to generate power; and a light diffusion member 80.例文帳に追加

光ファイバ６０，６１，６２と、光ファイバ６０，６１，６２を伝播した光により発電する光発電素子５０と、光拡散部材８０とを備えている。 - 特許庁

In the auxiliary tank 13 for the grease trap, a submerged stirring pump 9, an air diffusion nozzle 8 for aeration, a filter element 7, or the like are located to decompose the fat and oil efficiently.例文帳に追加

グリストラップ補助槽１３内には攪拌用水中ポンプ９や曝気用散気ノズル８、３材７などを設置してあり、効率的に油脂分を分解する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restricting variations of characteristics caused by a junction depth and having an extremely shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In IGBT, a first emitter diffusion layer 9 is installed in a direction crossing trenches 4 arranged in stripe shapes.例文帳に追加

ストライプ状に設けられたトレンチ４に対して、トレンチ４と交差する方向に第１エミッタ拡散層９が設けられたＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a manufacturing method of the same which improves reliability by inhibiting secondary electrons generated in a channel region of the semiconductor storage device using a diffusion layer for a bit line.例文帳に追加

ビット線に拡散層を用いる半導体記憶装置のチャネル領域に発生する２次電子を抑制して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

The material is exposed by using an exposure mask having an aperture for half exposure consisting of a number of slits in a portion to be the lower layer of the diffusion reflection electrode and is cured.例文帳に追加

拡散反射電極の下層となる部分に多数のスリットからなるハーフ露光用開口部を有する露光マスクを用いて露光し、硬化させた。 - 特許庁

To provide an image processor and an image forming device which perform error diffusion in consideration of scan deviation for image formation.例文帳に追加

画像形成時の走査ずれを考慮した誤差拡散を行うことができる画像処理装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then a diffusion/reflection surface 102c for reflecting the light emitted from the LED lamp 101 toward the photoreceptor drum 3 is formed in the photoconductor 102.例文帳に追加

そして、導光体１０２に、ＬＥＤランプ１０１からの光を感光体ドラム３に向けて反射する拡散反射面１０２ｃを形成する。 - 特許庁

In a binarization process, the error diffusion process is carried out for divided data D8c/2 of C, and binary (dot) data D2c1 for a first pass of C is obtained.例文帳に追加

２値化処理では、Ｃの分割データＤ８ｃ／２について誤差拡散処理がなされ、Ｃの１パス目用の２値（ドット）データＤ２ｃ１が求められる。 - 特許庁

Each of lights of LEDs 28A in an LED array 28 is collected on a photosensitive body 16 via a rod lens array 36 and a light diffusion film 38 when exposing.例文帳に追加

露光時にＬＥＤアレイ２８の各ＬＥＤ２８Ａの光が、ロッドレンズアレイ３６及び光拡散フィルム３８を介して感光体１６上に集光される。 - 特許庁

the greatest dissemination of power consistent with efficiency; but the greatest possible centralization of information, and diffusion of it from the centre. 例文帳に追加

それは、効率性とは矛盾しない権力の分散、但し、可能なかぎり最大の情報の集中化と情報の中央からの拡散、ということです。 - John Stuart Mill『自由について』

In a fuel electrode 12 and an oxidant electrode 13 having a gas diffusion layer 18 for a fuel cell and a catalyst layer 17 arranged on one surface of the gas diffusion layer 18, the catalyst layer 17 is composed of a carrier and the platinum group metal fine particles having a particle size of 2 nm or less arranged on the surface of the carrier.例文帳に追加

燃料電池用のガス拡散層１８と、このガス拡散層１８の一方の面１８ａに配された触媒層１７とを備えた燃料極１２および酸化剤極１３において、触媒層１７を、担持体およびこの担持体の表面に配された粒径が２ｎｍ以下の白金族金属微粒子から構成する。 - 特許庁

