「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(190ページ目) - Weblio英語例文検索

A fuel cell 10 and a membrane electrode assembly 50 are provided with an oxygen diffusion prevention layer between an anode catalyst layer 26 and an anode gas flow path 38.例文帳に追加

燃料電池１０及び膜電極接合体５０は、アノード触媒層２６とアノードガス流路３８との間に酸素拡散防止層が設けられている。 - 特許庁

The pressure storage gaseous fuel supplied to the main pipe through a valve opening sequence by the foregoing control means is ignited for diffusion combustion in the atmosphere.例文帳に追加

前記制御手段による開弁シーケンスによりメインパイプに供給された蓄圧気体燃料に着火させ大気中で拡散燃焼を行わせる。 - 特許庁

To provide an electrochromic medium containing one or more controlled diffusion coefficient anodic electrochromic materials and/or cathodic electrochromic materials.例文帳に追加

一種以上の制御した拡散係数アノードエレクトロクロミック物質および／またはカソードエレクトロクロミック物質を含むエレクトロクロミック媒体を提供することである。 - 特許庁

To enhance quick charge characteristics of a lithium secondary battery by reducing internal resistance of an electrode and enhancing diffusion of lithium ions inside the electrode.例文帳に追加

電極の内部抵抗を低減させ、電極内でのリチウムイオンの拡散性を向上させることにより、リチウム二次電池の急速充電特性を向上させる。 - 特許庁

A diffusion barrier is doped by one or two or more types of ions of for example, oxygen, nitrogen, fluorine, silicon, germanium, or xenon (however not limited to these).例文帳に追加

拡散バリアは、１又は複数の種類のイオン、例えば、酸素、窒素、フッ素、シリコン、ゲルマニウム、又はキセノン・イオン（しかし、これらに限定されない）でドープされる。 - 特許庁

When the carbon nanotube is manufactured by using this catalyst, mutual diffusion between the catalyst and the substrate is prevented and catalyst activity is maintained at an excellent level.例文帳に追加

この触媒を用いてカーボンナノチューブの生成処理を行うと、触媒と基板の間での相互拡散が防止され、触媒活性が良好に維持される。 - 特許庁

This protective method for the alkali chloride electrolysis cell consists in passing slight current while the alkali chloride electrolysis cell having the gas diffusion cathode stops.例文帳に追加

ガス拡散陰極を備えた塩化アルカリ電解槽が停止している間、微少電流を流すことを特徴とする塩化アルカリ電解槽の保護方法。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium-ion secondary battery capable of lowering Li-ion diffusion resistance inside the electrode when high-current-rate charge and discharge are carried out.例文帳に追加

高電流レートの充放電を行った際、電極内部のＬｉイオン拡散抵抗を下げることが可能なリチウムイオン二次電池用電極を提供する。 - 特許庁

The cathode includes a first cathode catalyst layer 18, a diffusion layer 19 contacting with the cathode side separator, and an intermediate layer 32 arranged between them.例文帳に追加

カソードは、第１のカソード触媒層１８、カソード側セパレータに接する拡散層１９、およびそれらの間に配置された中間層３２を含む。 - 特許庁

Further, a nickel and/or nickel alloy plating layer for preventing tin diffusion is arranged between the copper foil or the copper alloy foil, and the porous copper particle layer.例文帳に追加

また、前記銅箔又は銅合金箔とポーラスな銅粒子層との間に、錫拡散を防止するニッケル又は／及びニッケル合金めっき層を設ける。 - 特許庁

The purge gas diffusion apparatus is porous so that the purge gas such as nitrogen can purge the oxygen or other contaminant from the load lock out the load lock chamber.例文帳に追加

パージガス拡散装置は多孔であり、窒素などパージガスが、ロードロックからの酸素または他の汚染物質をロードロック室からパージできるようにする。 - 特許庁

In the semiconductor device, for example, the MOS transistor, a p-type diffusion layer 5 as a back gate region is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置、例えば、ＭＯＳトランジスタでは、Ｎ型のエピタキシャル層３には、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A multiplication unit 306 acquires a quantization error generated in error diffusion processing on the neighborhood of the target pixel in a region including the target pixel from an error memory 305.例文帳に追加

乗算部306は、注目画素を含む領域の、注目画素近傍の誤差拡散処理で発生した量子化誤差を誤差メモリ305から取得する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor optical element for effectively suppressing the diffusion of Zn to an active layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

活性層へのＺｎの拡散が効果的に抑制されると共に信頼性が高い半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The collimating parts 15f and 19f convert emitted light from the end parts 19a and 15b of the optical fibers 19 and 15 from diffusion light into collimated light (approximately-parallel light).例文帳に追加