This perpendicular magnetic recording medium has at least a base plate, an underlayer which is formed on the base plate and includes an hcp structure, a thin film diffusion preventive layer which is formed on the underlayer and includes an hcp structure, and a magnetic layer which is formed in contact with the diffusion preventive layer and includes an hcp structure.例文帳に追加

少なくとも、基板と、この基板上に形成されたｈｃｐ構造を含む下層と、この下層上に形成されたｈｃｐ構造を含む薄膜状の拡散防止層と、この拡散防止層に接して形成されたｈｃｐ構造を含む磁性層と、を備えて構成される垂直磁気記録媒体とした。 - 特許庁

An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。 - 特許庁

The cavity insert 15 can be obtained based on slice data on the cooling passage 25 by processing a groove which forms a cooling passage in each of a plurality of metal plates, laminating the groove-processed metal plates in a prescribed order, diffusion-bonding the laminated metal plates, and shape-processing a metal block obtained by the diffusion bonding.例文帳に追加

このような入れ子１５は、冷却路２５のスライスデータに基づき、複数の金属板にそれぞれ冷却路を形成する溝を加工し、溝加工された金属板を所定の順番に積層し、積層した金属板を拡散接合し、拡散接合により得られた金属ブロックを形状加工することで得ることができる。 - 特許庁

The steel component in which steel members are subjected to liquid phase diffusion joining is obtained by subjecting the face to be joined in either steel member or the faces to be joined in both the steel members to carburizing treatment, and thereafter directly joining the faces to be joined in both the steel members by liquid phase diffusion joining.例文帳に追加

鋼部材を液相拡散接合した鋼部品であって、片方の鋼部材の被接合面または両方の鋼部材の被接合面に浸炭処理を施した後、両鋼部材の被接合面を、直接、液相拡散接合で接合したことを特徴とする液相拡散接合鋼部品。 - 特許庁

This is the porous conductive substrate in which conductive carbon particles and cured materials of thermosetting resin are adhered to the porous substrate composed of synthetic resin, the gas diffusion electrode composed of the porous conductive substrate, the membrane-electrode assembly composed of the gas diffusion electrode, and the fuel cell equipped with the membrane-electrode assembly.例文帳に追加

合成樹脂からなる多孔質基材に導電性カーボン粒子および熱硬化性樹脂の硬化物が付着している多孔質導電性基材、前記多孔質導電性基材からなるガス拡散電極、前記ガス拡散電極からなる膜・電極接合体、ならびに前記膜・電極接合体を備える燃料電池。 - 特許庁

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

The assembly composed of the tantalum or tungsten target and the backing plate made from the copper alloy is characterized by that the tantalum or tungsten target and the backing plate made of copper alloy are diffusion bonded through an inserted material made from an aluminum or aluminum alloy sheet of 0.5 mm or thicker, and by that they have diffusion bonded layers between themselves and the inserted material.例文帳に追加

タンタル又はタングステンターゲットと銅合金製バッキングプレートが厚さ０．５ｍｍ以上のアルミニウム又はアルミニウム合金板のインサート材を介して拡散接合されており、それぞれの材料間で拡散接合界面を備えることを特徴とするタンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体。 - 特許庁

An adhesive metallic layer 2 and a diffusion prevention layer 3 are laminated in sequence on an inorganic insulation substrate 1, and an Au layer 4 and a metallic brazing material layer 5 for joining semiconductor elements are provided on the diffusion prevention layer 3 apart from each other with a specified interval of distance, thereby forming a semiconductor element mounting part.例文帳に追加

無機絶縁基板上１に、密着性金属層２および拡散防止層３を順次積層するとともに、該拡散防止層３上にＡｕ層４と半導体素子接合用の金属ロウ材層５とを所定間隔を開けて分離させてそれぞれ設けて成る半導体素子搭載部を形成した。 - 特許庁

To provide a prism sheet improved in optical characteristics such as light diffusion property, refractivity and scattering property and specifically usable for a retroreflection sheet usable for a traffic sign, a construction sign, or the like, and for a light guide plate and a diffusion plate used for a backlight of a liquid crystal display device.例文帳に追加

光拡散性、屈折性、散乱性などの光学特性の改善にあり、具体的な用途としては、交通標識や工事標識等に用いることのできる再帰反射シートおよび液晶表示装置のバックライトに用いる導光板、拡散板に用いることのできるプリズムシートを提供する。 - 特許庁

This gas chamber is constituted by press forming a nickel sheet 8 to provide the central part thereof with a recessed part 9 of the dimension as the dimension of the gas diffusion electrode and inserting and installing a nickel mesh body as a spacer for assuring the passage for the oxygen into the gas chamber 4 formed of this recessed part and the gas diffusion electrode.例文帳に追加

ニッケル薄板８をプレス成形して、その中央部にガス拡散電極と同じ寸法の凹部９を設け、その凹部とガス拡散電極とで形成されるガス室４内に、酸素の通路を確保するためのスペーサーとしてニッケル製メッシュ体７を挿嵌内設して構成したことを特徴とするガス拡散電極のガス室。 - 特許庁

The method has a process for implanting a prescribed amount of phosphor onto a semiconductor substrate, performing heat treatment for diffusing phosphor, and forming a source-drain diffusion layer; and a process for implanting a prescribed amount of halogen element or smaller into the source-drain diffusion layer, and performing heat treatment for diffusing the halogen element in this order.例文帳に追加

半導体基板に所定量のリンを注入し次いでリンを拡散させる熱処理を行って、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層内に、所定量以下のハロゲン元素を注入し次いでハロゲン元素を拡散させる熱処理を行う工程とをこの順に有する。 - 特許庁

This membrane-electrode assembly includes: a membrane-electrode subassembly formed by arranging electrode layers and gas diffusion layers on both surfaces of a polymer electrolyte membrane, and a resin frame arranged to surround the whole peripheral edge of the electrolyte membrane and the side of the electrolyte membrane being at least a part of the peripheral edge of the gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明による膜電極組立体は、高分子電解質膜の両面に電極層およびガス拡散層を設けた膜電極接合体と、電解質膜の外周縁の全部およびガス拡散層の外周縁の少なくとも一部であって電解質膜の側を包囲するように設けられた樹脂枠とを含んでなる。 - 特許庁

Since the split capacity electrodes 24 and 25 are connected with adjacent diffusion layers 14 and 15 through a first interconnection layer directly above the capacity electrodes, charges generated in the fabrication process subsequent to the process for forming the first interconnection layer can be discharged to the diffusion layer and a capacitive oxidation layer can also be protected against breakdown.例文帳に追加

また、２分割された容量電極２４、２５を隣接する拡散層１４、１５に、容量電極すぐ上の第１配線層で接続する構成とするので、第１配線層形成工程以降の製造工程で発生するチャージを拡散層に放電することができ、容量酸化膜の破壊を防ぐことも可能となる。 - 特許庁

To provide a dissecting table, a chair apparatus, a system for dissection, and a method for preventing diffusion of a harmful gas for securing worker's safety and health in dissection work by preventing the diffusion of harmful gas evolving from a body for dissection.例文帳に追加

解剖を行うに際し、解剖対象である解剖体から発生する有害ガスの拡散を防止することにより、作業者が健康を損なうことなく、解剖作業を安全に行うことができるようにした解剖台及び椅子装置、解剖のためのシステム、有害ガスの拡散防止方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dredge boat capable of preventing diffusion of sludge under water when dredging the sludge of water bottom with a dredging device and of preventing the diffusion of the sludge even when a hull of the dredge boat provided with the dredging device through a ladder rocks as the dredging device follows on a water bottom surface.例文帳に追加

水底の汚泥を浚渫装置で浚渫する時に、水中で汚泥が拡散するのを防止できるとともに、その浚渫装置をラダーを介して設けた浚渫船の船体の動揺によっても、浚渫装置が水底面に追従して汚泥が拡散することがない浚渫船を提供する。 - 特許庁