コリメート部１５ｆ，１９ｆは各光ファイバ１９、１５の端部１９ａ，１５ｂからの出射光を拡散光からコリメート光（ほぼ平行光）に変換する。 - 特許庁

The positive-negative type of the photo-resist 132 is reverse to the photo-resist used for forming a p-offset region 122 and a diffusion region 123.例文帳に追加

このフォトレジスト１３２は、ｐ−オフセット領域１２２および拡散領域１２３を形成するために用いたフォトレジストとはポジ−ネガ型が逆である。 - 特許庁

A dug portion 6 which is lower than the interface between the gate insulating film 2 and semiconductor substrate 1 is provided on surfaces of the two impurity diffusion layers 4.例文帳に追加

２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。 - 特許庁

A cap film 4 is formed on the low dielectric constant film 3 and a trench 5 for wiring is formed in the cap film 4, the low dielectric constant film 3 and the diffusion prevention film 2.例文帳に追加

低誘電率膜３上にキャップ膜４を形成し、該キャップ膜４、低誘電率膜３及び拡散防止膜２内に配線用の溝５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a prism sheet and a diffusion sheet each having high use efficiency by effectively utilizing a birefringent translucent base material.例文帳に追加

複屈折性透光性基材を有効に利用して光の利用効率の高いプリズムシートおよび拡散シートを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

Sn and Cu in the Cu-added solder ball bump 6 drastically react with Ni in the Ni junction layer 3 to form a diffusion suppression alloy layer 7.例文帳に追加

Ｃｕ添加ハンダボールバンプ６中のＳｎおよびＣｕとＮｉ接合層３中のＮｉとが急激に反応し拡散抑制合金層７が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and its manufacturing method by which leak between diffusion layers forming source and drain areas associated with miniaturization can be prevented.例文帳に追加

微細化に伴うソース、ドレイン領域となる拡散層間のリークを防止することのできる半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition method and a deposition apparatus of a cobalt film having low solubility into a plating liquid and excellent in barrier property against Cu diffusion in a single film.例文帳に追加

めっき液への溶解性が低く、かつ単膜でＣｕ拡散のバリア性にも優れたコバルト膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

The diffusion sheet 15a is disposed in front of the light receiving lens 15, that is, on the optical axis on the side opposite to the photodetector 16 across the light receiving lens 15.例文帳に追加

拡散シート１５ａは受光レンズ１５の前側、すなわち受光レンズ１５を挟んで受光素子１６の反対側の光軸上に配置されている。 - 特許庁

The space for reaction gas flow is formed with the separator and the current collector, thereby installation of a gas diffusion layer and a gas passage member is made unnecessary.例文帳に追加

また、セパレータと集電体とによって反応ガス流動用の空間が形成されることから、ガス拡散層およびガス流路部材を設けなくてもよい。 - 特許庁

A pair of impurity diffusion regions 24a and 24b is formed in a part of surface region of the semiconductor substrate sandwiching the control electrode.例文帳に追加

一対の不純物拡散領域２４ａ、２４ｂは、半導体基板の表層領域の制御電極を挟む領域部分に形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device 10 comprises an n-type diffusion layer 17 between an insulating layer 15 formed on the surface of a trench 19 and an n-type semiconductor region 11.例文帳に追加

半導体素子１０は、トレンチ１９の表面に形成された絶縁層１５とＮ型半導体領域１１との間にＮ型拡散層１７を備える。 - 特許庁

To provide an electronic component in which occurrence of mutual diffusion can be controlled, while realizing miniaturization as compared with prior art, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

相互拡散の発生を抑制することができると共に、従来よりも小型化を図ることが可能な電子部品及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The thermopile 10, preamplifier board 20, main board 30, power source board 40, and laser diodes 60, 70 are arranged so as not to contact to thermal diffusion member 90.例文帳に追加

サーモパイル１０、プリアンプ基板２０、メイン基板３０、電源基板４０およびレーザダイオード６０，７０は熱拡散部材９０と接触しないように配置される。 - 特許庁

A diffusion plate 1 has a surface 10 formed with a plurality of fine ruggedness parts 11 regularly arranged at a cycle equal to or smaller than a predetermined wavelength.例文帳に追加

拡散板１は所定の波長以下の周期で規則的に配列された複数の微小凹凸部１１が形成された表面１０を有する。 - 特許庁

By controlling the flow of nitrogen gas inside the furnace, diffusion of flux inside the furnace can also be prevented, and thereby a facility operation cost for removing the flux can be reduced.例文帳に追加