This variable gain circuit is equipped with two diffusion regions 12 and 13 which are made at a specified interval within a semiconductor substrate, an insulating layer 16 which is provided in the region caught between the two diffusion regions 12 and 13 besides being on the semiconductor substrate, and a gate 17 which is provided on this insulating layer 16.例文帳に追加

この発明は、半導体基板内に所定間隔をおいて形成させた２つの拡散領域１２、１３と、半導体基板上であってその２つの拡散領域１２、１３に挟まれた領域に設けた絶縁層１６と、この絶縁層１６上に設けたゲート１７とを少なくとも備えている。 - 特許庁

Then, a diffusion prevention layer 41 is formed on the upper surface of the metal plate 48 of the vibrating plate 40 and after a lower electrode 42 is further formed, particles of a piezoelectric material are deposited by an AD method on the upper surface of the diffusion prevention layer 41 where the lower electrode 42 is formed to form the piezoelectric layer 43.例文帳に追加

次に、振動板４０の金属層４８の上面に拡散防止層４１を形成し、さらに、下部電極４２を形成した後、ＡＤ法により圧電材料の粒子を下部電極４２が形成された拡散防止層４１の上面に堆積させることにより圧電層４３を形成する。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

Since a plurality of through holes are formed on the diffusion layer 201 and the filling material having heat insulating and hydrophilic performance is filled in each through hole, the reaction product (mainly generated water) generated in the diffusion layer 201 is moved and discharged toward the air passage side by capillary action and wettability.例文帳に追加

前記拡散層２０１に複数の貫通孔が形成され、該各貫通孔に、断熱性及び親水性を有する充填材が充填されるので、拡散層２０１内で生成された反応生成物（主に生成水）は、毛管現象及び濡れ性によって空気供給路側に向けて移動させられ、排出される。 - 特許庁

A reference voltage Vr divided by a resistance R1 (diffusion resistor) with a positive resistance value variation characteristic to a variation in ambient temperature and a resistance R2 (diffusion resistor) with a larger positive resistance value variation characteristic to the variation of ambient temperature than the resistance R1 is positive relative to a variation in ambient temperature.例文帳に追加

周囲温度の変化に対する抵抗値の変化の特性が正特性である抵抗Ｒ１（拡散抵抗）と、抵抗Ｒ１よりも周囲温度の変化に対する抵抗値の変化が大きな正特性を有する抵抗Ｒ２（拡散抵抗）とによって分圧された基準電圧Ｖｒは、周囲温度の変化に対して正特性となる。 - 特許庁

The reset transistor comprises a floating diffusion region for detecting charges, a junction region for discharging the charges, a gate for controlling transfer of charges from the floating diffusion region to the junction region by receiving a reset signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate.例文帳に追加

本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁

Stress concentration can be eased by estranging adjacent high concentration diffusion regions 13 a predetermined distance via an epitaxial layer 12 formed into an impurity concentration lower than that of the high concentration diffusion region 13, and the occurrence of crystal strain in the semiconductor device 10 can favorably be controlled.例文帳に追加

隣り合う高濃度拡散領域１３が、高濃度拡散領域１３より低い不純物濃度に形成されたエピタキシャル層１２を介して所定距離離間することによって、応力の集中を緩和することができ、半導体素子１０内に結晶歪が生ずることを良好に抑制することができる。 - 特許庁

A relation between each component of the four-terminal matrix and an area thermal diffusion time shown by a physical value of the constituting single layer material is clarified by using the recurrence formulas, and a thermal diffusion rate and an interface thermal resistance of an unknown single layer material inserted into a multilayered material whose thermophysical property value is already known are calculated simultaneously.例文帳に追加

前述の漸化式を用いて、構成単層材料の物性値によって表した四端子行列の成分と面積熱拡散時間との関係を明らかにし、熱物性値が既知である多層材料中に挟んだ未知の単層材料の熱拡散率および界面熱抵抗を同時に算出する。 - 特許庁

Since a diffusion layer 13 formed during film formation between the Si layer 11 and the Mo layer 12 has a property reducing a reflectivity of the multilayered film mirror 10, a film thickness distribution is provided in the in-plane direction of the diffusion layer 13 to correspond to a mirror peripheral part and a center part having each different incident angle of a soft X-ray R1.例文帳に追加

Ｓｉ層１１とＭｏ層１２の間に成膜中に形成される拡散層１３は、多層膜ミラー１０の反射率を低下させる性質があるため、軟Ｘ線Ｒ１の入射角度が異なるミラー周辺部分と中央部に対応するように、拡散層１３の面内方向に膜厚分布を設ける。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

Since only a diffusion plate 6 having a fluorescence layer for converting UV into visible light is disposed in a light irradiation path between a light source 7 and a display panel 3, high luminance surface light emission is made possible by diffusion of light source light and illumination of the fluorescence layer and the light source image can be eliminated.例文帳に追加

光源７と表示パネル３との間の光照射経路中には、紫外線を可視光に変換するための蛍光層を有する拡散板６のみが配されているため、光源光を拡散すると共に蛍光層が発光することにより高輝度面発光が可能となり、かつ光源イメージを消すことができる。 - 特許庁

To provide a coaxial flow diffusion flame burner unit for manufacturing an optical waveguide so as to have a uniform particle distribution by reducing the sizes of the particles of glass soot and to provide the coaxial flow diffusion flame burner unit for manufacturing the optical waveguide for uniformly depositing the glass soot by evaporation on over a wider region.例文帳に追加

ガラススートの粒子のサイズを小さくして均一な粒子分布を有するようにするための光導波路製造用同軸流拡散火炎バーナー装置を提供し、より広い領域にかけて均一にガラススートを蒸着させるための光導波路製造用同軸流拡散火炎バーナー装置を提供する。 - 特許庁

The concentration of a low concentration N-type diffusion layer 14 of a drain electrode 26 that affects the characteristics of N channel high voltage MOS transistor 10 can be increased 50% by generating an overlapping region 36 at the border portion between a gate electrode 22 and the low concentration of N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

ゲート電極２２と、ドレイン電極２６の低濃度Ｎ型拡散層１４との境界部分にオーバーラップ領域３６を設けることで、上記Ｎチャンネル高耐圧ＭＯＳトランジシタ１０の所謂トランジスタ特性に影響のある低濃度Ｎ型拡散層１４の濃度を約５０％増加することができる。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane 100 with a support body is provided with: a hydrogen separation membrane 30; the support body 10 reinforcing the hydrogen separation membrane 30; and a diffusion suppressing layer 20 provided between the hydrogen separation membrane 30 and support body 10 and suppressing metal diffusion between the hydrogen separation membrane 30 and the support body 10.例文帳に追加

支持体付水素分離膜（１００）は、水素分離膜（３０）と、水素分離膜（３０）を補強する支持体（１０）と、水素分離膜（３０）と支持体（１０）との間に設けられ、水素分離膜（３０）と支持体（１０）との間の金属拡散を抑制する拡散抑制層（２０）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element dealing with a high frequency and a large power, which is provided with a piezoelectric substrate, a mutual diffusion preventing layer formed on the piezoelectric substrate and an electrode layer containing Al as a main component on the mutual diffusion preventing layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

圧電基板と、圧電基板上に形成された相互拡散防止層と、相互拡散防止層上にＡｌを主成分とする電極層を備える弾性表面波素子およびその製造方法において、高周波および大電力に対応した弾性表面波素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The AuBe contact electrode 214 of the peripheral rim electrode 215 is directly contacted with the p-AlGaAs current diffusion layer 210, however, the central electrode 220 is electrically connected to the p-AlGaAs current diffusion layer 210 through a p-GaAs contact layer 222 comprising a high concentration of p-type impurities.例文帳に追加

周縁電極部２１５のＡｕＢｅコンタクト電極２１４は直接ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と接触するが、中心電極部２２０は高濃度のｐ型不純物を含むｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２２を介してｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と電気的に接合される。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