また炉内の窒素ガスの流動を制御することにより、炉内のフラックスの拡散を防ぎ、フラックス除去のための設備稼働コストも低減できる。 - 特許庁

Accordingly, the oxygen is diffused from the upstream side of high density to the downstream side, and the density of oxygen supplied to the diffusion layer 23 is leveled.例文帳に追加

従って、酸素が濃度の高い上流側から下流側へと拡散していき、拡散層２３に供給される酸素濃度が均一化される。 - 特許庁

A resistance change portion 22 is formed between a part of surface region of the semiconductor substrate on the underside of the control electrode and the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部２２は、半導体基板の表層領域の、制御電極の下側の領域部分と不純物拡散領域との間に形成されている。 - 特許庁

This diffusion disk 1 is rotated with a rotating shaft 2 as the center, and a raw material dropped on its upper surface is discharged and fed over the reticular face 3 of a screen.例文帳に追加

拡散盤１は、回転軸２を中心に回転することで、その上面に投下される原料を篩の網面３上に拡散させて投入する。 - 特許庁

To provide a signal processor capable of rapidly executing both conversion processing and error diffusion processing of a color signal, with a small circuit configuration.例文帳に追加

色信号の変換処理および誤差拡散処理の双方を、小規模な回路構成で高速に実行することができる信号処理装置を提供する。 - 特許庁

The gate electrode 114 is formed by a semiconductor, for example polysilicon, in which an impurity having the same conductivity type as the first diffusion layer 116 is introduced.例文帳に追加

そしてゲート電極１１４は、第１拡散層１１６と同一導電型の不純物が導入された半導体、例えばポリシリコンにより形成されている。 - 特許庁

To realize a method of forming a polycide gate electrode of a semiconductor element, which improves interface roughness between silicide and polycide by caused by the diffusion of a high-melting-point.例文帳に追加

高融点金属の拡散によるシリサイド/ポリシリコン界面の粗さを改善できる半導体素子のポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

The reset part 33 responds to a prescribed control signal RESET and controls a voltage level of the floating diffusion layer 43 to a prescribed reset voltage level.例文帳に追加

リセット部３３は、所定の制御信号ＲＥＳＥＴに応答して、浮遊拡散層４３の電圧レベルを所定のリセット電圧レベルに制御する。 - 特許庁

To suppress lateral diffusion of impurities and permit microfabrication of a semiconductor integrated circuit when thermally diffusing impurity areas in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の中の不純物領域を熱拡散する際に、その横方向拡散を抑制して半導体集積回路の微細化を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

As the diffusion reflection layer, a fine pattern 4 in stripe, lattice, or dot which is formed with the aluminum layer 3, for example, may be used.例文帳に追加

拡散反射層としては、例えば、アルミニウム層３により形成されたストライプ状または格子状またはドット状の微細パターン４、８を用いることができる。 - 特許庁

An deep P-channel implant and diffusion are formed in an early stage before the main channel is formed to produce a graded body diode junction.例文帳に追加

メインチャネルを、傾斜ボディーダイオード接合を作成するために形成する前に、初期段階でおよび深いＰ^—チャネル注入および拡散を形成する。 - 特許庁

The linear prism 4 has two slant faces 4A having tilt angles generally equal to each other with respect to a plane vertical to the thickness direction of the light diffusion member 1.例文帳に追加

線状プリズム４は、光拡散部材１の厚み方向に垂直な面に対する傾斜角度が略等しい２つの斜面４Ａを有する。 - 特許庁

The power sources I1, I3 are constituted to depend on a diffusion resistance value, and the power sources I2, I4, I5 are constituted to depend on an external resistance value.例文帳に追加

さらに、拡散抵抗値に依存するように電流源Ｉ１、Ｉ３を構成し、外付け抵抗値に依存するように電流源Ｉ２、Ｉ４、Ｉ５を構成する。 - 特許庁

To measure a surface resistance value of an electric insulation material (including a material performing electrostatic diffusion or conductive surface treatment) in non-contact.例文帳に追加

電気絶縁体材料（静電気拡散性や導電性の表面処理がなされているものを含む）の表面抵抗値を非接触で測定する。 - 特許庁

Shallow trench 51 with narrow width is formed in a substrate 50 at a small pitch and an n diffusion region 60 which becomes a drift region is formed around the trench 51.例文帳に追加

基板５０に浅く幅の狭いトレンチ５１を小さいピッチで形成し、トレンチ５１の周囲にドリフト領域となるｎ拡散領域６０を形成する。 - 特許庁